科学実験のスペシャリスト
錯体化学実験施設 分子研リポート2005 | 分子科学研究所
... 3-9 錯体化学実験施設 錯体化学実験施設は １ ９ ８ ４ 年に専任教授と流動部門 （錯体合成） よ り 始ま り ， 次第に拡大して き た。 現在の研究活動と しては， 錯 体触媒研究部門での， 主 と して後周期遷移金属を利用 した次世代型有機分子変換に有効な新機能触媒の開発を推進 している 。 従来の不斉錯体触媒開発に加え， ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート2003 | 分子科学研究所
... c) 光のエネルギーが， 原子 ・ 分子のイオン化エネルギーに正確に一致すると， 運動エネルギーが殆どゼロの光電子を放 出する。 これをしきい電子と呼び， そのような電子を積極的に捕集する分光法をしきい電子分光法と言う。 直接二重 イオン化が起こる光エネルギー領域において， しきい電子を二つ同時に計測すれば， 二価イオン状態を正確に規定 することが出来る。 ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート2002 | 分子科学研究所
... OR のような比較的低エネルギーのリングに真空封止型のアンジュ レータを導入するのは世界的にも初めての試みであったが， ビーム不安定も観測されず， また， ビーム寿命への影響 も予想の範囲内であり， 十分実用的であることが実証できた。 UV SOR 観測系， 極端紫外光科学研究系の協力により， ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2004 | 分子科学研究所
... A -3) 研究活動の概略と主な成果 a) アリールオキシド基をもつ多座配位子の錯体化学 ： これまでの研究において， ３つのアリールオキシド基をオルト 位でメチレン鎖により連結した鎖状アリールオキシド３量体を配位子として用いて， 遷移金属との錯形成を調べて きた。 この配位子を基本に， 一部をアニソール基， イミダリリデン基に置換したハイブリッド型配位子， ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2003 | 分子科学研究所
... a) これまで研究例が限られているシリルチオラート錯体の合成と反応について研究を進めている。 シリルチオラート 錯体は反応活性なケイ素−硫黄結合をもつため， 多様な反応性を示すと考えられる。 得に金属スルフィドクラスター 合成における有用な前駆体として期待されている。 今回， シリルチオラート配位子のケイ素上の置換基が異なる錯 体を合成し， その反応性を調べることにより， ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2002 | 分子科学研究所
... 計と合成がトレンドになっている。このように化学サイドからの「積み上げによるナノサイズ分子の合成」は，錯体 の持つ特性を利用できるので他の方法より有利であり，この点分子研でのナノセンターの設立はすでにその傾向を素 早く取り入れている。 結局， 物性研究の対象として各種の錯体が用いられる傾向は益々急となり， 「共役系を持つ錯体」 ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2002 | 分子科学研究所
... c) 多核金属錯体の合成と反応性に関する研究 A -3) 研究活動の概略と主な成果 a) シリルカルコゲノラート錯体を前駆体としたカルコゲニド化合物の合成 ： キレート型のシリルチオーラト配位子を もつ遷移金属錯体の合成を行った。 シリルチオーラト錯体は反応性の高いケイ素−硫黄結合を持つために， 熱的に ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2001 | 分子科学研究所
... c) 多核金属錯体の合成と反応性に関する研究 ： 多核金属錯体を構築する新しい配位子としてビス （アミジナート） 配位 子および多座フェノキシド配位子とそれらの金属錯体を合成した。 前者に関しては trans-ジアミノシクロヘキサン から誘導したビス （アミジナート） 配位子を用いたときに２種類の異性体の生成が考えられるが， 配位子の自己認識 により， ...
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実験と理論計算科学のインタープレイによる触媒・電池の元素戦略研究拠点Elements Strategy Initiative for Catalysis and Battery (ESICB)（文部科学省）（1ページ）
... 平成２ ４年度に開始した「元素戦略プロジェクト＜研究拠点形成型＞」は，今年度で４年目を迎えた。本プロジェ クトは磁石材料，触媒・電池材料，電子材料，構造材料の４領域から構成され，その中で触媒・電池材料領域は京都 大学に研究拠点を置いており，分子科学研究所は電子論グループの連携機関として参画している。本プロジェクトの ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2000 | 分子科学研究所
... I) の反応によりロジウム複核錯体で初めてハロゲン架橋１次元鎖状構造を持つ化合物を得ること に成功した． また， π 共役系架橋配位子を持つロジウム複核錯体カチオンラジカルで金属原子間δ 型軌道と配位子 のπ 軌道との相互作用により配位子上に拡がった不対電子の相互作用により， ３次元的に結晶全体に拡がった相互 ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート1999 | 分子科学研究所
... 子 の 運 動 エ ネ ル ギ ー と ス ペ ク ト ル プ ロ フ ァ イ ル が 変 化 す る 事 は P C I （P ost C ollision Interaction） 効果として知られているが， 角度分布の中でその影響らしきものを捉えたのは世界初である。 このことは， 通常のオージェ電子放出過程もまた完全に独立した二段階過程ではない事を示唆しているものと思 ...
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三品佳子 視認性を重視した環境科学実験教材の開発とその利用
... ・セルロースろ紙 （ 定性） 孔径 数 µ m ～数十μ m ・メンブレンフィルター 孔径 0.2 µ m 0.45µm etc 測定法がある 9） 。透過光測定法では、入射光が試料セ ルに当たって反射される光を除去し光束を絞り込むた めに必要なスリットを光路上に置くなどの工夫も必要 となるが、散乱光測定法では、入射光軸方向と異なる 角度方向に検出器を置き、光路上の成分によって散乱 ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート1998 | 分子科学研究所
... たとえば，バンドギャップの大きな物質においては，内殻励起状態がオージェ過程を生じないで輻射減衰するも のがある。B a ハライドや C s ハライドについて，光電子分光と発光分光の同時測定により，その遷移の帰属を確 認し，電子格子相互作用による効果が大きいことを明らかにした。 b) ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート2000 | 分子科学研究所
... eV のエネルギー範囲で、 分解能5000以上を達成する事を目指して、 不等刻線平面回折格子を用いた斜入射 分光器を建設した。 現在光焼きだし等の立ち上げ作業を行っている。 c) 内殻励起状態の崩壊ダイナミクスは、 分子解離とオージェ電子放出との競争過程であるという間接的な証拠が二次 応答スペクトルの解析から得られている。 しかし、 ...
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極端紫外光実験施設 分子研リポート2001 | 分子科学研究所
... eV のエネルギー範囲で， 分解能5000以上を達成する事を目指して， 不等刻線平面回折格子を用いた斜入射 分光器を建設した。 性能評価実験の結果， 新分光器は初期の目標に近い性能を有することが確認された。 この分光器 を用いて， 窒素分子の1 s励起領域における高分解能対称性分離スペクトルを測定し， 連続状態中に埋もれた通常の ...
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第 1 部 : 光って何だ? 光の科学史とかんたん光実験
... 実験1：回折 • レーザ光をスリットに通した時, 光の回り込みが 見えるか？ • レーザ光を直接目に入れないこと！ • 反射光、散乱光に十分注意すること！ • スクリーンに映った光を凝視しないこと！ ...
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極端紫外光実験施設の将来計画 分子研リポート1998 | 分子科学研究所
... UV S OR において分子生物学や生化学の分光学やイメージングの分野の活動が少し低いのではないかと私は思う。 日 本以外では生物科学は放射光利用の 15% ∼ 25％（イギリスでは∼ 25%）にも達し，ヨーロッパやアメリカでは５年程 度のうちに 30% まで増えると予想されている。利用の多くは 2 GeV ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート2006 | 分子科学研究所
... B -4) 招待講演 川口博之 , 「多座フェノ キシ ド配位子を もつ前周期遷移金属錯体の化学 ： 合成と反応性」 , 第３ ９ 回有機金属若手の回夏の学校 , 京都 , 2006年 7月. 川口博之 , 「４ およ び５族遷移金属フェノ キシ ド錯体によ る小分子活性化」 , 第 ９ ８ 回触媒討論会 , 富山 , 2006年 9月. ...
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錯体化学実験施設 分子研リポート1999 | 分子科学研究所
... b) 環状ペプチド金属錯体の合成法の開発：環状ペプチドは，一般的に環化反応の収率が低いため，環状ペプチドを 用いる生体機能の制御あるいは機能性分子の創製は立ち遅れていた。 本研究では， 金属キレート能を有する L- シ ステインと，グリシンの繰り返し配列を含む様々のサイズを持った直鎖状および環状ペプチドを，高い収率で合 ...
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「スペシャリスト」の実態
... 平均値 女性ダミー 0.676 職種経験年数 5.413 学歴： 専門学校ダミー 0.130 高専・短大ダミー 0.145 大学・院ダミー 0.447 従業員規模： 100-999人 0.275 1000-4999人 0.126 5000人以上官公庁 0.135 正社員ダミー 0.495 資格： 資格不可欠 0.073 取ること推奨 0.081 あったほうがよい程度 0.270 仕事手順： ほとんど決まっている 0.254 ...
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