増設メモリ 1. 機能型名 N8102-G342 N8102-G343 N8102-G344 1GB (1GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 1.5V 型名 N N N (1GBx1

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(2010/04/26)

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増設メモリ

1. 機能仕様

型名 N8102-G342 N8102-G343 N8102-G344 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ無型名 N8102-342 N8102-343 N8102-344 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ無型名 N8102-346 N8102-347 N8102-348 N8102-349 容量 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 16GB (8GBx2 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ有型名 N8102-361 N8102-362 N8102-363 N8102-364 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 8GB (8GBx1 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ有型名 N8102-365 N8102-366 N8102-367 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V

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型名 N8102-339 N8102-340 N8102-341 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 仕様 DDR3-1333(PC3-10600) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 動作クロック 667MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ無型名 N8102-330 N8102-331 N8102-332 N8102-333 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 8GB (8GBx1 枚) 仕様 DDR3-1066(PC3-8500) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 533MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ有型名 N8102-326 N8102-327 N8102-328 N8102-329 N8102-337 容量 _{(1GBx1 枚)}1GB _{(2GBx1 枚)}2GB _{(4GBx1 枚)}4GB _{(8GBx1 枚)}8GB 16GB (16GBx1 枚) 仕様 DDR3-1066(PC3-8500) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 533MHz(差動) 駆動電圧 1.5V バッファ有型名 N8102-323 N8102-324 N8102-325 容量 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 4GB (4GBx1 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300)

SDRAM-DIMM, Registered, ECC

動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ有型名 N8102-303 N8102-304 N8102-305 容量 512MB (512MBx1 枚) 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 仕様 DDR2-800(PC2-6400)

SDRAM-DIMM, Unbuffered, ECC

動作クロック 400MHz(差動)

駆動電圧 1.8V

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型名 N8102-300 N8102-301 N8102-302 容量 512MB (512MBx1 枚) 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 仕様 DDR2-800(PC2-6400)

動作クロック 400MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ無型名 N8102-306 N8102-307 N8102-308 N8102-321 容量 1GB (512MBx2 枚) 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ有型名 N8102-313 N8102-314 N8102-315 N8102-316 容量 1GB (512MBx2 枚) 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300)

FB-DIMM, Advanced Memory Buffer, ECC

動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.5V/1.8V バッファ有型名 N8102-317 N8102-318 N8102-319 N8102-320 容量 1GB (512MBx2 枚) 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300)

動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.5V/1.8V バッファ有型名 N8102-297 N8102-298 N8102-299 容量 _{(1GBx2 枚)}2GB _{(2GBx2 枚)}4GB _{(4GBx2 枚)}8GB 仕様 DDR2-667(PC2-5300)

駆動電圧 1.5V/1.8V

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型名 N8102-273 N8102-274 N8102-275 N8102-276 容量 1GB (512MBx2 枚) 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300)

動作クロック 266MHz(差動) 駆動電圧 1.5V/1.8V バッファ有型名 N8102-250 N8102-251 N8102-252 容量 _{(512MBx2 枚)}1GB _{(1GBx2 枚)}2GB _{(2GBx2 枚)}4GB 仕様 DDR2-533(PC2-4300) FB-DIMM, Advanced Memory Buffer,

ECC

駆動電圧 1.5V/1.8V

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型名 N8102-254 N8102-255 N8102-256 N8102-257 容量 1GB (512MBx2 枚) 2GB (1GBx2 枚) 4GB (2GBx2 枚) 8GB (4GBx2 枚) 仕様 DDR2-533(PC2-4300)

動作クロック 266MHz(差動) 駆動電圧 1.5V/1.8V バッファ有型名 N8102-289 N8102-290 容量 512MB (512MBx1 枚) 1GB (1GBx1 枚) 仕様 DDR2-667(PC2-5300) SDRAM-DIMM, Unbuffered, ECC 動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ無型名 N8102-285 N8102-286 N8102-287 容量 512MB (512MBx1 枚) 1GB (1GBx1 枚) 2GB (2GBx1 枚) 仕様 DDR2 667(PC2-5300)

動作クロック 333MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ無型名 N8102-281 N8102-282 N8102-283 容量 512MB (512MBx1 枚) 2GB (1GBx2 枚) 2GB (2GBx2 枚) 仕様 DDR2 400(PC2-3200) SDRAM-DIMM, Registered,ECC 動作クロック 200MHz(差動) 駆動電圧 1.8V バッファ有

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2. 用語集

■DIMM(Dual Inline Memory Module)

表と裏の Pin の信号が異なるメモリモジュールの形態。最近のメモリモジュールの殆どがこの形態をとる。1 枚あたり 64 ビット幅(ECC 用 bit は除く)のデータ転送を行なう物が一般的です。

■FB-DIMM(Fully Buffered DIMM)

DRAM モジュール規格の一種。モジュール上に AMB(advanced memory buffer)と呼ばれるパラレル -シリアル交換 LSI を搭載する事で「DDR2」などの DRAM を使いつつ、モジュール間のインターフ

ェースをシリアル化したものです。

■SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)

外部バスインターフェイスが一定周期のクロック信号に同期して動作するように改良された DRAM です。

■DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)

外部クロックの 2 倍の周期でデータをやり取りできるようにした SDRAM。SDR SDRAM が外部クロックの立ち上がりに同期してデータを転送するのに対し、DDR SDRAM はクロックの立ち上がりと立ち下がりの両方を利用し、同じクロック周波数で 2 倍のデータ転送を実現します。

■SDR SDRAM(Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) クロック信号の 1 周期の間に 1 回データ転送を行なう SDRAM。

DDR SDRAM が登場する以前に主流だった SDRAM を表す用語です。

■ECC(Error Correcting Code)

ECC(Error Correction Code)メモリは、データにパリティデータを付加することで、メモリのソフトパリティエラーによる１ビットエラーの訂正と２ビットエラーの検出によって、関連する複数の処理(トランザクション)の再試行を可能にしたものです。

■SDDC (Single Device Data Correction)

複数ビットのエラー検出/訂正を実現する機能で、x4 SDDC と x8 SDDC の 2 種類があります。 ‐x4 SDDC

データ幅 4bit の DRAM を使用した DIMM で、DRAM 1 個分のエラーを訂正する機能です。 ‐x8 SDDC

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■Registerd DIMM / Unbuffered DIMM

レジスタチップを搭載したメモリモジュールを Registered DIMM、搭載していないメモリモジュールを Unbuffered DIMM と呼びます。Registered DIMM はレジスタチップを搭載することで、メモリモジュールの大容量化、1 システムあたりに多くの DIMM を搭載することが可能です。 ■メモリミラーリング機能メモリミラーリング機能とは、2 つのメモリチャネル間で対応するグループの DIMM に同じデータを書き込むことにより冗長性を持たせる機能です。 ■ロックステップ機能(x8 SDDC) ロックステップ機能(x8 SDDC)は、2 つのメモリチャネル間の対応する 2 つのグループの DIMM を多重化して並列動作させることで x8 SDDC を実現します。x8 SDDC によって、1 つのデバイスで 1～8 データビットのエラー検出・訂正機能をサポートします。 ■メモリのランクランクは、メモリ転送において一度にアクセスされる DRAM のセットを指すために用いられる用語です。現時点では、DIMM 上にランクが 1 つだけ存在するシングルランク DIMM、2 つのランクから構成されるデュアルランク DIMM、4 つのランクから構成されるクアッドランク DIMM があります。 ■メモリインターリーブメモリインターリーブとは、複数のメモリ領域に対して連続したメモリアドレスを割当て、並列処理を行うことによって高速アクセスを可能にする方法です。2 つのメモリ領域で構成されるインタリーブを 2 Way インタリーブ、N 個のメモリ領域で構成されるインタリーブを N Way インタリーブと呼びます。

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・ Express5800 シリーズ用に販売されている他社製メモリは動作保証の範囲外となるため、 Express5800 純正品のメモリを使用すること。

増設メモリ 1. 機能 型名 N8102-G342 N8102-G343 N8102-G344 1GB (1GBx1 枚 ) (x1 枚 ) (x1 枚 ) SDRAM-DIMM, Unbuffered,ECC 1.5V 型名 N N N (1GBx1