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(2) 内容 1. 2. 3. 4.. 会社概要 中期的事業成長に向けた取り組み 中期経営計画の財務モデルと成長投資計画 事業環境と業績予想. 3 12 19 22. Appendix 1：多様化する半導体技術とTELのビジネス戦略 Appendix 2：各デバイスの技術課題とEUVリソグラフィ導入の効果 Appendix 3：エッチング装置 Appendix 4：成膜装置 Appendix 5：洗浄装置 Appendix 6：デジタルトランスフォーメーション（DX）の取り組み Appendix 7：財務データ. 28 34 41 45 51 58 64. CORP IR / 2021.05.13. 2.
(3) 会社概要. CORP IR / 2021.05.13. 3.
(4) TEL、市場変化への対応による成長の軌跡 技術サポートを付加価値とする専門商社 （億円）. 自社製品の開発・製造 グローバリゼーション メーカーとしての地位を築く. 生産革新. 新たな成長への 挑戦. 18,000 15,000. TEL 連結売上高. 12,000 9,000. 6,000 3,000 0 (FY). 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 (E). 最初のJV (TEL-Thermco)設立. コンシューマー向け製品の 輸出事業から撤退. Semiconductor applications. CORP IR / 2021.05.13. コーポレートガバナンスの強化. 1980年東証2部上場 1984年東証1部上場. Mainframe computer. 海外でのダイレクトオペレーションを開始. PC. Mobile phone. Digital consumer electronics, etc.. 4.
(5) 売上高と営業利益の推移 （億円） 18,000. 17,000 60%. TEL売上高 営業利益. 15,000. 13,991. 営業利益率. 50%. 12,782 11,307. 12,000. 11,272. 40%. 9,060 9,000. 7,238 6,000. 7,99724.9% 24.3% 22.9% 6,639 6,131 19.5% 6,121 14.4% 4,972 21.0% 17.6%. 6,687 18.6%. 16.7%. 14.6%. 5.3%. 3,000. 30%. 26.0% 20%. 10%. 2.5% 0. 0%. -0.5% -4.4% -3,000 90. 91. 92. 93. 94. 4M DRAM 供給過剰. CORP IR / 2021.05.13. 95. 96. 97. 98. 99. 00. • アジア経済危機 • 64M DRAM 供給過剰. 01. 02. 03. 04. 05. 06. • IT バブル崩壊 • ﾛｼﾞｯｸﾌｧｳﾝﾄﾞﾘの過剰投資. 07. 08. 09. 10. 11. 12. • 世界経済危機 • メモリの過剰投資. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. -10% 22 (E) (FY). • 欧州債務問題、新興国の成長鈍化 • PC、モバイル等の需要低迷. 5.
(6) 半導体前工程製造装置 (WFE)* 市場. IoT, AI, 5G. $ Billion. $80B~. 90. Mobile. 80 70. $50~65B. PC. 60. $30~40B. 50 40. $20B. 30. ~$10B. 20 10. 0. 1985. 1990. 1995. 2000. 2005. 2010. 2015. 出所： VLSI Research (1985~2020), TEL予測 (2021~). 2020. 当社予測 当社予測. * 半導体前工程製造装置（WFE; Wafer fab equipment）：半導体製造工程には、ウェーハ状態で回路形成・検査をする前工程と、そのウェーハをチップごとに切断し、組み立て・ 検査をする後工程があります。半導体前工程製造装置は、この前工程で使用される製造装置です。また半導体前工程製造装置は、ウェーハレベルパッケージング用の装置を含んでいます。. WFE市場は一時的な調整を繰り返しながらも成長 CORP IR / 2021.05.13. 6.
(7) 東京エレクトロンの事業領域 CY2020 世界市場. 電子機器. 半導体. US$. 2,019B. US$. 466B. FY2021 TEL 売上高 （2020.4～2021.3）. FPD製造装置 （FPD）. その他 1億円, 0%. 837億円 6%. 13,991億円. 13,152億円,. WFE* CAPEX. US$. 64B. 94%. 半導体製造装置 （SPE）. 図はガートナーリサーチに基づき、東京エレクトロンが作成 出所：Gartner, “Forecast: Semiconductor Capital Spending, Wafer Fab Equipment and Capacity, Worldwide, 1Q21 Update”, Bob Johnson, Gaurav Gupta, 19 April 2021 電子機器＝Electronic Equipment Production/半導体＝Semiconductor Revenue/WEF* CAPEX ＝ Total Wafer Fab Equipment. Revenue basis.. CORP IR / 2021.05.13. 7.
(8) TEL 主要プロダクト 世界市場シェア（CY2020） 半導体製造装置. 27%. 20%. 38%. 45%. 87% コータ/デベロッパ. ドライエッチング装置. 成膜装置. 洗浄装置. ウェーハプローバ*. FPD製造装置 （FY2021）. 29% 42%. 48%. 16%. 71% FPDコータ/デベロッパ 出所（FPD）: 当社推定. CORP IR / 2021.05.13. FPDプラズマエッチング装置. ALD. CVD. 酸化/拡散. 出所 SPE（ウェーハプローバを除く）: Gartner, “Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2020”, Bob Johnson, Gaurav Gupta, 8 April 2021 図はガートナーリサーチに基づき、東京エレクトロンが作成。 コータ/デベロッパ: Photoresist Processing (Track), ドライエッチング装置: Dry Etch, 成膜装置: Tube CVD + Atomic Layer Deposition Tools + Oxidation/ Diffusion Furnaces + Nontube LPCVD, ALD: Atomic Layer Deposition Tools, CVD: Tube CVD + Nontube LPCVD, 酸化/拡散: Oxidation/diffusion Furnaces, 洗浄装置: Single Wafer Processors + Wet Stations + Batch Spray Processors + Scrubbers + Other Clean Equipment. * SPE（ウェーハプローバ）: VLSI Research, April 2021 図はVLSI Researchに基づき、東京エレクトロンが作成。. 8.
(9) CY2020 半導体製造装置メーカー トップ15 CY2020 売上 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15. Applied Materials ASML Lam Research 東京エレクトロン KLA アドバンテスト スクリーン Teradyne 日立ハイテク ASMI Kokusai ニコン SEMES ASM Pacific ダイフク. CORP IR / 2021.05.13. (Billions of US$) 16.36 15.39 11.92. 11.32. 5.44 2.53. 2.33 2.25. 1.71 1.51 1.45 1.08 1.05 1.02 0.94. Source：VLSI Research, March 11, 2021, Total IC Mfg Equipment (Preliminary) System and Service Sales. 9.
(10) ※ 2021年1月 IR Day資料. 2030年に向けた中期環境目標. CO2排出量 削減目標 事業所. 製品. 30%. 削減. ウェーハ1枚当たり（2018年比） 注記：当社のバリューチェーンにおけるCO2排出量は、 出荷済み装置の使用時が全体の約87%を占める. 長期目標（2050年）. 70%. 削減. 総排出量（2018年比）. 各事業所のエネルギー使用量を 毎年1%削減 （原単位、年次目標、前年度比）. 再生可能エネルギーの 使用比率を100%に. 東京エレクトロンは環境マネジメントのリーディングカンパニーとして、地球環境の保全に取り組みます。 事業所や製品の環境負荷低減を積極的に推進するとともに、エレクトロニクス製品の低消費電力化に寄与 する革新的な製造技術を提供することで、夢のある社会の発展に貢献します。. 環境課題に積極的に取り組み、サステナブルな社会の発展に貢献する CORP IR / 2021.05.13. 10.
(11) 当社のESG活動への第三者評価 当社株式が組み入れられているESG関連インデックス. 当社のESGへの取り組みに、世界から高い評価 CORP IR / 2021.05.13. 11.
(12) 中期的事業成長に向けた取り組み. CORP IR / 2021.05.13. 12.
(13) ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 高まる半導体製造装置の付加価値. 月産10万枚当たりWFE投資額（Greenfield、当社予測） DRAM. 1X. 1Y. 1Z. ~$20B. ~$8B. ~$7B. 2Z. Logic. 3D NAND. 4X. 6/7X. 9X. 12X. 14/16nm. 10nm. 7nm. 5nm. 新たなアプリケーションの登場と技術難易度の高まりが、 半導体製造装置メーカーの事業機会を拡大 CORP IR / 2021.05.13. 13.
(14) エッチング装置における成長のシナリオ 20.0 19.0 18.0 17.0 16.0 15.0 14.0 13.0 12.0 11.0 10.0 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0. エッチング装置市場の当社のSAM における工程別の売上目標イメージ* * 当社予測。SAMはドルベース。売上は円ベースのイメージ図. 3500. 3000. 2500. 2000. 1500. 1000. 500. 0 CY'17 CY'18 CY'19 SAM（ドルベース） パターニング ガスケミカルエッチング. CORP IR / 2021.05.13. CY'20. CY'21 CY'22 HARC 配線/コンタクト. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. SAMが拡大する工程に注力し、高いSAMシェアを獲得 HARC工程 – 3D NAND、DRAMのSAM拡大および新規POR獲得に より売上増加. パターニング工程 – 生産コスト削減の提案により、シェア拡大. 配線/コンタクト工程 – SAM拡大および差別化技術による高いシェア維持. ガスケミカルエッチング工程 – 新たな市場の創出により売上増加. CY2023までにSAMシェア30～35%を目指す. 14.
(15) 成膜装置における成長のシナリオ 成膜装置市場の当社のSAMにおける アプリケーション別の売上目標イメージ*. 5.0. * 当社予測。SAMはドルベース。売上は円ベースのイメージ図. 160000. 140000. 4.0. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. バッチ、セミバッチ、枚葉の成膜技術の中から 最適な手法を選定し、付加価値の高い技術を 提供することでビジネスを拡大. 120000. 100000. 3.0. 80000. 2.0. 60000. 40000. 1.0 20000. 高度化する成膜技術において、当社の強みを生 かし、新材料や新成膜手法の開発を加速。 さらなる成長を目指す – 低抵抗化を実現する新しいメタル材料の成膜 – 微細化を促進する異方性成膜や選択成膜など 新しい成膜手法 – 良好な電気特性を実現するための前処理技術. 0.0. 0. CY'17. CY'18. SAM（ドルベース）. CORP IR / 2021.05.13. CY'19 DRAM. CY'20. NAND. CY'21. CY'22. ロジック/ファウンドリ. その他. 成膜装置: Tube CVD + Atomic layer deposition tools + Oxidation/diffusion furnaces + Nontube LPCVD. 付加価値の高い成膜工程に注力し、 CY2023までにSAMシェア40%以上を目指す. 15.
(16) 洗浄装置における成長のシナリオ 5.0. 洗浄装置市場の当社のSAMにおける 装置別の売上目標イメージ*. 枚葉洗浄 150%. * 当社予測。SAMはドルベース。売上は円ベースのイメージ図 130%. 4.0. SAMシェア 25%. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 110%. – パターン倒壊抑制技術と生産性向上で売上拡大 – ベベルウェットエッチングにおける高いシェア を維持。新材料の除去でアプリケーションを 拡大. 90%. 3.0. 70%. バッチ洗浄 – 3D NANDのクリティカル工程でPOR拡大. 2.0. 50%. 30%. 1.0 10%. 0.0. スクラバー洗浄. – EUV導入によって裏面/ベベル処理の重要性が 増し、SAM伸長. -10%. CY'17. CY'18. CY'19. SAM（ドルベース）. 枚葉. CY'20 バッチ. CY'21. CY'22. スクラバー. CY2023までにSAMシェア30%を目指す CORP IR / 2021.05.13. 16.
(17) FPD製造装置における成長のシナリオ 売上高および営業利益率 （億円） 1,200. 35% 30%. 1,000 25% 800. 20% 15%. 600. 10% 400. 5% 0%. 200 -5% 0. ドライエッチング装置、コータ/ デベロッパの競争力強化 大型有機ELディスプレイ向け インクジェット市場の創出 ディスプレイの進化に合わせた 新製品の投入. -10% FY'15 FY'16 FY'17 FY'18 FY'19 FY'20 FY'21 FY'22 FY'23. 売上高. 営業利益率. CY2023までに営業利益率30%を目指す CORP IR / 2021.05.13. 17.
(18) フィールドソリューション（FS）の売上実績と成長戦略 FS売上高. 成長戦略ポイント. 5000. 3,800億円 4000. 3000. 3,623 2,882 2,510 994. 2000. 3,048 1,138. 1,300. 中古装置・改造. 新たな顧客ニーズに対応. 1,045. 1,010. 1000 1,500. 1,888. 2,002. FY'19. FY'20. 2,485. 2,500. FY'21. ～FY’24 FY'23 （目標）. 0 FY'18. 納入台数増加によるSAM拡大 （納入済み装置76,000台以上）. パーツ・サービス. • •. 200mmリニューアル装置 包括契約型サービス. 業務改革プロジェクトと連携し、 業務効率を向上. 装置メーカーの強みを生かし、中古装置・改造 およびパーツ・サービスの両セグメントで収益向上 CORP IR / 2021.05.13. 18.
(19) 中期経営計画の財務モデルと成長投資計画. CORP IR / 2021.05.13. 19.
(20) 中期経営計画 （億円） FY2021 （実績）. 売上高 売上総利益 下段：売上総利益率. 販管費 下段：売上高販管費比率. 営業利益 下段：営業利益率. ROE. FY2022 （予想）. By FY2024 （計画）. 13,991 5,649. 17,000 7,390. 15,000 6,500. 17,000 7,400. 20,000 8,900. 40.4%. 43.5%. 43.3%. 43.5%. 44.5%. 2,442. 2,970. 2,520. 2,640. 2,900. 17.5%. 17.5%. 16.8%. 15.5%. 14.5%. 3,206. 4,420. 3,980. 4,760. >6,000. 22.9%. 26.0%. 26.5%. 28.0%. >30.0%. 26.5%. --. >30%. 財務モデルに変更なし 達成に向けて順調に進捗 CORP IR / 2021.05.13. 20.
(21) 研究開発費および設備投資 （億円）. 1,600. 研究開発費. 1,500. 1,366 1,202. 1,139 1,000. 732. 786. 838. 762. 713. 971. 3年間合計. 4,000億円. 500 0. FY'13. FY'14. FY'15. FY'16. FY'17. FY'18. FY'19. FY'20. FY'21. FY'22 （予想）. （億円）. 減価償却費. 設備投資. 600. 640 546. 497. 456. 430. 400 217. 266. 200 0. 248 127. FY’13. FY’14. 208 131. FY’15. 133. 192. FY’16. 206 178. FY’17. 206. FY’18. 538. 243. FY’19. 291. FY’20. 360. 338. FY’21. 450. FY’22 （予想）. 将来世代を見据えた先端技術開発により成長を実現 成長分野の開発・生産体制を拡充 CORP IR / 2021.05.13. 21.
(22) 事業環境と業績予想. CORP IR / 2021.05.13. 22.
(23) FY2021（2020年4月～2021年3月）財務ハイライト 売上高と売上総利益率. 営業利益（億円）. 売上高（億円）. 70.0%3,500. 13,991. 売上総利益率 12,782. 営業利益率. 3,000. 11,307. 3,206. 3,105. 50.0% 3,000 45.0%. 2,811. 60.0%. 12,000. 親会社株主に帰属する 当期純利益とROE. 営業利益と営業利益率. 2,500 40.0%. 11,272 2,372. 2,500. 40.4%. 8,000. 40.3%. 42.0%. 41.2%. 40.1%. 22.9%. 1,556 24.9%. 1,500. 24.3%. 40.0%. 1,852. 21.0%. 19.5%. 26.5%. 25.0% 1,500 1,152. 20.0%. 29.0%. 20.0%. 21.8% 19.1%. 10.0% 20.0%. 500. 500. 30.0%. 30.1%. 1,000. 15.0%. 1,000. 4,000. 50.0%. 30.0%. 2,000. 30.0%. 2,429. 2,043. 2,000. 40.0%. 60.0%. 当期純利益（億円） 当期純利益（億円） 2,482 ROE. 35.0%. 50.0%. 7,997. 親会社株主に帰属する. 10.0%. 5.0% 0. 10.0%. FY'17. . FY'18. FY'19. FY'20. FY'21. 0.0%. 0. FY'17. FY'18. FY'19. FY'20. FY'21. 0. 0.0%. FY'17. FY'18. FY'19. FY'20. FY'21. SPE*1およびFPD*2需要の拡大を受け、前期比+24%の増収 売上高・売上総利益・営業利益が過去最高を更新. CORP IR / 2021.05.13. *1 SPE：半導体製造装置 *2 FPD：フラットパネルディスプレイ製造装置. 23.
(24) CY2021 事業環境（2021年4月時点での見方） ►半導体前工程製造装置(WFE)*1の設備投資 5Gモバイルの普及とデータセンター投資に牽引され、 旺盛なロジック/ファウンドリ投資に加え、メモリ投資も加速。 CY2021は前年比3割程度の成長を見込む. ►FPD製造装置 TFTアレイ工程*2向け設備投資 モバイル向けOLED投資は前年比で増加も、大型パネル向けLCD投資は一巡。 今後、OLED投資に牽引され市場の成長が期待できるが、 CY2021は大型パネル向け投資がLCDからOLEDに移行する端境期として、 前年比3割程度の減少を見込む *1 半導体前工程製造装置（WFE; Wafer fab equipment）：半導体製造工程には、ウェーハ状態で回路形成・検査をする前工程と、そのウェーハをチップごとに切断し、組み立て・ 検査をする後工程があります。半導体前工程製造装置は、この前工程で使用される製造装置です。また半導体前工程製造装置は、ウェーハレベルパッケージング用の装置を含んでいます。 *2 TFTアレイ工程：ディスプレイを駆動する電気回路機能をもつ基板を製造する工程. CORP IR / 2021.05.13. 24.
(25) CY2021 アプリケーション別のWFE市場と事業機会 ロジック/ファウンドリ：前年比30%程度増加 – 市場環境： 情報通信技術の推進に伴うアプリケーションの拡大により、 積極的な投資が一層進み、市場成長を牽引 – 事業機会： 難易度の高まるパターニングでのビジネス拡大. DRAM：前年比45%程度増加 – 市場環境： 5Gモバイル、 PC、データセンターの需要の増加により 需給が逼迫。高水準の投資を見込む – 事業機会： 微細化に向けた新たな技術、新たな材料への対応. 不揮発性メモリ：前年比15％程度増加 – 市場環境： 中長期のビット需要成長に向け、着実な投資が継続 – 事業機会： 高付加価値のエッチング・洗浄工程での差別化 CORP IR / 2021.05.13. 25.
(26) FY2022 業績予想 （億円） FY2022（予想）. FY2021 （実績） H1. 売上高. 通期 対前期増減. 通期. H2. 13,991. 8,400. 8,600. 17,000. -. 13,152 837. 8,140 260. 8,290 310. 16,430 570. -. 5,649. 3,650. 3,740. 7,390. -. 40.4%. 43.5%. 43.5%. 43.5%. -. 販管費. 2,442. 1,470. 1,500. 2,970. -. 営業利益. 3,206. 2,180. 2,240. 4,420. -. 22.9%. 26.0%. 26.0%. 26.0%. -. 税金等調整前当期純利益. 3,170. 2,180. 2,240. 4,420. -. 親会社株主に帰属する 当期純利益. 2,429. 1,630. 1,670. 3,300. -. 1,562.20. 1,047.89. -. 2,121.49. -. SPE FPD. 売上総利益 下段：売上総利益率. 下段：営業利益率. 1株当たり当期純利益 (円). 過去最高の売上高、利益を見込む CORP IR / 2021.05.13. FY2022の期首より「収益認識に関する会計基準」（企業会計基準第29号）等を適用するため、上記の業績予想は 当該会計基準等を適用した後の金額となっており、対前期増減は記載しておりません。. 26.
(27) FY2022 配当予想 1株当たり配当金 （円）. 1,061円. 1,000. 624円. 588円. 600 400. 781円. 758円. 800. 期末 537円. 当社の株主還元策. 連結配当性向：. 50%. 但し、1株当たり年間配当金150円を下回らない 2期連続して当期利益を生まなかった場合は、配当金の見直しを検討する. 352円 中間 524円. 200. 自己株式の取得：. 機動的に実施を検討. 0. FY'17. FY'18. FY'19. FY'20. FY'21. FY'22 （予想）. 1株当たりの配当金は、配当性向 50%に沿って1,061円を予定 CORP IR / 2021.05.13. 27.
(28) Appendix 1：多様化する半導体技術とTELのビジネス戦略. CORP IR / 2021.05.13. 28.
(29) 微細化、材料開発、構造の3次元化による性能向上 3D NAND large stack 3D NAND Planar FET. 3D Architecture. High AR of DRAM. FinFET [nm] 1000. KrF 100. i-line. 180. Planar NAND. Nanowire FET. ArF 130. 110. i-ArF 90. 65. Planar FET. 45. 32. 10. 1993. EUV 14 10. Scaling. 波長 技術ノード 1 1990. 22. 1996. 1999. 2002. 2005. 2008. 2011. 2014. 7. 5. 2017. 2020. さらにアーキテクチャ・設計・プロセスを見直す動きも活発化 CORP IR / 2021.05.13. 29.
(30) 半導体技術ロードマップ 超低消費電力技術への要求 RF analog for IoT. Power device for IoT. High productivity SPE tool. HPC/AI/IoTのための 未来のデバイスシステム. Low energy consumption. AI chip (Analog memory) ReRAM. MRAM. Scaling. >2 Tiers. HBM. DRAM Scaling (WL/BL). Higher-k capacitor New architecture. Face-to-Face bonding. NAND. Logic BEOL eMemory Logic sub. Logic BEOL Logic sub Interposer. under CMOS array. >150 layers. WL metal. >2 Tiers. ロジック. Capacitor for stable power supply. BEOL structure. Contact metal. GAA Tr.*. パターニング Ad-SAQP. RF/Analog 3D NAND High dense TSV. High AR TSV. EUV single. EUV double. Ad-package. TEL推定. Low-k High density RDL. Systemize technology by integrating chips - DRAM tower with via - Analog/NAND/Logic by stacking - Built-in AI (Analog memory) - Moore’s Law by package scaling. * Gate-all-around transistor CORP IR / 2021.05.13. 30.
(31) 多様化に向かう市場. Customization 多機能化. Moore’s Law. トランジスタ集積化による性能向上 OS CPU + Memory. PC/Mobile システム. 通信システム. 交通システム. ヘルスケアシステム. ロボットシステム. AIシステム. Hyper-mass 超高生産性の追求. アプリケーションが拡大し、製造技術も多様化する CORP IR / 2021.05.13. 31.
(32) TELの総合力を最大限に生かす. Sales. 顧客からの信頼. 広い製品カバレッジ. Marketing 高度な情報収集力 と分析力. Coater/ Developer. FS Deposition. Etch. R&D. 強いネクストジェネレーション プロダクト開発 プロセスインテグレーション CORP IR / 2021.05.13. Cleaning. Test. 業界最大76,000台以上 Advanced FS. Manufacturing. 高い品質 強固なサプライチェーン 32.
(33) Best Product、Best Serviceの継続的追求のために. Front-loading. 顧客との複数世代にわたる技術ロードマップ共有 Early engagementの推進 量産初期より顧客製品デバイスの歩留まりと装置. 稼動率の最大化を実現、また環境負荷も低減. Advanced field solutions. 業界最大の納入済装置76,000台を生かした. ビジネス展開. 遠隔保守 TELeMetrics™ Machine learningによる予知保全. 仕事の効率化と1人当たりの生産性向上を推進し、. 人材・開発への投資をさらに増加. ビジョン：革新的な技術力と、多様なテクノロジーを融合する独創的な提案力で、 半導体とFPD産業に高い付加価値と利益を生み出す真のグローバルカンパニー CORP IR / 2021.05.13. 33.
(34) Appendix 2：各デバイスの技術課題と EUVリソグラフィ導入の効果. CORP IR / 2021.05.13. 34.
(35) DRAMプロセスにおける課題 キャパシタのピッチ制限により、微細化の難易度が 高まる – キャパシタ、ワードライン、ビットライン、 素子分離におけるマルチパターニング 多層配線. キャパシタ コンタクト. キャパシタのEOT（酸化膜換算膜厚）を薄膜化する ため、電極間にhigh-k*1絶縁膜（ZrO2/Al2O/ZrO2）を 導入（MIM：metal-insulator-metal） CMOS（周辺回路）部はHKMG*2とFinFETへの移行 により面積を縮小. 埋め込みゲート. ビットライン キャパシタはシリンダー（外部と内部の2面に絶縁膜. あり）からhigh-k絶縁膜がより薄いピラー（外部のみ 絶縁膜あり）へと移行し、省スペースに. 素子分離. – アスペクト比はD16 nm世代では>50:1まで上昇、 ～80:1まで上昇し続ける 一般的なDRAM 6F2レイアウトのセル構造. *1 high-k：高誘電率 *2 HKMG：high-k/metal gate. 高アスペクト比構造の製造はいっそう難しくなる （エッチング、成膜、洗浄 etc.）. DRAMの課題は微細化、材料、インテグレーション CORP IR / 2021.05.13. 35.
(36) NANDプロセスにおける課題 高集積化の限界はリソグラフィではなく、メモリ容量 は、ONONまたはOPOP層の積層数によって決まる. ワードライン分離（スリット）. コンタクト 階段 （ステアケース）. ゲート. チャネル. 高アスペクト比のデバイス構造は、世代が進むごとに より厳しくなる 面積縮小のためにCMOS（周辺回路）部をメモリ下部 へ移動すると、サーマルバジェット（熱履歴）が 課題に 2020 2021. 2022 2023. 12X. 25X. 51X. 65 - 100. 65 - 100. 65 - 100. 65 - 100. 4. 4-8. 8. 8. 8. 50 - 70. 40 - 60. 40 - 60. 40 - 50. 40 - 50. 40 - 50. 20. 20. 20 - 40. ~40. ~40. ~40. 2016 - 2017. 2018 - 2019. 4X. 6X. 9X. 65 - 100. 65 - 100. Holes between slits. 4. Vertical pitch (nm). # of 3D tiers Hole CD (nm). Bitline CD (nm). 当社予測 Photo image: TECHINSIGHTS. アスペクト比の上昇に伴い、積層におけるエッチング・成膜の CORP IR / 2021.05.13 難易度が高まる. 36.
(37) ロジック：EUVによる高度な技術課題（位置ずれ）の解決 Step1: Line/Space. 従来の露光. Line. 各露光プロセスごとに 位置ずれ発生 Too close. 2. 1 Too far. Space. 1 自己整合型ﾏﾙﾁﾊﾟﾀｰﾆﾝｸﾞ (SAMP) （エッチングと成膜を多数使用）. 3 masks 3回露光： (Litho + Etch) x 3. EUV導入. Step2: Cut. 位置ずれ低減. 1. 1 LELELE = (Litho-Etch)3 （エッチングと成膜の使用は限定的）. 1. 1. 1回露光： (Litho + Etch) x 1 CORP IR / 2021.05.13. 歩留まり低下. EUV露光. Cut. ロジックの構造図. Closer. 3. 1 mask 歩留まり向上. 37.
(38) ロジックコンタクト向け (Litho-etch)n パターニング（Cut） (Litho-etch)3 パターニング. Lithography1. • • • • • • • • • • • • • • •. PMD dep Hard mask1 dep (Litho-etch)n パターニング Hard mask2 dep Lithography1 Contact HM2 etch1 short etch time Lithography2 Contact HM2 etch2 short etch time Lithography3 Contact HM2 etch3 short etch time Contact HM1 etch short etch time Contact PMD etch long etch time Post etch clean Thicker layer Barrier metal Ti/TiN dep Higher etch selectivity Contact plug W dep Contact plug W CMP. Lithgraphy3. or Contact HM2 etch1. Contact HM1 etch. CORP IR / 2021.05.13. Lithography2. EUV lithography. Contact HM2 etch2. Contact HM2 etch3. Contact PMD etch. Contact HM2 etch. Contact plug W CMP. 38.
(39) 自己整合型マルチパターニング（Line/space） 𝑝. • • • • • • • • • • • • • • • • • •. Had mask1 dep Hard mask2 dep Mandrel1 dep Hard mask3 dep Hard mask4 dep Mandrel2 dep Hard mask5 dep Lithography Hard mask5 etch Mandrel2 etch Sidewall1 dep Sidewall1 etch back Mandrel2 pull Hard mask4 etch Hard mask3 etch Mandrel1 etch Sidewall2 dep Sidewall2 etch back. リソグラフィ 成膜 エッチ. 1 𝑝 2. SADP. Hard mask5 Mandrel2 Hard mask4 Hard mask3 Mandrel1 Hard mask2 Hard mask1. Mandrel2 etch. Sidewall1 dep. Sidewall etch back1. 1 𝑝 4. Hard mask3 etch. Mandrel1 etch. Sidewall2 dep. SAQP. Sidewall etch back2. SADP: Self-aligned double patterning SAQP: Self-aligned quadruple patterning CORP IR / 2021.05.13. 39.
(40) EUVリソグラフィ導入の効果 EUVの採用は、顧客の直面する高度な技術課題（位置ずれ）を解決し、 半導体と製造装置産業全体にとって非常にポジティブな効果をもたらす – 微細化の促進. – 歩留まり向上による次世代への投資加速. EUVによる微細化の促進が、当社製品の更なる差別化と収益機会を創出する – コータ/デベロッパのさらなる市場シェア向上. – エッチ・成膜・洗浄装置の需要拡大 – 自己整合型パターニングの進化による差別化 – 当社製品ラインアップを生かしたプロセスインテグレーションによる事業拡大. CORP IR / 2021.05.13. 40.
(41) Appendix 3：エッチング装置. CORP IR / 2021.05.13. 41.
(42) エッチング装置 SAMの展望 20.0 19.0 18.0 17.0 16.0 15.0 14.0 13.0 12.0 11.0 10.0 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0. エッチング装置の工程別SAM* * 当社予測. 15.5. 15.8. 13.3. HARC工程 – 3D NANDの多層化およびDRAMの微細化により SAMは拡大 パターニング工程 – EUV量産導入後もマルチパターニング技術は 引き続き採用され、SAMは高い水準を維持. 12.1. 10.8. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 10.1. 配線/コンタクト工程 – DRAMのCuデュアルダマシン化、ロジックの 配線層数の増加によりSAMは拡大. Critical conductor工程 – SAM構成比は低いものの、安定した投資が継続 CY'17 CY'18 HARC. CY'19. CY'20 CY'21 パターニング. 配線/コンタクト. Critical conductor. ガスケミカルエッチング. その他. CORP IR / 2021.05.13. CY'22. ガスケミカルエッチング工程 – デバイスの3次元化によりSAMは拡大傾向 42.
(43) エッチング装置における戦略. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. HARC工程 – 3D NAND（多段コンタクト、ワードライン分離）、DRAM（キャパシタ）： 加工性能と生産性で差別化を継続 多段 ｺﾝﾀｸﾄ. – 3D NAND（チャネル）： 精細な加工制御性と生産性で差別化できる新規装置を投入. パターニング工程 – DRAM：一括エッチングで顧客の生産コストを低減 – ロジック：エッチングと成膜の融合技術で差別化. 配線/コンタクト工程. ﾜｰﾄﾞﾗｲﾝ分離 （ｽﾘｯﾄ）. チャネル. 等方性エッチング 多層配線. – ロジックで培った知見をDRAMへ展開. ガスケミカルエッチング工程. キャパシタ. – プラズマアシスト技術で新たな市場を創出. CORP IR / 2021.05.13. Nanosheet image: Courtesy of IBM. 出典: N. Loubet, et al., Stacked Nanosheet Gate-All-Around Transistor to Enable Scaling Beyond FinFET. 43.
(44) ※ 2021年1月 IR Day資料. Episode™ UL. CORP IR / 2021.05.13. 44.
(45) Appendix 4：成膜装置. CORP IR / 2021.05.13. 45.
(46) ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 成膜装置 SAMの展望 成膜装置市場における アプリケーション別SAM*. 7.0 （$B）. 5.8. 6.0. 5.0. * 当社予測. 6.1. 5.2. 5.0. NAND – 3D NANDの多層化への投資が継続。特に、 厳しいアスペクト比の段差に対してALDを 中心とする高品質な絶縁膜の需要が増加. 4.5. DRAM. 3.9. 4.0. – 微細化投資が継続。キャパシタ性能の改善の ため、新構造・新材料への投資が期待される. 3.0. ロジック/ファウンドリ. 2.0. 1.0. 0.0 CY'17. CY'18 NAND. CORP IR / 2021.05.13. CY'19 DRAM. CY'20. CY'21. CY'22. – SAM構成比は低下傾向も安定的な投資を見込 む。微細配線の抵抗確保のための技術革新の ニーズ継続. ロジック/ファウンドリ. 46.
(47) ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 成膜事業における戦略 DRAM • • •. 3D NAND. 低温化 High-k絶縁膜 キャパシタ電極. • • • • •. チャネルシリコン膜 チャージトラップ膜 ブロックHigh-k絶縁膜 埋め込み酸化膜 埋め込みシリコン膜. Single-wafer System. Vertical Furnace. Semi-batch System. Triase+™ EX-II ProTM TiN. TELINDY PLUSTM Super Large Batch. NT333TM Gap-fill SiO2 Dep. AR≃16:1. 薄膜 生産性/ カバレッジ 連続性/ 膜質改善 改善. Bottom. Top. Dia: 20nm, AR=50:1. S/C >95% 高温化. 装置 安定性. N2. ｼﾘｺﾝﾌﾟﾘｶｰｻ. 100/125. 150/175. バッチ、セミバッチ、枚葉技術を持つ強みを生かし 付加価値の高い技術を提供 CORP IR / 2021.05.13. 酸化. N2. 改質処理. 47.
(48) ※ 2021年1月 IR Day資料. Triase+™ EX-II HK：高品質High-k絶縁膜 特徴. DRAM. High-k絶縁膜. – HfOプロセス向け@～400℃、超低炭素（~1E19 atoms/cm3） – 液体Hfプリカーサに対応したDLI*1気化器により、 大流量で理想的なASFDプロセスを実現. – 独自のガス注入により、均一性はウェーハ内 1σ < 1% – 高速APCおよび100A配管により性能向上された排気系 により、ウェットPM*2サイクルを長期化 3D NAND. ブロックhigh-k～コア酸化膜成膜. アプリケーション – DRAM 周辺回路（high-kメタルゲート） – 3D NAND ブロック high-k絶縁膜. CORP IR / 2021.05.13. *1 DLI：Direct Liquid Injection *2 PM：Preventative Maintenance. 48.
(49) ※ 2021年1月 IR Day資料. Triase+™ EX-II™ MS：マルチソース供給による薄膜の組成制御 開発段階 FeRAM. 特徴 – マルチソース供給に対応した新しいデザイン. FeFET. – 薄膜の組成比の制御が可能. アプリケーション – 不揮発性メモリ向け強誘電体ゲートFET. ニューロモーフィック 人工シナプス. – ストレージクラスメモリへの適用 – ニューロモーフィックデバイスへの適用 （シナプス荷重を記憶）. シナプス荷重を記憶 CORP IR / 2021.05.13. 49.
(50) ※ 2021年1月 IR Day資料. 新たな事業機会：さらなる微細化に向けた選択成膜 選択成膜. 特徴. 選択的に成長した薄膜. – メタル/絶縁膜表面の選択的な成膜. – 高度な選択性を実現する優れた表面前処理技術. 絶縁膜. アプリケーション – ロジック配線、完全自己整合型ビア – リソグラフィーのアライメントマージンを拡大するための すべてのパターニング 従来の配線 （選択成膜なし） メタル配線 ビアホール メタル配線. メタル. 完全自己整合型ビア （選択成膜あり）. TEM画像 選択的に成長した絶縁膜 メタル. メタル 絶縁膜. EDXによる元素マッピング 選択的に成長した絶縁膜 メタル. メタル 絶縁膜. ＠TEL internal structure 出所：S. Azumo, 32nd symposium, SCEJ CORP IR / 2021.05.13. 50.
(51) Appendix 5：洗浄装置. CORP IR / 2021.05.13. 51.
(52) ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 洗浄装置 SAMの展望 洗浄装置の装置種類別SAM*. 5.0. * 当社予測. 4.0（$B）. 4.0 3.8. 3.4 3.0. 3.0. 3.6. 洗浄装置では、SAM構成比に大きな変化なし 枚葉洗浄 – 今後も洗浄装置の最大市場. – ディフェクト低減、エッチング/乾燥性能向上の ための技術革新は継続. 2.9. バッチ洗浄. 2.0. – 3D NAND クリティカル工程向けの ウェットエッチング市場は今後も需要継続. 1.0. スクラバー洗浄. 0.0 CY'17. CY'18. 枚葉. CORP IR / 2021.05.13. CY'19. バッチ. CY'20. CY'21. スクラバ―. CY'22. – Pre-lithography工程その他で、裏面/ベベルの 物理洗浄の重要性が増加. 52.
(53) ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. 枚葉洗浄における戦略 枚葉洗浄. 処理なし. – ベベルウェットエッチング. 処理あり. • 市場は年率10％程度の成長見込み • 顧客歩留まり改善に貢献。精密な外周部の膜除去 性能により差別化し、高いシェアを維持. – パターン倒壊抑制. 高アスペクト比のパターンの倒壊を抑制する当社 独自の技術により、シェアを拡大. 既存乾燥技術 パターン倒壊発生. 新乾燥方式 倒壊なし. – メタルエッチング. メタルとの選択比を制御する新規SPM専用 チャンバーを販売開始。ドライエッチングの ダメージや残渣による歩留まり低下の課題を解決. メタルエッチング工程イメージ TiN. CORP IR / 2021.05.13. W. W. TiN W. W. 53.
(54) バッチ・スクラバー洗浄における戦略. ※ 2019年5月中期経営計画説明会の資料. SiNエッチング工程イメージ 対SiO2エッチング選択比. バッチ洗浄. エッチング均一性. ウェット エッチング. – 3D NAND向けSiNエッチング、Wエッチング. 長時間かつ高いプロセス技術が要求される工程に 注力。ウェットエッチングにおける高均一性、高 選択性および高生産性の実現により差別化. スクラバー洗浄. ウェーハ裏面とディフォーカスのイメージ 微小異物. – Pre-lithography工程 EUVの導入によってますます重要度が増す 露光機の稼動率向上に貢献する、異物低減など、 価値の高いソリューションを提供. 埋め込まれた異物. 表面異物 1,000. 測定された全異物数（>50 mm） Before After 539. 787. 500. 1. 1. 0 Nitride. CORP IR / 2021.05.13. Oxide. 54.
(55) ※ 2021年1月 IR Day資料. 先端デバイスが抱える洗浄工程における技術課題 薬液. リンス. DRAM – 素子分離エッチング後の洗浄. – キャパシタ電極形成後の モールドのウェットエッチング. パターン倒壊. 乾燥. 多層配線. ウェットエッチング. キャパシタ コンタクト 埋め込み ゲート. ビットライン. 素子分離. ロジック – Fin エッチング後の洗浄. – Nanowire/Nanosheet 形成後の洗浄 FinFET. Nanowire. Nanosheet. デバイス構造の微細化・高アスペクト比化により、乾燥技術の難度が増加 CORP IR / 2021.05.13. 55.
(56) ※ 2021年1月 IR Day資料. 超臨界乾燥技術 Air. CO2. 超臨界状態. アルコール. 乾燥. 従来の乾燥. TELの超臨界乾燥. Top View. Side View. 超臨界乾燥技術によりパターン倒壊を抑制 CORP IR / 2021.05.13. 56.
(57) ※ 2021年1月 IR Day資料. 乾燥技術のロードマップ 2005. 2010. 2D NAND STI*1/AA*2. 2020. 2025. 2030. IPA*3. DRAM STI/Capacitor. *1 STI: *2 AA: *3 IPA: *4 RG:. 2015. Shallow trench isolation Active area Isopropyl alcohol Replacement gate. CORP IR / 2021.05.13. Supercritical. IPA. Logic Fin/GAA. IPA. 3D NAND RG*4. IPA. Supercritical. Supercritical. 57.
(58) Appendix 6：デジタルトランスフォーメーション（DX）の 取り組み. CORP IR / 2021.05.13. 58.
(59) TEL デジタル デザイン スクエア State-of-the-art office. TEL DX Vision 全社員がデジタル技術を“てこ”にして付加価値向上 や効率化等の企業価値創造活動を持続的に推進する グローバルカンパニー. 開発アクティビティ Equipment software. Digital transformation. AI application. コラボレーション. カジュアルミーティング. Grand Opening November 24, 2020 Proudly celebrating 30 years in Sapporo, Hokkaido, Japan. 大阪. インテンシブワーク. 札幌. 東京. DX活動の本拠地として、TEL デジタル デザイン スクエアをオープン CORP IR / 2021.05.13. 59.
(60) DXによる価値創造と資本効率の向上. CORP IR / 2021.05.13. 60.
(61) DXプロジェクト全体イメージ DXインフラストラクチャーを用いて企業価値創造に寄与するアプリケーションを開発 Product Life Cycle 企画. アプリ ケーション. 設計. 試作. 量産. サポート. 改造. 利益. A 収益率向上. D 生涯価値の延長. B 市場投入の加速 データ利活用. 時間. コスト C 製品コスト低減. スキル・文化・データ利活用プラットフォームのDXインフラストラクチャー構築 DXインフラ ストラクチャー. スキル向上. 意識・文化の醸成. 環境構築. (ガバナンス・データ基盤). DXインフラストラクチャーを活用して、 企業価値を創造するアプリケーションを開発する CORP IR / 2021.05.13. 61.
(62) DX活動のステップ デジタルイネーブラー . 高いコンピューティング性能 クラウドインフラ AIテクノロジー IoT、xR. 付加価値創造・資本効率向上. 3. コントロール. 取り巻く環境 . データ共有とサプライチェーン内 のコラボレーションの進展 人間を支えるAIとロボットへの 高い期待. 1. モニタリング. 実世界への フィードバック. 目的の達成 . 高次元の課題（High value problem）の解決. 見える化. 4. 自律 自律学習と判断. High value problem -. 品質 費用 スピード 生産性 エネルギー消費. 2. 分析と予測. デジタル化されたデータで 分析と予測. デジタルトランスフォーメーションで高次元の課題を解決 CORP IR / 2021.05.13. 62.
(63) DXのフィールドソリューションへの適用. CORP IR / 2021.05.13. 63.
(64) Appendix 7：財務データ. CORP IR / 2021.05.13. 64.
(65) 損益状況（四半期） （億円） FY2020. 売上高 SPE FPD 売上総利益 下段：売上総利益率. 販管費 営業利益 下段：営業利益率. 税金等調整前当期純利益 親会社株主に帰属する 当期純利益 研究開発費. 設備投資額 減価償却費 1. 2.. FY2021 対FY2021 Q3 増減. Q4. Q1. Q2. Q3. Q4. 3,233. 3,148. 3,533. 2,917. 4,392. +50.6%. 3,089 143. 3,037 110. 3,316 216. 2,643 273. 4,154 237. +57.2%. 1,298. 1,284. 1,363. 1,219. 1,782. +46.2%. 40.2%. 40.8%. 38.6%. 41.8%. 40.6%. -1.2pts. 597 701. 546 738. 627 735. 590 628. 678 1,103. +14.9% +75.6%. 21.7%. 23.5%. 20.8%. 21.6%. 25.1%. +3.5pts. 733. 746. 730. 623. 1,069. +71.6%. 571. 564. 555. 461. 847. +83.6%. 334 117 86. 301 132 71. 362 149 81. 330 88 88. 371 168 97. +12.3% +90.4% +9.8%. -13.3%. 当社の主力製品である半導体製造装置およびFPD製造装置の輸出売上は、原則円建てでおこなわれます。 一部にドル建ての決済もありますが、受注時に個別に先物為替予約を付し、為替変動リスクをヘッジしています。 利益率および増減率は、1円単位の金額をもとに計算しています。. CORP IR / 2021.05.13. 65.
(66) セグメント情報 SPE（半導体製造装置） （億円） 16,000. 60%. 売上高. （億円） 1,600. 60%. 売上高. 100%. 6. 6. FPD. 94. 94. SPE. FY'20. FY'21. セグメント利益. セグメント利益 セグメント利益率. 売上構成比率. FPD（フラットパネルディスプレイ製造装置）. セグメント利益率. 13,152. 50%. 50% 1,200. 12,000. 10,609. 40%. 40%. 837 8,000. 25.5%. 27.6%. 30%. 800. 20%. 3,625. 4,000. 30%. 20%. 16.0% 400. 10.5%. 2,704 10%. 10%. 105 0. 0%. FY'20. 50%. 660. FY'21. 88. 0. 0%. FY'20. FY'21. 0%. 1. セグメント利益は、税金等調整前当期純利益です。 2. 上記報告セグメントに配分していない全社費用（主に基礎研究又は要素研究等の研究開発費）があります。 3. 売上構成比率は外部顧客に対する売上高で算出しています。. CORP IR / 2021.05.13. 66.
(67) SPE部門 新規装置. アプリケーション別売上構成比. （億円） 12,000. DRAM 不揮発性メモリ ロジックファウンドリ ロジック & その他 (MPU, AP, その他). 24%. メモリでは、先端世代における生産能力 増強に向けた積極的な投資を背景に、. 26%. DRAM・不揮発性メモリ向けともに売上 が大きく伸長. 9,631. 8,887 7,651. 8,000. 31%. 20% 20% 38% 4,000. 26%. 24%. 34%. 26%. FY'20. FY'21. 10% 21%. ロジック/ファウンドリにおいても、 最先端世代向けに加え、14nmから成熟 世代にかけた幅広い世代への投資が継続. 0. FY'19. CORP IR / 2021.05.13. グラフは新規装置の売上高における構成比を示しています。フィールドソリューションの売上高を含んでいません。. 67.
(68) SPE部門 新規装置 （億円） 12,000. コータ/デベロッパ 成膜装置 ウェーハプローバ. 製品別売上構成比. エッチング装置 洗浄装置 その他. 9,631 8,887 8,000. 23%. 7,651. 25%. 不揮発性メモリ向け投資の拡大を背景に、. 26% 38%. 40%. 20%. 0. 増加. 37%. 4,000. 21% 20%. 9% 7% 1%. 10% 6% 1%. FY'19. FY'20. CORP IR / 2021.05.13. エッチングおよび成膜装置の売上構成比が. 8%. 7% 1% FY'21 グラフは新規装置の売上高における構成比を示しています。フィールドソリューションの売上高を含んでいません。. 68.
(69) SPE部門 地域別売上高 日本. 欧州. 北米. （億円） 4,000. （億円） 4,000. 韓国. （億円） 4,000. （億円） 4,000. 2,799 2,000. 0. （億円） 4,000. 1,958 1,591. FY'20. FY'21. 台湾. 2,057 2,000. 0. （億円） 4,000. 1,520. FY'20. FY'21. 中国. 2,000. 2,000. 0. （億円） 4,000. 588. 635. FY'20. FY'21. 0. 東南アジア・他 100%. 2,456. 2,000. 2,000. FY'20. CORP IR / 2021.05.13. FY'21. 3 18. 1,936. 2,000. 0. FY'20. FY'21. 0. 50%. FY'20. 523 FY'21. FY'21. 0%. 4. 東南ア他. 25. 中国. 19. 台湾. 14 6. 21. 韓国. 20. 5 11. 欧州 北米. 15. 15. 日本. FY'20. FY'21. 24. 355 0. FY'20. 地域別構成比. 3,258 2,564. 1,515. 69.
(70) フィールドソリューション売上高 （億円） 4,000. 中古装置・改造 パーツ・サービス. 3,000. 2,882. 994. 3,623 3,048. 1,138. 売上高は、前期比+19%の 3,623億円. 1,045. 2,000. インストールベースの増加に加え、 2,485. 1,000. FY2021 フィールドソリューションの. 1,888. 2,002. FY'19. FY'20. 顧客工場の高い稼動率を背景に、 パーツ・サービスの売上が大きく伸長. 0. CORP IR / 2021.05.13. FY'21. 70.
(71) 損益状況（四半期） （億円） FY2020. 売上高 SPE FPD 売上総利益 下段：売上総利益率. 販管費 営業利益 下段：営業利益率. 税金等調整前当期純利益 親会社株主に帰属する 当期純利益 研究開発費. 設備投資額 減価償却費 1. 2.. FY2021 対FY2021 Q3 増減. Q4. Q1. Q2. Q3. Q4. 3,233. 3,148. 3,533. 2,917. 4,392. +50.6%. 3,089 143. 3,037 110. 3,316 216. 2,643 273. 4,154 237. +57.2%. 1,298. 1,284. 1,363. 1,219. 1,782. +46.2%. 40.2%. 40.8%. 38.6%. 41.8%. 40.6%. -1.2pts. 597 701. 546 738. 627 735. 590 628. 678 1,103. +14.9% +75.6%. 21.7%. 23.5%. 20.8%. 21.6%. 25.1%. +3.5pts. 733. 746. 730. 623. 1,069. +71.6%. 571. 564. 555. 461. 847. +83.6%. 334 117 86. 301 132 71. 362 149 81. 330 88 88. 371 168 97. +12.3% +90.4% +9.8%. -13.3%. 当社の主力製品である半導体製造装置およびFPD製造装置の輸出売上は、原則円建てでおこなわれます。 一部にドル建ての決済もありますが、受注時に個別に先物為替予約を付し、為替変動リスクをヘッジしています。 利益率および増減率は、1円単位の金額をもとに計算しています。. CORP IR / 2021.05.13. 71.
(72) セグメント情報（四半期） SPE（半導体製造装置） （億円） 5,000. 売上構成比率. FPD（フラットパネルディスプレイ製造装置） 50%. 売上高. （億円） 500. セグメント利益. 50%. 売上高. 100%. 4. 3. 6. 9. 5. FPD. 96. 97. 94. 91. 95. SPE. Q4 FY'20. Q1 FY'21. Q2. Q3. Q4. セグメント利益. セグメント利益率. セグメント利益率. 4,154. 4,000. 40%. 400. 30%. 300. 40%. 3,316 3,089. 3,037. 3,000. 2,643. 237. 26.8% 27.6% 25.8% 25.7% 2,000. 20%. 200. 828. 837. 854. 19.3%. 17.9%. 110 10%. 679. 10.2% 10%. 27 5 0%. Q4 FY'20. Q1 FY'21. Q2. Q3. Q4. 20%. 100. 4.7%. 0. 50%. 216. 143. 1,253 1,000. 30%. 273. 30.2%. 48 21. 5.1% 12. 0. 0%. Q4 FY'20. Q1 FY'21. Q2. Q3. 0%. Q4. 1. セグメント利益は、税金等調整前当期純利益です。 2. 上記報告セグメントに配分していない基礎研究又は要素研究等の研究開発費、およびその他の一般管理費等があります。 3. 売上構成比率は外部顧客に対する売上高で算出しています。. CORP IR / 2021.05.13. 72.
(73) SPE部門 地域別売上高（四半期） （億円） 5,000. 4,154 4,000. 3,000. 2,887. 2,718. 2,820. Q2 2019…. Q3 2019…. 3,089. 3,316 3,037 2,643. 1,981 2,000. 1,000. 0 +. 日本. 北米 欧州 韓国. 台湾 中国 東南アジア・他. CORP IR / 2021.05.13. Q4 2019… FY’19 427 347 253 689 591 425 152. Q1 2019… FY’20 325 285 202 369 483 270 44. 410 588 144 364 487 568 155. 359 610 108 310 762 591 77. Q4 2020… 496 572 133 471 831 506 77. Q1 2020… FY’21 491 423 157 670 509 739 46. Q2 2020… 568 440 163 721 539 791 92. Q3 2020… 361 345 127 393 525 705 184. Q4 2021… 536 312 186 1,014 882 1,022 200. 73.
(74) SPE部門 新規装置. アプリケーション別売上構成比（四半期）. （億円）. 4,000. 3,150 3,000. 23%. 2,525 2,263. 2,145 1,984 2,000. 35%. 26%. 1,000. 不揮発性メモリ ロジックファウンドリ ロジック & その他 （MPU、AP、その他） 0. CORP IR / 2021.05.13. 18%. 14%. 18%. 20%. 1,306 DRAM. 2,097. 26% 15% 26%. 24%. 26%. 33%. 32%. 35%. 36%. Q4 FY'19. Q1 FY'20. Q2. Q3. Q4. 24% 15%. 18%. 27%. 32%. 2,219. 24% 26%. 1,736. 26%. 26%. 18%. 19%. 25% 21% 28% Q1 FY'21. 31%. 28%. 28%. 32% Q2. 27%. 18%. Q3. Q4. グラフは新規装置の売上高における構成比を示しています。フィールドソリューションの売上高を含んでいません。. 74.
(75) フィールドソリューション売上高（四半期） （億円） 1,200. 1,032 935. 1,000. 846 800. 763. 758. 746. Q2. Q3. 696. 837. 817. 600. 400. 200. 0. SPE売上高. Q4 FY’19 742. Q1 FY’20 674. FPD売上高. 21. 21. CORP IR / 2021.05.13. Q4. 734. 722. 826. Q1 FY’21 818. 23. 23. 20. 18. Q2. Q3. Q4. 791. 906. 1,004. 26. 28. 28. 75.
(76) 貸借対照表（四半期） 資産. 負債・純資産 （億円）. （億円）. 14,253. 14,253. 12,784 3,384 1,501. 3,920. 12,787 3,226 1,660. 4,139. 1,755 109 1,295. 376 1,812 111 1,460. Q4 FY'20. Q1 FY'21. 818. 12,767 3,589. 12,704. 3,115. 現金同等物*. 1,917. 売上債権. 4,153. たな卸資産. 12,784. 12,787. 12,767. 12,704 4,008. 2,690. 4,303. 3,781. 3,636. 8,296. 8,483. 8,986. 9,067. Q4 FY'20. Q1 FY'21. Q2. Q3. 4,488. 負債. 1,381 1,337. 3,907. 4,272. 970. 516. 731. 1,879 135 1,401. 1,886 151 1,589. 1,969 171 1,955. Q2. Q3. Q4. その他の流動資産. 10,245. 純資産. 有形固定資産. 無形固定資産 投資その他の資産 Q4. * 現金同等物：現預金 ＋ 短期投資等（貸借対照表上の表示は有価証券）. CORP IR / 2021.05.13. 76.
(77) たな卸資産・売上債権の回転日数（四半期） （億円） 5,000. （日）. 売上高 たな卸資産回転日数 売上債権回転日数. 4,000. 160. 4,392 125. 125. 127. 123. 116. 122 111. 108. 120. 101 3,000 80 2,000. 49 1,000. 42. 37. 50. 49. 41. 38. 39. Q2. Q3. 40. 29 0. 0 Q4 FY'19. Q1 FY'20. Q2. Q3. Q4. Q1 FY'21. Q4. 回転日数 ＝ 売上債権もしくはたな卸資産 ÷ 各四半期末までの12カ月月間売上高 × 365. CORP IR / 2021.05.13. 77.
(78) キャッシュ・フロー（四半期） （億円） 1,200 900. 586. 600. 394. 300 0. -0. -300. -1. -390. -567. -191. -653 -454. -600. -432 -900. 自己株式取得 -1,200. Q4 FY’19 営業キャッシュ・フロー 投資キャッシュ・フロー*1 財務キャッシュ・フロー フリーキャッシュ・フロー*2 手元資金残高*3. 650 -144 -0 505 3,926. Q1 FY’20 594 -85 -999 509 3,408. Q2 817 -158 -654 658 3,399. Q3 521 -177 -844 344 2,922. Q4 597 -114 -4 483 3,384. Q1 FY’21 527 -151 -535 376 3,226. Q2 531 -128 -44 402 3,589. Q3 -186 -160 -564 -347 2,690. Q4 586 -191 -1 394 3,115. *1 投資キャッシュ・フローは、定期預金および短期投資の増減を除いた金額です。 *2 フリーキャッシュ・フロー = 営業キャッシュ・フロー ＋ 投資キャッシュ・フロー（定期預金および短期投資の増減を除く）. *3 手元資金は、現金及び現金同等物と満期日または償還日までの期間が3カ月を超える定期預金および短期投資の合計額です。. CORP IR / 2021.05.13. 78.
(79) 過去10年間の主要財務データ (百万円). 売上高 半導体製造装置 FPD製造装置. 2012年. 2013年. 2014年. 2015年. 2016年. 2017年. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 2019年 3月期. 2020年. 2021年. 2012年. 2013年. 2014年. 2015年. 2016年. 2017年. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 3月期. 633,091 497,299 612,170 613,124 663,948 799,719 1,130,728 1,278,240 1,127,286 1,399,102. 有利子負債. 477,873 392,026 478,841 576,242 613,032 749,893 1,055,234 1,166,781 1,060,997 1,315,200 69,888. 20,160. 84,867. 84,664 100,726. PV製造装置 コンピュータ・ネットワーク. 2018年 3月期. 28,317. 32,709. 3,805. 3,617. 44,687. 49,387. 75,068. 111,261. 66,092. 83,772. 461. 売上総利益 売上総利益率 販売費及び一般管理費 営業利益. 448. 479. 586,789 593,032 578,091 639,483 562,369 643,094. 767,146. 880,748. 総資産. 783,610 775,527 828,591 876,153 793,367 957,447 1,202,796 1,257,627 1,278,495 1,425,364. 438. 425. 197. 197. 129. 211,444 158,754 201,892 242,773 267,209 322,291. 475,032. 526,183. 451,941. 564,945. 営業キャッシュ・フロー. 6,228. ROE. 40.3%. 42.0%. 41.2%. 40.1%. 40.4%. 投資キャッシュ・フロー. 151,001 146,206 169,687 154,660 150,420 166,594. 193,860. 215,612. 214,649. 244,259. 財務キャッシュ・フロー. 33.4%. 31.9%. 33.0%. 60,443. 12,548. 32,204. 9.5%. 2.5%. 5.3%. 経常利益. 64,046. 16,696. 税前利益. 60,602. 17,766. 親会社株主に帰属する当期純利益. 36,725. 6,076. 減価償却費. 24,197. 設備投資額 研究開発費. 営業利益率. 555. 39.6%. 40.2%. 88,113 116,788 155,697. 281,172. 310,571. 237,292. 320,685. 19.5%. 24.9%. 24.3%. 21.0%. 22.9%. 35,487. 92,949 119,399 157,549. 280,737. 321,662. 244,979. 322,103. -11,756. 86,827 106,466 149,116. 275,242. 321,508. 244,626. 317,038. -19,408. 71,888. 77,891 115,208. 204,371. 248,228. 185,206. 242,941. 26,630. 24,888. 20,878. 19,257. 17,872. 20,619. 24,323. 29,107. 33,843. 39,541. 21,773. 12,799. 13,183. 13,341. 20,697. 45,603. 49,754. 54,666. 53,868. 81,506. 73,248. 78,663. 71,349. 76,286. 83,800. 97,103. 113,980. 120,268. 136,648. 14.4%. 17.6%. 3月期. 自己資本. 自己資本比率. その他. 2021年. 3月期. ―. デット・エクイティ・レシオ. 電子部品. 2020年. ―. 1株当たり当期純利益 1株当たり配当金（円）. 従業員数（人）. 3,756. 13,531. ―. 2019年 3月期. ―. 4,402. ―. 2018年 3月期. ―. 0.8%. 0.6%. 2.3%. ―. ―. ―. ―. ―. ―. －. 74.9%. 76.5%. 69.8%. 73.0%. 70.9%. 67.2%. 63.8%. 70.0%. 64.1%. 71.1%. 6.3%. 1.0%. -3.3%. 11.8%. 13.0%. 19.1%. 29.0%. 30.1%. 21.8%. 26.5%. 29,712. 84,266. 44,449. 71,806. 69,398 136,948. 186,582. 189,572. 253,117. 145,888. -8,352 -141,769 -19,599 155,737 -150,013 -28,893. -11,833. -84,033. 15,951. -18,274. -82,549. -129,761. -250,374. -114,525. -27,334 205.04. -10,625. -186 -18,213 -138,600 -39,380. 33.91 -108.31. 401.08. 461.10. 702.26. 1,245.48. 1,513.58. 1,170.57. 1,562.20. 80. 51. 50. 143. 237. 352. 624. 758. 588. 781. 10,684. 12,201. 12,304. 10,844. 10,629. 11,241. 11,946. 12,742. 13,837. 14,449. * 2019年3月期より「『税効果会計に係る会計基準』の一部改正」（企業会計基準第28号 2018年2月16日）を適用しており、2018年3月期の「総資産」および「自己資本比 率」は、当該会計基準を遡って適用した後の数値を記載しています。. CORP IR / 2021.05.13. ―. 819,301 1,012,977. 79.
(80) 将来見通しについて 本資料に記述されている当社の事業計画、将来予測などは、当社が作成時点で入手可能な情報に基づいて判断したものであり、経済情 勢、半導体/FPD市況、販売競争の激化、急速な技術革新への当社の対応力、安全・品質管理、知的財産権に関するリスク、新型コロ ナウイルスの影響など、さまざまな外部要因・内部要因の変化により、実際の業績、成果はこれら見通しと大きく異なる結果となる可 能性があります。 数字の処理について 記載された金額は単位未満を切り捨て処理、比率は1円単位の金額で計算した結果を四捨五入処理しているため、内訳の計が合計と 一致しない場合があります。 為替リスクについて. 当社の主力製品である半導体製造装置およびFPD製造装置の輸出売上は、原則円建てでおこなわれます。 一部にドル建ての決済もありますが、受注時に個別に先物為替予約を付し、為替変動リスクをヘッジしています。したがって、収益へ の為替レート変動による影響は極めて軽微です。 Gartnerのデータについて（7、8ページ） 本プレゼンテーションにおいてガートナーに帰属するすべての記述は、ガートナーの顧客向けに発行された配信購読サービスの一部と して発行されたデータ、リサーチ・オピニオン、または見解に関する東京エレクトロンによる解釈であり、ガートナーによる本プレゼ ンテーションのレビューは行われておりません。ガートナーの発行物は、その発行時点における見解であり、本プレゼンテーション発 行時点のものではありません。ガートナーの発行物で述べられた意見は、事実を表現したものではなく、事前の予告なしに変更される ことがあります。. CORP IR / 2021.05.13. FPD：フラットパネルディスプレイ. 80.
(81) CORP IR / 2021.05.13. 81.
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