修士論文要旨
(2014年度)
高精度サイクリック
A/D変換器を実現する、
素子ばらつきに依らない
最適なクロックドライバ回路の研究
A research of a 50MHz clock driver circuit independent of elements variation
to realize the high resolution cyclic A/D converter.
電気電子情報通信工学専攻 落合 洋夫
Hiroo Ochiai1
はじめに
近年、情報のディジタル化により多くのシステムに おいてアナログ・ディジタル混載の回路が用いられてい る。ディジタル信号はアナログ信号と比較して圧縮、伸 張、伝送、加工が容易であるなどといった利点を持つ。
しかし、現実世界において、映像、音などの我々人間が 認識できる自然界の情報はすべてアナログ信号である。
そのため、アナログ回路とディジタル回路のインター フェースとなる
A/D変換器が必要不可欠となる。A/D 変換器にはいくつかの変換方式があるが、低電源電圧化 に対応し、省面積化のニーズにも対応した
A/D変換器 として、サイクリック
(循環)型
A/D変換器がトレンド である。また、素子の微細化により集積回路の集積度は 向上したが、微細化に伴う素子耐圧の低下のために低 電源電圧で動作する集積回路が求められる。本稿では、
電源電圧
1.8V、14bit、動作周波数50MHzで動作する サイクリック型
A/D変換器を実現する回路について述 べる。
2
サイクリック型
A/D変換器の構成
図
1にサイクリック型
A/D変換器のブロック図を示 す。入力信号を
S/H回路にてサンプル、ホールドし、サ イクリック部に入力される。サイクリック部では、
1.5 bitのディジタルコードの出力とディジタル判定結果と入 力信号の残差を
2倍化した信号を次段へ出力する機能 を持つビットブロックと、データを保持し出力するサブ
S/H回路により構成されており、これらを
n−1回ルー プすることにより、n bit 精度の
A/D変換を実現する。
サイクリック部の各ブロックに要求される
A/D変換の 速度は全体の出力
bit数に関係なく
1 bit/1クロックサ イクルでよい。前段のビットブロックがホールド期間に
A/D変換と誤差増幅を行っている間、後段のサブ
S/H回路はサンプル動作を行っており、次の
1/2クロックサ イクルで正確に
1倍された信号をビットブロックに出力
する。このように
1 bitの演算を行う毎に各ブロックの 動作が正しいタイミングでサンプルホールド動作を行 う必要がある。また、クロックを生成するクロックドラ イバ回路で発生する誤差は各ブロックの動作に影響する ため、あらゆる動作状況やばらつきに対して、各ブロッ クにその影響を与えず、正しいタイミングのクロックが 生成されなければならない。本論分では、ばらつきに依 らないクロックドライバ回路の設計完了を目的とする。
bitblock S/H
Analog
Input sub_S/H
Digital Correction Digital Output
nbit
Latch Latch
Latch
Latch Latch
Latch
Digital Output
2
Vin Vout
subDAC subADC
1.5bit(00, 01, 11) Digital Output
MSB LSB
図
1:サイクリック型
A/D変換器
2.1
サイクリック型
A/D変換器の構成
ȳȏȨ
ߓྤѱȑ
ɂɉɔɂɌɏɃɋ
ߓྤѱȒ
ɓɕɂȳȏȨ
ߓྤѱȑ ɓɁɍɐɌɅ
ɃɋȑȐ ɈɏɌɄ ɃɋȒȐ ɃɋȑȐɄ
ɓɁɍɐɌɅ Ƀɋȑȑ ɈɏɌɄ
ɃɋȒȑ ɃɋȒȒ
ɓɁɍɐɌɅ ɃɋȑȒ ɈɏɌɄ
ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ
ɃɋɓɈ
ɃɋɓɈȏ
図
2:クロックドライバ回路
図
2に各ブロックに必要なクロックを示す。サイクリッ
ク部の各ブロックではそれぞれサンプルモード、ホール ドモード動作があるため、ビットブロック及びサブ
S/H回路に必要なクロック数は合計で
4つ必要である。ま た、サイクリック部を必要精度分ループ動作させてい る場合、S/H 回路からの出力を遮断する必要があるた め、S/H 回路とサイクリック部間にスイッチを付加し た。このスイッチは
14ビット出力後、新しいデータを サイクリック部に入力する際にのみオンする必要があ るため、クロック
ckshは
14クロック毎に立ち上がる必 要がある。また、S/H においても同様にサンプルモー ドとホールドモードのクロックが必要であるが、サイク リック部への出力は
14クロック毎のみであるため、ク ロック
ckshと同様に
14クロック毎に動作する。
2.2
クロックドライバ回路
(14⫶X$⧊)
buf_p buf_n
ҳ
ҳ
ɎɏɖȿɄɅɌɁə
nonoverlap1
ck11r ck12r (nand)
(nand) (nov_delay) (nov_delay)
(nov_delay_Vshort)
(nov_delay_short)
(inv1) (inv1) (inv1)
(inv1) (inv1)
ck2root2
ck1root2 out3
out2
buf_p
ck11 ck11/
ck12 ck12/
nov_delay_vshortnov_delay_vshort buf_n
nov_delay_vshortnov_delay_vshort buf_p
buf_n
(nov_delay_Vshort)
nonoverlap2
ck22root ck21root (nand)
(nand) (nov_delay_Vshort) (nov_delay_Vshort)
(nov_delay)
(inv1) (inv1) (inv1)
(inv1) ck21root
ck22root out3
out2 ck21
ck21/
buf_p
ck22 ck22/
cksh cksh/
nov_delay_long
nov_delay_long nov_delay_vshort
buf_n
nov_delay_vshort buf_p
buf_n
nonoverlap2
jkin jkin/
buf_p
buf_n
ckin
図
3:クロックドライバ回路
(nov_delay_long2)
(nand3)
(nonoverlap2) ck10rr ck20rr ck10root inv2
(14ㅴࠞ࠙ࡦ࠲࿁〝)
ψ
ψ
buf_p
ck10 ck10d
ck10d/
ck10/
buf_p
buf_n
ck20/
ck20/
buf_p
buf_n ᄖઃߌ࠺ࠖࠗ
buf_p
buf_p buf_n
ᄖઃߌ࠺ࠖࠗ
GUFKP
GUFKP EMT
EMT
ᬌ࿁〝
図
4: ck10,ck10d,ck20生成回路
図
3、図4にクロックドライバ回路を示す。クロ ックドライバ回路は
3つのブロックが並列になってお り、基準クロック
ckinが各々のブロックに入力される ことになる。入力された基準クロックはそれぞれ、図
3の
nonoverlap1及び
nonoverlap2回路に入力される。
nonoverlap1
と
nonoverlap2で生成されるクロックのノ ンオーバーラップ期間に差をつけることで、各クロック 波形を生成する。その際、各
nonoverlap回路で起きる 遅延時間が異なるため、ディレイを通過させることでク ロックタイミングの微調整が行われる。最終段にはバッ ファがあり、CMOS スイッチの
PMOSと
NMOSのク ロックに分断されて出力される。cksh クロックは上述 と同様に設計しているが、14 回に
1回立ち上がるのみ
であるため、14 進カウンタ回路を加えて実現している。
S/H
回路のクロックも
ckshと同様に、14 回に
1回立ち 上がるのみであるため、cksh で用いた
14進カウンタ回 路を通過後、nonoverlap2 を経て
S/H回路のクロック を生成する。しかし、この方法では
2回
nonoverlap回 路を通過してしまい、生成するクロックのタイミングが ビットブロックのそれと大きくずれてしまう。今回は図
4に示すようにクロックタイミングを検出する回路を設 計し、チップ外部で任意のディレイを繋ぎタイミングを 合わせる手法を取る。
3
試作回路の評価
/േ /േ /േ
図
5: FFT波形
A/D
変換器の出力を
DACで変換し、FFT を行った。
図
5は入力周波数
f in= 100kHz、入力電圧フルスケール
F S = 1.6Vにおいて、動作周波数を変化させた時 のそれぞれの波形である。図
5より、50MHz において
SFDRが
45dB動作周波数に応じて、ノイズフロア付近 の高調波が変化しており、クロックに依存して特性が現 れていると考えられる。
3.1
クロックタイミングのずれによる劣化
150n 150n
150.5n 150.5n
151n 151n
151.5n 151.5n
152n 152n
152.5n 152.5n
153n 153n
153.5n 153.5n
sec 0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
volt
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
volt
ck21 ck22 ck11 ck12
ck21 ck22 ck11 ck12
ȋ ȍ
ȋ Vout ȍ Ȕɐ ɓɗȕȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȓȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȒȈɃɋȑȑȉ ɓɗȑȿȒȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȓȿȒȈɃɋȒȒȉ
ɓɗȕȿȒȈɃɋȒȒȉ ɓɗȒȿȒȈɃɋȑȒȉ ɆɂɓɗȈɃɋɓɈȏȉ
ɓɗȔȿȒȈɃɋȑȒȉ
ȋ ȍ
ȋ Vout ȍ Ȕɐ
ɓɗȔȿȒȈɃɋȑȒȉ ɓɗȕȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȓȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȒȈɃɋȑȑȉ
ɓɗȑȿȒȈɃɋȒȑȉ
ɓɗȓȿȒȈɃɋȒȒȉ
ɓɗȕȿȒȈɃɋȒȒȉ ɓɗȒȿȒȈɃɋȑȒȉ ɆɂɓɗȈɃɋɓɈȏȉ
Ѷ
Ѷ ɈɏɌɄ ɓɁɍɐɌɅ
(&ųܴࠡءೊųŇƐ:П.PПő ᴛᰲŞƐЖ
図
6:クロックタイミングの変化
0 0
200k 200k
400k 400k
600k 600k
800k 800k
1M 1M
1.2M 1.2M
1.4M 1.4M
1.6M 1.6M
Hz
dB
-100 -8 0 -6 0 -40 -2 0 0
図
7:クロックタイミングが変化した場合の動作
基準クロックが
sin波であることを考えると、イン
バータの
NMOSと
PMOSの閾値電圧
vthn,vthpは異
なるため、デューティ比が
50%でない矩形波が生成さ
れる。この現象は基準クロック周波数が低周波であれば
顕著になる。加えて、図
3の入力部に注目すると、ク
ロックドライバ回路の入力部のインバータの段数が異 なる。これは、nonoverlap1 と
nonoverlap2で生成され るクロックタイミングを合わせるためのものである。し かし基準クロックが
sin波の場合、インバータの段数が 異なることで各ブロックでの
A点での矩形波の立ち上 がり時間が異なる。そのため各
nonoverlap回路で生成 されたクロックはその分だけパルス幅に影響が出てし まう。基準クロックを
sin波で動作周波数を変化させた 時のクロック波形を図
6に示す。図よりサンプルモード で必要な
2種類のクロックのタイミングが入れ替わって いることが分かる。クロックタイミングが入れ替わった 場合、スイッチから入力依存性のあるフィードスルーが キャパシタに蓄えられてしまい、精度が大きく劣化する と考えられる。(図
6右)。この時の
FFT波形を図
7に 示す。A/D の特性が大きく劣化していることが分かる。
以上の
2点より、クロックドライバ回路は基準クロック が
sin波においてもデューティ比が変化することなく動 作し、生成されるクロックが常に同期するように補正す る必要がある。
3.2
クロックの遷移点のずれによる特性劣化
0 0.2 0.6 1 1.4 1.8
voltvoltvolt
201.7n 201.8n 201.9n 202n 202.1n 202.2n 202.3n 202.4n
0 0.2
0.2 0.6 1
1 1.4 1.8
201.8n 202n 202.2n 202.4n 202.6n 202.8n 203n 203.2n
0 0.6 1.4 1.8
201.6n 201.7n 201.8n 201.9n 202n 202.1n 202.2n 202.3n
sec sec sec
Tipical
Slow
Fast
ck11 ck11/
ck11 ck11/
ck11 ck11/
ȢȀ⸐פԄőƐ
ȡȀ⸐פԄőƐ bit1sw6
bit1sw1
bit1sw4
bit1sw4 ȢȀ
bit1sw6 bit1sw1 pmos,nmosȈ:ᵿ߰ȉ
ᩍȡų⸐ૂŰ࿈ŝŤ :П.PПőጪޯŚƑƐ
図
8:素子ばらつきによる遷移点の変化と回路動作
0 0
200k 200k
400k 400k
600k 600k
800k 800k
1M 1M
1.2M 1.2M
1.4M 1.4M
1.6M 1.6M
hertz(Hz) -120
-100 -8 0 -6 0 -4 0 -2 0 0
dBm ㆫ⒖ὐߕࠇ
F$ ㆫ⒖ὐߕࠇή
図
9:遷移点に変化による特性への影響 図
8に
Vthを ±
10%のプロセスばらつきを持たせた 時の生成されるビットブロックのサンプルモードのクロッ ク
ck11と
ck11/の波形を示す。尚、各スイッチはCMOS構成であるため、生成するクロックは
clkに対して反 転した
clk/がある。上からTipical、Slow(Vth+10%)、Fast(Vth-10%)
の波形である。波形より、Tipical に比 べて
SS、FFでのクロック波形の遷移点は
10psec程ず れていることが分かる。図
8にビットブロックのサンプ ル時の回路動作を示す。
bit1sw4がオフしようとする際、
フィードスルーが発生し
C1、C2に電荷がチャージされ
ていく。電荷がチャージされた際、C の両端の電荷量が 同じになるように電荷がチャージされるが、bit1sw1 に はスイッチのオン抵抗が存在するため、電圧降下が起き 瞬間的に
B点の電圧が変化する。そのため
A点の電位 も同様に変化する。結果、sw4 からは
A点の電圧に応 じたフィードスルーが放出される。ここで同様の現象を
N側に当てはめて考えると、入力電圧は差動であるの で入力電圧が
P側と異なるため、N 側の
bit1sw1のオ ン抵抗が
P側のそれとは異なる。よって
B点での電位 の変化も
P側と異なり
A点の電位も同様に異なる。そ のため
N側と
P側で放出されるフィードスルーが異な り、キャパシタに蓄えられる電荷量が異なるため差動の 誤差として現れる。ここで
ck11と
ck11/の遷移点がずれた場合を考える。ck11 と
ck11/の遷移点がずれた場合、NMOS と
PMOSで放出される電荷量の差が大きく なる。そのため
P側と
N側に蓄えられる電荷量は上述 した誤差に加えられることになる。SS の時の波形を理 想クロックで再現し、FFT したものを図
9に示す。図
9より精度が劣化していることがわかる。
4
クロックドライバ回路の設計
4.1
バッファ
ɉɎɖȓ ɉɎɖȓ ɉɎɖȑȓ
ɉɎɖȓȿȖ
ɉɎɖȔȗ
ɃɌɋ
ɃɌɋȏ ɉɎɖȑȓ
ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȔȗ ɉɎ
ɉɎɖȓ ɉɎɖȓ ɉɎɖȑȓ
ɉɎɖȓȿȖ
ɉɎɖȔȗ
ɃɌɋ
ɃɌɋȏ ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȔȗ
ɉɎ
ɂɕɆɐ
ɂɕɆɎ
߰⠂׳Ꮶų5(: ጥਂྙų5(:
図
10:バッファの構成
まず遷移点のずれを考える。図
10にバッファの構成 を示す。CMOS スイッチを動作させるため、出力クロッ ク
clkに対して反転したクロック
clk/が必要であるため、出力バッファのインバータの段数が
clkと
clk/で異なる。clk と
clk/での段数の違いを考慮し、片側のバッファの寸法を調節し遷移点を合わせていたが、これら はばらつきの影響を受けることで変動しやすい
(図10左)。そこで図
10右の
bufADに示すように、最終段に 互いに行き交うインバータを接続した。これにより、互 いの出力部に電流を流すことで矩形波のなまりを抑え、
遷移点のずれを低減できる。
4.2
クロックドライバ部
図
11に改善したクロックドライバ回路を示す。まず、
入力部のインバータの段数によるクロック波形への影
響を無くすために、入力段に同様の数のインバータを繋
いだ。また、ノンオーバーラップ回路への入力は、正転
した矩形波と反転した矩形波が必要である。前回試作で
は反転側の入力のみにインバータを用いたが、その分
遅延が発生し生成される波形に影響があった。そこで、
cksh(cksh/) ㅴࠞ࠙ࡦ࠲
buffer
clk/
clk
buf_AD ck21(ck21/)
ck22(ck22/) ck12(ck12/)
ck11(ck11/)
inv1delay8 inv1delay2 inv1delay8
inv1delay4
inv1delay4
inv1delay6 buffer
inv3_6 inv3_6inv13
inv13 VDD VDD
VDD
VDD inv3
buffer
buf_AD
buf_AD
buf_AD
B C D E
A
図
11:改善したクロックドライバ回路
上述した出力バッファと同じ構成の同期型バッファを入 力段に接続した。これによりノンオーバーラップへの
2つの入力矩形波は同期することができる。
前回試作では後段のディレイ素子を、求める遅延時 間に応じていくつかの種類のディレイを接続していた。
しかし、素子ばらつきの影響によりディレイ素子のドラ イブ能力がばらついてしまい、遅延時間に影響が現れ てしまった。そこで、各区間
(区間A、区間B· · ·)にお いて使用する全ての素子を同じものを用いて構成した。
これにより、各ノードの寄生容量を同じにし、各ブロッ ク間での素子のドライブ能力をそろえることで、ばら つきの影響を抑えた。例えば、区間
Bにおいて、cksh には
nand回路が必要不可欠である。そこで、各ブロッ クでの区間
Bに同様の素子の
nandを接続することで、
各ノードの寄生容量をそろえ、同期することができる。
4.3
サイクリック型
A/D変換器の構成の改善
ȳȏȨ
ߓྤѱȑ ɂɉɔɂɌɏɃɋ
ߓྤѱȒ ᴛᰲŞƐ⠶ȀȒ˿ȶ ᴛᰲŞƐ⠶˿ȶ
˿ȶ ˿ȓȶ ˿Ȕȶ
ɓɕɂȳȏȨ
ߓྤѱȑ ᴛᰲŞƐ⠶˿ȶ
˿ȶ ˿ȓȶ
⠶ųἕƇƏᎃҧ˿ȶҤȒ˿ȶҤ˿ȶҤȒ˿ȶООО
ɂɉɔɂɌɏɃɋ
ߓྤѱȒ ᴛᰲŞƐ⠶ȀȒ˿ȶ
ɓɕɂȳȏȨȳȏȨ⧊
ߓྤѱȑ ᴛᰲŞƐ⠶˿ȶ
⠶ųἕƇƏᎃҧ˿ȶҤȒ˿ȶҤ˿ȶҤȒ˿ȶООО
⠂׳ŜŤ O(૭ȡȏȤኄųᙩᅗ
ᎀŜʼn O(૭ȡȏȤኄųᙩᅗ
図
12:サイクリック型
A/D変換器の構成の比較 サイクリック型
A/D変換器には初段に
S/H回路を通 過し、その後ビットブロック回路とサブ
S/H回路をルー プする動作をする。ここで、サブ
S/H回路と
S/H回路 は同じ構成であり、役割も同じであることに注目すると、
S/H
回路とサブ
S/H回路は兼用することが可能である と考えられる。図
12に試作したサイクリック型
A/D変 換器と新しいサイクリック型
A/D変換器の構成を示す。
試作したサイクリック型
A/D変換器において、S/H 回 路で発生する誤差を Δ
Vとする。サブ
S/H回路と
S/H回路は同様の構成であるため、発生する誤差も同様に Δ
Vである。またビットブロックの基本的な構成は
S/H回路と同じであるが、利得が
2倍であることから、発生 する誤差は
2Δ
Vである。これより、誤差の積もり方を 計算すると、Δ
Vall=Δ
V+ 2Δ
V+ΔV+ 2Δ
+· · ·となる。これはサブ
S/H回路と
S/H回路を兼用したも のと同じである。これにより、精度に影響を与えること なく、サイクリック型
A/D変換器の面積を縮小できる 上、クロック数を低減することが可能である。即ち、試 作した時のサイクリック
A/D変換器の
S/H回路のク ロック
ck10、ck10d、ck20が不要となる。
5
シミュレーション
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
volt volt
1.3812u1.3813u 1.3814u 1.3815u 1.3816u 1.3817u 1.3818u 1.3819u 1.382u
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
1.3016u 1.3017u 1.3018u 1.3019u 1.302u 1.3021u 1.3022u
sec sec
50MHz10MHz
Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ
Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ
0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8
541.3n 541.4n 541.5n 541.6n 541.7n 541.8n 541.9n
0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8
541.1n 541.2n 541.3n 541.4n 541.5n
0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8
voltvoltvolt
541.6n 541.7n 541.8n 541.9n 542n 542.1n 542.2n 542.3n
sec sec sec
Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ
TipicalSlowFast
ࡗ׳३ᠥፎƗࢆŚŠŤୋळ ⃦ೂŵƎũŒőŇƐୋळ
図
13:改善後のクロック波形
図
13に生成されたクロック波形を示す。図の左は動 作周波数を
50MHzと
10MHzで動作させたときのもの である。いずれの動作周波数においても、クロックタイ ミングが入れ替わることなく生成されており、全く同じ タイミングで動作できている事が分かる。また図の右 は素子ばらつきを持たせた時のものである。同様に、全 ての場合で正しいクロックタイミングが得られている。
また
CMOSスイッチの
NMOSと
PMOSのクロックの 遷移点が素子ばらつきにおいても一定であることが分 かる。
6
結論
本研究では、サイクリック型
A/D変換器のクロック ドライバ回路の設計について述べた。クロックによる特 性劣化の原因を特定し、クロックドライバ回路の各ブ ロックを改善した。結果、動作周波数や
PVTばらつき に影響無く動作することを実現した。今後の課題は、容 量ばらつきを考慮した容量交換手法を適応させること である。
参考文献
[1] A. M. Abo and P. R. Gray, “A 1.5-V, 10-bit, 14.3MS/s CMOS Pipeline Analog-to-Digital Converter,”IEEE J.
Solid-State Circuits, vol. 34, no. 5, pp. 599-606, May 1999.
[2] Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill Companies, Inc., 2001.
[3]