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JAIST Repository: 電界イオン/電界放射顕微鏡による走査型トンネル顕微鏡用探針の調製と評価

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Academic year: 2021

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Japan Advanced Institute of Science and Technology

JAIST Repository

https://dspace.jaist.ac.jp/ Title 電界イオン/電界放射顕微鏡による走査型トンネル顕 微鏡用探針の調製と評価 Author(s) 木村, 周一 Citation Issue Date 2014-03

Type Thesis or Dissertation Text version none

URL http://hdl.handle.net/10119/11952 Rights

Description Supervisor:富取 正彦, マテリアルサイエンス研究科 , 修士

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A13p2

電界イオン/電界放射顕微鏡による走査型トンネル顕微鏡用探針の調製と評価

木村 周一(富取研究室)

【背景と目的】 物質表面を原子スケールで観察する手法として走査型トンネル顕微鏡(STM)がある。STM の分 解能は、試料表面を走査する探針先端の形状に依存する。また、表面電子状態を原子スケールで解 析する走査型トンネル分光法(STS)において取得するトンネル電流-印加電圧特性曲線は、探針 先端の電子状態に敏感である。従って、STM 探針は先端が原子スケールで鋭く且つその構造が安定 で、電子状態も特異的でないことが要求される。本研究では、STM に適した探針の先鋭化(build up) 条件を探るために、探針先端を電界イオン顕微鏡(FIM)/ 電界放射顕微鏡(FEM)で評価した。 【実験方法】 試料として、W 線ループに多結晶 W 線をスポット溶接して電解研磨(1 mol/L KOH 水溶液、電圧 1-3 V、AC 60 Hz、対向電極:Pt 線)で作製した針、その先端に Pt をスパッタ堆積させた針、さら に W 線ループに Pd ワイヤーを巻きつけて超高真空中で加熱し、Pd を表面拡散させた針を用いた。 また、[111]方位の単結晶 W 線からも W 針を作製した。液体 He で冷却できる FIM/FEM 装置で、針 先端に高電界(最大印加電圧 20 kV)を発生させつつ試料を加熱(約 1000 ℃)して、針先端がど う変化するのかを観察した。加熱は高耐圧の絶縁トランスを介して W 線ループに交流電流を流す ことで実施した。 【結果と考察】 図 1 に Pt をスパッタした多結晶 W 針を加熱 (1000 ℃、1 分)したときの FEM 像の変化を 示す。加熱前、W 針先端の2つの{001}面近傍か らの強い電界放射(FE)、(111)面からの弱い FE が観察された(図 1(a))。加熱を開始して 1 分後、 (111)面の build up が観察された(図 1(b))。加熱 で Pt 層が W 針を覆い、原子密度の小さな(111) 面に Pt 原子が堆積して[111]方向へ先鋭化したと 考えられる。 図 2 に、単結晶 W 針に負電圧(-2.5 kV)を印 加しつつ加熱(1000 ℃、1-2 分)したときの FEM 像の変化を示す。処理前は、(111)面と(111)面を 囲む3つの{112}面から FE が観察された(図 2(a))。電界加熱後、処理前よりも低い印加電圧で(111) 面からの強い FE が観察された(図 2(b),(c))。(111)面は W の他の結晶面より原子密度が小さく表面 エネルギーが大きい。[111]方位 W 針では(111)面で高電界が発生し、表面の W 原子が分極しつつ高 電界領域へと熱拡散し、(111)面に W 原子が集積される。それとともに(111)面を囲む3つの{011} 面のファセット化が進行 し [111] 方 向 に よ り 鋭 角 化される。すると(111)近 傍でさらに電界が強くな り、[111]方向への W 原 子の集積が進み、先鋭化 される。その結果、[111] 方位へ鋭くなるとともに 仕 事 関 数 が 低 い (111) 面 から強い FE が得られた と説明できる。W 探針の 原子モデルと対応させて 議論する。

【 key words 】STM tip, FIM, FEM, build up, STM

図 1 Pt をスパッタ堆積させた多結晶 W を加熱 して build up したときの FEM 像(-0.25kV) (111) (001) (a) 加熱前 (b) 1 分後 (010) {112} (111) 図 2 [111]方位の単結晶 W を高電界下で加熱して build up したときの FEM 像 (a) 加熱前 -1.6 kV (b) 30 秒後 -1.1 kV (c) 1 分後 -0.86 kV {112} {011} {011} {011}

図 1  Pt をスパッタ堆積させた多結晶 W を加熱  して build up したときの FEM 像(-0.25kV)(111) (001) (a) 加熱前 (b) 1分後 (010)  {112}  (111)  図 2  [111]方位の単結晶 W を高電界下で加熱して  build up したときの FEM 像 (a) 加熱前 -1.6 kV (b) 30秒後 -1.1 kV  (c) 1 分後 -0.86 kV {112} {011} {011} {011}

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