集積回路とEDA
SPICEの使い方
塩見 準*,
土谷 亮
* [email protected]
集積回路工学特論 2017年6月21日スライド・サンプル等は以下から入手してください
小野寺研→講義→集積回路工学特論
http://www-lab13.kuee.kyoto-u.ac.jp/modules/contents/lecture/spice.html
今日の内容
そもそもEDAとは
なぜ必要なのか
SPICEとは
SPICEの使い方
解析の種類
回路・解析条件の与え方
操作手順:LTspice
2集積回路とEDA
Electric Design Automation (設計自動化技術)
計算機による設計・製造支援ツール
CAD (Computer Aided Design)
CAE (Computer Aided Engineering)
CAM (Computer Aided Manufacturing)
– 厳密な使い分けは存在しない
多数の会議が開催される集積回路の一大研究
分野
市場規模は年間66億ドル程度 (2012年)
なぜEDAが必要なのか
4 Photo from Situation Publishing Ltd., http://www.reghardware.com/
EDAのなかった時代
Intel 4004 (1971年) 3mm x4mm, 10mmプロセス, 2300Tr 4bit, 動作周波数741kHz 入出力16ピン 世界初の商用マイクロプロセッサ ほとんどのロジックは
一人~数人の技術者
が設計
ちなみに4004の設計
者は日本人(嶋正利)
紙と鉛筆の世界
このころはそれでよかったが・・・
現在の集積回路
Renesas SH-Mobile G3 (2008) 9.3mm x 9.3mm, 65nmプロセス, 3億Tr
配線層8層,電源ドメイン21個 入出力617ピン
Photo from ISSCC2008
手作業では無理
機能検証
配置・配線
タイミング検証
マスクデータ作成
etc. etc…
開発期間は半年~1
年
最新(2017年)のプロセッサだと
トランジスタ数は70億以上
集積回路の複雑さ
6D-flipflopの立体イメージ
これで1ビット
レポートで作成した
NANDレイアウトは
4Tr,配線層1
最先端プロセス
数億Tr
配線層10前後
集積回路の断面構造
8
10層配線プロセスの立体イメージ
最小の配線幅は100nm以下
EDAの恩恵 : 生産性
Year P roducti vit y (l og) ? ハードウェア規模 3年で2倍 (Moore’s law) 生産性 4年で2倍 (?) Productivity gapProductivity gap:
ハードウェア規模の増大に
生産性が追いつかない
設計,評価,検証 etc.試作して測って・・・を計算機上で
回路シミュレータ
(SPICEなど)
回路図からレイアウトを自動作成
自動配置配線
レジスタのレベルから回路図を生成
ハードウェア記述言語
(Verilog,VHDL)
「生産性を上げる」のが
大きな目的
実測とEDA
10実測
試作に時間がかかる
測定自体が難しい
擾乱なしの測定は不可能
予期せぬ事態も捉える
ことができる
EDA
すぐに評価が可能
任意の点を評価可能
擾乱なしに評価が可能
モデル化されていない
事象は評価できない
実測もシミュレーションも「何を評価しているのか」を
理解して使うことが重要
EDAの出発点 SPICEとは
Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis
UC Berkeley で1973年に開発
スパコンが100MFLOPSぐらいの時代
ちなみに Intel Core i7 は50GFLOPSぐらい
入力はパンチカードだった
非線形素子を含む回路を解析できる
“SPICE”は「トランジスタレベルの回路シミュ
SPICEの重要性
回路シミュレータの “Golden simulator”
SPICEが精度の基準
集中定数で表せない高周波回路は除く
シンプルで強力な非線形問題ソルバー
用途は集積回路だけではない
回路にマッピングできれば電気回路以外にも
熱抵抗と熱容量で熱の拡散を解く,など
「問題をどうSPICEにマッピングするか」という研究も
行われている
12今日の内容
そもそもEDAとは
なぜ必要なのか
SPICEとは
SPICEの使い方
解析の種類
サンプルを動かす
LTspiceの使い方
便利機能
SPICEでできる解析
直流解析 (DC analysis)
時間的に変化しない電圧・電流の関係
トランジスタの動作点解析など
小信号解析 (AC analysis)
特定バイアス下での周波数応答
過渡解析 (Transient analysis)
時間的に変化する信号に対する応答
14直流解析
回路にある電圧・電流を与えた際に各部の電
流・電圧がどうなるか?
Ids Vgs Vds例:トランジスタの
電流電圧特性
指定した電圧(Vgs,Vds)を 与えたときに電流(Ids)は どのぐらい流れるか? を解析回路の入出力特性,
アナログ回路のバイアス確認
などに使う
対応する測定器: デジタルマルチメータ小信号解析
回路の周波数応答を解析する
16小信号:素子が線形素子とみなせる程度の大きさの信号
例:RCフィルタの周波数応答
入力信号の周波数を 上げていくとゲインはどうなるか? を解析フィルタ,アンプなどの
周波数特性の確認に使う
対応する測定器: ネットワークアナライザ過渡解析
時間的に変化する信号に対する応答を解析
対応する測定器: オシロスコープ小信号解析に対して大信号解析と言うことも
例:インバータの
入出力波形
IN1にパルスを入力したら 各部の波形はどうなるか? を解析遅延時間,信号遷移時間,
遅延などの評価に使う
= 非線形性が考慮される
サンプルを動かす
サンプルを動かす
とりあえず動かす
ファイルは
小野寺研から
ダウンロード
サンプルを動かす –
ファイルの読み込み
20
1.小野寺研のページから inv_example.asc をダウンロード
2.LTSpiceを起動し,File → Open で inv_example.asc を選択
inv_example.asc が見つからない場合は
「ファイルの種類」が 「Schematics (*.asc)」 になっていることを確認すること
サンプルを動かす –
モデルの指定
1.小野寺研のページから X.XXプロセス トランジスタ
モデルパラメータ SPICE_param_X.XXum.txt をダウンロード
2..lib でダウンロードしたファイルを指定する
右クリック
Browseを押して
ファイルを指定
※「モデルパラメータ」が何なのかは後述
サンプルを動かす
–
解析実行
223.Simulate → Run でシミュレーションを実行
正常終了すると波形ウィンドウが開く
(この時点では波形は何も表示されない)
エラーメッセージが出た場合は
ネットリストが間違っている.
エラーメッセージを読んで対応すること.
エラーメッセージの例サンプルを動かす
–
波形の表示
4.回路図上で見たいノードをクリックすると波形が表示される
電圧波形 (ポインタがプローブの形) 電流波形 (ポインタがクランプの形)
シミュレーションが正常に終わっていないと(当然)波形は見られない
波形が表示できるノードの上ではポインタの形が変わる
サンプルを動かす
–
波形の表示例
サンプルを動かす
–
データの書き出し
5.波形ウィンドウを選択した状態で,File → Export
出力したいノードを選択してOKを押すと指定したファイルに
数値データが書き出される
注意点
LTSpiceは選択しているウィンドウの種類に
よってメニューの構成が変わることに注意
波形の操作や書き出しは波形ウィンドウを選択し
た状態でしか行なえない
26SPICEの入力
28 素子の接続関係 電気回路は素子と 節点からなる グラフとして記述できる モデルパラメータ (モデルカード) 回路が非線形素子を 含む場合,その特性は 素子の種類に応じた パラメータで表現する 解析条件 オプションなど 電圧や周波数の範囲 何を出力するか etc.昔はテキストで記述していた(ネットリスト)
現在はグラフィカルに記述
SPICEが必要とする情報は大きく3つ
SPICEの入力
素子の接続関係 回路図を書く モデルパラメータ (モデルカード) 回路が非線形素子を 含む場合,その特性は 素子の種類に応じた パラメータで表現する 解析条件 オプションなど 電圧や周波数の範囲 何を出力するか etc.GUI(回路図エディタ)による回路図入力
30ツールバー,もしくはメニューのEditから置きたい素子を選んで配置,
配線でつないで回路図を作る
コンポーネント 配線 電圧源,トランジスタなどはほとんど「コンポーネント」から選択コンポーネント選択ウィンドウ
この課題で使うのは - voltage (電圧源) - nmos4 (nMOS) - pmos4 (pMOS) - Ground ※ nmos4,pmos4はバックゲートの接続を 忘れないように注意 ※Ground は必ず必要
グラウンド素子の特性設定
素子を右クリックすると特性入力ウィンドウが開く
電圧源の設定 負荷容量の設定 pMOSの設定 適切なモデル名になっているか注意MOSトランジスタ
32MOSトランジスタは4端子素子であることに注意
g s d bModel Name:
モデル名 (後述)
Length (L):
チャネル長
Width (W):
チャネル幅
Drain Area (AD):
ドレイン面積
Source Area (AS):
ソース面積
Drain Perimeter (PD):
ドレイン周囲長
Source Perimeter (PS):
ソース周囲長
No. Parallel Devices (M):
フィンガー数
s g dL,W,AD,PD,AS,PS は レイアウトに依存する
L
AD,PD,AS,PSの意味
g
s
d
W
L
g
s
d
ドレイン/ソース領域のPN接合の容量を計算するのに使用
PS
C
AS
C
C
PD
C
AD
C
C
jsw j source jsw j drain
Cj : 底面の容量
Cjsw: 側壁(Sidewall)の容量
正しく設定しないと遅延時間が狂う
桁の間違いに注意
フィンガー数 (M) の意味
34フィンガー数(M)に応じてトランジスタの並列数を変更可能
M=1
g s d bM=2
g s d b g s d bM を用いることでインバータの並列数を変更可能
(レポート課題最終問題に使用)
フィンガー数(M)による並列数変更
レポートの課題
電源
M=6
M=6
M の変更によりインバータの
並列数を変更可能
数値の書式
36数値+接尾辞で記述が可能
1f = 1e-15
1p = 1e-12
1n = 1e-9
1u = 1e-6
1m = 1e-3
1k = 1e+3
1Meg = 1e+6
マイクロ (u, 1e-6)と
メガ(Meg, 1e+6)に注意
1Meg のつもりで 1M と書くと 1e+6 ではなく 1e-3 になる接尾辞以外の文字は無視される
Rload 1 2 10k
信号源の作り方
電圧源に時間的に変化する電圧を設定することができる
折れ線 (PWL; Piecewise Linear)
(時刻,電圧) の値を任意の個数列挙
(t1, v1) (t2, v2) (t3, v3) (t4, v4) (t5, v5) (t6, v6) (t7, v7)※ pulse を使ってもよい
入力波形の設定
38 電圧源でAdvancedを押すと波形の設定が可能
PWLを選択
SPICEの入力
素子の接続関係 回路図を書く モデルパラメータ (モデルカード) 回路が非線形素子を 含む場合,その特性は 素子の種類に応じた パラメータで表現する 解析条件 オプションなど 電圧や周波数の範囲 何を出力するか etc.モデルパラメータ
40モデルパラメータ (モデルカード) とは:
非線形素子の特性を記述する方程式のパラメータ
2
ds
th gs ox ds1
2
1
V
V
V
L
W
C
I
m
例えば MOS飽和領域の電流μ,Cox,λ はデバイス依存のパラメータ
→ モデルパラメータとして与える
モデルパラメータ (MOS)
.MODEL modelname type LEVEL=…
modelname:モデルの名前.MOSの素子記述内で指定する
type:MOSの場合は NMOS / PMOS
モデルの読み込み (1)
トランジスタのモデルパラメータの読み込みが必要
ツールバーの SPICE Directive
.lib “PATH¥filename” を入力
ドット (ピリオド)を 忘れないように注意 ※先頭のドットはネットリストをテキストで入力していた頃の名残モデルの読み込み (2)
42
ツールバーの SPICE Directive
モデルファイルの中身をそのまま
貼ってもOK
間違えやすい点
読み込んだファイルのモデル名と
回路図のModel Name が一致しているかどうか確認すること
モデルパラメータの中身:
.MODEL CMOSN025 NMOS LEVEL = 3+ TOX = 5.7E-9 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.4317311 + PHI = 0.7 VTO = 0.4238252 DELTA = 0 .....
.MODEL CMOSP025 PMOS LEVEL = 3
+ TOX = 5.7E-9 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.6348369
SPICEの入力
44 素子の接続関係 回路図を書く モデルパラメータ (モデルカード) 回路が非線形素子を 含む場合,その特性は 素子の種類に応じた パラメータで表現する 解析条件 オプションなど 電圧や周波数の範囲 何を出力するか etc.解析条件の設定
解析条件の設定 (過渡解析)
.tran step end
時刻0 から step 刻みで end まで解析
どういう値に設定すればよいかは回路によって変わる
解析条件の設定
46
Edit → SPICE Analysis から解析条件を設定
なぜか timestep を 設定する欄がないので, ここに直接 .tran文を入力
もしくは,
ツールバーの SPICE Directive から直接入力も可能
SPICE Directive ボタン ここに直接 .tran文を入力完成図
便利機能
サブサーキット(今回は使用しない)
自分の回路をコンポーネントのように使うこと
ができる
プログラミングで言う関数のようなもの
NAND,INVをサブサーキット化すると楽
サブサーキットの作り方(1/2)
50 Label Net ピン名 Typeを選ぶ Input/Output/Bidirectionalまず回路図を書く
端子にしたいノードにピンを置く
Save as で .ascファイルに保存
サブサーキットの作り方 (2/2)
シンボル(サブサーキットの回路記号)を作る
1.File → New Symbol でシンボル編集画面を開く
2.Draw → Line,Circleなどを使って記号を書く(形は何でもよい)
3.Edit → Add Pin/Port でピンを作成
ピンは全て回路図で配置したピンと同じ名前にすること
ピン名 シンボルの例4.Save as でシンボルを保存
サブサーキット回路図と同じフォルダに同じ名前で保存すること
例) 回路図 inv-sub.asc / シンボル inv-sub.asy
サブサーキットの使い方
52通常の回路コンポーネントと同じように配置可能
Component Top Directory を回路図・シンボルを 保存したフォルダに変える 作成したシンボル 保存したファイル名 配置した後は通常のコンポーネントと同じく右クリックで内容確認可能.measure による自動計測
解析結果から指定した2点の距離を測定する
.measureによる測定
.measure tran name
+ trig v(node1) val=v1 cross=m
+ targ v(node2) val=v2 cross=n
「node1 の電圧がm回目に v1 になった時刻」(トリガ)から
「node2 の電圧がn回目に v2 になった時刻」(ターゲット)
までの時間を出力する
cross を rise にすると
「m回目に電圧が v1 を下から上に横切った時刻」
fall にすると
「m回目に電圧が v1 を上から下に横切った時刻」
.measure の例
54 V(n1) t V=v1 0 rise cross fall.measure tran name
+trig v(n1) val=v1 {cross|rise|fall}=1
+targ v(n1) val=v1 {cross|rise|fall}=2
想定外のところでトリガがかかったり
ターゲットにひっかかったりするので
.measure による測定
.measure 文で指定した条件の時間などを測定することができる
書式は講義資料「SPICEの使い方」も参照
例えば 入力が2.5Vになってから出力が2.5Vになるまでの時間を計測するには
.measure tran delay trig v(2) val=2.5 rise=1 targ v(3) val=2.5 fall=1
ネットリストに .measure を書いてシミュレーションを実行すると
ログファイル (.log) に結果が表示される
trig の条件を満したのは 2.025ns,targ の条件を満したのは 2.13655ns その間の時間は 0.11144ns
トラブルシューティング1
エラーが出る場合
エラーメッセージをよく読みましょう
モデル名の間違いに注意
エラーが出ないのに動作がおかしい場合
つなぎ忘れ
ノードがフローティングになっても解析は終わる
MOSのバックゲートのつなぎ忘れに注意
解析条件が正しいか確認
56トラブルシューティング2
動作はしているが何か変 (速すぎ/遅すぎ)
MOSのボディの電位がおかしい/つなぎ忘れ
閾値電圧が変わって速さが変わる
数字の入力間違い
容量の桁を間違えやすい
MOSのAD, AS, PD, PSの桁も間違えやすい
– PD/PSは 1mmオーダー,AD/ASは mm
2,つまり1e-12オーダー
– そもそもAD/AS/PD/PSを記述しない(=0)でもシミュレーションは
動くが,遅延時間が異常に小さくなる
おまけ:シミュレーションの落とし穴
58その1.モデルの有効範囲に注意
シミュレーションでは
「結果は出るがその結果に意味はない」ことが起こる
例) MOSに電源電圧100Vかけてみる → シミュレーション上は動く
実際やると当然壊れる
その2.現実には存在しない安定状態に注意
入力をVdd/2 にすると出力は?シミュレーション:
出力も Vdd/2 で安定する(ことがある)
実際
:
わずかなノイズやp/nのアンバランスで
0 か Vdd のどちらかで安定
シミュレーションの結果を盲信しないことが重要
LTspice の使い方
LTspice : Linear Technology が配布している
SPICE
http://www.linear-tech.co.jp/designtools/software/
spice3 に改良を加えたもの
Windowsで動く
その他利用可能なSPICE
ngspice (Next Generation SPICE)
情報源
60
小野寺研 集積回路工学特論のページ
http://www-lab13.kuee.kyoto-u.ac.jp/modules/contents/lecture/spice.html
Linear Technology (LTspice, マニュアルダウンロード)
http://www.linear-tech.co.jp/designtools/software/
UC Berkeley “The Spice Page”
http://bwrc.eecs.berkeley.edu/Classes/IcBook/SPICE/
NGSPICE
おまけ:ネットリストの書き方
昔は当然グラフィカルなインターフェースはな
い
回路図をテキストで記述
実例はサンプルのネットリスト
(inv_example.cir)を参照
回路図の記述方法
62電気回路は素子と節点で記述できる
element1 element3 elemen t2 element4 node1 node2 node3 node4 注1:素子には方向があるものがある (電圧源,電流源など) 注2:素子は3個以上の端子をもつことがある (トランジスタはD, G, S, B の4端子素子)element1 node1 node3 element2 node1 node2 element3 node3 node4
element4 node2 node3 node4 これをテキストで書くと・・・
ネットリストの書式:基本構造
Xname node1 node2 … nodeN value PARAMETERS
記述の基本構造
素子の種類を示す アルファベット1文字 例: R → 抵抗 C→ キャパシタ V → 電圧源 M → トランジスタ 素子の名前 英数字からなる 文字列 素子の種類が 違えば重複可 例: Rin 1 2 50 Rin 2 3 50 Rin 1 2 50 Cin 2 3 100p 接続されたノード 数は素子によって 決まっている ノード名は 英数字文字列 ただしノード”0”は グラウンド 素子の値 抵抗なら抵抗値 電圧源なら電圧 値がないものもある (例:トランジスタ) NG OK 補助パラメータ トランジスタの サイズなど 必要に応じて指定 ※記述は1行に書く.複数行にわたる場合は2行目以降の先頭に “+” をつけるネットリストの書式:2端子素子
64
抵抗
Rname node+ node- value
キャパシタ
Cname node+ node- value
電圧源
Vname node+ node- value
電流源
Iname node+ node- value
電圧源,電流源には方向があることに注意
電圧源は node- が電圧の基準点
電流源は node- から node+ に向かって電流が流れる
抵抗,容量には方向はない
node-ネットリストの書式:解析条件,出力
解析条件の設定 (過渡解析)
.tran step end
時刻0 から step 刻みで end まで解析
どういう値に設定すればよいかは回路によって変わる
自分の回路にとって適切な値がどの程度かよく考えること
解析結果の出力(過渡解析)
.print tran V(node1) V(node2) …
指定したノードの各時刻における電圧が出力される
ネットリストの記述終了
.end
テキストのネットリストを使ったときの波形表示
66
波形ウィンドウを選択し,Plot Settings → Add trace で
見たい波形を選択
ここで選択できるのは ネットリストの .print で
指定したノードだけなので注意
ネットリストの書式:雑多な注意
回路中にはかならずグラウンド (ノード “0”)が
なければならない
かつノード0への直流のパスが必要
ネットリストの1行目はタイトル
行の先頭が “*” の行はコメント
大文字・小文字は区別されない
“.end” を書き忘れないように注意
ネットリストの書式:サブサーキット
68