DS90LV011A 3V LVDS 1 回路入り高速差動出力ドライバ

DS90LV011A

DS90LV011A 3V LVDS Single High Speed Differential Driver

2002年 5 月

DS90L

V

011A

3V L

V

DS 1

回路入

り

高速差動

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力

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ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており、内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。 DS90 LV 01 1A 200 20530 changed to re leased datashe et add ed power d issipation in fo final limits ne w L L P pino ut fr om d esign chan ged LL P pino ut changed pinouts, r emoved VOH/ VOL, adde d AI, changed limits clean up pa ge 2 ad ded f igu re 2 artw or k ad ded f igu re 2 update ar twor k po inters removed D iff erentia l Driver Ch aract eristics tit le from t able s clean up formatting cha nges for proper layout Co nver ted to nat20 00 DTD Made S G M file matc h W

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DS90LV011A

3V LVDS 1

回路入り高速差動出力ドライバ

概要

DS90LV011A は単一回路の LVDSドライバ・デバイスで、高い データレートを低消費電力で実現するアプリケーションに最適で す。 DS90LV011A は電流モード・ドライバを採用しており、動作 周波数が高い場合でも低い電力損失を維持します。また、短絡 故障時の電流を抑えています。デバイスは低電圧差動信号 (LVDS) 技術を採用し、400Mbps (200MHz) 以上のデータレート をサポートします。 デバイスは 5ピンの SOT パッケージと、本体サイズが 3mm×3mm の新しい LLP-8 パッケージの両方で供給されます。 LVDS 出力 はプリント基板の配線が容易です。差動ドライバ出力の振幅は代 表値で 350mVと小さく低 EMI を実現します。DS90LV011A を、 ファミリ・デバイスである DS90LV012A や、ナショナル セミコンダ クターの他の LVDS レシーバと併用すれば、高速 LVDS インタ フェースを構成できます。

特長

■ TIA/EIA-644-A 規格に適合 ■ 400Mbps (200MHz) の転送レート ■ 最大差動スキュー 700ps (100ps 代表値 ) ■ 伝搬遅延時間 1.5ns ( 最大値 ) ■ 単一電源 3.3V ■ 差動出力信号 ± 350mV ■ 電源 OFF 保護 (TRI-STATE 出力 ) ■ プリント基板レイアウトが容易なピン配置 ■ 低消費電力設計 23mW、3.3V ( 代表値 ) ■ SOT-23 5 ピン・パッケージ ■ リードレス LLP-8 パッケージ 本体サイズ 3 × 3mm ■ SOT-23 品は SN65LVDS1 とピン互換 ■ アドバンスド CMOS プロセス技術で製造 ■ 工業用動作周囲温度 − 40 ℃∼＋ 85 ℃

ピン配置図

(Top View)

Order Number DS90LV011ATMF See NS Package Number MF05A

(Top View)

Order Number DS90LV011ATLD See NS Package Number LDA08A

2 www.national.com/JPN/

DS90L

V011A

絶対最大定格

(Note 1) 本データシートには軍用・航空宇宙用の規格は記載されていません。 関連する電気的信頼性試験方法の規格を参照ください。

推奨動作条件

電気的特性

特記のない限り、推奨動作条件に記載の電源電圧及び動作周囲温度に対して適用。 (Note 2、3、8)

スイッチング特性

特記のない限り、推奨動作条件に記載の電源電圧及び動作周囲温度に対して適用。 (Note 3、5、6、7) 電源電圧 (VDD) − 0.3V ∼＋ 4V LVCMOS入力電圧 (TTL IN) − 0.3V ∼＋ 3.6V LVDS出力電圧 (OUT ± ) − 0.3V ∼＋ 3.9V LVDS出力短絡電流 24mA 最大パッケージ許容損失 ( 周囲温度＋ 25 ℃において ) LDAパッケージ 2.26W 25℃以上の周囲温度で使用される場合は、LDA パッケー ジは 18.1mW/ ℃を減じてください。 熱抵抗 (θJA) 55.3℃ /Watt MFパッケージ 902mW 25℃以上の周囲温度で使用される場合は、MF パッケージ は 7.22mW/ ℃を減じてください。 熱抵抗 (θJA) 138.5℃ /Watt 保存温度範囲 − 65 ℃∼＋ 150 ℃ 許容リード温度 ( ハンダ付け 4 秒 ) ＋ 260 ℃ 最大接合部温度 ＋ 150 ℃ ESD耐圧 HBM (1.5kΩ、100pF) ≧ 9kV EIAJ (0Ω、200pF) ≧ 900V CDM (0Ω、0pF) ≧ 2000V IEC direct (330Ω、150pF) ≧ 4kV 最小値 代表値 最大値 単位 電源電圧 (VDD) 3.0 3.3 3.6 V 動作周囲温度 (TA) − 40 ＋ 25 ＋ 85 ℃

Symbol Parameter Conditions Pin Min Typ Max Units

|V_OD| Output Differential Voltage R_L＝ 100Ω

(Figure 1 and Figure 2)

OUT＋ , OUT− 250 350 450 mV ΔVOD VOD Magnitude Change 3 35 mV V_OS Offset Voltage R_L＝ 100Ω (Figure 1) 1.125 1.22 1.375 V

ΔVOS Offset Magnitude Change 0 1 25 mV

I_OFF Power-off Leakage V_OUT＝ 3.6V or GND, V_DD＝ 0V ± 1 ± 10 μA

I_OS Output Short Circuit Current

(Note 4)

V_OUT＋ and V_OUT−＝ 0V − 6 − 24 mA

I_OSD Differential Output Short Circuit

Current (Note 4)

V_OD＝ 0V − 5 − 12 mA

C_OUT Output Capacitance 3 pF

V_IH Input High Voltage TTL IN 2.0 V_DD V

V_IL Input Low Voltage GND 0.8 V

I_IH Input High Current V_IN＝ 3.3V or 2.4V ± 2 ± 10 μA

I_IL Input Low Current V_IN＝ GND or 0.5V ± 1 ± 10 μA

V_CL Input Clamp Voltage I_CL＝− 18 mA − 1.5 − 0.6 V

C_IN Input Capacitance 3 pF

I_DD Power Supply Current No Load V_IN＝ VDD or GND VDD 5 8 mA

R_L＝ 100Ω 7 10 mA

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units

t_PHLD Differential Propagation Delay High to Low R_L＝ 100Ω, C_L＝ 15 pF 0.3 1.0 1.5 ns

t_PLHD Differential Propagation Delay Low to High (Figure 3 and Figure 4) 0.3 1.1 1.5 ns

t_SKD1 Differential Pulse Skew |t_PHLD− tPLHD| (Note 9) 0 0.1 0.7 ns

t_SKD3 Differential Part to Part Skew (Note 10) 0 0.2 1.0 ns

tSKD4 Differential Part to Part Skew (Note 11) 0 0.4 1.2 ns

t_TLH Transition Low to High Time 0.2 0.5 1.0 ns

t_THL Transition High to Low Time 0.2 0.5 1.0 ns

DS90L

V011A

スイッチング特性

(つづき ) Note 1: 「絶対最大定格」とはこの値を超えるとデバイスの安全を保障できない値です。デバイスをこの規格値で動作することを意味しているわけではありません。 「電気的特性」の表にデバイスの実際の動作条件が示されています。 Note 2: デバイスのピンに流れ込む電流はすべて正、デバイスのピンから流れ出す電流は負と示されています。 V_ODを除いて、すべての電圧はグラウンドを基準 としています。 Note 3: すべての代表値は、V_DD＝＋ 3.3V、T_A＝＋ 25 ℃の値です。 Note 4: 出力短絡電流 (I_OS)は大きさを表し、マイナス符号は電流の流れる方向を表しています。 Note 5: パラメータは設計によって保証されています。リミット値は、素子性能のばらつき範囲 ( プロセス、電圧、温度 ) を含めた統計的な解析に基づいています。 Note 6: C_Lはプローブ容量と測定治具容量を含んでいます。 Note 7: 特記のない限り、パルス・ジェネレータの波形は、f ＝ 1MHz、ZO＝ 50Ω、tr≦ 1ns、tf≦ 1ns(10％∼ 90％)。 Note 8: DS90LV011Aは出力が定電流形式の製品で、データスペック上の値は差動出力間に 抵抗性負荷を付加した時の値です。 Note 9: t_SKD1 |t_PHLD− tPLHD|は同チャネルの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの伝搬遅延時間の差の大きさをあらわしています。 Note 10: デバイス間差動スキュー tSKD3は、規定されている差動伝搬遅延時間の最小値と最大値の差として定義されています。この仕様は、双方のデバイスの 電源電圧 V_DDが同一で、かつ、温度は動作温度範囲内にあって温度差が 5 ℃以内の場合に適用されます。 Note 11: デバイス間スキュー tSKD4 は、デバイス間の任意の事象の差動チャネル間スキューです。この仕様は、動作温度範囲と電圧範囲にわたって適用され、 プロセスばらつきを含みます。 tSKD4は、差動伝搬遅延の |Max-Min|として定義されています。 Note 12: f_MAXジェネレータ入力条件 : tr＝ tf＜ 1ns (0％∼ 100％)、デューティ・サイクル 50％、0V ∼ 3V。 出力要件 : デューティ・サイクル＝ 45％/55％、 V_OD＞ 250mV。 パラメータは設計により保証されています。リミット値は、遷移時間 (t_TLHと t_THL)を使用した PVT 範囲 ( プロセス / 電圧 / 温度 ) に対 するデバイスの統計解析に基づいています。

Parameter Measurement Information

FIGURE 1. Differential Driver DC Test Circuit

FIGURE 2. Differential Driver Full Load DC Test Circuit

4 www.national.com/JPN/

DS90L

V011A

Parameter Measurement Information

(つづき )

FIGURE 4. Differential Driver Propagation Delay and Transition Time Waveforms

アプリケーション情報

TABLE 1. Device Pin Descriptions

プリント基板の考慮事項 LLPパッケージをプリント基板に実装する際の注意事項は、アプ リケーション・ノート AN-1187 「リードレス・リードフレーム・パッ ケージ」を参照してください。ノイズ・カップリングとジッタを抑止 して高い信号インテグリティを維持するためには、LLP のパッケー ジ底面の長方形領域にある金属製 ( 通常は銅 ) のサーマル・ラ ンド・パッドをグラウンドに実装し、プリント基板の露出パッドと面積 を合わせてください (1 対 1)。 パッケージ端子番号 端子名 説明 SOT23 LLP 5 8 TTL IN LVTTL/LVCMOSドライバ入力ピン 4 1 OUT＋ 非反転ドライバ出力ピン 3 3 OUT− 反転ドライバ出力ピン 2 7 GND グラウンド・ピン 1 6 V_DD 電源ピン、＋ 3.3V ± 0.3V 2, 4, 5 NC 未接続

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外形寸法図

特記のない限りinches (millimeters）

5-Lead SOT23, JEDEC MO-178, 1.6mm Order Number DS90LV011ATMF

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V

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回路入

り

高

速差動

出

力

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生命維持装置への使用について ナショナル セミコンダクター社の製品は、ナショナル セミコンダクター社の最高経営責任者 (CEO) および法務部門 (GENERAL COUNSEL)の事前の書面による承諾がない限り、生命維持装置または生命維持システム内のきわめて重要な部品に使用することは 認められていません。 ここで、生命維持装置またはシステムとは（a）体内に外科的に使用されることを意図されたもの、または (b) 生命を維持あるいは 支持するものをいい、ラベルにより表示される使用法に従って適切に使用された場合に、これの不具合が使用者に身体的障害を与 えると予想されるものをいいます。重要な部品とは、生命維持にかかわる装置またはシステム内のすべての部品をいい、これの不 具合が生命維持用の装置またはシステムの不具合の原因となりそれらの安全性や機能に影響を及ぼすことが予想されるものをいい ます。 本資料に掲載されているすべての回路の使用に起因する第三者の特許権その他の権利侵害に関して、弊社ではその責を負いません。 また掲載内容は予告無く変更されることがありますのでご了承ください。

ナショナル セミコンダクター ジャパン株式会社

本社／〒 135-0042 東京都江東区木場 2-17-16 TEL.(03)5639-7300 技術資料（日本語 / 英語）はホームページより入手可能です。

www.national.com/jpn/

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外形寸法図

単位は millimeters ( つづき )

LLP-8, 3mm x 3mm Body Order Number DS90LV011ATLD