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変換器を実現する、

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(1)

修士論文要旨

(2014

年度)

高精度サイクリック

A/D

変換器を実現する、

素子ばらつきに依らない

最適なクロックドライバ回路の研究

A research of a 50MHz clock driver circuit independent of elements variation

to realize the high resolution cyclic A/D converter.

電気電子情報通信工学専攻 落合 洋夫

Hiroo Ochiai

1

はじめに

近年、情報のディジタル化により多くのシステムに おいてアナログ・ディジタル混載の回路が用いられてい る。ディジタル信号はアナログ信号と比較して圧縮、伸 張、伝送、加工が容易であるなどといった利点を持つ。

しかし、現実世界において、映像、音などの我々人間が 認識できる自然界の情報はすべてアナログ信号である。

そのため、アナログ回路とディジタル回路のインター フェースとなる

A/D

変換器が必要不可欠となる。A/D 変換器にはいくつかの変換方式があるが、低電源電圧化 に対応し、省面積化のニーズにも対応した

A/D

変換器 として、サイクリック

(循環)

A/D

変換器がトレンド である。また、素子の微細化により集積回路の集積度は 向上したが、微細化に伴う素子耐圧の低下のために低 電源電圧で動作する集積回路が求められる。本稿では、

電源電圧

1.8V、14bit、動作周波数50MHz

で動作する サイクリック型

A/D

変換器を実現する回路について述 べる。

2

サイクリック型

A/D

変換器の構成

1

にサイクリック型

A/D

変換器のブロック図を示 す。入力信号を

S/H

回路にてサンプル、ホールドし、サ イクリック部に入力される。サイクリック部では、

1.5 bit

のディジタルコードの出力とディジタル判定結果と入 力信号の残差を

2

倍化した信号を次段へ出力する機能 を持つビットブロックと、データを保持し出力するサブ

S/H

回路により構成されており、これらを

n1

回ルー プすることにより、n bit 精度の

A/D

変換を実現する。

サイクリック部の各ブロックに要求される

A/D

変換の 速度は全体の出力

bit

数に関係なく

1 bit/1

クロックサ イクルでよい。前段のビットブロックがホールド期間に

A/D

変換と誤差増幅を行っている間、後段のサブ

S/H

回路はサンプル動作を行っており、次の

1/2

クロックサ イクルで正確に

1

倍された信号をビットブロックに出力

する。このように

1 bit

の演算を行う毎に各ブロックの 動作が正しいタイミングでサンプルホールド動作を行 う必要がある。また、クロックを生成するクロックドラ イバ回路で発生する誤差は各ブロックの動作に影響する ため、あらゆる動作状況やばらつきに対して、各ブロッ クにその影響を与えず、正しいタイミングのクロックが 生成されなければならない。本論分では、ばらつきに依 らないクロックドライバ回路の設計完了を目的とする。

bitblock S/H

Analog

Input sub_S/H

Digital Correction Digital Output

nbit

Latch Latch

Latch

Latch Latch

Latch

Digital Output

˜2

Vin Vout

subDAC subADC

1.5bit(00, 01, 11) Digital Output

MSB LSB

1:

サイクリック型

A/D

変換器

2.1

サイクリック型

A/D

変換器の構成

ȳȏȨ

ߓྤѱȑ

ɂɉɔɂɌɏɃɋ

ߓྤѱȒ

ɓɕɂȳȏȨ

ߓྤѱȑ ɓɁɍɐɌɅ

ɃɋȑȐ ɈɏɌɄ ɃɋȒȐ ɃɋȑȐɄ

ɓɁɍɐɌɅ Ƀɋȑȑ ɈɏɌɄ

ɃɋȒȑ ɃɋȒȒ

ɓɁɍɐɌɅ ɃɋȑȒ ɈɏɌɄ

ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ

ɃɋɓɈ

ɃɋɓɈȏ

2:

クロックドライバ回路

2

に各ブロックに必要なクロックを示す。サイクリッ

(2)

ク部の各ブロックではそれぞれサンプルモード、ホール ドモード動作があるため、ビットブロック及びサブ

S/H

回路に必要なクロック数は合計で

4

つ必要である。ま た、サイクリック部を必要精度分ループ動作させてい る場合、S/H 回路からの出力を遮断する必要があるた め、S/H 回路とサイクリック部間にスイッチを付加し た。このスイッチは

14

ビット出力後、新しいデータを サイクリック部に入力する際にのみオンする必要があ るため、クロック

cksh

14

クロック毎に立ち上がる必 要がある。また、S/H においても同様にサンプルモー ドとホールドモードのクロックが必要であるが、サイク リック部への出力は

14

クロック毎のみであるため、ク ロック

cksh

と同様に

14

クロック毎に動作する。

2.2

クロックドライバ回路

(14⫶X$઎⧊)

buf_p buf_n

ҳ

ҳ

ɎɏɖȿɄɅɌɁə

nonoverlap1

ck11r ck12r (nand)

(nand) (nov_delay) (nov_delay)

(nov_delay_Vshort)

(nov_delay_short)

(inv1) (inv1) (inv1)

(inv1) (inv1)

ck2root2

ck1root2 out3

out2

buf_p

ck11 ck11/

ck12 ck12/

nov_delay_vshortnov_delay_vshort buf_n

nov_delay_vshortnov_delay_vshort buf_p

buf_n

(nov_delay_Vshort)

nonoverlap2

ck22root ck21root (nand)

(nand) (nov_delay_Vshort) (nov_delay_Vshort)

(nov_delay)

(inv1) (inv1) (inv1)

(inv1) ck21root

ck22root out3

out2 ck21

ck21/

buf_p

ck22 ck22/

cksh cksh/

nov_delay_long

nov_delay_long nov_delay_vshort

buf_n

nov_delay_vshort buf_p

buf_n

nonoverlap2

jkin jkin/

buf_p

buf_n

ckin

3:

クロックドライバ回路

(nov_delay_long2)

(nand3)

(nonoverlap2) ck10rr ck20rr ck10root inv2

(14ㅴࠞ࠙ࡦ࠲࿁〝)

ψ

ψ

buf_p

ck10 ck10d

ck10d/

ck10/

buf_p

buf_n

ck20/

ck20/

buf_p

buf_n ᄖઃߌ࠺ࠖ࡟ࠗ

buf_p

buf_p buf_n

ᄖઃߌ࠺ࠖ࡟ࠗ

GUFKP

GUFKP EMT

EMT

ᬌ಴࿁〝

4: ck10,ck10d,ck20

生成回路

 図

3、図4

にクロックドライバ回路を示す。クロ ックドライバ回路は

3

つのブロックが並列になってお り、基準クロック

ckin

が各々のブロックに入力される ことになる。入力された基準クロックはそれぞれ、図

3

nonoverlap1

及び

nonoverlap2

回路に入力される。

nonoverlap1

nonoverlap2

で生成されるクロックのノ ンオーバーラップ期間に差をつけることで、各クロック 波形を生成する。その際、各

nonoverlap

回路で起きる 遅延時間が異なるため、ディレイを通過させることでク ロックタイミングの微調整が行われる。最終段にはバッ ファがあり、CMOS スイッチの

PMOS

NMOS

のク ロックに分断されて出力される。cksh クロックは上述 と同様に設計しているが、14 回に

1

回立ち上がるのみ

であるため、14 進カウンタ回路を加えて実現している。

S/H

回路のクロックも

cksh

と同様に、14 回に

1

回立ち 上がるのみであるため、cksh で用いた

14

進カウンタ回 路を通過後、nonoverlap2 を経て

S/H

回路のクロック を生成する。しかし、この方法では

2

nonoverlap

回 路を通過してしまい、生成するクロックのタイミングが ビットブロックのそれと大きくずれてしまう。今回は図

4

に示すようにクロックタイミングを検出する回路を設 計し、チップ外部で任意のディレイを繋ぎタイミングを 合わせる手法を取る。

3

試作回路の評価

/േ૞ /േ૞ /േ૞

5: FFT

波形

A/D

変換器の出力を

DAC

で変換し、FFT を行った。

5

は入力周波数

f in= 100kHz、入力電圧フルスケー

F S = 1.6V

において、動作周波数を変化させた時 のそれぞれの波形である。図

5

より、50MHz において

SFDR

45dB

動作周波数に応じて、ノイズフロア付近 の高調波が変化しており、クロックに依存して特性が現 れていると考えられる。

3.1

クロックタイミングのずれによる劣化

150n 150n

150.5n 150.5n

151n 151n

151.5n 151.5n

152n 152n

152.5n 152.5n

153n 153n

153.5n 153.5n

sec 0

0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

volt

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

volt

ck21 ck22 ck11 ck12

ck21 ck22 ck11 ck12

ȋ ȍ

ȋ Vout ȍ Ȕɐ ɓɗȕȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȓȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȒȈɃɋȑȑȉ ɓɗȑȿȒȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȓȿȒȈɃɋȒȒȉ

ɓɗȕȿȒȈɃɋȒȒȉ ɓɗȒȿȒȈɃɋȑȒȉ ɆɂɓɗȈɃɋɓɈȏȉ

ɓɗȔȿȒȈɃɋȑȒȉ

ȋ ȍ

ȋ Vout ȍ Ȕɐ

ɓɗȔȿȒȈɃɋȑȒȉ ɓɗȕȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȓȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȒȈɃɋȑȑȉ

ɓɗȑȿȒȈɃɋȒȑȉ

ɓɗȓȿȒȈɃɋȒȒȉ

ɓɗȕȿȒȈɃɋȒȒȉ ɓɗȒȿȒȈɃɋȑȒȉ ɆɂɓɗȈɃɋɓɈȏȉ

Ѷ

Ѷ ɈɏɌɄ ɓɁɍɐɌɅ

(&ųܴࠡءೊ࿻ųŇƐ:П.PПő ᴛᰲŞƐЖ

6:

クロックタイミングの変化

0 0

200k 200k

400k 400k

600k 600k

800k 800k

1M 1M

1.2M 1.2M

1.4M 1.4M

1.6M 1.6M

Hz

dB

-100 -8 0 -6 0 -40 -2 0 0

7:

クロックタイミングが変化した場合の動作

基準クロックが

sin

波であることを考えると、イン

バータの

NMOS

PMOS

の閾値電圧

vthn,vthp

は異

なるため、デューティ比が

50

%でない矩形波が生成さ

れる。この現象は基準クロック周波数が低周波であれば

顕著になる。加えて、図

3

の入力部に注目すると、ク

(3)

ロックドライバ回路の入力部のインバータの段数が異 なる。これは、nonoverlap1 と

nonoverlap2

で生成され るクロックタイミングを合わせるためのものである。し かし基準クロックが

sin

波の場合、インバータの段数が 異なることで各ブロックでの

A

点での矩形波の立ち上 がり時間が異なる。そのため各

nonoverlap

回路で生成 されたクロックはその分だけパルス幅に影響が出てし まう。基準クロックを

sin

波で動作周波数を変化させた 時のクロック波形を図

6

に示す。図よりサンプルモード で必要な

2

種類のクロックのタイミングが入れ替わって いることが分かる。クロックタイミングが入れ替わった 場合、スイッチから入力依存性のあるフィードスルーが キャパシタに蓄えられてしまい、精度が大きく劣化する と考えられる。(図

6

右)。この時の

FFT

波形を図

7

に 示す。A/D の特性が大きく劣化していることが分かる。

以上の

2

点より、クロックドライバ回路は基準クロック が

sin

波においてもデューティ比が変化することなく動 作し、生成されるクロックが常に同期するように補正す る必要がある。

3.2

クロックの遷移点のずれによる特性劣化

0 0.2 0.6 1 1.4 1.8

voltvoltvolt

201.7n 201.8n 201.9n 202n 202.1n 202.2n 202.3n 202.4n

0 0.2

0.2 0.6 1

1 1.4 1.8

201.8n 202n 202.2n 202.4n 202.6n 202.8n 203n 203.2n

0 0.6 1.4 1.8

201.6n 201.7n 201.8n 201.9n 202n 202.1n 202.2n 202.3n

sec sec sec

Tipical

Slow

Fast

ck11 ck11/

ck11 ck11/

ck11 ck11/

ȢȀ⸐פԄőƐ

ȡȀ⸐פԄőƐ bit1sw6

bit1sw1

bit1sw4

bit1sw4 ȢȀ

bit1sw6 bit1sw1 pmos,nmosȈ:ᵿ߰ȉ

ᩍȡų⸐ૂŰ࿈ŝŤ :П.PПőጪޯŚƑƐ

8:

素子ばらつきによる遷移点の変化と回路動作

0 0

200k 200k

400k 400k

600k 600k

800k 800k

1M 1M

1.2M 1.2M

1.4M 1.4M

1.6M 1.6M

hertz(Hz) -120

-100 -8 0 -6 0 -4 0 -2 0 0

dBm ㆫ⒖ὐߕࠇ᦭

F$ ㆫ⒖ὐߕࠇή

9:

遷移点に変化による特性への影響 図

8

Vth

を ±

10%

のプロセスばらつきを持たせた 時の生成されるビットブロックのサンプルモードのクロッ ク

ck11

ck11/の波形を示す。尚、各スイッチはCMOS

構成であるため、生成するクロックは

clk

に対して反 転した

clk/がある。上からTipical、Slow(Vth+10%)、

Fast(Vth-10%)

の波形である。波形より、Tipical に比 べて

SS、FF

でのクロック波形の遷移点は

10psec

程ず れていることが分かる。図

8

にビットブロックのサンプ ル時の回路動作を示す。

bit1sw4

がオフしようとする際、

フィードスルーが発生し

C1、C2

に電荷がチャージされ

ていく。電荷がチャージされた際、C の両端の電荷量が 同じになるように電荷がチャージされるが、bit1sw1 に はスイッチのオン抵抗が存在するため、電圧降下が起き 瞬間的に

B

点の電圧が変化する。そのため

A

点の電位 も同様に変化する。結果、sw4 からは

A

点の電圧に応 じたフィードスルーが放出される。ここで同様の現象を

N

側に当てはめて考えると、入力電圧は差動であるの で入力電圧が

P

側と異なるため、N 側の

bit1sw1

のオ ン抵抗が

P

側のそれとは異なる。よって

B

点での電位 の変化も

P

側と異なり

A

点の電位も同様に異なる。そ のため

N

側と

P

側で放出されるフィードスルーが異な り、キャパシタに蓄えられる電荷量が異なるため差動の 誤差として現れる。ここで

ck11

ck11/の遷移点がず

れた場合を考える。ck11 と

ck11/の遷移点がずれた場

合、NMOS と

PMOS

で放出される電荷量の差が大きく なる。そのため

P

側と

N

側に蓄えられる電荷量は上述 した誤差に加えられることになる。SS の時の波形を理 想クロックで再現し、FFT したものを図

9

に示す。図

9

より精度が劣化していることがわかる。

4

クロックドライバ回路の設計

4.1

バッファ

ɉɎɖȓ ɉɎɖȓ ɉɎɖȑȓ

ɉɎɖȓȿȖ

ɉɎɖȔȗ

ɃɌɋ

ɃɌɋȏ ɉɎɖȑȓ

ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȔȗ ɉɎ

ɉɎɖȓ ɉɎɖȓ ɉɎɖȑȓ

ɉɎɖȓȿȖ

ɉɎɖȔȗ

ɃɌɋ

ɃɌɋȏ ɉɎɖȑȓ ɉɎɖȔȗ

ɉɎ

ɂɕɆɐ

ɂɕɆɎ

߰઎⠂׳Ꮶų5(: ጥਂྙų5(:

10:

バッファの構成

まず遷移点のずれを考える。図

10

にバッファの構成 を示す。CMOS スイッチを動作させるため、出力クロッ ク

clk

に対して反転したクロック

clk/が必要であるた

め、出力バッファのインバータの段数が

clk

clk/で異

なる。clk と

clk/での段数の違いを考慮し、片側のバッ

ファの寸法を調節し遷移点を合わせていたが、これら はばらつきの影響を受けることで変動しやすい

(図10

左)。そこで図

10

右の

bufAD

に示すように、最終段に 互いに行き交うインバータを接続した。これにより、互 いの出力部に電流を流すことで矩形波のなまりを抑え、

遷移点のずれを低減できる。

4.2

クロックドライバ部

11

に改善したクロックドライバ回路を示す。まず、

入力部のインバータの段数によるクロック波形への影

響を無くすために、入力段に同様の数のインバータを繋

いだ。また、ノンオーバーラップ回路への入力は、正転

した矩形波と反転した矩形波が必要である。前回試作で

は反転側の入力のみにインバータを用いたが、その分

遅延が発生し生成される波形に影響があった。そこで、

(4)

cksh(cksh/) ㅴࠞ࠙ࡦ࠲

buffer

clk/

clk

buf_AD ck21(ck21/)

ck22(ck22/) ck12(ck12/)

ck11(ck11/)

inv1delay8 inv1delay2 inv1delay8

inv1delay4

inv1delay4

inv1delay6 buffer

inv3_6 inv3_6inv13

inv13 VDD VDD

VDD

VDD inv3

buffer

buf_AD

buf_AD

buf_AD

B C D E

A

11:

改善したクロックドライバ回路

上述した出力バッファと同じ構成の同期型バッファを入 力段に接続した。これによりノンオーバーラップへの

2

つの入力矩形波は同期することができる。

 前回試作では後段のディレイ素子を、求める遅延時 間に応じていくつかの種類のディレイを接続していた。

しかし、素子ばらつきの影響によりディレイ素子のドラ イブ能力がばらついてしまい、遅延時間に影響が現れ てしまった。そこで、各区間

(区間A、区間B· · ·)

にお いて使用する全ての素子を同じものを用いて構成した。

これにより、各ノードの寄生容量を同じにし、各ブロッ ク間での素子のドライブ能力をそろえることで、ばら つきの影響を抑えた。例えば、区間

B

において、cksh には

nand

回路が必要不可欠である。そこで、各ブロッ クでの区間

B

に同様の素子の

nand

を接続することで、

各ノードの寄生容量をそろえ、同期することができる。

4.3

サイクリック型

A/D

変換器の構成の改善

ȳȏȨ

ߓྤѱȑ ɂɉɔɂɌɏɃɋ

ߓྤѱȒ ᴛᰲŞƐ⠶๡ȀȒ˿ȶ ᴛᰲŞƐ⠶๡˿ȶ

˿ȶ ˿ȓȶ ˿Ȕȶ

ɓɕɂȳȏȨ

ߓྤѱȑ ᴛᰲŞƐ⠶๡˿ȶ

˿ȶ ˿ȓȶ

⠶๡ųἕƇƏᎃҧ˿ȶҤȒ˿ȶҤ˿ȶҤȒ˿ȶООО

ɂɉɔɂɌɏɃɋ

ߓྤѱȒ ᴛᰲŞƐ⠶๡ȀȒ˿ȶ

ɓɕɂȳȏȨ݋ȳȏȨ઎⧊

ߓྤѱȑ ᴛᰲŞƐ⠶๡˿ȶ

⠶๡ųἕƇƏᎃҧ˿ȶҤȒ˿ȶҤ˿ȶҤȒ˿ȶООО

⠂׳ŜŤ O(૭ȡȏȤ௅ኄ੗ųᙩᅗ

ᎀŜʼn O(૭ȡȏȤ௅ኄ੗ųᙩᅗ

12:

サイクリック型

A/D

変換器の構成の比較 サイクリック型

A/D

変換器には初段に

S/H

回路を通 過し、その後ビットブロック回路とサブ

S/H

回路をルー プする動作をする。ここで、サブ

S/H

回路と

S/H

回路 は同じ構成であり、役割も同じであることに注目すると、

S/H

回路とサブ

S/H

回路は兼用することが可能である と考えられる。図

12

に試作したサイクリック型

A/D

変 換器と新しいサイクリック型

A/D

変換器の構成を示す。

試作したサイクリック型

A/D

変換器において、S/H 回 路で発生する誤差を Δ

V

とする。サブ

S/H

回路と

S/H

回路は同様の構成であるため、発生する誤差も同様に Δ

V

である。またビットブロックの基本的な構成は

S/H

回路と同じであるが、利得が

2

倍であることから、発生 する誤差は

2

Δ

V

である。これより、誤差の積もり方を 計算すると、Δ

Vall=

Δ

V+ 2

Δ

VV+ 2

Δ

+· · ·

となる。これはサブ

S/H

回路と

S/H

回路を兼用したも のと同じである。これにより、精度に影響を与えること なく、サイクリック型

A/D

変換器の面積を縮小できる 上、クロック数を低減することが可能である。即ち、試 作した時のサイクリック

A/D

変換器の

S/H

回路のク ロック

ck10、ck10d、ck20

が不要となる。

5

シミュレーション

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

volt volt

1.3812u1.3813u 1.3814u 1.3815u 1.3816u 1.3817u 1.3818u 1.3819u 1.382u

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

1.3016u 1.3017u 1.3018u 1.3019u 1.302u 1.3021u 1.3022u

sec sec

50MHz10MHz

Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ

Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ

0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8

541.3n 541.4n 541.5n 541.6n 541.7n 541.8n 541.9n

0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8

541.1n 541.2n 541.3n 541.4n 541.5n

0 0.4 0.6 0.81 1.2 1.4 1.61.8

voltvoltvolt

541.6n 541.7n 541.8n 541.9n 542n 542.1n 542.2n 542.3n

sec sec sec

Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ Ƀɋȑȑ ɃɋȒȒ ɃɋɓɈ ɃɋȒȒ ɃɋȒȑ

TipicalSlowFast

ࡗ׳३ᠥፎƗ௅ࢆŚŠŤୋळ ⃦ೂŵƎũŒőŇƐୋळ

13:

改善後のクロック波形

13

に生成されたクロック波形を示す。図の左は動 作周波数を

50MHz

10MHz

で動作させたときのもの である。いずれの動作周波数においても、クロックタイ ミングが入れ替わることなく生成されており、全く同じ タイミングで動作できている事が分かる。また図の右 は素子ばらつきを持たせた時のものである。同様に、全 ての場合で正しいクロックタイミングが得られている。

また

CMOS

スイッチの

NMOS

PMOS

のクロックの 遷移点が素子ばらつきにおいても一定であることが分 かる。

6

結論

本研究では、サイクリック型

A/D

変換器のクロック ドライバ回路の設計について述べた。クロックによる特 性劣化の原因を特定し、クロックドライバ回路の各ブ ロックを改善した。結果、動作周波数や

PVT

ばらつき に影響無く動作することを実現した。今後の課題は、容 量ばらつきを考慮した容量交換手法を適応させること である。

参考文献

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[2] Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill Companies, Inc., 2001.

[3]

宮原 正也

,

松澤 昭

, ‘

スイッチのオン抵抗がパイプライ

ン型

ADC

性能に及ぼす影響とセトリング時間最適設計技

術の検討

,”

電子情報通信学会技術研究報告

. ICD,

集積回

107(163), 35-40, 2007-07-19

参照

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