ソリューション・エンジニアリング本部 2020.1.30 長嶺 銀河
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
そこが知りたい!
詳細解説
J E D E C J C - 4 2 S o l i d S t a t e M e m o r i e s C o m m i t t e eが 制 定
DDR メモリの規格
規格番号 定義内容
JESD79-2F DDR2 SDRAM SPECIFICATION
JESD209-2F Low Power Double Data Rate 2 (LPDDR2) JESD79-3F DDR3 SDRAM SDRAM Standard
JESD79-3-1A.01 1.35 V DDR3L-800~1866 (addendum) JESD79-3-2 1.25 V DDR3U-800
~
1600 (addendum) JESD209-3C Low Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) JESD79-4B DDR4 SDRAMJESD209-4B Low Power Double Date Rate 4 (LPDDR4) JESD209-4-1 LPDDR4X (addendum)
ど のD D R規 格 か ら 観 測 点 移 動 は 有 効 か ?
「低速動作」時には通常必要ない
規格 スピード・グレード[Mbps]
DDR3 800 – 2133 DDR4 1600 - 3200 LPDDR4 533 - 4267
→ DDR4やLPDDR4で高速動作している場合に効果が高い
Controller
Memory Controller DRAM
200Mbps 400Mbps 800Mbps
全く違う かなり違う
少し違う
Rx 端 Tx 端
READ
長めの伝送路の場合
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
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Clock 信号(差動)
メモリコントローラーが DRAM に供給
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DQS 信号(差動)
Read 時はメモリから供給
Write 時はメモリコントローラーから供給
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DQ (シングルエンド)
Read 時はメモリから供給
Write 時はメモリコントローラーから供給
Address/Command 信号(シングルエンド)
D o u b l e D a t a R a t e - S D R A M
DDR-SDRAM で使用する信号
Memory Controller
CLK
DQS
DQ CMD/ADDR
DQS
DQ
DRAM DRAM fly-by
(Clk distribution)
Peer to peer
(Source Synchronous)
▪ VH,VL
▪ Slew Rate
▪ Overshoot
▪ Crosspoint
▪ Clock Timing
▪ Clock-DQS timing
▪ DQS-DQ Setup/hold
▪ Address, CS, CA setup/hold
▪ Eye Pattern(Input/Write)
メ モ リI C単 体 の 動 作 仕 様 を メ モ リ 端 で 規 定
DDR メモリ規格の波形関連のパラメータ
DDR4 JESD79-4B
LPDDR4 JESD209-4B
DRAM
50Ω
Output(Read) Input(Write)
DRAM
at DRAM
(
Pin or Die Pad)
テストポイント
特に重要
JEDEC 仕様の主語は「メモリ IC 」
J E D E C D D Rメ モ リ 仕 様 の 電 気/ T I M I N Gパ ラ メ ー タ ー の 定 義 は ど の よ う な も の か ?
そこが知りたい ! ポイント 2
Symbol 1600/1867 2133/2400 3200 4266 Unit
min max min max min max min max
tDQSQ - 0.18 - 0.18 - 0.18 - 0.18 UI
tQH 0.38 - 0.38 - 0.38 - TBD - UI
Symbol 1600/1867 2133/2400 3200 4266 Unit
Read時のTiming
仕様
Setup/HoldWrite
時の
Timing仕様
Eye Diagram(+ Mask)代表的なデータレートに対して、パラメーターとその定義、及び、規定値が示されている
D D R 4 / L P D D R 4 - R E A DはS E T U P / H O L Dで 評 価
Memory Controller
CLK
DQS
DQ CMD/ADDR
DQS
DQ
DRAM DRAM
測定パラメータ
評価対象信号 : DQS | DQ
DQS
DQ
t DQSQ t QH
D D R 4 / L P D D R 4 - W R I T EはE Y Eで 評 価
評価対象信号 : DQS と DQ
Vcent=
仮想
VreftDIVW
vDIVW
測定パラメータ
Vcent
= DQアイの時間軸開口が最も広い電圧
Memory Controller
CLK
DQS
DQ CMD/ADDR
DQS
DQ
DRAM DRAM
安 定 し た 測 定 を 行 う た め の D U Tの 推 奨 設 定 は あ る か ?
そこが知りたい!ポイント 3
✓ クロックレート ( データレート ) を固定する(主に LPDDR において)
✓ 測定が終わるまで動作が停止しない
✓ 以下のいずれか、又は、すべてのトランザクション
✓ Read→Write を交互に繰り返す
✓ Read だけ繰り返す( Write は発生しない)
✓ Write だけ繰り返す( Read は発生しない)
✓ バースト間の Idle 区間を短くする
→ Idle 区間が長いと完全に停止している状態と区別がつきにくい
✓ 読み書きする値は、ランダム的な値にする
→ 0 連続や 1 連続は、パルスが発生しないのでそもそも測れない
DDR4-2400の波形
測りやすい例
クロックがバースト
DQ/DQSの振幅が
途中で変わる
バースト間隔が長い
Data rate
が途中で 変わる
測りにくい(又は測れない)例
LPDDR4-3200の波形
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
ACT ROW
READ COL
CLK Command Address
Data(DQ) Data Strobe(DQS)
→ この方法は確実だが物理的に
オシロスコープの
MSO機能でトリガ
プローブの束 …
C O M M A N D信 号 無 し でR E A D波 形 とW R I T E波 形 の 切 り 分 け は で き る の か ?
そこが知りたい ! ポイント 4
READ WRITE
このゾーンを 通らない波形
このゾーンを 通る波形
DQS
DQ
Read Burst Write Burstバースト動作時の DQS/DS のエッジの位相関係から InfiniiScan で切り分け可能
Step1
Trigger
&
InfiniiScan
有 効 なD Q S範 囲 で ア イ を 描 画 す る
Gating で測定したいバーストを切り出す
READ WRITE
Write
の
Gating Readの
GatingStep2
Gating
Step3
RTEye
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
実 測 と シ ミ ュ レ ー シ ョ ン の 活 用
測定波形
(観測できる点)
観たい観測点
(観測不可点)
計算により正確に推定する
Tx Rx
伝達関数
( 入力対出力の関連を決める関数 )
別名 : Virtual Probing
終端
Sパラメータ 伝送路
Sパラメータ
TP1 TP2
デモ用FPGA Tx ボード (1Gbps - PRBS7)
TP2 Ch2
TP1 側に Ch1 を、 TP2 側に Ch2 をプロービングして波形を取得 TP1
Ch1
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DDR メモリの規格と種類
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DDR メモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所 Read/Write 波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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DDR メモリの観測点移動の実例
本日の内容
測 定 で き る テ ス ト ポ イ ン ト | 測 定 で き な い テ ス ト ポ イ ン ト
InfiniiMax probe
Memory Controller
DRAM
Interposer
Evaluation board
via via
TP2 TP3
TP 5
TP1
TP4 TP 6
Output(Read)信号 の終端位置
・Input(Write)信号の終端位置
・JEDEC規格の測定ポイント (Input/Output 両方)
▪ TP3, TP4, TP5: プローブで直接測定できるテストポイント
DRAM2
D D R 4 - 2 4 0 0対 応
DRAM1
DDR-SDRAM
BGAプローブ・アダプタ
スペーサー
基板背面に貫通
Via有り
実 機 検 証 の シ ナ リ オ の ま と め
回路モデルが正しいことを実機実測波形とInfiniiSimで検証する
ADS / SIProで回路モデルを準備する
回路モデルの チューニング
測定や設定の 間違い修正
Step1
Step2
Step3
Step4
Step5
Case1
Case2
Case3
回路モデルの変更
正しい回路モデルを使ってInfiniiSimでDRAMのDie PadのWrite波形を正確に予測する
正しい回路モデルを使ってInfiniiSimでMemory Controller端のRead波形を正確に予測する
上記で得られた観測点移動波形で
JEDECのパラメータを検証する
(測定器の自動測定ソフトウェア等
)M E M O R Y C O N T O R O L L E R側 か らD R A M側 へ の 観 測 点 移 動 の 試 行
Memory Controller DRAM
via via
TP1
( 実測 ) TP2’
(VP) TP2
( 実測 )
Write
✓ Memory Controller の実装基板背面 Via(TP1) から
Tx Rx
Memory
Controller DRAM
TLine
Via Via
Port1 Port2
PKG
Term
ADS/SIPro
で
IBISとレイアウトの電磁界解析結果を
1
つの
S-parameter及び
Transfer Functionファイルに集約
生成した
S-parameterに終端情報も含むた め
Port2より先は
Open(Hi-Z)に設定
観測点移動
T F 2・T F 4フ ァ イ ル を 選 択 す る だ け でI N F I N I I S I Mを 適 用 可 能
ADS
で生成した
S-parameterを使用して
InfiniiSim上で回路 モデルから伝達関数を生成・
適用
ADS
で生成した伝達関数を
InfiniiSimに適用
どちらでも同じ
結果になる
D R A M側R Xの 終 端 位 置 の 波 形 を 確 認
Memory Controller DRAM
via via
TP2’
(VP)
TP2 ( 実測 )
Write
✓ 回路モデルが正しいことは Case1 で検証済み
I N F I N I I S I Mの 設 定 を 失 敗 す る と ど う な る か ?
そこが知りたい ! ポイント 5
例
1:回路モデル設定で
Sim側だけ設定を忘れて
Ideal Thruのまま
(=
De-embeddingの操 作になる)
例
2:方向性のある
S-parameter
で
Flip設定を間 違える
例3: Filter の
Time Spanが短い
(=Step応答が収束
せずに途中で途切れてい
る
)F P G A側R Xの 終 端 位 置 の 波 形 確 認
Memory Controller DRAM
via via
TP1 ( 実測 )
TP2 ( 実測 )
Read
TP1’(VP)
✓ DDR メモリの実装基板背面 Via(TP2) から
Tx Rx
DRAM
Memory Controller
TLine
Via Via
Port2 Port1
PKG
Term
ADS/SIPro
で
IBISとレイアウトの電磁界解析結果を
1
つの
S-parameter及び
Transfer Functionファイルに集約
生成した
S-parameterに終端情報も含むた め
Port1より先は
Open(Hi-Z)に設定
観測点移動
プ ロ ー ブ 負 荷 の 影 響 を 考 慮 す る と 観 測 点 移 動 波 形 に 影 響 が あ る か
そこが知りたい ! ポイント 6
プローブが特性がよければ 影響は少ない
✓
回路モデルが正確かど うかのほうが重要
✓
測定では
ADSで作成し た回路モデルを再利用 するのがベスト
(
InfiniiSimによるモデル 作成機能は限定的)
ADS や SIPro を使用して信頼性の高いモデルを作ることが観測点移動の大前提
推 奨 さ れ る 測 定 器 は ?
✓超低ノイズ < 1.0 mV rms to < 0.5 mV rms
✓超低残留ジッタ 20 fs rms
✓最高の有効ビット性能 10bit ADC
> 5.4 bits @ 110 GHz | > 5.5 bits @ 70 GHz | > 6.0 bits @ 33 GHz
✓圧倒的なデータ処理スピード
HWエンジンが大容量波形データを高速処理
→ 256GSa/s 10Bit ADC 2Gpts Memory x 4Ch
13GHz ~ 110GHz
DDR3/LPDDR3
DDR4/LPDDR4
DDR5
LPDDR5 D9030DDRC D9050DDRC
Infiniium UXR シリーズ
超小型プローブヘッドの決定版
MX0100 Micro Probe Head = 25GHz
N2839A 手持ち型プローブヘッド 21GHz
MX0106A 耐熱型プローブヘッド 23GHz
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DDRメモリの規格と種類
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DDRメモリの波形関連の測定項目
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波形観測の勘所
Read/Write波形の切り分け
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観測点移動とその効果
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