群馬大学 コバ研
KOBA Lab.
Gunma University KOBA Lab.
自己校正形
高精度 MOS ・ A/D 変換器の調査
群馬大学 工学研究科 電気電子工学専攻 通信処理システム工学第二 小林研究室
清水 一也
指導教官 小林 春夫 教授
High-Accuracy MOS A/D Converter with
Inherent Self-Compensation
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
2
参考文献
自己校正形高精度
MOS
・A/D
変換器T. Tukada
(塚田敏郎),
”High-Accuracy MOS A/D Converter
with Inherent Self-Compensation”
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
3
Outline
逐次比較形 A/D 変換器の精度 自己校正原理
自己校正による A/D 変換方式
高精度 A/D 変換器の回路構成
まとめ
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
4
逐次比較形 A/D 変換器の精度
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
5
逐次比較形 A/D 変換器
電荷再分配による
M
ビット逐次比較形MOS
・A/D
変換器・・・・・・・ SAR
Vin V
RSW Control
Comparator
M-bit Capacitor Array Vx
SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2
C1 Co Co
0 , 0 0
,
2
2
1 C C
C
C
T mm M m
m
0 , 0
0
C
C
0 0
2
1
C C C
C
C
T
M
M
2
進重み付け キャパシタアレイ:理想
C T
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
6
逐次比較形 A/D 変換器
充電サイクル
コンパレータ上端
SW→ON
各キャパシタの下端→Vin
キャパシタアレイの上端
→V T
上端の電荷:Q
in C
T V
T V
in
再配分サイクル
C M-1 →V R
他のキャパシタ
→GND
・・・・・・・ SAR
Vin VR
SW Control
Comparator
M-bit Capacitor Array Vx
SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2
C1 Co Co
・・・・・・・ SAR
Vin VR
SW Control
Comparator M-bit Capacitor Array VT
SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2 C1
Co Co
SW→OFF
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
7
逐次比較形 A/D 変換器
a M-1 ,a M-2 ,
・・・,a 0 → SAR
に格納
RT M in
T x
x
V
C V C
V V
V
1電荷保存則より整理
コンパレータ:
ΔV x
の正負を検出R T
M
V
C C
1
即ち
V
R2
1 →“1”
V
in V
in
→“0” a M-1
(MSB
)決定・
a M-1 =1 → C M-1
の下端:V R
・
a M-1 =0 → C M-1
の下端:GND
とし、次のビットへ・・・・・・・ SAR
Vin VR
SW Control
Comparator
M-bit Capacitor Array Vx
SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2 C1 Co Co
上端電位変化分:
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
8
R M
M M
M T
R M
M M
in
V C a C
a C
C a
V a a
a V
1
2 1 2
1 2
1
0 0 2
2 1
1
0 2
2 1
逐次比較形 A/D 変換器
in R
R T T
M M
T M M
in
x
V V V
C a C C
a C C
a C V
V
1 1 2 2
0 00
RM M
M
in
a a a V
V
2 02
1
2
1 2
1 2
1
アレイ上端の電圧変化分
ΔV
xは十分小さい→ ε
とするとA/D
変換式:キャパシタアレイ誤差
量子化誤差
キャパシタミスマッチを考慮すると、
精度を制 限
理想的な重みを持つなら
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
9
自己校正原理
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
10
V
RComparator VT
SW
Cm Cm1
C1 Co Co
1
Cm
1
CM
V
RV
oCp
C
m・・・・・
・・・・
V
RComparator VT
SW
Cm Cm1
C1 Co Co
1
Cm
1
CM
V
RV
o+λ mVR CpC
m・・・・・
・・・・
自己校正原理
キャパシタアレイ の誤差算出方法
C m
の下端V R
GND
C m
の下端C m
の下端C m
の下端V R GND
0 0
0 0
2
1
C C C , C C
C
C
m
m
m
R m p R
m R
mV C V C V
C
o m
m
C
C 2
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
11
VR
Comparator VT
SW
Cm Cm1 C1 Co Co
1
Cm
1
CM
VR
Vo
Cp
Cm
・・・・・
・・・・
VR
Comparator VT
SW
Cm Cm1 C1 Co Co
1
Cm
1
CM
VR
Vo+λ mVR Cp
Cm
・・・・・
・・・・
p m m
m
C C
C
自己校正原理
の容量差
→
アレイ上端の電圧V T
変動m m C C ,
m R
p R
m m
p m
R
m
V C C V C C V C V V
C ・ 0
0 ・ 0
0 C p
の下端電圧
Vo
の調節
→V T
の平衡点コンパレータで検出
R m
V
V
0
で平衡点に達したとすると、群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
12
自己校正原理
自己校正用の補正データ
p m p
M m M m
m m
m
C C
C
1 2 1
2 1 8
1 4
1 2
1
m
: の誤差を表す比例係数C
mキャパシタアレイの誤差を補正し、電荷再分配
高精度な
AD
変換群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
13
自己校正による A/D 変換方式
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
14
自己校正による A/D 変換方式
基本回路
・・・・・・・ SAR
Vin V
RComparator Vx
SW
o m
m
C
C 2
1
CM CM2 C1 Co Co
M-bit Capacitor Array
Contorol Logic
Cp
V
RCompensation Circuit
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
15
自己校正による A/D 変換方式
充電サイクル
V V C V V
0
C
Q
T T
in
p T
再分配サイクル
キャパシタアレイ
C p
の下端電位 アレイ上端電位C M-1
の下端C p
の下端V R
V 0 -α M-1 V R
その他のキャパシタの下端
GND
x M R
p R
M x
T V C V C V V V
C
Q 1 0 1
全電荷:・・・・・・・ SAR
Comparator SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2
C1 Co Co
M-bit Capacitor Array
Contorol Logic
Cp
VR
V 0 V T C T
V in V R
・・・・・・・ SAR
Comparator SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2
C1 Co Co
M-bit Capacitor Array
Contorol Logic
Cp
VR
V 0 -α M-1 V R V R
V x
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
16
自己校正による A/D 変換方式
アレイ上端電圧の変化分
・・・・・・・ SAR
Vin VR
Comparator Vx
SW
o m
m C
C 2
1
CM CM2 C1 Co Co
M-bit Capacitor Array
Contorol Logic
Cp
VR
R R
T M R
T M
M
V V
C V C
C C v C
2
0
1
, 1 1
1
1
RT M M
in p
T T
x
V
C C V C
C C
V C
1 1
RT
p M
M in
p T
T
x
V
C
C V C
C C
V C
1
1α M-1 C p = ΔC M-1
(C M-1
の誤差) より、コンパレータ:
ΔV
xの正負を検出V in
とv 1
の大小比較誤差
ΔC M-1
の影響が除かれ、正しい電圧(1/2
)V R
との比較群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
17
自己校正による A/D 変換方式
コンパレータ:
V in
とV 1
の大小比較V
Rv 2
1
1
→ a M-1 =“1”
V
in V
in
→ a M-1 =“0”
a
M-1=1 → C
M-1の下端:V
Ra
M-1=0 → C
M-1の下端:GND
とし、次のビットへ
C M-1
の下端:a M-1 V R
a 0
(LSB)
を得て、再配分サイクル終了 同様に繰り返し群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
18
自己校正による A/D 変換方式
アレイ上端の全電荷
M M M M
R p
x M
x
T
V a C a C a C V C V V
C
Q
1 1
2 2
0 0
RT T
M M
T M M
in p
T T
x
V
C a C C
a C C
a C C V
C
V C
1 1,0 2 2,0
0 0,0アレイ上端電圧の変化分
1 0
2 2
1
2
1 2
1 2
1
RM M
M
in
a a a V
V
A/D
変換式
逐次比較動作1 V
x 1 C
pC
T
量子化誤差
十分小さい
R
M
a V
V
1
0
0C
pの下端電位群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
19
高精度 A/D 変換器の回路構成
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
20
自己校正方式を用いた高精度
M+N ビット A/D 変換器の主要構成
SAR
Control Logic +
+ -
-
V
RVFB VFA
NpR
p2
V
R
0
Comparator SW
Vx
V
RV
R
2
NC
0
C
0C
pC
11
C
MC
M2・・・・・・
2 C
0C
m
m
V
inV
R
NR 2
k k
M-bit Capacitor Array
N-bit Resistor String
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
21
自己校正方式を用いた高精度 M+N ビット A/D 変換器
キャパシタアレイ誤差算出
C p
の下端:N p
ビットのR p
の分圧電圧供給・誤差
ΔC m →
補正用データα m
上位ビット
M
の変換・自己校正方式 上位
M
ビット;a M-1 ,a M-2 ,
・・・,a 0
C M-1 ,C M-2 ,
・・・,C 0
の下端→ a M-1 V R ,a M-2 V R ,
・・・,a 0 V R C 0
の下端→ V M
C’ 0
の下端→ 0
M M
R RM
V a a V V V
V
0
1
1
0
0
0
( )
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
22
自己校正方式を用いた高精度 M+N ビット A/D 変換器
下位
N
ビットの変換・
C’o
の下端電圧→
逐次変化・アレイ上端電圧
V x →
コンパレータで比較 下位N
ビット;bN-1 ,b N-2 ,
・・・,b 0
C
pC
pC
0
0
0
0
C’ 0
の誤差:
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
23
SAR
Control Logic +
+ -
-
VR
VFB VFA
NpRp 2 VR
0
Comparator
SW Vx
VR
V
R
2NC0
C0 Cp
C1
1
CM CM2
・・・・・・
2 C0
Cm m
Vin VR
NR 2
k k
M-bit Capacitor Array
N-bit Resistor String
自己校正方式を用いた高精度 M+N ビット A/D 変換器
kV
RC’ 0
の誤差補正C’ p
の下端電圧:C’ 0
の下端電圧:V
Rk
0
下位第
1
ビットbN-1
:k=1/2
n N n
n N N
N
b b
b k
2
1 2
1 2
1 2
1
1 1 2
2
1
・・
・
群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
24
自己校正方式を用いた高精度 M+N ビット A/D 変換器
n N M n
n N M N
M N
M
M M
M n
N M
b b
b
a a
a v
2 1 2
1 2
1 2
1
2 1 2
1 2
1
1 1 2
2 1
1
0 2
2 1
キャパシタアレイ誤差 補正
高精度の
M+N
ビットA/D
変換※抵抗ストリング理想
(∵誤差が単調性)
AD
変換式 上位M
ビット下位
N
ビット群馬大学 コバ研
Gunma University KOBA Lab.
25
まとめ
C m
とC m
の比較新たな基準回路、補正回路不要
誤差
ΔC m
算出誤差電荷