高周波動作
(小信号モデル)
群馬大学 松田順一
概要 • 完全QSモデル • 等価回路の導出 • 容量評価 • y-パラメータモデル • NQS(Non-Quasi-Static)モデル • NQSモデルの導出 • NQS(高周波用)等価回路 • RFアプリケーションへの考察 2 (注)以下の本を参考に、本資料を作成。
(1) Yannis Tsividis, Operation and Modeling of the MOS Transistor Second Edition, McGraw-Hill, New York, 1999.
印加電圧の定義 (バイアス[dc]と小信号の電圧/電流成分) ) (t i ID d ) (t i IS s ) (t ig ) (t vg ) (t ib ) (t vd ) (t vb ) (t vs D V B V S V G V (D) (B) (S) (G)
小信号チャージング電流 4 小信号チャージング電流の表現 dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i s ss b sb g sg d sd sa s bs b bb g bg d bd b s gs b gb g gg d gd g s ds b db g dg d dd da ) ( ) ( ) ( ) ( lk kl o l K kl o K K kk C C k l v q C v q C 一般に、 , , 動作点での容量
容量の関係式(1) 0 0 0 ) ( ) ( ) ( ) ( 0 0 0 ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( sd bd gd dd d sd bd gd dd sa b g da s b g ds db dg dd da ds db dg dd da s b g d C C C C dt dv C C C C t i t i t i t i dt dv dt dv dt dv C C C C t i dt dv C C C C t i t v t v t v t v t v 下を得る。 となる。これから、以 を使うと、 とし、 となる。また、 であるから、 となり、 とすると、 ) (t v G V S V VB VD (G) (S) (D) (B)
容量の関係式(2) 6 dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C C C C dt dv C dt dv C dt dv C t i t i C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C C bs db gs dg ds dd s ds db dg dd bs db gs dg ds dd da da bs gs ds sb sg sd ss sb gb db bs bg bd bb sg bg dg gs gb gd gg sd bd gd ds db dg dd に関し以下を得る。 また、 と、以下を得る。 容量の関係をまとめる ) ( ) ( s bs b s gs g s ds d v v v v v v v v v dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C t i bs bb gs bg ds bd b bs gb gs gg ds gd g ) ( ) ( 同様に以下を得る。
小信号等価回路(チャージング電流) gg C bb C sa i ida dt dv Cdg gs dd C dt dv C bs db dt dv C bs gb dt dv C ds gd dt dv Cbg gs dt dv Cbd ds (g) (s) (d) (b) b i g i
小信号等価回路(チャージング+輸送電流) 8 (b) gg C bb C sa i ida dt dv Cdg gs dd C dt dv Cdb bs dt dv C bs gb dt dv C ds gd dt dv Cbg gs dt dv C ds bd (g) (s) (d) b i g i bs mbv g gs mv g sd g
小信号等価回路(変形) dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C t i dt dv C dt dv C dt dv C dt dv C C C dt dv C dt dv C dt dv dt dv C dt dv C dt dv dt dv C t i v v v v v v v v v v bs bs gb mx bg gb bd bd b bs mb gs m db bd ds sd dg gd da gs gs gb gb gd gd gs gb gd gg gb gb gd gd gs gb gb gs gg gs gd gd g gs gb gs bg bs gs gd gs dg ds ) ( ) ( ) ( 同様に、以下を得る。 gb bg mx bd db mb gd dg m C C C C C C C C C
完全QS小信号 等価回路 10 簡易版から追加 gs C Cgd bs C Cbd gb C dt dv Cm gs dt dv C bs mb gs mv g sd g sd C dt dv Cmx gb bs mbv g g i d i s i b i (g) (b) gb bg mx bd db mb gd dg m C C C C C C C C C (d) (s)
ドレインへの小信号印加等価回路 dt dv Cgd d gd C sd C bd C sd g ) (t vd ) (t vd ) (t ig (D) (B) (S) (G) (D) (B) (S) (G)
ゲートへの小信号印加等価回路 12 dt dv C C t v gm g( ) gd m g ) (t vg ) (t vg gd C gs C gb C dt dv Cm gs gs mv g dt dv Cmx gb ) (t id (D) (B) (S) (G) (D) (B) (S) (G)
容量の評価(1) 22 3 ' 1 1 0 1 1 15 6 12 8 4 : 1 2 1 T GS ox D D DS SB B S SB T SB db dg V V WLC Q q V V V V dV dV V C C 良い。) が小さい場合、近似が が大きく ( :定数) の微分は無視( と の 仮定 の導出 と 1 ' ' ' ' 0 1 T GS DS DS DS DS DS DS DS V V V V V V V V V dg B D db ox G D dg db dg C v q C C v q C C C 1 1 15 6 22 28 4 1 3 3 2 は以下になる。 と
容量の評価(2) 14 3 3 2 1 2 3 2 ' 2 1 1 2 0 ' 1 3 15 4 1 15 4 8 12 6 1 1 3 1 1 1 3 2 1 1 ox D S sd T GS ox S S sd gb bg ox G B bg T GS SB ox B B bg C v q C V V WLC Q q C C C C v q C V V V WLC Q q C の導出は、 である。また、 これは、 の導出
容量の評価(3) 1 ) ( 0 , 0 , 1 2 1 , , 0 , 1 , 1 2 2 1 15 4 , , 1 ' ' ' 0 5 5 1 1 3 3 2 SB T m mb ox SB bc m mb gg bb gs bs gd bd sg sb dg db DS GS SB mx gb bg mx gb bg DS c SB DS GS SB mb bg db mx m mb ox m mx mb m dV dV g g C V C C C C C C C C C C C C C V V V C C C C C C V k V V V V C C C C C C C C C C C る。 が小さい場合以下を得 と が大きく、 になる。また、 では、 いた正確な計算 ・シート・モデルを用 となったが、チャージ ここで、 に変える。 を以下の 精度を上げるには、 悪くなる。 が大きい場合に精度が と が小さく、 は、 の各値は以下になる。
Cdg,Cdb,Cbg,Csd vs. VDS(VSB=0) 16 Cdg Cdb Cbg Csd 1 1倍 Saturation Non-saturation VDS (V) V 2 with V, 9 . 0 , V 6 . 0 , V 5 . 0 0.5 0 0 GS T V V
Cdg,Cdb,Cbg,Csd vs. VDS(VSB=2V) V 2 with V, 9 . 0 , V 6 . 0 , V 5 . 0 0.5 0 0 GS T V V Cdg Cdb Cbg Csd Saturation Non-saturation VDS (V)
Cm,Cmb,Cmx vs. VDS(VSB=0) 18 gb bg mx bd db mb gd dg m C C C C C C C C C V 2 with V, 9 . 0 , V 6 . 0 , V 5 . 0 0.5 0 0 GS T V V Saturation Non-saturation Cm Cmb Cmx 1 1倍
Cm,Cmb,Cmx vs. VDS(VSB=2V) V 2 with V, 9 . 0 , V 6 . 0 , V 5 . 0 0.5 0 0 GS T V V Saturation Non-saturation Cm Cmb Cmx VDS (V)
非飽和領域での各容量 ゲート側容量 基板側容量 ゲート~基板間容量 ドレイン~ソース間容量 ドレイン/ソース容量 lk kl DS lk kl DS C C V C C V の場合、 一般に、 の場合、 0 0 0 6 3 0 2 1 2 1 0 1 1 ' 1 ' mx mb m ox sd ds ox ss dd bg gb bb sb bs bd db SB bc gg bb gg sg gs gd dg ox ox gg DS C C C C C C C C C C C C C C C C WL V C C C C C C C C WL C C C V での容量 20
飽和領域での各容量 ox bg gb SB bc gs bs SB bc sg sb ox gs ox sg bd SB bc dg db gd ox dg DS DS C C C WL V C C C WL V C C C C C C C C WL V C C C C C C V V 1 ' 1 ' 1 ' 1 ' 1 3 2 1 5 2 1 3 2 5 2 0 15 4 1 0 15 4 0 る。 での容量は、以下とな 0 15 4 1 15 4 5 2 0 3 1 1 3 2 3 1 3 2 0 15 4 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 SB bc m mb ox m ox ss dd ox bb ox gg sd ox ds C WL V C C C C C C C C C C C C C C C ド レ イ ン 側 容 量 ソ ー ス 側 容 量 ゲート~ 基板 ドレイン~ ソース間容量
yパラメータモデル(電流・電圧表現:小信号) 22 小信号等価回路 vg vg g t M t v ( ) cos vg j vg g M e V Is Id Ig Ib Vd Vg Vs Vb s s b b g g d d I t i I t i I t i I t i ) ( ) ( ) ( ) ( s s b b g g d d V t v V t v V t v V t v ) ( ) ( ) ( ) (
yパラメータの定義 d I d I d I d I ) d ( ) d ( ) d ( ) d ( ) b ( ) s ( ) g ( 0 , , s b g V V V d d dd V I y 0 , , s b d V V V g d dg V I y 0 , , s g d V V V b d db V I y 0 , , b g d V V V s d ds V I y d V g V b V s V
yパラメータを用いた電流表現(1) 24 s ss b sb g sg d sd s s bs b bb g bg d bd b s gs b gb g gg d gd g s b g l n V l k kl s ds b db g dg d dd V V V d V V V d V V V d V V V d d d V y V y V y V y I V y V y V y V y I V y V y V y V y I I I I V I y V y V y V y V y I I I I I I n b g d s g d s b d s b g 。 は以下の式で表される に、 である。これから同様 ここで、 。 は以下の式で表される であるため、 小信号等価回路が線形 , , , 0 0 , , 0 , , 0 , , 0 , ,
bs bb gs bg ds bd b bs gb gs gg ds gd g b g bs db gs dg ds dd s ds db dg dd bs db gs dg ds dd s ds b db g dg d dd d bs gs ds ss sb sg sd ss sb gb db bb bs bg bd bb sg bg dg gg gs gb gd gg sd bd gd dd ds db dg dd V y V y V y I V y V y V y I I I V y V y V y V y y y y V y V y V y V y V y V y V y I y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y y , , 0 0 0 0 。 は以下の式で表される と 同様に 下の関係がある。 また、電流に関して以 以下の関係がある。 パラメータの間には、 yパラメータを用いた電流表現(2) l k kl V V V
ソース参照yパラメータモデル 26 ds gdV y ygbVbs gs bgV y ds bdV y gg y bb y dd y gs dgV y bs dbV y g I b I d I ) g ( ) d ( ) b ( ) s ( d Id I ) g (
yパラメータを用いた電流表現(3) sb ss gb sg db sd s sb gs gb gg db gd g s g sb ds gb dg db dd sb ds b ds db dg dd gb dg db dd s ds b db g dg d dd d d V y V y V y I V y V y V y I I I V y V y V y V y V y y y y V y V y V y V y V y V y I I 。 は以下の式で表される と これから同様に、 る。 は以下の如く変形され また、
基板参照yパラメータモデル 28 g I db gdV y ydsVsb sb gsV y db sdV y gg y ss y ydd gb dgV y gb sgV y (d) ) s ( ) g ( ) b ( s I Id
yパラメータを用いた電流表現(4) bs bs gb mx bg gb bd bd b gs gs gb gb gd gd g bs mb gs m db bd ds sd dg gd bs bd db gs gd dg db bd ds sd dg gd bs db gs dg ds sd bs db bd gs dg gd bs db gs dg ds sd bd gd bs db gs dg ds dd d V y V y V y V y I V y V y V y I V y V y V y V y V y V y y V y y V y V y V y V y V y V y V V y V V y V y V y V y y y V y V y V y I 。 同様に以下が導かれる 係がある。 電流に関して以下の関 gb bg mx bd db mb gd dg m y y y y y y y y y
一般的なyパラメータモデル mx mx mb mb mb m m m sd sd sd gb gb bs bs bd bd gs gs gd gd C j y C j g y C j g y C j g y C j y C j y C j y C j y C j y 小信号の場合 完全QS -ygd Ig Id Ib -ybd -ygb ymVgs ymbVbs -ysd -ygs -ybs ymxVgb (d) (b) (g) (s) 30
) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( 1 ) ( d 2 1 1 0 0 ' ' 0 ' ' 0 ' ' 0 ' 1 0 ' ' 1 0 1 x V V V V x U x U C x Q dx x Q W Q Q x V V V C x Q dx x Q W Q x V V C x Q c V V V CS BS FB GS I I ox I L G G o CS FB GS ox G L B B CS BS ox B B S SB の結果から 照モデル(直接導出) 簡単化されたソース参 バイアス印加すると、 の微分は無視する。) または の ( 。 に関し以下を仮定する NQS強反転モデル(1):dc 0 ) ( ) ( ' ' ' ' B I o G SB CB CS SB GB GS Q Q Q Q V x V x V V V V
NQS強反転モデル(2):dc 32 12 2 2 2 2 2 1 ' 2 2 1 ' ' 1 ' 1 ' ) 0 ( ) ( ) 0 ( ) ( ) ( ) ( ) 0 ( 2 0 ) ( ) ( 2 ) ( d ) ( ) ( 1 ) ( ) ( 1 ) ( ) ( ) ( ) ( I I I I I D I I ox D I I ox D D I I I ox I I CS I I I U L U L x U x U x U I L U U C L W I x L U x U C x L W I L x I x I c dx x dU x U WC dx x dU x WQ dx x dV x WQ x I x I x 。 を解くと、以下を得る に関する上2式から の場合、以下になる。 となる。 まで積分すると、 から である。上式を の場合、 は、以下になる。 における電流 チャネル内の点
NQS強反転モデル(3):dc 0 dc , , ) ( , , ) ( ) 0 ( 0 ) 0 ( ' ' 1 0 0 ' 1 0 0 ' ' ' 0 0 B G DS DS DS BS FB GS DS DS DS BS FB GS I DS DS DS DS DS DS CS BS FB GS I CS I I V V V V V V V V V V V V L U V V V V V V L V V V V U V る。 成分に関し、以下とす となる。また、ここで であるから、 ン端では、 となる。また、ドレイ であるから、 ソース端では、
NQS強反転モデル(4):時間変化(大信号) 34 t t x u W C x t x i x t x u t x q W t x i t x i t x v t v V t v t x u t x u C t x q dx t x q W t q t x v t v C t x q dx t x q W t q Q t x v V t v C t x q I ox I I I I I CS BS FB GS I I ox I L B B CS BS ox B L G G o CS FB GS ox G ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) ( ) ( ) , ( ), , ( ) , ( ) , ( ) ( , ) , ( 1 ) ( ) , ( ) , ( ) ( , ) , ( ) ( ) , ( ' ' 1 1 0 0 ' ' 0 ' 1 0 ' ' 0 ' ' 0 ' ' から以下を得る。 となる。電流連続の式 は、 また、電流 表される。 変化はそれぞれ以下で 全量(大信号)の時間 dt t dq t i dt t dq t i t L i t i B B G G I D ) ( ) ( ) ( ) ( ) , ( ) ( 。 以下が端子電流である
NQS強反転モデル(5):時間変化(小信号) ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ' ' ' ' ' ' t x u x U t x u t q Q t q t x q x Q t x q t q Q t q t x q x Q t x q t v V t v t v V t v t v V t v i I I b B B b B B g G G g G G ds DS DS bs BS BS gs GS GS 得る。 間変化量を以下の如く 上記電圧による他の時 小信号) バイアス量 (全変化量 義する。 全端子電圧を以下で定
NQS強反転モデル(6):時間変化(小信号) 36 dx t x q W t q dx t x q W dx x Q W dx t x q x Q W t q x Q t x v t v C t x q t x v t v C Q V V V C Q t x v V V t v V C t x q x Q L g g L g L G L g G g G cs gs ox g cs gs ox o CS FB GS ox o cs CS FB gs GS ox g G 0 ' 0 ' 0 ' 0 ' ' ' ' ' ' 0 ' ' 0 ' ' ' ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( から、以下を得る。 となる。また、 となるため、 表すと、 と小信号部分に分けて ゲート電荷をバイアス
NQS強反転モデル(7):時間変化(小信号) dx t x q W t q t x v t v C t x q t x v t v C x V V C t x v x V t v V C t x q x Q t v V t v V t v t x v t v C t x q L b b cs bs ox b cs bs ox CS BS ox cs CS bs BS ox b B bs BS bs BS BS CS BS ox B 0 ' 1 ' ' 1 ' 1 0 ' 1 1 0 ' ' ' 1 0 0 0 1 0 ' ' ) , ( ) ( ) , ( ) ( 1 ) , ( ) , ( ) ( 1 ) ( 1 ) , ( ) ( 1 ) ( 1 ) , ( ) ( ) ( 1 ) ( ) ( ) , ( 1 ) ( ) , ( る。 また、同様に以下も得 る。 になるため、以下を得 とすると、 をテイラー展開して の中の、ルートの表現 に 同様の表現を得るため 空乏層電荷に関して、
NQS強反転モデル(8):時間変化(小信号) 38 界条件になる。 を得る。これらは、境 であるから、 、ドレインで は、ソースで 、以下を得る。 処理をして整理すると と同様の 表現に に関しても、ルートの ) ( ) ( 1 ) ( ) ( ) , ( ) ( 1 ) ( ) , 0 ( ) ( 0 ) , ( ) , ( ) ( 1 ) , ( ) ( ) , ( ) ( 1 ) ( ) , ( ) , ( ) , ( 1 1 1 1 1 ' t v t v t v t v t L u t v t v t u t v t x v t x v t v t x v t v t x v t v t v t x u t x q t x u ds bs ds gs i bs gs i ds cs cs bs cs gs cs bs gs i B i
NQS強反転モデル(9):時間変化(小信号) t t x u W C x t x i t x U x x I t x u x U x WC t x i x t x u t x u t x u x U x x x U x U WC t x u x U x t x u x U C W x t x u t x q W t x i x I t x i t x i i ox i I I i I ox i i i i I I I ox i I i I ox I I i I I i ) , ( ) , ( 0 ) ( , 0 ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) ( ) ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) ( ) , ( ) , ( ) , ( ) ( ) , ( ) , ( ' 1 ' 1 ' ' 1 ' 1 から以下を得る。 を得る。また、 ると、 内の最後の項を無視す であるから、 を求める。
NQS強反転モデル(10):時間変化(小信号) 40 v t v t u x t dx dt d WC dt t dq t i t i dx t x u t v t v dt d WC dx t x v t v dt d WC dt t dq t i t L i t i L i gs bs ox b b b L i bs gs ox L cs gs ox g g i d 0 1 1 ' 1 0 1 1 1 ' 0 ' ) , ( 1 ) ( ) ( 1 1 ) ( ) ( ) ( ) , ( 1 ) ( ) ( 1 ) , ( ) ( ) ( ) ( ) , ( ) ( は以下になる。 となる。同様に、 の小信号電流は、 となる。また、ゲート は、 ドレインの小信号電流 ( ) 1 ( ) ( , ) 1 ) , ( ) , ( ) ( 1 ) ( ) , ( 1 1 1 1 t x u t v t v t x v t x v t v t v t x u i bs gs cs cs bs gs i
NQS強反転モデル:指数関数励起 t j b b t j g g t j d d t j i i t j i i t j ds ds t j bs bs t j gs gs e I t i e I t i e I t i e x I t x i e x U t x u e V t v e V t v e V t v ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( ) ( ) ( ) ( ら、以下を得る。 した式は線形であるか これらの小信号に関連 とする。 印加電圧を以下の如く
指数関数励起のある場合の関係式 42 dx x U V V L W C j I dx x U V V L W C j I L I I V V V V L U V V U x WU C j x x I x U x U x WC x I L i gs bs ox b L i bs gs ox g i d ds bs ds gs i bs gs i i ox i i I ox i 0 1 1 ' 1 0 1 1 1 ' 1 1 ' 1 ' ) , ( 1 1 1 ) ( ) , ( 1 1 ) ( ) , ( ) ( 1 ) , ( 1 ) , 0 ( ) , ( ) , ( ) , ( ) ( ) , (
小信号電流値(Id,Ig,Ib)の表現 ) ( ) ( , ) ( ) ( , ) ( ) ( ) ( ) ( , ) ( ) ( , ) ( ) ( ) ( ) ( , ) ( ) ( , ) ( ) ( ) ( , ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ), ( ), ( 2 2 1 0 2 2 1 0 D N y D N y D N y D N y D N y D N y D N y D N y D N y d j d j d D n j n j n N D V N V N V N t I D V N V N V N I D V N V N V N I I I I bb bb bg bg bd bd gb gb gg gg gd gd db db dg dg dd dd kl kl kl kl bs bb gs bg ds bd b bs gb gs gg ds gd g bs db gs dg ds dd d b g d 連付けられる。 メータと以下により関 である。また、yパラ ここで、 。 は以下の如く表される b g d l k, , ,
一般的なyパラメータモデル(等価回路)との関連付け 44 bd gd dd sd bg bd bb bs gb gd gg gs bd gb gd y y y y y y y y y y y y y y y y れる。 下によって関連付けら 他のパラメータは、以 。 は直接関連付けられる パラメータの , ,
NQSの場合のyパラメータ 1 4 , 2 1 3 1 3 1 2 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 j g y j C j C j y j j C j y j j C j y j j C j y j j C j y sd sd sat gb gb gb bd bd gd gd bs bs gs gs 5 4 3 2 0 4 2 2 0 3 2 2 0 2 3 2 0 1 1 2 13 30 13 2 1 15 2 2 1 2 8 5 1 15 1 2 1 1 5 8 2 1 15 1 1 3 1 1 15 4 2 0 L V VGS T 0 1 1 1 1 mx mb mb m m y j g y j g y ソ ー ス 側 の y ド レ イ ン 側 の y
低周波の場合のyパラメータ 46 が成立する。 が大きい場合、 が小さく、 または また、 する。 中間周波モデルに一致 が低 となり、高周波モデル 、 ≪ 低周波の場合( 1 / 0 , , , , , , ) 1 0 SB T m mb gd bd gs bs SB GS DS mx mb mb m m sd sd gb gb bd bd gd gd bs bs gs gs dV dV y y y y y y V V V y g y g y g y C j y C j y C j y C j y C j y 1 1 ' ' SB T m mb ox SB bc gd bd gs bs dV dV g g C V C C C C C
NQSの場合のyパラメータの近似 近似方法 1 2 2 2 1 1 1 ≪ の j が j 0 1 , 1 1 , 1 1 , 1 1 1 1 1 1 1 mx mb mb m m sd sd y j g y j g y j g y ≪ ≪ ≪ ソ ー ス 側 の y ド レ イ ン 側 の y は他に比べて小さい。 主モードであるが、 の中では は 小では、 非飽和領域且つ 飽和領域では、 但し、 ≪ ≪ ≪ ≪ gb a DS a sat gb a a gb gb bd bd gd gd bs bs gs gs y y V y j C j y y C j y j C j y j C j y j C j y j C j y 0, 1 1 , 1 1 , 1 1 , 1 1 , 1 1 4 , 2 3 3 1 3 3 1 2 2 1 2 2 1
yパラメータの等価回路 48 bd gd bs gs y y y y , , , ysd j C j y 1 j g y 1 g g 1 C C
NQS小信号等価回路 時定数の関係 抵抗の関係 g s R g s C Cg d g d R bs C bs R bd C bd R sd g 1 Lsd g I d I gs m V j g 1 1 bs mb V j g 1 1 g b C ya 1 3 1 2 1 sd sd bd bd gd gd bs bs gs gs g L C R C R C R C R GS T ox ox kl V V C W L C R ' 1 0
インダクタンス成分の解釈 50 sd g 2 1 sd g 2 1 sd g 1 sd L i V i V C o I o I o i i v (D) (B) (G) (S) (D) (S) (D) (S) i sd o V j g I 1 gsd C 4 sd sdg L A B 強反転状態:チャネルは均一抵抗 AとBで同じ
完全QSモデルとNQSモデルの比較 は無視する。 モデルになる。但し、 モデルは完全 となり、 であるから、 モデルの場合、 となる。完全 ≪ ≪ ≪ であるから、 の場合、 ≪ mx mb mb m m sd sd mb mb mb m m m sd sd sd mb mb mb m m m sd sd sd C C g C g C g C j g y C j g y C j g y g j g y g j g y g j g y j j QS NQS , , QS 1 , 1 , 1 , 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
複素数係数を用いない等価回路 52 g s R g s C Cg d g d R bs C bs R bd C bd R sd g 1 Lsd g I d I b I 1 V gm 2 V gmb g b C ya 1 R 1 C 2 R 2 C + - + - 2 1 2 2 1 1 1 1 2 2 1 1 1 1 2 1 1 2 1 1 1 , 001 . 0 , 001 . 0 1 1 1 1 1 1 C R C C C R C C C R C R V j V V j V V g V j g V g V j g bs gs bs gs mb bs mb m gs m 1 V 2 V
飽和領域での等価回路 ox gs C C 3 2 m gs g R 5 1 gs m V j g 0 75 . 3 1 bs mb V j g 0 75 . 3 1 ox bs C C 3 2 1 1 m bs g R 5 1 1 1 ox gb C C 1 1 3 1 ya sd g 1 Lsd ) (g ) (d ) (s
ymの規格化された大きさと位相 vs. ω 54 2 0 L V VGS T a:低/中間周波モデル~ω0/10 b:完全QSモデル~ω0/3 c:NQS(高周波) モデル~ ω0 d:高次項含むモデル~10ω0 a b c d 0 1 . 0 0 1 . 0 0 10 m m g y m y 0 0 10 a b,c d axis) (log axis) (log 5 . 1 0 . 1 5 . 0 0 45 90
M. Bagheri and Y. Tsividis,”A small-signal dc-to-high-frequency nonquasi-static model for the four-terminal MOSFET valid in all regions of operations,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-32, pp. 2383-2391, November 1985.
完全トランジスタの小信号モデル 1 ge R Rge4 Rge3 2 ge R gse C sde C gde C 1 se R Rse2 Rde2 Rde1 2 be R 1 be R Rbe3 4 be R gbe C ' g ' d ' b ' s bse C NQS小信号等価回路 (真性トランジスタ部分) ) (b (b') ' bb C ) (s (d) ) (g bde C
完全トランジスタの小信号モデル(実用的) 56 NQS小信号等価回路 (真性トランジスタ部分) Rge Rde Rbe Cbb’ Rse Cgde Cgse Cbse Cbde Cgbe (g) (s) (b) (d) g’ d’ b’ s’ (b’)
ソースと基板を短絡した場合の小信号モデル:飽和状態 gs R sd g 1 gse C ) ( ), (s b (d) ) (g gs C de R se R bde C gde C ' ' 1 1 gs m V j g ' g ' s ) D ( ) G ( (B) ), S (
ゲート抵抗の分布 58 片側コンタクトの場合の実効ゲート抵抗 両側コンタクトの場合の実効ゲート抵抗 □ R L W Rgeeff 3 1 , □ R L W Rgeeff 12 1 , (G) (D) (S) m W m Rge m W m Rge m W m Rge m W m Rge m W m Rge drain source gate metal L W
トランジション周波数評価回路 Rge Ii Io Cgd Cgb Cgs Cbd Ii gmVg’s 1/gsd 無視 を流れる電流 (2) 真性+外部容量 (1) sd bd gd gd gb gs g g i m s g m o g C C C C C C C j I g V g I / 1 , , ' 出力電流
トランジション周波数 60 L v v WC g L V V WL C C V V V V C L W g C g I I C j g I I C C g C j I g V g I C j I V C C C C d T T d ox m T GS T T ox g DS DS T GS ox m g m T i o T g m i o gd bd sd g i m s g m o g i s g gd gb gs g max max ' 0 2 ' ' ' , 1 , , ' ' ' ' は以下になる。 から、 速度飽和がある場合、 は以下になる。 とすると、 、 速度飽和がない場合、 から、以下になる。 は、 トランジション周波数 である。 この場合の利得は、 てある。したがって、 に流れる電流を無視し となる。ここで、 流は である。また、出力電 は )~グランド間の電圧 を使うと、ゲート(g )~グランド間の容量 g 成分を含めたゲート( 真性部分と外部の容量
最大周波数 容量に注意) デバイスの分割(寄生 マルチコンタクト、 タルゲート、 シリサイドゲート、メ を大きくする。 を小さくすることが ≪ となる。 が のところの となる。これが は )場合の フィードバックのない 一方向 ) ( ) ( 最大周波数: max , , , max max 2 2 T max , , 4 1 4 Gain Power ( Power Input / Power Load Gain Power 1, Gain Power : Frequency Gain Power Unity eff ge eff ge ge ge se gd T sd eff ge T gd T sd ge R R R R R C g R C g R