BU48**Gシリーズ , BU48**Fシリーズ , BU48**FVEシリーズ , BU49**Gシリーズ , BU49**Fシリーズ , BU49**FVE シリーズ : リセットIC

Datasheet

リセット IC シリーズ

低電圧スタンダード

CMOS リセット IC

BU48□□G シリーズ,BU48□□F シリーズ,BU48□□FVE シリーズ,

BU49□□G シリーズ,BU49□□F シリーズ,BU49□□FVE シリーズ

●概要 ロームのスタンダードCMOS リセット IC シリーズは、 高精度・低消費電流のRESET IC シリーズです。 アプリケーションに合わせて選択いただけるように、 出力形式はNch オープンドレインと CMOS 出力の 2 種類、検出電圧は、0.9V～4.8V まで、0.1V ステップで ラインアップいたしました。 ●特長 „ 超低電圧検出 „ 超低消費電流 „ 高精度検出電圧 „ Nch オープンドレイン出力(BU48□□G/F/FVE) CMOS 出力(BU49□□G/F/FVE) „ 40℃~125℃の動作温度範囲で使用可能 „ 小型面実装パッケージ ●重要特性 „ 検出範囲電圧: 0.9~4.8V (Typ.) 0.1V steps „ 高精度検出電圧: ±1.0% „ 超低消費電流: 0.55µA (Typ.) „ 動作範囲温度: -40°C to +125°C ●パッケージ SSOP5 2.90mm x 2.80mm x 1.15mm SOP4 2.00mm x 2.10mm x 0.95mm VSOF 1.60mm x 1.60mm x 0.60mm ●用途 マイコン・ロジックを使用するすべての電子機器 ●アプリケーション回路 ●端子配置図

SSOP5 SOP4 VSOF5

※サブストレートはGND と接続してください。 PIN No. Symbol Function PIN No Symbol Function PIN No. Symbol Function

1 VOUT リセット出力 1 VOUT リセット出力 1 VOUT リセット出力 2 VDD 電源電圧 2 VDD 電源電圧 2 SUB サ ブ ス ト レ ー ト 3 GND GND 3 N.C. 未接続端子 3 N.C. 未接続端子 4 N.C. 未接続端子 4 GND GND 4 VDD 電源電圧 5 N.C. 未接続端子 5 GND GND VDD1 BU48□□□ VDD2 GND RST マイコン CL （ノイズ除去用 コンデンサ） RL CIN CL （ノイズ除去用 コンデンサ） VDD1 BU49□□□ RST マイコン CIN GND オープンドレイン出力タイプ BU48□□□ CMOS 出力タイプ BU49□□□ VDD VOUT GND N.C. CT

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VOUT VDD N.C. GND 1 2 3 4 VOUT SUB N.C VDD GND 4 3 2 1 5 標印 Lot. No 標印 Lot. No 標印 Lot. No

●発注情報

B U 4 8 0 9

F －

T R

BU48：低電圧スタンダード リセット電圧値 09 : 0.9V (0.1V step) 48 : 4.8V パッケージ G: SSOP5 F: SOP4 FVE: VSOF5 包装、フォーミング仕様 TR: リール状エンボステーピング CMOS リセット IC オープンドレインタイプ BU49：低電圧スタンダード CMOS リセット IC CMOS 出力タイプ ●ラインアップ 標印 電圧値 機種名 標印 電圧値 機種名 標印 電圧値 機種名 標印 電圧値 機種名 JR 4.8V BU4848 HV 2.8V BU4828 LH 4.8V BU4948 KM 2.8V BU4928 JQ 4.7V BU4847 HU 2.7V BU4827 LG 4.7V BU4947 KL 2.7V BU4927 JP 4.6V BU4846 HT 2.6V BU4826 LF 4.6V BU4946 KK 2.6V BU4926 JN 4.5V BU4845 HS 2.5V BU4825 LE 4.5V BU4945 KJ 2.5V BU4925 JM 4.4V BU4844 HR 2.4V BU4824 LD 4.4V BU4944 KH 2.4V BU4924 JL 4.3V BU4843 HQ 2.3V BU4823 LC 4.3V BU4943 KG 2.3V BU4923

(Unit : mm) SSOP5 2.9±0.2 0.13 4° +₋6₄°° 1.6 2.8 ± 0.2 1.1 ± 0.05 0.05 ± 0.05 + 0.2 ₋0.1 +0.05 −0.03 0.42+₋0.050.04 0.95 5 4 1 2 3 1.25Max. 0.2Min. 0.1 (Unit : mm) SOP4 2.1 ± 0.2 0.05 1.3 2.0±0.2 1 2 4 3 1.25 +0.2 –0.1 4°+6 ° 0.27 ± 0.15 –4° 0.13+0.05–0.03 0.9 ± 0.05 0.05 ± 0.05 1.05Max. 0.32+0.05_–0.04 0.42+0.05–0.04 S 0.1 S (Unit : mm)

VSOF5

1.2 ± 0.05 4 3 1.0±0.05 1 0.6MAX 0.22±0.05 0.5 5 1.6±0.05 0.13±0.05 0.2MAX 2 1.6 ± 0.05

●絶対最大定格 (Ta=25°C) 項目 記号 定格 単位 電源電圧 VDD－GND -0.3 ~ +7 V 出力電圧 Nch オープンドレイン出力 VOUT GND-0.3 ~ +7 V CMOS 出力 GND-0.3 ~ VDD+0.3 許容損失 SSOP5 *1 *4 Pd 540 mW SOP4 *2 *4 400 VSOF5 *3 *4 210 保存周囲温度 Tstg -55 ~ +125 ℃ *1 Ta=25℃以上で使用する場合は、1℃につき 5.4mW を減じる。 *2Ta =25℃以上で使用する場合は、1℃につき 4.0mW を減じる。 *3 Ta=25℃以上で使用する場合は、1℃につき 2.1mW を減じる。 *4 ローム標準基板(70mm×70mm×1.6mm, ガラスエポキシ基板）実装時。 ●推奨動作条件 項目 記号 定格 単位 動作電源電圧範囲 VDD +0.9 ~ +6.5 V 動作温度範囲 Topr -40 ~ +125 °C ●電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C) 項 目 記 号 条 件 規 格 値 単位 最小 標準 最大 検出電圧 VDET VDD=HÆL , Ta=25℃ RL=470kΩ BU4848 4.752 4.800 4.848 V BU4847 4.653 4.700 4.747 BU4846 4.554 4.600 4.646 BU4845 4.455 4.500 4.545 BU4844 4.356 4.400 4.444 BU4843 4.257 4.300 4.343 BU4842 4.158 4.200 4.242 BU4841 4.059 4.100 4.141 BU4840 3.960 4.000 4.040 BU4839 3.861 3.900 3.939 BU4838 3.762 3.800 3.838 BU4837 3.663 3.700 3.737 BU4836 3.564 3.600 3.636 BU4835 3.465 3.500 3.535 BU4834 3.366 3.400 3.434 BU4833 3.267 3.300 3.333 BU4832 3.168 3.200 3.232 BU4831 3.069 3.100 3.131 BU4830 2.970 3.000 3.030 BU4829 2.871 2.900 2.929 BU4828 2.772 2.800 2.828 BU4827 2.673 2.700 2.727 BU4826 2.574 2.600 2.626 BU4825 2.475 2.500 2.525 BU4824 2.376 2.400 2.424 BU4823 2.277 2.300 2.323 BU4822 2.178 2.200 2.222 BU4821 2.079 2.100 2.121 BU4820 1.980 2.000 2.020 BU4819 1.881 1.900 1.919 BU4818 1.782 1.800 1.818 BU4817 1.683 1.700 1.717 BU4816 1.584 1.600 1.616 BU4815 1.485 1.500 1.515 BU4814 1.386 1.400 1.414 BU4813 1.287 1.300 1.313 BU4812 1.188 1.200 1.212 BU4811 1.089 1.100 1.111 BU4810 0.990 1.000 1.010 BU4809 0.891 0.900 0.909 検出電圧温度係数 VDET/∆T Ta=-40℃~125℃ *1 - ±30 - ppm/℃ ヒステリシス電圧 ∆VDET VDD=LÆHÆL Ta=-40℃~125℃ RL=470kΩ

VDET≤1.0V VDET _×0.03 VDET _×0.05 VDET_×0.08 V VDET≥1.1V VDET _×0.03 VDET _×0.05 VDET_×0.07 *1 設計保証は出荷全数検査を行っていません。

●電気的特性 (特に指定のない限り Ta=-25 ~ 125℃) 項 目 記 号 条 件 規 格 値 単位 最小 標準 最大 ON 時回路電流 IDD1 VDD=VDET-0.2V VDET=0.9-1.3V - 0.15 0.88 µA VDET=1.4-2.1V - 0.20 1.05 VDET=2.2-2.7V - 0.25 1.23 VDET =2.8-3.3V - 0.30 1.40 VDET =3.4-4.2V - 0.35 1.58 VDET =4.3-4.8V - 0.40 1.75 OFF 時回路電流 IDD2 VDD=VDET+2.0V VDET=0.9-1.3V - 0.30 1.40 µA VDET=1.4-2.1V - 0.35 1.58 VDET =2.2-2.7V - 0.40 1.75 VDET =2.8-3.3V - 0.45 1.93 VDET =3.4-4.2V - 0.50 2.10 VDET =4.3-4.8V - 0.55 2.28 動作範囲電圧 VOPL VOL≤0.4V, Ta=25~125℃ RL=470kΩ 0.70 - - _V VOL≤0.4V, Ta=-40~25℃ RL=470kΩ 0.90 - - ‘L’出力電流(Nch) IOL VDS=0.05V VDD=0.85V 20 100 - µA VDS=0.5V VDD=1.5V VDET=1.7-4.8V 1.0 3.3 - _mA VDS=0.5V VDD=2.4V VDET=2.7-4.8V 3.6 6.5 - ‘H’出力電流(Pch) IOH V_VDS=0.5V VDD=4.8V VDET=0.9-3.9V 1.7 3.4 - mA DS=0.5V VDD=6.0V VDET=4.0-4.8V 2.0 4.0 - 出力リーク電流 Ileak VDD=VDS=7V Ta=-40℃~85℃ - 0 0.1 _µA VDD=VDS=7V Ta=85℃~125℃ - 0 1

●ブロック図

Vref

VOUT

VDD

GND

Fig.1 BU48□□□ Series

Vref

VOUT

VDD

GND

●特性データ(特に指定のない限り Ta=25°C) Fig.3 回路電流 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 1 2 3 4 5 6 7 VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V] CIRCUIT CURRENT ： IDD [μ A] 【BU4816F】 0 1 2 3 4 5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]

"LOW" OUTPUT CURRENT

： IOL [mA] VDD=1.2V 【BU4816F】 Fig.4“L”出力電流 0 5 10 15 20 25 0 1 2 3 4 5 6 DRAIN-SOURCE VOLTAGE ： VDS[V]

"HIGH" OUTPUT CURRENT

： I OH [mA] 【BU4916F】 VDD=6.0V VDD=4.8V

Fig.5“H”出力電流 Fig.6 I/O 特性

0 1 2 3 4 5 6 7 0 1 2 3 4 5 6 7 VDD SUPPLY VOLTAGE ：VDD[V] OUTPUT VOLTAGE ： V OU T[V] 【BU4816F】

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 -40 0 40 80 120 TEMPERATURE ： Ta[℃]

CIRCUIT CURRENT WHEN ON

：

IDD1

[μ

A]

【BU4816F】

Fig.9 ON 時回路電流 Fig.10 OFF 時回路電流 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -40 0 40 80 120 TEMPERATURE ： Ta[℃]

CIRCUIT CURRENT WHEN OFF

： I DD2 [μ A] 【BU4816F】 Fig.8 検出電圧 - 解除電圧 1.0 1.5 2.0 -40 0 40 80 120 TEMPERATURE ： Ta[℃] DETECTI O N VOLTAGE ： V DET [V ]

Low to high(VDET+ΔVDET)

High to low(VDET)

【BU4816F】 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 VDD SUPPLY VOLTAGE ： VDD[V] OUTPUT VOLTAGE ： V OUT [V] 【BU4816F】 Fig.7 動作限界電圧

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -40 0 40 80 120 TEMPERATURE ： Ta[℃]

MINIMUM OPERATING VOLTAGE

： V

OPL

[V]

【BU4816F】

●アプリケーションヒント 動作説明

オープンドレインタイプ（Fig.12）と CMOS 出力タイプ(Fig.13）共に、検出電圧及び解除電圧をスレッショルド電圧とし、 VDD Pin に印加された電圧が各々のスレッショルド電圧に達した時、VOUT 端子電圧は “H” → “L” また “L ”→ “H”に 切り換わります。BU48□□G/F/FVE シリーズでは出力形式がオープンドレイン方式であるため、プルアップ抵抗を VDD または他の電源との間に接続してください。 (この場合の出力（VOUT）H 電圧は VDDもしくは他の電源電圧になります。） Fig.12(BU48□□タイプ内部ブロック図） Fig.13(BU49□□タイプ内部ブロック図） 参考データ 出力立ち上がり(TPLH）、立ち下がり(TPHL）特性例 形名 TPLH[μs] TPHL[μs] BU4845G/F/FVE 23.3 275.9 BU4945G/F/FVE 3.5 354.3 VDD=4.3V→5.1V VDD=5.1V→4.3V ※このデータは参考データです。 アプリケーションにより変動しますので実際の動作を十分確認のうえ、ご使用ください。 タイミング波形

入力電源電圧VDDをSWEEP UP 及び SWEEP DOWN させた時の入力電圧 VDDと出力電圧VOUTの関係は以下のようにな ります。(回路は Fig.12,13 です。）下図の①～⑤について説明します。

①電源投入時、VDDが動作限界電圧（VOPL）を超えTPHL後までの 間出力は不定です。よってTPHLよりVDDの立ち上がりスピード が速い場合RESET 信号が出ない可能性があります。

②VDDがVOPL以上でリセット解除電圧（VDET+ΔVDET）以下では、 VOUT=L です。 ③リセット解除電圧（VDET+ΔVDET）以上になると、遅延時間TPLH 遅れてVOUT=H になります。 ④電源立ち下がり時や電源瞬断時においてVDDが検出電圧（VDET） 以下になると遅延時間TPHL遅れてVOUT=L になります。 ⑤検出電圧と解除電圧との電位差をヒステリシス幅（ΔVDET）と いいます。このヒステリシス幅以内の電源変動では出力がばたつ かず、ノイズによる誤動作を防止できるよう設計されています。 Q1 Vref R1 R2 R3 VOUT VDD GND RL VDD RESET Q2 Q1 Vref R1 R2 R3 VOUT VDD GND RESET Fig.14 VDD VDET+ΔVDET VDET VOPL 0V TPHL ① ② VOUT TPLH TPHL TPLH ③ ④ VOL VOH ⑤

応用回路例 1) 通常の電源検出リセットとしての応用回路例を以下に示します。 BU48□□G/F/FVE シリーズ(出力段がオープンドレイン） とBU49□□G/F/FVE シリーズ(出力段が CMOS タイプ） では出力端子の形式が異なります。 使用方法の一例を次に示します。 ①マイコンの電源VDD2とリセット検出用電源VDD1が 異なる場合： Fig.15 のようにオープンドレイン出力タイプ (BU48□□G/F/FVE シリーズ）の出力に負荷抵抗 RL をVDD2側につけてお使いください。 ②マイコンの電源とリセット電源が同一（VDD1）の 場合： CMOS 出力タイプ（BU49□□G/F/FVE シリーズ）で Fig.16 のようにお使いください。 もしくは、オープンドレイン出力タイプ (BU48□□G/F/FVE シリーズ）で RLをVDD1側に 接続してもお使いいただけます。 VOUT 端子（マイコンのリセット信号入力端子）にノイズ 除去用及び出力遅延時間設定用のコンデンサCLを接続す る場合は、VOUT端子の立ち上がり時、及び立ち下がり時 にVOUT端子の波形がなまりますので、問題がないか確認 のうえ使用してください。 Fig.15 オープンドレイン出力タイプ Fig.16 CMOS 出力タイプ VDD1 BU48□□□ VDD2 GND RST マイコン CL （ノイズ除去用 コンデンサ） RL CIN CL （ノイズ除去用 コンデンサ） VDD1 BU49□□□ RST マイコン CIN GND

●使用上の注意点 1 . 絶対最大規格について 本製品におきましては、品質管理には十分注意を払っておりますが、印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を 超えた場合は劣化または破壊に至る可能性があります。いかなる場合においても瞬時たりとも絶対最大定格を超える ことがないように設計してください。またショートモードもしくはオープンモード等、破壊状態を想定できません。 絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズ等、物理的な安全対策を施して頂けるよう 御検討お願いします。 2 . GND 電位について GND ピンの電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を 含めGND 以下の電圧になっている端子がないか御確認ください。 3 . 電気的特性について 本仕様に掲載されている電気的特性は、温度、電源電圧、外付けの回路等の条件によって変化する場合がありますので、 過渡特性を含めて十分な確認をお願い致します。 4 . ノイズ除去用バイパスコンデンサについて IC の安定動作のため、電源端子と GND 間には 1μF 以上、出力端子と GND 間には 1000pF 程度のコンデンサを 入れることを推奨します。ただし極端に大きなコンデンサを使用しますと、過渡応答速度が遅くなる恐れも考えられ ますので、十分な確認をお願いします。 5 . ピン間ショートと誤装着について 出力ピン―VDD 間、出力ピン―GND 間、及び VDD―GND 間はショートを行わないようにしてください。また、 プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分に注意してください。誤って取り付けた場合、IC が 破壊する恐れがあります。 6 . 強電磁界中の動作について 強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。 7 . 電源ラインのインピーダンスが高い状態で使用する場合、検出時の貫通電流により発振する場合があります。 8. 電源ラインのインピーダンスが高い場合は、VDD－GND 間(できるだけ端子に近い場所)にコンデンサを接続して ください。 9 . VDD が低下し動作限界電圧以下になると出力は不定となり、出力がプルアップされている時、出力は VDD になります。 10. RLの値は、 10kΩ以上（VDET=1.5V～4.8V 製品） 100kΩ以上（VDET=0.9V～1.4V 製品）を推奨します。 11. 本 IC は、高インピーダンス設計になっているため、使用条件によっては、基板のよごれ等による予期せぬリーク経路 に影響を受ける可能性があります。よって、外付け定数に十分注意してください。例えば、出力-GND 間でリークが想 定される場合、プルアップ抵抗値を想定されるリーク経路のインピーダンスの1/10 以下とすることを推奨いたします。 12. 外付け定数について RLは10kΩ～1MΩの範囲を推奨しておりますが、基板のレイアウト等により変化しますので、実動作を充分ご確認の うえ、ご使用ください。 13. 電源起動時のリセット動作について 電源起動時のリセット出力については、立ち上がり時間に応じて変化いたしますので、充分なご確認をお願いします。 14. セット基板での検査について セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れが あるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の 際には十分御注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、 電源をOFF にしてから取り外してください。 15. CMOS IC では電源投入時に内部論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、 電源カップリング容量や電源、GND パターン配線の幅、引き回しに注意してください。 この文書の取り扱いに対して この文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考としてください。