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ザイリンクスの次世代 28nm FPGA テクノロジの概要、ホワイト ペーパー (WP312)

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ザ イ リ ン ク ス は、次世代の FPGA に高性能かつ低消費電力の 28nm HKMG (High - κ メ タ ル ゲー ト ) プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジ を採用 し 、さ ら に ASMBL™ アーキ テ ク チ ャ を統一す る こ と に よ っ て、 こ れま で以上の性能 と 省電力性を実現す る FPGA を提供 し ます。 卓越 し た集積度 と 帯域幅を可能にす る 28nm FPGA デバ イ ス の登場に よ り 、シ ス テ ム アーキ テ ク ト や設計 者は、 ASSP あ る いは ASIC を使用 し ていた分野に も 完全に プ ロ グ ラ マブルな FPGA を採用で き る よ う にな り ます。

ザ イ リ ン ク ス の 28nm テ ク ノ ロ ジお よ び新 し い アーキ テ ク チ ャ には、 次の よ う な革新的特長があ り ます。

ほかの高性能 28nm プ ロ セ ス に よ る アプ ロ ーチに比べ、 ス タ テ ィ ッ ク 消費電力が最大 50% 抑制

前世代の FPGA に比べ、 シ ス テム レベルの性能が最大 50% 向上

前世代の FPGA に比べ、 集積度が 2 倍に拡大 し 、 総消費 電力が最大 50% 削減

本稿では、 半導体業界が市場ニーズ を満たす上で現在直面 し てい る 課題 と 、ザ イ リ ン ク ス が採用 し た 28nm プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジ が こ れ ら に ど の よ う に対応す る かについ て説明 し ま す。 高性能かつ低消費電力のプ ロ セ ス と 革新的な アーキ テ ク チ ャ を組み合わせた次世代の 28nm FPGA は、 低消費電力が 求め ら れ る ア プ リ ケーシ ョ ン と 広帯域幅が求め ら れ る 超ハ イ エ ン ド ア プ リ ケーシ ョ ン の両方に と っ て理想的な選択肢 と な り ます。

ホワ イ ト ペーパー : 28nm テ ク ノ ロ ジ

WP312 (v1.0) 2010 2 19

28nm テ ク ノ ロ ジ を採用 し た ザイ リ ン ク スの次世代 FPGA

By: Susan Chen、Xin Wu、Prabhuram Gopalan

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技術面 と コ ス ト 面の課題 : ス タ テ ィ ッ ク消費電力の抑制によ る実用的性能の向上 と シ ス テム消費電力の削減

技術面 と コ ス ト 面の課題 :

ス タ テ ィ ッ ク 消費電力の抑制に よ る実用的性能の向上 と シ ス テム消費電力の削減

IC を多数内蔵 し たシ ス テ ムが広 く 普及 し た今日、消費電力の増大は世界的規模で大 き な問題 と な っ てい ます。 消費電力の増大は環境問題 と し てだけでな く 、 シ ス テ ムの構築お よ び運用 コ ス ト を押 し 上げ る と い う 点で も 問題 と な り ます。過剰な熱を除去す る には、複雑な ヒ ー ト シ ン ク やフ ァ ン を使用 し た り レ ギ ュ レー タ の数を増やすな ど の対策が必要 と な り 、 こ れ ら はいずれ も 資本 コ ス ト (CAPEX) を増大 さ せ る 要 因 と な り ます。 ま た、 デバ イ ス の駆動 と 冷却に必要な電力を合計 し た総消費電力 も 増加す る ため、 運用 コ ス ト (OPEX) も 増大 し ます。 さ ら にシ ス テ ムが過度の高温に さ ら さ れ る と 信頼性が低下 し 、 そのダ ウ ン タ イ ムが増加す る こ と で運用 コ ス ト が一層膨れ上が る こ と にな り ます。

半導体の微細化の傾向は今 も なおムーアの法則に従っ てい ます。半導体プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジの各世代で 集積度は倍増 し 、 低 コ ス ト 化が進んでい ま す。 し か し こ れ ま では、 フ ィ ーチ ャ サ イ ズの微細化 と ス タ テ ィ ッ ク 消費電力の増加は表裏一体 と 考え ら れてお り 、 微細化の メ リ ッ ト が相殺 さ れてい ま し た。 こ の 問題に真っ先に直面 し たのが FPGA 業界です。FPGA 業界は、 性能 と 集積度に対す る 高い顧客ニーズ を 満たすため、半導体業界の中で も 特に最先端のプ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジ を積極的に導入 し て き た経緯があ る ためです。 事実、 最先端のプ ロ セ ス を導入 し て も 消費電力の制約に よ っ て集積度 と 回路速度の向上を実 際のシ ス テ ム設計で活か し き れないケース も 少な く あ り ませんで し た。 そ こ で、 ザ イ リ ン ク ス は次世代 シ ス テ ムの設計には 「実用的性能」 の向上が鍵 と な る と 考え ま し た。 実用的性能 と は、 一定の消費電力 の枠内で得 ら れ る デー タ 処理能力 と 定義 さ れ る も のです。 ス タ テ ィ ッ ク 消費電力を削減で き れば、 その 枠内で許容可能なダ イ ナ ミ ッ ク ( ア ク テ ィ ブ) 消費電力が大 き く な り 、 実用的性能が向上 し ます。 その 結果 と し て、 よ り 高い イ ン タ ーフ ェ イ ス帯域幅をサポー ト し た り 、 ロ ジ ッ ク 、 メ モ リ 、DSP 、 あ る いは その他の高度な機能の リ ソ ース を多数、1 つの FPGA に実装 さ せ る こ と が可能 と な り ます。

つま り 、FPGA 設計ではダ イ ナ ミ ッ ク 電力の管理 と 同時に、 性能に寄与 し ない ス タ テ ィ ッ ク 消費電力 ( リ ー ク 電流) の増加を制御す る こ と が重要 と な り ます。 し か し 現実には、 プ ロ セ ス形状の微細化 と と

も に ス タ テ ィ ッ ク 消費電力は増加の一途を た ど っ てい ま し た。 場合に よ っ ては、 ス タ テ ィ ッ ク 消費電力 がダ イ ナ ミ ッ ク 消費電力を上回 る こ と さ え あ り ます (図 1 参照)。

28nm ノ ー ド 以前の FPGA 業界では、電源電圧を下げ る こ と と Multi-Vt 手法 (し き い値電圧の異な る ト ラ ン ジ ス タ を使用す る 技術) を採用す る こ と で消費電力の増大を抑え て き ま し た。 し か し 28nm ノ ー ド では新 し いアプ ロ ーチが必要です。

28nm ノ ー ド で 「実用的性能を高め る 」 と い う 課題に対処す る ため、 ザ イ リ ン ク ス はパー ト ナの TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) 社 と サム ス ンエ レ ク ト ロ ニ ク ス社 と 協力 し 、HKMG を採用 し た高性能かつ低消費電力の 28nm FPGA プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジ を開発 し ま し た。こ の新 し いプ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジは、40nm FPGA プ ロ セ ス の開発成果をベース に、 新たに HKMG テ ク ノ ロ ジ を導入 し て消費電力を抑え る こ と に よ り 、 実用的性能を最大限に高めてい ます。

X-Ref Target - Figure 1

図 1 :デバイ ス全体のダ イ ナ ミ ッ ク消費電力 と ス タ テ ィ ッ ク消費電力の推移 100

1

0.01

0.0001

0.0000001

300 250 200 Dynamic

Power Gate

Length

Sub-Threshold Leakage

Gate-Oxide Leakage

100 150

50 0

Normalized Total Device Power Dissipation Physical Gate Length (nm)

WP312_01 _021810

1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020

Source: Semiconductor Industry Association. The International Technology Roadmap for Semiconductors, 2002 Update.

SEMATECH: Austin, TX, 2002.

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28nm FPGA の最適な プ ロ セス テ ク ノ ロ ジ : HKMG 高性能 ・ 低消費電力プ ロ セス

ザ イ リ ン ク ス が選択 し た こ のテ ク ノ ロ ジは FPGA 業界においては比較的珍 し い も のですが、 その他の 28nm プ ロ セ ステ ク ノ ロ ジ よ り も ス タ テ ィ ッ ク 消費電力が大幅に削減 さ れ る ため、 大手 IC サプ ラ イ ヤ 各社が注目 し つつあ り ます。28nm ノ ー ド の場合、 デバ イ ス の総消費電力の大部分を ス タ テ ィ ッ ク 消費 電力が占め る こ と も 珍 し く あ り ません。 し たがっ て、 電力効率を最大限にす る にはプ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジ の選択が大 き な鍵を握 り ます。

ス タ テ ィ ッ ク 消費電力を大幅に削減 し た 28nm FPGA では、 許容可能なダ イ ナ ミ ッ ク (ア ク テ ィ ブ) 消 費電力が大 き く な る ため、 集積度 と 性能を さ ら に向上 さ せ る こ と がで き ます。 こ のため、 よ り 低消費電 力の製品を開発 し た り 、 あ る いは同 じ 消費電力で も 集積度 と 性能を向上 さ せた製品を開発で き る な ど の 柔軟性を設計者に も た ら し ます。

28nm FPGA の最適な プ ロ セス テ ク ノ ロ ジ : HKMG 高性能 ・ 低消費電力プ ロ セス

形状が 28nm にな る と 、 従来の FPGA プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジでは消費電力が限界に達 し 、 つま り は性能 を こ れ以上引 き 上げ る こ と がで き ません。 こ の問題の原因は、 こ れ ま で数十年にわた っ て IC の ト ラ ン ジ ス タ 製造に使用 さ れて き た ポ リ シ リ コ ン ゲー ト と シ リ コ ン酸窒化ゲー ト 絶縁膜 (Poly/SiON) ス タ ッ ク にあ り ます。

ト ラ ン ジ ス タ の動作を高速化す る ため、 半導体エン ジニアはプ ロ セ ス ノ ー ド の微細化に伴っ てゲー ト 絶 縁膜の薄膜化を進めて き ま し た。 し か し ゲー ト 絶縁膜が薄 く な っ た こ と でゲー ト 絶縁膜を介 し た ト ン ネ ル効果 と ゲー ト 直下の リ ー ク 電流が大 き く な り 、 リ ー ク 電流が増え る 結果 と な り ま し た。 こ れ ら の影響 に よ り 、 プ ロ セ ス ノ ー ド の世代が進むに伴っ て ス タ テ ィ ッ ク 消費電力は大幅に増大 し ます。

ザ イ リ ン ク ス は 90nm ノ ー ド で画期的な 「 ト リ プル酸化膜」 回路テ ク ノ ロ ジ を採用 し 、40nm ノ ー ド ま では こ の手法で ト ン ネル電流の抑制に成功 し て き ま し た。 し か し 28nm ノ ー ド ではゲー ト 酸化膜が さ ら に薄 く な る ため、ト ン ネル効果を防 ぐ にはゲー ト 材料 と アーキ テ ク チ ャ を変更す る 必要があ り ます。ゲー ト 直下の リ ー ク 電流 (サブ ス レ ッ シ ョ ル ド リ ー ク) を抑え る ため、 ザ イ リ ン ク ス では ト ラ ン ジ ス タ 設計 において慎重な ト レー ド オ フ を敢行 し ま し た。

28nm ノ ー ド におけ る リ ー ク 電流の問題を解決す る ためにザ イ リ ン ク ス が採用 し たのが、「二酸化ハフ ニ ウ ム」 と 呼ばれ る 新 し いゲー ト 絶縁膜材料です。 こ れは比誘電率 (κ) が高 く 、 ゲー ト 絶縁膜を厚 く で き る ため、 ト ン ネル電流の少ない ト ラ ン ジ ス タ の製造が可能 と な り ます。 た と えば、40nm テ ク ノ ロ ジで 使用 し ていた二酸化シ リ コ ンのκ値は 3.9 ですが、28nm メ タ ルゲー ト テ ク ノ ロ ジの二酸化ハフ ニ ウ ム のκ値は 25 と 大 き く 、28nm ノ ー ド で高性能 と 低消費電力を両立 さ せ る には最適な選択肢であ る と い え ます (図 2 参照)。

X-Ref Target - Figure 2

図 2 :プ ロ セステ ク ノ ロ ジの微細化 と ゲー ト 電流密度の関係 100.000

Poly/SiON

HKMG 10.000

1.000

0.100

0.010

0.001

Process Technology (nm) Current Density (A/cm2)

WP312_02_021710

130 90 65 40 28

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パラ ド ッ ク ス を解消 : 高性能 と 低消費電力の両立

ザ イ リ ン ク ス は高性能かつ低消費電力の 28nm HKMG プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジの採用に至 る 過程で、 標準 の低消費電力 (LP) プ ロ セ スや高性能 (HP) プ ロ セ ス な ど い く つかの選択肢を検討 し ま し た。

28nm LP プ ロ セ スは、40nm 世代の Poly/SiON アプ ロ ーチを発展 さ せた も のであ り 、 リ ス ク はそれほ ど 大 き く あ り ません。 し か し ト ラ ン ジ ス タ の ス イ ッ チン グ速度 と 性能が十分ではな く 、FPGA に求め ら れ る 要件を満たす こ と がで き ません。 一方、28nm HP プ ロ セ ス は性能 こ そ高い も のの、 消費電力が増加 し て し ま う ため、 実用的性能は制限 さ れて し ま い ます (図 3 参照)。

さ ら に、28nm HP プ ロ セ ス では HKMG と シ リ コ ンゲルマニ ウ ム (SiGe) 歪み技術を組み合わせ る 必要 があ り ます。 こ の よ う に製造プ ロ セ ス で最先端の技術を 2 種類組み合わせ る こ と には大 き な リ ス ク が伴 い ます。 その点、 高性能かつ低消費電力の 28nm HKMG プ ロ セ ス はシ ンプルな ス ト レ ス リ ニア歪み技 術を使用す る ため、 その リ ス ク が低減 さ れます。

ザ イ リ ン ク ス は 40nm FAGA では世界的な フ ァ ウ ン ド リ の UMC 社 と 提携 し てい ますが、28nm FPGA では さ ま ざ ま なプ ロ セ ス の選択肢を評価検討 し た結果、TSMC 社 と サム ス ン社 と い う 大手シ リ コ ンフ ァ ウ ン ド リ をパー ト ナ と す る こ と に至 り ま し た。 こ れは、 ザ イ リ ン ク ス の次世代 FPGA デバ イ ス に求め ら れ る 要件を考慮 し た場合、 こ の 2 社に ま さ る フ ァ ウ ン ド リ はない と 判断 し たためです。 こ れ ら フ ァ ウ ン ド リ の技術は性能 と 電力効率のバ ラ ン ス に優れてお り 、 製品要件を理想的な形で満たす も のです。 ザ イ リ ン ク ス は 28nm FPGA で も 定評のあ る マルチフ ァ ウ ン ド リ 戦略を踏襲 し 、テ ク ノ ロ ジ リ ーダー と し て の地位を維持 し なが ら 製品の早期市場投入を図っ てい き ます。 ま た、 こ の よ う な ス ト ラ テジは地理的な 分散に よ っ て供給 リ ス ク を低減す る と い う 目的 も 兼ねてい ます。

パラ ド ッ ク ス を解消 :

高性能 と 低消費電力の両立

FPGA は、 オー ト モーテ ィ ブ、 放送、 民生、 産業、 医療、 テ ス ト お よ び計測、 ビデオ、 有線通信、 無線 通信な ど、 幅広い市場の多様な アプ リ ケーシ ョ ン ニーズ を満たす よ う 設計 さ れてい ます。 ザ イ リ ン ク ス は、 こ れ ら の市場の数百社 も の顧客企業か ら の助言を取 り 入れて 28nm FPGA の定義を行い ま し た。 今 回の目標は、 消費電力を 50% 削減す る と 同時にシ ス テ ムの性能を 50% 以上向上 さ せ る こ と にあ り ま し た。

まず、 シ ス テ ムの性能目標を達成す る ため、 ザ イ リ ン ク スは顧客企業 と 緊密に協力 し てシ ス テ ムのアー キ テ ク チ ャ 上のボ ト ルネ ッ ク を洗い出 し 、 その理解に努め ま し た。 こ の結果、 目標 と す る 性能が得 ら れ ていない原因は、 ほぼ例外な く 「外部 イ ン タ ーフ ェ イ ス のボ ト ルネ ッ ク 」 にあ る こ と がわか り ま し た。

顧客企業が要求す る 高い イ ン タ ーフ ェ イ ス デー タ レー ト を達成す る には、 レ イ テ ン シ を抑え、 大 き な ノ イ ズマージ ン を確保す る こ と が重要であ る こ と い う 結論に達 し ま し た。

ザ イ リ ン ク ス は、28nm FPGA で十分な イ ン タ ーフ ェ イ ス性能を実現す る ため、 ク ロ ッ キ ン グテ ク ノ ロ ジ を大幅に改良す る と と も に、 ク リ テ ィ カルなデー タ パ ス の コ ン ポーネ ン ト をハー ド 化す る こ と を選択 し ま し た。 こ の結果、 外部 メ モ リ イ ン タ ーフ ェ イ ス の性能が飛躍的に改善 さ れ、 全体的なシ ス テ ム性能

X-Ref Target - Figure 3

図 3 :同等の性能で 40 nm 28 nm の相対的なス タ テ ィ ッ ク消費電力を比較 し た結果 Relative Static Power 1.2

1.0

0.5

0.0

WP312_02 _02171

40 nm 28 nm,

High-Perfomance

28 nm, High-Perfomance,

Low Power

~40%

~80%

~100%

Xilinx 40 nm

Alternative 28 nm High-Performance Process Xilinx 28 nm High-Performance, Low-Power Process

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パラ ド ッ ク ス を解消 : 高性能 と 低消費電力の両立

高性能マ イ ク ロ プ ロ セ ッ サの多 く では、 コ アの動作速度が設計上最 も 重要な要素 と な り ます。 こ れに対 し 、FPGA は比較的低い ト グルレー ト で高速にデー タ 処理を実行で き ます。 こ れは、FPGA アーキ テ ク チ ャ に特有の並行処理性能を活用す る こ と で、I/O ラ イ ン レー ト の数分の 1 の ク ロ ッ ク で広帯域のデー タ パ ス を設計で き る ためです。28nm テ ク ノ ロ ジでは、 デバ イ ス の集積度が 2 倍に向上す る こ と に よ っ てパ イ プ ラ イ ン処理 と 並列処理の性能が強化 さ れ、 コ アの性能は さ ら に向上 し ます。同様の傾向 と し て、

マ イ ク ロ プ ロ セ ッ サ も マルチ コ ア化が進んでい ます。 マルチ コ アプ ロ セ ッ サ も 、 各 コ アの動作周波数を 低 く 抑えなが ら 、 動作周波数の高いシ ン グル コ ア プ ロ セ ッ サ よ り も 、 全体 と し ては高い性能を実現 し て い ます。

こ の よ う に、革新的な ク ロ ッ キ ン グ技術 と ク リ テ ィ カルなデー タ パス コ ン ポーネ ン ト のハー ド 化に よ る オンチ ッ プ と オ フチ ッ プのデー タ 移動速度の向上、 そ し て FPGA の コ ア性能の強化に よ り 、 シ ス テ ム全 体の性能が大 き く 改善 さ れます。

高性能 と 低消費電力を両立 し た最適なプ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジの選択に加え、28nm FPGA プ ロ セ ス では革 新的な ク ロ ッ ク ゲーテ ィ ン グや新 し い配置配線アルゴ リ ズ ム を採用 し て さ ら に消費電力の削減を図っ てい ます。 細粒度の ク ロ ッ ク ゲーテ ィ ン グ テ ク ノ ロ ジには、 論理式を解析 し て最終結果に無関係な ロ ジ ッ ク の遷移を無効にす る と い う ザ イ リ ン ク ス の特許アルゴ リ ズ ム を用いてい ます。 こ う し て ロ ジ ッ ク の不要な動作を な く す こ と で、 消費電力が平均で 20% 削減 さ れます (図 4 参照)。

こ れ ら の設計 メ ソ ド ロ ジ と ツールの改良に加え、第 5 世代パーシ ャ ル リ コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン な ど の 技術や新 し い統一 さ れた ASMBL アーキ テ ク チ ャ の採用に よ っ て消費電力を さ ら に低減 し 、高い集積度 を実現 し てい ます。

X-Ref Target - Figure 4

図 4 :細粒度の ク ロ ッ ク ゲーテ ィ ング適用前 と 適用後のロ ジ ッ クの動作 CE

Before:

After:

Input

Input

WP312_04_021610

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実証 さ れた メ ソ ド ロ ジ : 28nm FPGA を最短期間で市場に投入

実証 さ れた メ ソ ド ロ ジ :

28nm FPGA を最短期間で市場に投入

こ れ ま でザ イ リ ン ク ス は、 新 し いプ ロ セ ス ノ ー ド への移行時に FPGA を短期間で確実に市場投入 し て き ま し た。 こ れを可能に し て き たのが、 ザ イ リ ン ク ス が長年にわた っ て採用 し て き た テ ク ノ ロ ジ開発 メ ソ ド ロ ジです。 こ の メ ソ ド ロ ジは 20 年以上にわた っ て改良が加え ら れ、 あ ら ゆ る テ ク ノ ロ ジ ノ ー ド で 大 き な成果を残 し て き ま し た。

こ の メ ソ ド ロ ジで最大の特長 と な っ てい る のが、 シ リ コ ン 「テ ス ト ビー ク ル」 を イ ン テ リ ジ ェ ン ト に活 用 し てい る と い う 点です。 こ れに よ っ て、FPGA の製品テープア ウ ト よ り も かな り 前の段階でテ ク ノ ロ ジの量産準備を整え る こ と がで き る よ う にな っ てい ます。 こ の メ ソ ド ロ ジでは、 デバ イ ス の性能、 設計/ プ ロ セ スマージ ン、OCV (On Chip Variatio、 チ ッ プ内ば ら つき)DFM (Design for Manufacture、 製造 性考慮設計)、 ク リ テ ィ カルブ ロ ッ ク 検証、 プ ロ セ スお よび歩留ま り の安定性、 ダ イ と パ ッ ケージの相互 作用、 そ し て製品の信頼性に至る ま で、 あ ら ゆ る 領域において包括的な検証を実施 し ます。 テ ス ト ビー ク ルの効果を最大限にす る には、 開発プ ロ セ ス中にどれだけのテ ス ト ビー ク ルを導入 し たか と い う 絶対 量を重視す る のではな く 、 デバ イ ス と プ ロ セ ス の量産準備完了ま でのい く つかの節目に合わせて高付加 価値のテ ス ト 回路 と デザ イ ン/IP ブ ロ ッ ク を用意する必要があ り ます。

こ の定評あ る テ ク ノ ロ ジ開発 メ ソ ド ロ ジは 4 つの ス テージで構成 さ れてい ます ( 5 参照)

ス テージ 1 では、 フ ァ ブパー ト ナか ら テ ク ノ ロ ジ固有のテ ス ト 回路が提供 さ れます。 こ のテ ス ト 回路を 用いて、 新 し いプ ロ セ ス モジ ュ ールの実行、 装置の準備、 材料の組み合わせの評価を行い ます。 た と え ば、40nm 世代 と 28nm HKMG プ ロ セ ス では液浸 リ ソ グ ラ フ ィ と シ リ コ ンゲルマニ ウ ム (SiGe) を使用 し ま し た。ザ イ リ ン ク ス と フ ァ ウ ン ド リ が共同でテ ク ノ ロ ジ タ ーゲ ッ ト を定義お よ び調整を行 う のが こ の ス テージです。

フ ァ ブパー ト ナのテ ス ト 回路だけでな く 、 ザ イ リ ン ク ス で も い く つかのテ ス ト ビー ク ルを共同開発 し ま し た。 こ れは、 ザ イ リ ン ク ス の次世代 FPGA に固有のテ ス ト 回路を用いてデバ イ ス モデルを評価す る も のです。 こ のテ ス ト ビー ク ルを活用す る こ と で、 レ イ ア ウ ト お よ び設計のルールを修正 し 、 予測 さ れ る デバ イ ス/回路の動作 と 製造性を考慮 し てシ ミ ュ レーシ ョ ンモデルを調整で き る よ う にな り ます。

ス テージ 2 では、 高速 ト ラ ン シーバに不可欠な イ ン ダ ク タ やキ ャ パシ タ な ど の RF コ ン ポーネ ン ト 、 お よ び FPGA 素子のセル/ア レ イベース の構造を検証す る テ ス ト ビー ク ルを作成 し ます。

ス テージ 3 では、 回路レベルの FPGA ブ ロ ッ ク ( ブ ロ ッ ク RAM や コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン な ど ) ハー ド IP モジ ュ ールを テ ス ト ビー ク ルに追加 し ます。 こ れ ら のテ ス ト では、 寄生素子が回路性能に与 え る 影響な ど、 個々の FPGA ブ ロ ッ ク のマ ク ロ レベルの機能 と 性能を評価 し ます。 こ のほか、ESD 影響を製品開発の初期に特性評価す る ためのテ ス ト 回路 も あ り ます。 こ れ ら テ ス ト ビー ク ルか ら の実験 デー タ を長期にわた っ て継続的に収集 し 、検証す る こ と に よ っ てデバ イ ス モデル と 実際のシ リ コ ンの相 関関係を求め ます。 こ う し て、 性能 と 消費電力の両方を最適化 し た FPGA が得 ら れます。

X-Ref Target - Figure 5

図 5 :テ ス ト ビー ク ル開発の 4 つのス テージ

WP312_05_021810

Stage 1

Stage 2

Stage 3

Stage 4

Process Development/

Joint Technology Definition

Discrete Transistors, RF, and Cell/Array

Product-like Structures Circuit-Level/Hard IP

(7)

実証 さ れた メ ソ ド ロ ジ : 28nm FPGA を最短期間で市場に投入

ス テージ 4 では、 ス テージ 3 ま でのすべてのテ ス ト ビー ク ルの主な要素に加え、 代表的な製品回路のテ ス ト 機能を追加 し ます。 た と えば、RAM のテ ス ト では FPGA の製品レ イ ア ウ ト に伴 う ラ ン ダ ム欠陥の デバ ッ グ を行い ますが、 それ以外に も 機能 と 性能を特性評価 し 、 製品の信頼性を早期段階で評価で き る

よ う に し ます。

こ れ ら ス テージの大半 を通 じ 、 ザ イ リ ン ク ス は特許技術のベ ン チマー ク テ ス ト 回路 を用意 し てお り 、 FPGA 専用に開発 さ れた回路 IP をモニ タ リ ン グす る こ と に よ っ て、 プ ロ セ ス フ ィ ーチ ャ ーを検出、 デ バ ッ グ、 最適化 し 、 性能 と 消費電力のバ ラ ン ス を微調整 し てい ます。 こ れ ら モニ タ 回路か ら は、 フ ァ ウ ン ド リ パー ト ナが FPGA 製品のテープア ウ ト 前に製造上の潜在的な問題を見つけて解決 し てい く 上で 役立つ貴重な洞察が得 る こ と がで き ます。 こ の結果、 短期間で歩留ま り が向上 し 、 歩留ま り の予測精度 も 改善 さ れます。 ザ イ リ ン ク ス の独自技術を利用 し た こ れ ら の回路に よ っ て不具合の正確な位置がわか る ため、 問題の診断 と 解決に要す る 時間が大幅に短縮 さ れます。

ザ イ リ ン ク ス の特許技術であ る こ のベンチマー ク テ ス ト 回路 と 統計解析を組み合わせ る と 、 主要なプ ロ セ ス においてマージ ンの限界を示す弱点が容易に特定で き ます。 その他のテ ス ト 回路は、 プ ロ セ ス と デ ザ イ ン コ ーナーの相互作用を特定で き る よ う に全体的な視野に立っ て設計 さ れてお り 、 フ ロ ン ト エン ド ( ト ラ ン ジ ス タ レベル) と バ ッ ク エン ド (配線/絶縁膜) の両方で PVT (プ ロ セ ス、 電圧、 温度) の変動 全体にわた る性能 と 消費電力が早期段階で解析可能 と な り ます。 さ ら に、 代表的な製品回路を FPGA デ バ イ ス内に追加 し 、 テ ス ト ビー ク ル回路か ら 得 ら れた結果を さ ら にデバ ッ グ し て実際の FPGA デバ イ ス と の相関を求め ます (図 6 参照)。

ザ イ リ ン ク ス のテ ク ノ ロ ジ開発プ ロ セ ス は高速アナ ロ グ コ ン ポーネ ン ト に も 大 き な重点を置いてい ま す。 テ ス ト ビー ク ルには、 キ ャ パシ タ や イ ン ダ ク タ な ど の基本的な構成素子だけでな く 、 マルチ PLL オシ レー タ やその他の回路 も ト ラ ン シーバの不可欠な要素 と し て特性評価 さ れてい ます。 オシ レー タ は ト ラ ン シーバの中心部であ り 、 周波数の安定性 と 位相 ノ イ ズに関す る 特性評価を早期の段階で包括的に 行 う 必要があ り ます。 こ のほか、 エ ッ ジ レー ト や反射損失な ど の特性評価 も ト ラ ン シーバ関連のテ ス ト 回路を用いて行われます。 テ ス ト ビー ク ルでは複数の回路を それぞれ近 く に配置 し 、 バ ッ ク エン ド の メ タ ル層 も すべて使用 し て潜在的な結合効果や隣接す る オシ レー タ と の干渉を洗い出 し ます。 こ こ で重要 なのは、 回路を近 く に配置す る と い う 点です。 こ れは、 実際の FPGA デバ イ ス に複数の回路 と バ ッ ク エ ン ド のすべての メ タ ル層があ る 場合 と 、 オシ レー タ と バ ッ ク エン ド の メ タ ル層がそれぞれ 1 つ し かない 場合では特性が ま っ た く 異な る ためです。 こ のデー タ を活用す る こ と に よ り 、 テ ク ノ ロ ジ開発の早期段 階で問題を解決 し 、28nm FPGA の量産準備を短期間で完了す る こ と がで き ます。

ザ イ リ ン ク ス は 2007 年か ら 28nm プ ロ セ ス テ ク ノ ロ ジの開発を進めてお り 、 こ の課程で複数のテ ス ト ビー ク ルを使用 し て次世代 FPGA を短期間で確実に市場投入で き る よ う 取 り 組んで き ま し た。

X-Ref Target - Figure 6

図 6 :欠陥密度の時間推移

WP312_06_021710

Time

Defect Monitor Vehicle FPGA Product

Defect Density

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ま と め

ま と め

半導体業界では消費電力が重要な問題 と な っ てい ま すが、FPGA 業界では特に こ れが大 き な関心事 と な っ てい ます。28nm FPGA の開発にあ た り 、 ザ イ リ ン ク ス は新 し いアプ ロ ーチで消費電力の削減を図

り 、 実用的性能の向上を実現 し ま し た。

28nm FPGA では、高性能かつ低消費電力のプ ロ セ ス、革新的アーキテ ク チ ャ 、そ し てデザ イ ン開発ツー ルを組み合わせた全体的な アプ ロ ーチを と る こ と に よ っ て、前世代の FPGA に比べて次の よ う な成果を 達成 し てい ます。

• ス タ テ ィ ッ ク 消費電力 と ダ イ ナ ミ ッ ク 消費電力の増加傾向を抑制し、 総消費電力を 50% 削減

• シ ス テ ムの性能を 50% 向上

• 集積度を 2 倍に向上

こ の結果、ザ イ リ ン ク ス の 28nm FPGA 製品はシ ス テ ムアーキテ ク ト や ロ ジ ッ ク 設計者に画期的な変化 を も た ら す こ と にな り ます。 すなわち、 低消費電力が求め ら れ る アプ リ ケーシ ョ ン (HDTV、 産業用制 御機器、 車載 イ ン フ ォ テ イ ン メ ン ト な ど) や広帯域幅が求め ら れ る 超ハ イ エン ド アプ リ ケーシ ョ ン ( 通信ギア、 高性能 コ ン ピ ュ ーテ ィ ン グ、 ソ フ ト ウ ェ ア無線、 ビデオ処理な ど ) を含め、 幅広い用途に FPGA が活用で き る よ う にな る のです。

改訂履歴

次の表に、 こ の文書の改訂履歴を示 し ます。

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日付 バージ ョ ン 改訂内容

2010 2 19 1.0 初版 リ リ ース

図  1 : デバイ ス全体のダ イ ナ ミ ッ ク消費電力 と ス タ テ ィ ッ ク消費電力の推移10010.010.00010.0000001 300250200DynamicPowerGateLengthSub-ThresholdLeakageGate-OxideLeakage100150500
図  2 : プ ロ セス テ ク ノ ロ ジの微細化 と ゲー ト 電流密度の関係100.000 Poly/SiONHKMG10.0001.0000.1000.0100.001Process Technology (nm)Current Density(A/cm2)
図  3 : 同等の性能で  40 nm  と  28 nm  の相対的なス タ テ ィ ッ ク消費電力を比較 し た結果Relative Static Power1.2
図  4 : 細粒度の ク ロ ッ ク ゲーテ ィ ング適用前 と 適用後のロ ジ ッ クの動作CEBefore:After:InputInput WP312_04_021610
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