NJG1151MD7 2-way Active Splitter GaAs MMIC 概要 NJG1151MD7 は地上波放送での使用を主目的としたループスルー機能付き 2-way アクティブスプリッタです 又 外部整合回路により衛星放送 (1000MHz~2150MHz) での対応も可能です チュ

NJG1151MD7

2-way Active Splitter GaAs MMIC

■概要

■外形

NJG1151MD7 は地上波放送での使用を主目的としたループ

スルー機能付き 2-way アクティブスプリッタです。又、外部整

合回路により衛星放送(1000MHz~2150MHz)での対応も可能で

す。

チューナ等の構造を簡略化する為に NJG1151MD7 は分配器

とループスルースイッチを内蔵、複雑な回路を最適化します。

NJG1151MD7 は少ない外付け部品で良好な電気的特性を達

成、高い ESD 耐圧を有しています。

パッケージには小型・薄型の EQFN14-D7 を採用しました。

■アプリケーション

セットトップボックス(STB)、レコーダ、TV 用途、地上波及び衛星放送用途

■特徴

G

_{動作周波数}

_40~1000MHz

G

_{パッケージ}

_{EQFN14-D7 (Package size: 1.6x1.6x0.397mm typ.)}

[アクティブモード: 電源電圧 5.0V]

G

_動作電流

_{100mA typ.}

G

_利得

_{6.0dB typ. (Zs=Zl=50Ω, Zs=Zl=75Ω)}

G

_雑音指数

_{2.5dB typ. (Zs=Zl=50Ω)}

G

_{複合 2 次歪み}

_{60dBc typ. (Zs=Zl=75Ω, 132ch, +15dBmV)}

G

_{複合 3 次歪み}

_{65dBc typ. (Zs=Zl=75Ω, 132ch, +15dBmV)}

G

_{出力ポート間アイソレーション}

_{20dB typ. (Zs=Zl=50Ω, Zs=Zl=75Ω)}

[スルーモード: 電源電圧 0V]

G

_挿入損失

_{0.4dB typ. (Zs=Zl=50Ω)}

■端子配列

注: 本資料に記載された内容は予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。

端子配列

1. GND

8. GND

2. SWOUT1

9. SPLOUT1

3. SWIN1

10. SPIN1

4. GND

11. GND

5. SWOUT2

12. LNAOUT

6. SWIN2

13. GND

7. SPLOUT2 14. LNAIN

Exposed Pad: GND

NJG1151MD7

(Top View)

1pin INDEX

5

6

7

9

10

11

12

13

14

2

1

3

4

8

LNAIN LNAOUT SPLIN SPLOUT1 SWOUT SWOUT SWIN SPLOUT2 SWIN GND GND GND GND GND

splitter

splitter

splitter

NJG1151MD7

■絶対最大定格

T

a

=+25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω / 75Ω

項目

記号

条件

定格

単位

電源電圧

V

DD

6.0

V

入力電力

P

IN

V

DD

=5.0V

+10

dBm

消費電力

P

D

4 層(76.2x114.3mm スルーホール有)

FR4 基板実装時, T

j

=150°C

1300

mW

動作温度

T

opr

-40~+85

°C

保存温度

T

stg

-55~+150

°C

■電気的特性 1 (DC 特性)

V

DD

=5.0V, T

a

=+25°C, 回路は指定の外部回路 1 による

項目

記号

条件

最小

標準

最大

単位

電源電圧

V

DD

2.4

5.0

5.5

V

動作電流

I

DD

RF OFF

-

100

140

mA

NJG1151MD7

■電気的特性 2 (RF 特性: アクティブモード, 50Ω)

V

DD

=5.0V, freq=40~1000MHz, T

a

=+25°C, Z

S

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

項目

記号

条件

最小

標準

最大

単位

小信号電力利得 1_1

Gain1_1

基板, コネクタ損失除く ※1

freq=40~900MHz

4.0

6.0

8.0

dB

小信号電力利得 1_2

Gain1_2

基板, コネクタ損失除く ※1

freq=40~1000MHz

4.0

6.0

9.0

dB

利得偏差 1_1

Gflat1_1

基板, コネクタ損失除く ※1

freq=40~900MHz

-

1.0

2.0

dB

利得偏差 1_2

Gflat1_2

基板, コネクタ損失除く ※1

freq=40~1000MHz

-

1.0

3.0

dB

雑音指数 1

NF1

基板, コネクタ損失除く ※2

-

2.5

3.7

dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 1

P

-1dB(IN)

1

+1.0

+7.0

-

dBm

入力 3 次インター

セプトポイント 1

IIP3_1

f1=freq, f2=freq+100kHz,

P

IN

=-12dBm

+10.0

+20.0

-

dBm

2 次相互変調歪み 1

IM2_1

f1=40.75MHz,

f2=813.25MHz,

fmeas=854MHz,

P

IN

1=P

IN

2=-8dBm

37.0

52.0

-

dB

3 次相互変調歪み 1

IM3_1

f1=893.25MHz,

f2=873.25MHz,

fmeas=853.25MHz,

P

IN

1=P

IN

2=-8dBm

49.0

60.0

-

dB

リバース

アイソレーション 1

ISL1

RF OUT1 to RF IN

RF OUT2 to RF IN

20.0

28.0

-

dB

出力ポート間

アイソレーション 1

OISL1

RF OUT1 to RF OUT2

18.0

20.0

-

dB

RF IN ポート

リターンロス 1

RLi1

RF IN ポート

8.0

15.0

-

dB

RF OUT ポート

リターンロス 1

RLo1

RF OUT1, RF OUT2 ポート

13.0

20.0

-

dB

※1 入出力側基板、コネクタ損失 (RFIN-RFOUT1): 0.02dB(40MHz), 0.16dB(1000MHz)

入出力側基板、コネクタ損失 (RFIN-RFOUT2): 0.02dB(40MHz), 0.15dB(1000MHz)

※2 入力側基板、コネクタ損失: 0.01dB(40MHz), 0.06dB(1000MHz)

NJG1151MD7

■電気的特性 3 (RF 特性: スルーモード, 50Ω)

V

DD

=0V, freq=40~1000MHz, T

a

=+25°C, Z

S

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

項目

記号

条件

最小

標準

最大

単位

挿入損失 2

Loss2

基板, コネクタ損失除く ※1

-

0.4

2.0

dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 2

P

-1dB(IN)

2

+1.0

+10.0

-

dBm

2 次相互変調歪み 2

IM2_2

f1=90MHz, f2=100MHz,

fmeas=190MHz,

P

IN

1=P

IN

2=-5dBm

50.0

65.0

-

dB

3 次相互変調歪み 2

IM3_2

f1=200MHz, f2=210MHz,

fmeas=220MHz,

P

IN

1=P

IN

2=-5dBm

53.0

70.0

-

dB

RF IN ポート

リターンロス 2

RLi2

RF IN ポート

8.0

15.0

-

dB

RF OUT ポート

リターンロス 2

RLo2

RF OUT2 ポート

8.0

15.0

-

dB

※1 入出力側基板、コネクタ損失 (RFIN-RFOUT2): 0.02dB(40MHz), 0.15dB(1000MHz)

NJG1151MD7

■電気的特性 4 (RF 特性: アクティブモード, 75Ω)

V

DD

=5.0V, freq=40~1000MHz, T

a

=+25°C, Z

S

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

項目

記号

条件

最小

標準

最大

単位

小信号電力利得 3(75Ω)

Gain3

基板, コネクタ損失除く

-

6.0

-

dB

複合 2 次歪み 3

CSO3

132channels, CW,

P

IN

=+15dBmV

-

60.0

-

dBc

複合 3 次歪み 3

CTB3

132channels, CW,

P

IN

=+15dBmV

-

65.0

-

dBc

リバース

アイソレーション 3

ISL3

RF OUT1 to RF IN

RF OUT2 to RF IN

28.0

dB

出力ポート間

アイソレーション 3

OISL3

RF OUT1 to RF OUT2

20.0

dB

RF IN ポート

リターンロス 3(75Ω)

RLi3

RF IN ポート

-

15.0

-

dB

RF OUT ポート

リターンロス 3(75Ω)

RLo3

RF OUT1, RF OUT2 ポート

-

25.0

-

dB

■電気的特性 5 (RF 特性: スルーモード, 75Ω)

V

DD

=0V, freq=40~1000MHz, T

a

=+25°C, Z

S

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

項目

記号

条件

最小

標準

最大

単位

挿入損失 4 (75Ω)

Loss4

基板, コネクタ損失除く

-

1.0

-

dB

複合 2 次歪み 4

CSO4

132channels, CW,

P

IN

=+15dBmV

-

55.0

-

dBc

複合 3 次歪み 4

CTB4

132channels, CW,

P

IN

=+15dBmV

-

60.0

-

dBc

RF IN ポート

リターンロス 4(75Ω)

RLi4

RF IN ポート

-

15.0

-

dB

RF OUT ポート

NJG1151MD7

■端子情報

番号

端子名

機能説明

1

GND

接地端子(0V)です。

良好な RF 特性を得る為、端子近傍で接地電位に接続して下さい。

2

SWOUT1

スイッチの RF 信号出力端子です。

RF 信号が外部回路を介して出力される為、

外部回路に示す DC ブロッキングキャパシタを接続して下さい

3

SWIN1

スイッチの RF 信号入力端子です。

RF 信号が外部回路を介して入力される為、

外部回路に示す DC ブロッキングキャパシタを接続して下さい。

4

GND

接地端子(0V)です。

良好な RF 特性を得る為、端子近傍で接地電位に接続して下さい。

5

SWOUT2

スイッチの RF 信号出力端子です。

RF 信号が外部回路を介して出力される為、

外部回路に示す DC ブロッキングキャパシタを接続して下さい。

6

SWIN2

スイッチの RF 信号入力端子です。

RF 信号が外部回路を介して入力される為、

外部回路に示す DC ブロッキングキャパシタを接続して下さい。

7

SPLOUT2 スプリッタの RF 信号出力端子です。

8

GND

接地端子(0V)です。

良好な RF 特性を得る為、端子近傍で接地電位に接続して下さい。

9

SPLOUT1 スプリッタの RF 信号出力端子です。

10

SPLIN

スプリッタの RF 信号入力端子です。

11

GND

接地端子(0V)です。

良好な RF 特性を得る為、端子近傍で接地電位に接続して下さい。

12

LNAOUT

LNA の RF 信号出力端子です。

この端末はスイッチと LNA の電圧供給端子であり外部回路に示す

インダクタを介して電圧を供給して下さい。

13

GND

接地端子(0V)です。

良好な RF 特性を得る為、端子近傍で接地電位に接続して下さい。

14

LNAIN

LNA の RF 信号入力端子です。

この端末は LNA の電流調整端子であり外部回路に示す抵抗を介して

GND に接続して下さい。

Exposed

Pad

GND

IC 裏面の接地端子(0V)です。

基板実装図の様に、この端子直下にスルーホールを設けて下さい。

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 5 6 7 8 0 500 1000 1500

G

a

in

(

d

B

)

N

F

(

d

B

)

frequency (MHz)

NF

Gain

Gain, NF vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT1)

(Exclude PCB, Connector Losses)

-4 -2 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 5 6 7 8 0 500 1000 1500

G

a

in

(

d

B

)

N

F

(

d

B

)

frequency (MHz)

NF

Gain

Gain, NF vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT2)

(Exclude PCB, Connector Losses)

-30 -20 -10 0 10 20 -40 -30 -20 -10 0 10

P

o

u

t

(d

B

m

)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=+8.4dBm

Pout

Pout vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT1) -30 -20 -10 0 10 20 -40 -30 -20 -10 0 10

P

o

u

t

(d

B

m

)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=+8.6dBm

Pout

Pout vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT2) -2 0 2 4 6 8 60 80 100 120 140 160 -40 -30 -20 -10 0 10

G

a

in

(

d

B

)

I

D D

(

m

A

)

Pin (dBm)

Gain

I

DD

Gain, I

DD

vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT1) P-1dB(IN)=+8.4dBm -2 0 2 4 6 8 60 80 100 120 140 160 -40 -30 -20 -10 0 10

G

a

in

(

d

B

)

I

D D

(

m

A

)

Pin (dBm)

Gain

I

DD

Gain, I

DD

vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT2) P-1dB(IN)=+8.6dBm

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-5 0 5 10 15 0 200 400 600 800 1000

P-1dB(IN) vs. frequency

(freq=40~1000MHz, RF IN to RF OUT1)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

frequency (MHz)

-5 0 5 10 15 0 200 400 600 800 1000

P-1dB(IN) vs. frequency

(freq=40~1000MHz, RF IN to RF OUT2)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

frequency (MHz)

-80 -60 -40 -20 0 20 40 -30 -20 -10 0 10 20 30

P

o

u

t,

I

M

3

(

d

B

m

)

Pin (dBm)

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin

(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, RF IN to RF OUT1) IIP3=+20.4dBm OIP3=+26.1dBm -80 -60 -40 -20 0 20 40 -30 -20 -10 0 10 20 30

P

o

u

t,

I

M

3

(

d

B

m

)

Pin (dBm)

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin

(f1=620MHz, f2=f1+100kHz, RF IN to RF OUT2) IIP3=+20.7dBm OIP3=+26.0dBm 5 10 15 20 25 30 0 200 400 600 800 1000

IIP3, OIP3 vs. frequency

(f1=40~1000MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm, RF IN to RF OUT1)

II

P

3

,

O

IP

3

(

d

B

m

)

frequency (MHz)

OIP3

IIP3

5 10 15 20 25 30 0 200 400 600 800 1000

IIP3, OIP3 vs. frequency

(f1=40~1000MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm, RF IN to RF OUT2)

II

P

3

,

O

IP

3

(

d

B

m

)

frequency (MHz)

OIP3

IIP3

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

R

L

i

(d

B

)

frequency (MHz)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

R

L

o

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2

RF OUT1

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Reverse Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2 to RF IN RF OUT1 to RF IN 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Output to Output Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

O

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

S11, S22 (RF OUT1)

S11, S22 (RF OUT2)

S21, S12 (RF OUT1)

S21, S12 (RF OUT2)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

VSWRi, VSWRo (RF OUT1)

VSWRi, VSWRo (RF OUT2)

S11, S22 (50MHz~20GHz, RF OUT1)

S11, S22 (50MHz~20GHz, RF OUT2)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Gain vs. V

DD (freq=620MHz)

G

a

in

(

d

B

)

V

DD

(V)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 1 2 3 4 5 6 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

NF vs. V

DD (freq=620MHz)

N

F

(

d

B

)

V

DD

(V)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 -4 -2 0 2 4 6 8 10 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

P-1dB(IN) vs. V

DD (freq=620MHz)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

V

DD

(V)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 5 10 15 20 25 30 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

IIP3 vs. V

DD (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-12dBm)

II

P

3

(

d

B

m

)

V

DD

(V)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 20 25 30 35 40 45 50 55 60 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

IM2 vs. V

DD (f1=40.75MHz, f2=813.25MHz, fmeas=854MHz, Pin=-8dBm)

IM

2

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 20 30 40 50 60 70 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

IM3 vs. V

DD (f1=893.25MHz, f2=873.25MHz, fmeas=853.25MHz, Pin=-8dBm)

IM

3

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

RF IN Return Loss vs. V

DD (freq=620MHz)

R

L

i

(d

B

)

V

DD

(V)

0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

RF OUT Return Loss vs. V

DD

(freq=620MHz)

R

L

o

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 RF OUT2 0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Reverse Isolation vs. V

DD (freq=620MHz)

IS

L

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 to RF IN RF OUT2 to RF IN 0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Output to Output Isolation vs. V

DD

(freq=620MHz)

O

IS

L

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1 0 50 100 150 200 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

I

DD

vs. V

DD (RF OFF)

I

D D

(

m

A

)

V

DD

(V)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 5 10 15 20 0.0 5.0 10 15 20

K factor vs. frequency

(freq=50MHz~20GHz, RF IN to RF OUT1) VDD=2.5V VDD=5.0V VDD=6.0V

K

f

a

c

to

r

frequency (GHz)

0 5 10 15 20 0.0 5.0 10 15 20

K factor vs. frequency

(freq=50MHz~20GHz, RF IN to RF OUT2) VDD=2.5V VDD=5.0V VDD=6.0V

K

f

a

c

to

r

frequency (GHz)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Gain vs. Temperature

(freq=620MHz)

G

a

in

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 1 2 3 4 5 6 -40 -20 0 20 40 60 80 100

NF vs. Temperature

(freq=620MHz)

N

F

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 0 2 4 6 8 10 -40 -20 0 20 40 60 80 100

P-1dB(IN) vs. Temperature

(freq=620MHz)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

Temperature (

o

C)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 5 10 15 20 25 30 -40 -20 0 20 40 60 80 100

IIP3 vs. Temperature

(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-12dBm)

II

P

3

(

d

B

m

)

Temperature (

o

_C)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 20 25 30 35 40 45 50 55 60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

IM2 vs. Temperature

(f1=40.75MHz, f2=813.25MHz, fmeas=854MHz, Pin=-8dBm)

IM

2

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 30 35 40 45 50 55 60 65 70 -40 -20 0 20 40 60 80 100

IM3 vs. Temperature

(f1=893.25MHz, f2=873.25MHz, fmeas=853.25MHz, Pin=-8dBm)

IM

3

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz)

R

L

i

(d

B

)

Temperature (

o

C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz)

R

L

o

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

RF OUT1 RF OUT2 0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Reverse Isolation vs. Temperature

(freq=620MHz)

IS

L

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

RF OUT1 to RF IN RF OUT2 to RF IN 0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Output to Output Isolation vs. Temperature

(freq=620MHz)

O

IS

L

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1 0 50 100 150 200 -40 -20 0 20 40 60 80 100

I

DD

vs. Temperature

(RF OFF)

I

D D

(

m

A

)

Temperature (

o

C)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 5 10 15 20 0.0 5.0 10 15 20

K factor vs. frequency

(freq=50MHz~20GHz, RF IN to RF OUT1) -40oC +25oC +85o C

K

f

a

c

to

r

frequency (GHz)

0 5 10 15 20 0.0 5.0 10 15 20

K factor vs. frequency

(freq=50MHz~20GHz, RF IN to RF OUT2) -40o C +25o C +85o C

K

f

a

c

to

r

frequency (GHz)

NJG1151MD7

■特性グラフ (スルーモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 1 2 3 4 5 0 500 1000 1500

Insertion Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz,RF IN to RF OUT2)

L

o

s

s

(

d

B

)

frequency (MHz)

(Exclude PCB, connector Losses)

-30 -20 -10 0 10 20 -30 -20 -10 0 10 20

P

o

u

t

(d

B

m

)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=+10.0dBm

Pout

Pout vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT2) 0 2 4 6 8 10 -30 -20 -10 0 10 20

L

o

s

s

(

d

B

)

Pin (dBm)

Loss

Loss vs. Pin

(freq=620MHz, RF IN to RF OUT2) P-1dB(IN)=+10.0dBm 0 5 10 15 20 0 200 400 600 800 1000

P-1dB(IN) vs. frequency

(freq=40~1000MHz, RF IN to RF OUT2)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

frequency (MHz)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

R

L

i

(d

B

)

frequency (MHz)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF OUT2 Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

R

L

o

(

d

B

)

frequency (MHz)

NJG1151MD7

■特性グラフ (スルーモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

S11, S22

S21, S12

Zin, Zout

VSWRi, VSWRo

NJG1151MD7

■特性グラフ (スルーモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=0V, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 1 2 3 4 5 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Insertion Loss vs. Temperature

(freq=620MHz)

L

o

s

s

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

0 5 10 15 20 -40 -20 0 20 40 60 80 100

P-1dB(IN) vs. Temperature

(freq=620MHz)

P

-1

d

B

(I

N

)

(d

B

m

)

Temperature (

o

C)

40 45 50 55 60 65 70 75 80 -40 -20 0 20 40 60 80 100

IM2 vs. Temperature

(f1=90MHz, f2=100MHz, fmeas=190MHz, Pin=-5dBm)

IM

2

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

40 50 60 70 80 90 100 -40 -20 0 20 40 60 80 100

IM3 vs. Temperature

(f1=200MHz, f2=210MHz, fmeas=220MHz, Pin=-5dBm)

IM

3

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz)

R

L

i

(d

B

)

Temperature (

o

_C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz)

R

L

o

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 75Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 0 500 1000 1500

Gain vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT1, Zs=Zl=75ohm)

G

a

in

(

d

B

)

frequency (MHz)

(Exclude PCB, connector Losses)

-4 -2 0 2 4 6 8 10 0 500 1000 1500

Gain vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT2, Zs=Zl=75ohm)

G

a

in

(

d

B

)

frequency (MHz)

(Exclude PCB, connector Losses)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

i

(d

B

)

frequency (MHz)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

o

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2

RF OUT1

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Reverse Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2 to RF IN RF OUT1 to RF IN 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Output to Output Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

O

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 75Ω)

共通条件: Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Gain vs. V

DD (freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

G

a

in

(

d

B

)

V

DD

(V)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

RF IN Return Loss vs. V

DD (freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

i

(d

B

)

V

DD

(V)

0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

RF OUT Return Loss vs. V

DD

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

o

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 RF OUT2 0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Reverse Isolation vs. V

DD (freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

IS

L

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 to RF IN RF OUT2 to RF IN 0 10 20 30 40 50 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

Output to Output Isolation vs. V

DD

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

O

IS

L

(

d

B

)

V

DD

(V)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 75Ω)

共通条件: V

DD

=5.0V, Z

s

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Gain vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

G

a

in

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

(Exclude PCB, connector Losses) RF IN to RF OUT1 RF IN to RF OUT2 0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

i

(d

B

)

Temperature (

o

_C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

o

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

RF OUT1 RF OUT2 0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Reverse Isolation vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

IS

L

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

RF OUT1 to RF IN RF OUT2 to RF IN 0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Output to Output Isolation vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

O

IS

L

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1

NJG1151MD7

■特性グラフ (スルーモード, 75Ω)

共通条件: V

DD

=0V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=75Ω, 回路は指定の外部回路 1 による

0 1 2 3 4 5 0 500 1000 1500

Insertion Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz,RF IN to RF OUT2, Zs=Zl=75ohm)

L

o

s

s

(

d

B

)

frequency (MHz)

(Exclude PCB, connector Losses)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

i

(d

B

)

frequency (MHz)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF OUT2 Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

o

(

d

B

)

frequency (MHz)

0 1 2 3 4 5 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Insertion Loss vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

L

o

s

s

(

d

B

)

Temperature (

o

C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

i

(d

B

)

Temperature (

o

_C)

0 10 20 30 40 50 -40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature

(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

R

L

o

(

d

B

)

Temperature (

o

_C)

NJG1151MD7

Parts List

Parts ID

Manufacture

L1

TAIYO-YUDEN HK1608 Series

L2~L4

TAIYO-YUDEN HK1005 Series

C1~C8

MURATA GRM15 Series

R1, R3, R4

KOA RK73 Series

■外部回路図 1 (スルースイッチを使用する場合)

■真理値表 1

アプリケーション回路 1 (スルースイッチを使用する場合)

V

DD

LNA

Loop through SW

RF IN to RF OUT1

RF IN to RF OUT2

0V

OFF

ON

Isolate mode

(-28dB)

Through mode

(-0.4dB)

5.0V

ON

OFF

Active mode

(6dB)

Active mode

(5.6dB)

L2 10n L1 470n RF IN RF OUT1 RF OUT2 C1 0.01u R1 470 5 6 7 9 10 11 12 13 14 2 1 3 4 8 LNAIN LNAOUT SPLIN SPLOUT1 SW OUT2 SW OUT1 SW IN1 SPLOUT2 SW IN2 GND GND GND GND GND splitter splitter splitter C2 0.01u C4 0.01u C5 0.01u C6 0.01u C7 0.01u C3 0.01u L4 27n R4 56k C8 1.5p VDD R3 1k L3 2.2n

(Top View)

1Pin INDEX

NJG1151MD7

■基板実装図

デバイス使用上の注意

- C1~C4, C6 および C7 は DC ブロッキングキャパシタ、C5 はバイパスキャパシタです。

- L1 はチョークインダクタです。

- R1 は動作電流調整用の抵抗です。

- L2~L4, R1, R3 および C8 は負帰還回路とインピーダンス整合用のチップ部品です。

- チップ部品は IC 近傍に実装して下さい。

- パッケージ裏面 GND(Exposed Pad)は放熱に使用している為、

径の小さい複数のスルーホールもしくは径の大きいスルーホールを用いて接地して下さい。

RF IN

RF OUT2

RF OUT1

C1

C2

L2

1Pin INDEX

L1

R4

C8

R1

C3

L4

R3

L3

C5

C4

C6

C7

V

DD

(Top View)

PCB: FR-4, t=0.2mm

Microstrip line width: 0.4mm

PCB size: 16.7mm x 19.1mm

NJG1151MD7

■EQFN14-D7 パッケージ推奨フットパターン

Detail A

PKG: 1.6mm x 1.6mm

Pin pitch: 0.4mm

: Mask (Open area) *Metal mask thickness: 100µm

: Resist (Open area)

NJG1151MD7

L2 10n L1 470n RF IN RF OUT1 RF OUT2 C1 0.01u R1 470 5 6 7 9 10 11 12 13 14 2 1 3 4 8 LNAIN LNAOUT SPLIN SPLOUT1 SW OUT2 SW OUT1 SW IN1 SPLOUT2 SW IN2 GND GND GND GND GND splitter splitter splitter C2 0.01u C4 0.01u C5 0.01u C3 0.01u L4 27n R4 56k C8 1.5p VDD R3 1k L3 2.2n

(Top View)

1Pin INDEX

未接続

(open)

Parts List

Parts ID

Manufacture

L1

TAIYO-YUDEN HK1608 Series

L2~L4

TAIYO-YUDEN HK1005 Series

C1~C5, C8

MURATA GRM15 Series

R1, R3, R4

KOA RK73 Series

■外部回路図 2 (スルースイッチを使用しない場合)

■真理値表 2

アプリケーション回路 2 (スルースイッチを使用しない場合)

V

DD

LNA

RF IN to RF OUT1

RF IN to RF OUT2

0V

OFF

Isolate mode

(-28dB)

Isolate mode

(-28dB)

5.0V

ON

Active mode

(6dB)

Active mode

(6dB)

NJG1151MD7

■基板実装図 2 (スルースイッチを使用しない場合)

デバイス使用上の注意

- C1~C4 は DC ブロッキングキャパシタ、C5 はバイパスキャパシタです。

- L1 はチョークインダクタです。

- R1 は動作電流調整用の抵抗です。

- L2~L4, R1, R3 および C8 は負帰還回路とインピーダンス整合用のチップ部品です。

- チップ部品は IC 近傍に実装して下さい。

- パッケージ裏面 GND(Exposed Pad)は放熱に使用している為、

径の小さい複数のスルーホールもしくは径の大きいスルーホールを用いて接地して下さい。

C1

C2

L2

1Pin INDEX

L1

R4

C8

R1

C3

L4

R3

L3

C5

C4

V

DD

(Top View)

RF IN

RF OUT2

RF OUT1

PCB: FR-4, t=0.2mm

Microstrip line width: 0.4mm

PCB size: 16.7mm x 19.1mm

NJG1151MD7

■特性グラフ (アクティブモード, 50Ω)

共通条件: V

DD

=5V, Z

s

=Z

l

=50Ω, 回路は指定の外部回路 2 による

-4 -2 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 5 6 7 8 0 500 1000 1500

G

a

in

(

d

B

)

N

F

(

d

B

)

frequency (MHz)

NF

Gain

Gain, NF vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT1)

(Exclude PCB, Connector Losses)

-4 -2 0 2 4 6 8 10 1 2 3 4 5 6 7 8 0 500 1000 1500

G

a

in

(

d

B

)

N

F

(

d

B

)

frequency (MHz)

NF

Gain

Gain, NF vs. frequency

(freq=20~1500MHz, RF IN to RF OUT2)

(Exclude PCB, Connector Losses)

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

R

L

o

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2

RF OUT1

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Reverse Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT2 to RF IN RF OUT1 to RF IN 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 500 1000 1500

Output to Output Isolation vs. frequency

(freq=20~1500MHz)

O

IS

L

(

d

B

)

frequency (MHz)

RF OUT1 to RF OUT2 RF OUT2 to RF OUT1

NJG1151MD7

■NF 測定ブロックダイアグラム

使用測定器

NF Analyzer

: Agilent 8973A

Noise Source

: Agilent 346A

NF アナライザ設定

Measurement mode form

Device under test

: Amplifier

System downconverter : off

Mode setup form

Sideband

: LSB

Averages

: 4

Average mode

: Point

Bandwidth

: 4MHz

Loss comp

: off

Tcold

: ノイズソース本体の温度を入力 (303K)

キャリブレーション時

Noise Source

(Agilent 346A)

NF Analyzer

(Agilent 8973A)

※ノイズソースと NF

アナライザは直接接続

Input (50Ω) Noise Source Drive Output

Preamplifier

NJG1145UA2

Gain=15dB,

NF=1.5dB

※ノイズソースと DUT、

DUT と NF アナライザ

は直接接続

NF 測定時

Noise Source

(Agilent 346A)

DUT

NF Analyzer

(Agilent 8973A)

Input (50Ω) Noise Source Drive Output

IN OUT

Preamplifier

NJG1145UA2

Gain=15dB,

NF=1.5dB

NJG1151MD7

■パッケージ外形図 (EQFN14-D7)

＜注意事項＞ このデータブック の掲載内容の 正確さに は 万全を期しており ますが、掲載 内容につ いて 何らかの法的な保 証を行うもの ではあり ませ ん。とくに応用回 路については 、製品の 代表 的な応用例を説明 するためのも のです。ま た、 工業所有権その他 の権利の実施 権の許諾 を伴 うものではなく、 第三者の権利 を侵害し ない ことを保証するも のでもありま せん。

ガリウムヒ素

ガリウムヒ素

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ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項

製品取り扱い上の注意事項

製品取り扱い上の注意事項

製品取り扱い上の注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止

のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す

る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

単位

：mm

基板

：Cu

端子処理

：SnBi メッキ

モールド樹脂

：エポキシ樹脂

重量

：3.4mg