制御工学、半導体デバイスなどを研究対
概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法（HVPE 法）、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向に成長させると円錐型に直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚～ 10 枚程度の基板しか ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... 日経エレクトロニクス2005年1月17日号 ホログラフィック媒体 2006年に200Gバイトを実現 • 「究極の光メモリ」といわれ，これまで何十年もの間，研 究開発が進められてきたにもかかわらず，いまだに実用 化されていないホログラフィック記録再生技術。しかし， ここにきてBlu-ray DiscやHD DVDなど次世代光ディスク ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... ACC を組み合わせた、低ひずみ低ノイズかつ高い電圧利用率を持つ高周波 PWM インバー ...信号であっても、行うことは入力信号と出力信号のパルスの幅を等しくし出力電圧ひずみ を低減する。また出力信号の検出回路もコモンモードトランスよりもインバータ側に接続 することで、ACC の補償電圧の影響を受けることなく出力信号を検出できる。デッドタイ ...
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チュートリアル薄膜材料デバイス研究会の研究集会では 初学者への教育と研究集会をより深く理解する目的で 研究集会に先立って チュートリアルを実施している 今回は 期待デバイスの徹底理解 と題して 2 人の講演者をお招きした まず 名古屋大学の宮崎誠一先生に ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発 -
... Medal を日本人で初めて 獲得された素晴らしい業績を残されている。 微細化に伴う DRAM 構造の変遷を振り返りつつ、 独自の着想に至った経緯や、技術開発を進め る上での心得など、極めて示唆に富んだお話 しを頂きあっという間の 1 時間であった。 ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 1．研究開始当初の背景 半導体製造プロセスの 1/3 は洗浄工程と言われている。 洗浄の目的の一つは、シリコンウェハ上のナノメートルオ ーダの異物（パーティクル）を除去することである。従来、 1 バッチ 25 枚のフープの単位で、加温したアンモニア水、 過酸化水素水、塩酸等に、順次浸漬させる化学的な RCA ...
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Excitation wavelength [nm] 平成 29 年 9 月 11 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 カーボンナノチューブの新たな原子構造制御法開発 ナノチューブ電子デバイスの実用化に大きな期待 発表のポイント カーボンナノチューブの原子構造を制御する新たな合成手法を開発
... いることで 1 種類のカイラリティのみを選択的に高純度合成する手法が近年報告され 注目を集めています。一方で、触媒の結晶方位は触媒金属の種類で決定されるため、 この手法で選択合成できるカイラリティの種類は数種類に限られています。これに対 し本研究では、結晶方位に比べ自由度の高い表面状態に着目し、より多くのカイラリ ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... ※7 を SEDI（住友電工デバイスイノベーション㈱） がいち早く開発・製品化を実現させ、市場でリードしてい る。いわゆるパワーデバイスとしては、GaN 基板上の GaN デバイスが高性能パワーデバイスとしての期待が大き いが、低コストで良質の GaN 基板が未だ得られないこと もあり、Si 基板上の GaN ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 晶は、得られていなかった。バンドギャップも大きく、光 デバイスとしては、可視光から紫外光をカバーする事が出 来る。このように異質な窒化物系化合物半導体は、従来の 化合物半導体のようなバルク結晶が得られないため、その デバイスは、サファイアなどの全く異なる異種材料からな る異種基板上へのヘテロエピによって登場した。1993 年 ...
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マニピュレータを搭載した水中ロボットの 分解加速度制御に関する実験的研究 平成 19 年 1 月 九州工業大学大学院 工学研究科 田村 正和
... 第 1 章 緒 論 1.1 本研究の背景 1.1.1 水中ロボットの必要性 広大な海洋空間は地球上に残された最後のフロンティアと呼ばれて久しい．しか しまた， 「近くて遠い世界」と言われているように，海は人類には簡単にその門口を開 けてはくれない．しかしながらそのような状況ではあっても生産素材やエネルギー としての鉱物資源の確保，防災を絡めた学問的見地からの海洋地質調査など，海洋 ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... の高抵抗は一般的にはプロセスの不安定性に由来するものとされ、回路的にも動作マージン を見込んで設計されている。しかしながら長期にわたる使用条件や一定の信頼性加速試験環 境においては、初期には検出されない高抵抗原因となることが懸念される。よってこれらの数 Ωの抵抗上昇を示すコンタクトホールについて高抵抗原因を解析した。図５．１．１０に数Ω程 度の抵抗上昇を示す Via ホールの断面 ...
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第 Ⅱ 部工学専攻履修要項 Ⅱ 1 履修要項 1) 大学院概要 課程本大学院は下記の 6 コースを設置しています コース名 分野名 宇宙 環境 機械工学電気電子工学電子物質科学化学バイオ工学 知能 材料光電 精密情報エレクトロニクスエネルギー 電子制御電子物理デバイス材料エネルギー化学環境応用化学バ
... ③ コース選択科目から 14 単位以上を修得していること。この場合において、当該 14 単位 には、コア専門科目のうちから修得した４単位が含まれていなければならない。 なお、他コース、他専攻、他研究科、他大学で開講する科目から 10 単位までを、コー ス選択科目の単位数に含めることができる。ただし、他専攻、他大学で開講する科目を履 ...
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新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス システムの創製 平成 13 年度採択研究代表者 岩佐義宏 ( 東北大学金属材料研究所教授 ) ナノクラスターの配列 配向制御による新しいデバイスと量子状態の創 出 1. 研究実施の概要本研究の目的は ナノクラスター素材 ( 分子 フラーレン チューブなど
... 「ナノクラスターの配列・配向制御による新しいデバイスと量子状態の創 出」 1.研究実施の概要 本研究の目的は、ナノクラスター素材（分子、フラーレン、チューブなど）の形状の 特長を生かした新物質を開発するとともに、これらの素材特有の固体および単分子デバ ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 図 4.1: 比較検査において製造ばらつきに起因した誤検出 (黄枠) が大量に発生す る事例 2 つ目の識別処理では、欠陥候補点を中心として、16 × 16 画素の局所画像を 切り出し、局所画像の濃淡値を特徴量として識別器を構成した。全ての欠陥候 補が良品と判定された場合、検査画像内には欠陥が含まれないと判定する。半 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 半導体デバイス洗浄工程において、ウェハを回転させな がら、純水をウェハ滴下するスピン洗浄がある。この時、 モータの回転時に生じる磁場によって、モータの中央部の 純水が帯電し、静電気障害を起こしていると思われる事象 が起きている。この対策は現場の経験的なもので行われ、 真の原因解決には至っていない。本研究では、生産現場で ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 研究分野：電気電子材料、品質工学 キーワード：半導体デバイス、超音波洗浄、ポリエスチレンラテックス (PSL)粒子、洗浄、純水、エレクトロスプレー 1．研究開始当初の背景 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると ...
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研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を
... 埼玉大学・大学院理工学研究科・折原操 東北大学・金属材料研究所・片山竜二 １．はじめに AlN, GaN, InN およびこれらの混晶である窒化物半導体は直接遷移型であり、且つ広範なバンドギャップをカ バーするため、紫外から赤外までの発光デバイス材料や、高効率多接合タンデム太陽電池材料としての検討がなさ ...
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半導体メモリデバイスに対する陽子入射シングル イベントアップセット断面積の計算
... 序： 研究背景 中間エネルギー領域の核子入射核反応 の知識・情報 ⇒ 原子核物理以外の理工学分野への応用 半導体デバイス分野 ： 宇宙、航空機、原子力、加速器施設で使用 ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... 【研究の内容】 今回、東北大学の研究グループは、分子線エピタキシー法 注２) を用いて、グラフェン薄膜 上に原子層レベルで精密に制御された高品質な単原子層 TiSe 2 超薄膜(図１)を作成するこ とに成功し、その電子状態を角度分解光電子分光 注３) ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... ダイヤモンドは、硬度、熱伝導率の大きさ、光透過波長帯の広さ、化学的安定性などに優れる だけでなく、半導体としても絶縁破壊電界や電荷移動度などに優れた特性をもつため、高耐電圧・ 低損失・高速応答の半導体デバイス、特に電力を制御するパワー半導体デバイス（電力用半導体 ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... 日経エレクトロニクス2005年1月17日号 ホログラフィック媒体 2006年に200Gバイトを実現 • 「究極の光メモリ」といわれ，これまで何十年もの間，研 究開発が進められてきたにもかかわらず，いまだに実用 化されていないホログラフィック記録再生技術。しかし， ここにきてBlu-ray DiscやHD DVDなど次世代光ディスク ...
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