半導体の物性値と高周波電力デバイス性能
半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 3.2 評価サンプルの構成 ······································································ 37 3.3 シミュレーションモデル ································································ 37 3.4 材料物性値 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... 77 4.2.1 OP アンプ組み込みの利点と問題点 Fig.4-9に、補償精度を高めたACCの概略図を示す。OPアンプの正入力端子には検出され たコモンモード電圧が入力され、出力端子はエミッタフォロア回路の入力端子に接続され ている。負入力端子はエミッタフォロア回路の出力に接続されている。OPアンプは、エミ ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 再生光スポットをディスクの記録トラックに照射することにより昇温 し、中間の「スイッチング層」のキュリー温度以上の領域では磁化 が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。 • 移動層に転写されていたマークを保持しておく力の一つである交 換結合力が解消されることで、記録マークを形成する磁区の周り ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムとは、電流源のスイッチング順序をデ コーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものではない。 DA 変 換器を構成している電流源は理想的には単一の値であるが、各種ミスマッチの影響により ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 再生光スポットをディスクの記録トラックに照射することにより昇温 し、中間の「スイッチング層」のキュリー温度以上の領域では磁化 が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。 • 移動層に転写されていたマークを保持しておく力の一つである交 換結合力が解消されることで、記録マークを形成する磁区の周り ...
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本委員会の新設に 東北大学が中核的に貢献しました 本委員会には 委員 長をはじめとして東北大学より 6 名の教員が委員として参画しています 電力エネルギーシステム関連 情報通信ネットワークシステム関連 電力機器システム関連 半導体デバイス機器システム関連 自動車関連 バッテリー蓄電池関連 情報数理科
... 産業革命以降２５０年の世界の近代化・現代化・未来化の歴史の中で、互 いに交わることのなかった電力エネルギーと情報通信それぞれのネットワー ク基盤を物理的に融合することによって、電力機器エネルギー利用効率の格 段の向上と ICT ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... GaN デバイスが高性能パワーデバイスとしての期待が大き いが、低コストで良質の GaN 基板が未だ得られないこと もあり、Si 基板上の GaN パワーデバイスの研究開発が広 くなされている。基板が低コストの Si 基板であり低コスト ...
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に資する十分な成果が得られたと判断される 1. 研究プロジェクトの設定および運営 1-1. プロジェクトの全体構想本研究プロジェクトは 半導体結晶を構成する原子の核スピンに関わる新たな物性を調べ 量子情報処理等への応用可能性を探索するものである 半導体物性との関連における核スピンの研究は 1980
... MRI の開発、ナノマテリアルの NMR による評価 を目指し研究が実施されている。このような装置を稼働させているグループは世界でも極め て少なく、様々な実験装置そのものから造るという息の長い開発努力が必要であると言える。 このような背景にあって本研究グループは、高移動度半導体中の二次元電子ガスの整数・分 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 1MHz と 3MHz の超音波洗浄装置で洗浄した場 合の出力に対する PSL 粒子の除去率を示す。図 4 と同様、 洗浄装置の出力が大きくなるにつれて、洗浄力は高くなる が、 1µm 時よりも除去率が低くなっている。これは、PSL 粒子が受ける超音波洗浄による流体抗力が小さくなるた めと推測している。また PSL 粒子 1µm ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 1MHz の超音スプレーと周波数 3MHz で洗浄した 場合、出力に対する PSL 粒子の除去率をそれぞれ図 3 と 図 4 に示す。1 MHz 時も 3 MHz 時も超音波スプレー洗浄 装置の出力（振幅）が大きくなるにつれて除去率が高くな った。当然ではあるが、超音波スプレー洗浄装置の出力が ...
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AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法
... CC の値は動作周波数に比例して増加しま す。回路内の一部を低速化することによって、I CC 、そして消費電力を 低下させることができます。アルテラのデバイスは、各レジスタにグ ローバルなクロックまたはアレイ・クロックのいずれかが使用できるよ うになっています。高速動作の必要がないレジスタには低速のアレイ・ ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... SiC の熱酸化やアニーリングのシミュレーションは、アモルファス構造の SiO 2 と SiC からなる複 雑な界面構造と、酸化過程や窒化反応のような化学反応を含むシミュレーションからなる。そのため、 化学反応の計算が可能で、結合の次数が変化する系の取り扱いも可能な第一原理分子動力学計算が非 ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... ■ 研究の経緯 ■ 産総研では、硬度、熱伝導率、弾性定数、光学的透過率、化学的安定性、電気化学特性など物 質中で最も優れた特性をもつダイヤモンドについて、半導体特性と組み合わせることによって新 しい応用を開拓するための研究を行っている。また、既に材料技術として大型単結晶接合ダイヤ モンドウエハーを開発している（2010 年 3 月 1 日プレス発表）。ダイヤモンドを用いた各種デバ ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... Ⓡ の発表と期を一にした電子顕微鏡のデジタルネットワーク化、４回目は 2000 年代前 半から始まった 3 次元観察を中心とする観察技術の多様化、そして 5 回目として期待さ れているのが球面収差補正技術である。 FIB の導入は TEM 試料の作製技術に根本的な変革をもたらした。従来は平面的な観察 で Si ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かしながら、C 面の場合、この内部電界の為に、活性層内 で電子とホールの存在場所が分離され、結合する確率が大 きく低下する。特に、長い波長の光を得ようとすると、活 性層中の InGaN 層の In 組成比率を上げる必要があるため、 結晶格子が大きくなり、内部応力が増大し、この内部電界 ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... • 特に高電子移動度トランジスタ(HEMT)や ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)などの 超高速素子や、これらを基礎とした将来デ バイスである、量子効果・ナノデバイスとそ の応用について学ぶ。 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザは、大電流 での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きく なるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 （EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: ...
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