HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ

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(1)お客様各位. カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し、両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社名での表記が残っておりますが、当社の資料として有効ですので、ご理解の程宜しくお願い申し上げます。ルネサスエレクトロニクスホームページ（http://www.renesas.com）. 2010 年 4 月 1 日ルネサスエレクトロニクス株式会社. 【発行】ルネサスエレクトロニクス株式会社（http://www.renesas.com）【問い合わせ先】http://japan.renesas.com/inquiry.

(2) ご注意書き１．本資料に記載されている内容は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。当社製品のご購入およびご使用にあたりましては、事前に当社営業窓口で最新の情報をご確認いただきますとともに、当社ホームページなどを通じて公開される情報に常にご注意ください。 2.. 本資料に記載された当社製品および技術情報の使用に関連し発生した第三者の特許権、著作権その他の知的財産権の侵害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。当社は、本資料に基づき当社または第三者の特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。. 3.. 当社製品を改造、改変、複製等しないでください。. 4.. 本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器の設計において、回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用する場合には、お客様の責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様または第三者に生じた損害に関し、当社は、一切その責任を負いません。. 5.. 輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」その他輸出関連法令を遵守し、かかる法令の定めるところにより必要な手続を行ってください。本資料に記載されている当社製品および技術を大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用の目的その他軍事用途の目的で使用しないでください。また、当社製品および技術を国内外の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器に使用することができません。. 6.. 本資料に記載されている情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、誤りがないことを保証するものではありません。万一、本資料に記載されている情報の誤りに起因する損害がお客様に生じた場合においても、当社は、一切その責任を負いません。. 7.. 当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」、「高品質水準」および「特定水準」に分類しております。また、各品質水準は、以下に示す用途に製品が使われることを意図しておりますので、当社製品の品質水準をご確認ください。お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、「特定水準」に分類された用途に当社製品を使用することができません。また、お客様は、当社の文書による事前の承諾を得ることなく、意図されていない用途に当社製品を使用することができません。当社の文書による事前の承諾を得ることなく、「特定水準」に分類された用途または意図されていない用途に当社製品を使用したことによりお客様または第三者に生じた損害等に関し、当社は、一切その責任を負いません。なお、当社製品のデータ・シート、データ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は、標準水準製品であることを表します。標準水準：. コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、産業用ロボット. 高品質水準：輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通用信号機器、防災・防犯装置、各種安全装置、生命維持を目的として設計されていない医療機器（厚生労働省定義の管理医療機器に相当）特定水準：. 航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、原子力制御システム、生命維持のための医療機器（生命維持装置、人体に埋め込み使用するもの、治療行為（患部切り出し等）を行うもの、その他直接人命に影響を与えるもの）（厚生労働省定義の高度管理医療機器に相当）またはシステム等. 8.. 本資料に記載された当社製品のご使用につき、特に、最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件その他諸条件につきましては、当社保証範囲内でご使用ください。当社保証範囲を超えて当社製品をご使用された場合の故障および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。. 9.. 当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生したり、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は耐放射線設計については行っておりません。当社製品の故障または誤動作が生じた場合も、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないようお客様の責任において冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージング処理等、機器またはシステムとしての出荷保証をお願いいたします。特に、マイコンソフトウェアは、単独での検証は困難なため、お客様が製造された最終の機器・システムとしての安全検証をお願いいたします。. 10.. 当社製品の環境適合性等、詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は、一切その責任を負いません。. 11.. 本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを固くお断りいたします。. 12.. 本資料に関する詳細についてのお問い合わせその他お気付きの点等がございましたら当社営業窓口までご照会ください。. 注 1.. 本資料において使用されている「当社」とは、ルネサスエレクトロニクス株式会社およびルネサスエレクトロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいいます。. 注 2.. 本資料において使用されている「当社製品」とは、注 1 において定義された当社の開発、製造製品をいいます。.

(3) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ デュアルチャネルチョッパ型 DC/DC コンバータ用 PWM 制御スイッチングレギュレータ IC RJJ03F0051-0300Z (Previous: ADJ-204-025B) Rev.3.0 2003.09.18. 概要 HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ は，チョッパ型 DC/DC コンバータに適した，デュアルチャネルの PWM 制御スイッチングレギュレータ IC です。本 IC シリーズは，パワーMOS FET の直接駆動が可能なように，トーテムポール型のゲートドライブ回路を内蔵しています。そして，DC/DC コンバータのブースト，ステップダウン，インバーティング制御に合わせて，出力論理を予め設定してあります。この論理は，ブースト制御には N チャネルパワーMOS FET を使用し，ステップダウン／インバーティング制御には P チャネルパワーMOS FET を使用することを想定して，設定してあります。 HA16116 は，ステップダウン制御専用回路と，ステップダウン／インバーティング制御兼用回路を内蔵し， HA16121 は，ブースト制御専用回路と，ステップダウン／インバーティング制御兼用回路を内蔵しています。本 IC シリーズは，過電流時の保護機能として，1 パルスごとに PWM パルス幅を絞るパルス·バイ·パルスカレントリミッタおよび，ON･OFF タイマによる間欠動作機能を備えています。これは，従来のラッチによるシャットダウンとは異なり，パルス·バイ·パルスカレントリミッタがタイマ設定時間以上続いた場合は，IC を間欠 (点滅) 動作させるため，これにより，シャープな垂下特性を得ることができます。さらに，過電流状態がなくなれば，出力は自動的に復帰します。 IC 内部の 2 組 (デュアル) の制御回路は，同一の三角波発振出力により，完全な同期動作を行うようになっており，従来よりも少ない外付け部品で，小型，高効率のデュアル出力 DC/DC コンバータを容易に構成することができます。. 機能 • 2.5V 基準電圧回路 (Vref) • 三角波発振回路 • 過電流検出回路 (2 回路) • トーテムポール型出力回路 (2 回路) • UVL (低入力電圧誤動作防止) 回路 • エラーアンプ回路 (2 回路) • Vref 過電圧検出回路 • PWM コンパレータ回路 (2 回路). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 1 of 32.

(4) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 特長 • 動作電源電圧範囲が 3.9〜40.0V と広い*1 • 最大動作周波数が 600kHz と大きい • パワーMOS FET を直接ドライブ可能 (出力電流最大定格 ±1A peak) • 間欠動作機能付きパルス·バイ·パルス過電流保護回路を内蔵しており，過電流状態がタイマ設定時間以上続いた場合は IC を間欠動作させる. • ON/OFF 端子を接地時，IC は OFF となり，消費電流をセーブできる HA16116 : IOFF = 10µA Max HA16121 : IOFF = 150µA Max. • 低入力誤動作防止 (UVL) 回路を内蔵。また，外付け抵抗で UVL 電圧を可変可能 • ソフトスタート，クイックシャット機能を内蔵【注】 1. ただし，Vref = 2.5V となるのは，VIN ≥ 4.5V の条件下です。したがって，変換前の DC 入力電圧は，4.5V 以上でご検討ください。. ルネサスチョッパ型 DC/DC コンバータ用制御 IC ラインアップ制御機能. チャネルチャネル. 型名. No.. ブースト. ステップダウン. インバーティング. 出力回路. デュアル. HA17451A. Ch1. ○. ○. ○. オープンコレクタ. Ch2. ○. ○. ○. HA16114. —. —. ○. ○. トーテムポール型. パルス·バイ·パルス. HA16120. —. ○. —. —. パワーMOS FET. カレントリミッタ. ドライバ. および. シングル. デュアル. HA16116. HA16121. Rev.3.0,. 2003.09.18,. Ch1. —. ○. ○. Ch2. —. ○. —. Ch1. —. ○. ○. Ch2. ○. —. —. page 2 of 32. 過電流保護タイマ(ラッチ)式. SCP. ON/OFF タイマによる間欠動作.

(5) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. ピン配置. S.GND. *1. *2. 1. 20. S.VIN. CT. 2. 19. Vref. RT. 3. 18. TIM. IN(+)1. 4. 17. ON/OFF. IN(−)1. 5. 16. IN (−)2. E/O1. 6. 15. E/O2. DB1. 7. 14. DB2. CL1. 8. 13. CL2. OUT1. 9. 12. OUT2. 10. 11. P.V IN. ࠴ࡖࡀ࡞1. P.GND. *1. ࠴ࡖࡀ࡞2. *2. (top view) ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬1. S.GND (1ࡇࡦ) ߅ࠃ߮P.GND (10ࡇࡦ) ߪ㧘ICౝㇱߢߪ⋥ធធ⛯ߐࠇߡ߅ࠅ߹ߖࠎ‫ޕ‬ ߎߩ2┵ሶߪ㧘౒ߦᔅߕGNDߦធ⛯ߒߡߊߛߐ޿‫ޕ‬ 2. S.VIN (20ࡇࡦ) ߅ࠃ߮P.VIN (11ࡇࡦ) ߽㧘ICౝㇱߢߪ⋥ធធ⛯ߐࠇߡ߅ࠅ߹ߖࠎ‫ޕ‬ ߎߩ2┵ሶߪ㧘౒ߦᔅߕVINߦធ⛯ߒߡߊߛߐ޿‫ޕ‬. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 3 of 32.

(6) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 端子機能端子 No.. 記号. 機能説明 1. 1 2. S.GND CT. 信号系グラウンド* タイミング容量 (三角波発振出力). 3 4. RT IN(+)1. タイミング抵抗バイアス電流設定チャネル 1 エラーアンプ非反転入力 (1). 5 6. IN(–)1 E/O1. エラーアンプ反転入力 (1) エラーアンプ出力 (1). 7 8. DB1 CL1. 休止期間調整入力 (1) 過電流検出入力 (1). 9 10. OUT1 P.GND. 11 12. P.VIN OUT2. PWM パルス出力 (1) 1 出力段グラウンド* 1 出力段電源入力* PWM パルス出力 (2). 13 14. CL2 DB2. 過電流検出入力 (2) 休止期間調整入力 (2). 15 16. E/O2 IN(–)2. エラーアンプ出力 (2) 2 エラーアンプ反転入力 (2) *. 17 18. ON/OFF TIM. 本 IC の ON/OFF スイッチ入力 (接地で OFF) 過電流検出時の間欠時間の設定. チャネル 2. 19 Vref 2.5V 基準電圧出力 1 20 S.VIN 信号系電源入力* 【注】 1. 出力段とは，パワーMOS FET ドライバ回路を指し，信号系とはそれ以外の回路を指します。 IC の逆差しについて：本 IC シリーズは，逆差しについての保護はしておりません。逆差しした場合，VIN—GND 間で IC が破壊する恐れがありますので，逆差しのないよう，十分ご注意ください。 2. チャネル 2 のエラーアンプの非反転入力は，内部で Vref に接続されています。. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 4 of 32.

(7) Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 5 of 32 ਃⷺᵄ. CT. S.GND. 1.1 V RT. RT. 3. ࡃࠗࠕࠬ㔚ᵹ. ࡜࠶࠴࡝࠮࠶࠻ࡄ࡞ࠬ. 1.0 V. 1.6 V. 2. 5k. OVP. VL VH. ਃⷺᵄ⊒↢࿁〝. 1. 0.8V. VIN. L. H. 18. TIM. UVL. ‫ޣ‬ᵈ‫ * ޤ‬HA16121ߢߪ㧘ߎߩࡉࡠ࠶ࠢߪ AND ( ) ߢߔ‫ޕ‬. from UVL. ON/OFF. 19. 20. 2.5V಴ജ ࡃࡦ࠼ ࠡࡖ࠶ࡊ ၮḰ㔚࿶ ⊒↢࿁〝. Vref. S.VIN. Q. IN(+)1. 4. R. S. ࡜࠶࠴. OR. UVL಴ജ. 17. ON/OFF. VIN. + EA1 −. 6. 14. DB2. 5k. DB1. 7. 8. 9. 11. P.V IN. OUT1. P.GND. 10. NAND. NAND (HA16116). OUT2*. OUT1. 0.2 V. Vref. Vref. 12. OUT2. 0.2 V. to S.VIN. CL1 − +. CL1. from UVL. − + CL2. to S.VIN. 13. CL2. from UVL. PWM COMP 1. − + +. + + −. PWM COMP 2. 5k. from UVL. E/O1. 0.8V. VIN. 0.8V. − EA2 +. from UVL. 15. E/O2. [࠴ࡖࡀ࡞1] (HA16116, HA16121౒ㅢ) ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ߹ߚߪࠗࡦࡃ࡯࠹ࠖࡦࠣ೙ᓮ↪. IN(−)1. 5. 16. IN(−)2. [࠴ࡖࡀ࡞2] ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ೙ᓮኾ↪ (HA16116) ࡉ࡯ࠬ࠻೙ᓮኾ↪ (HA16121). HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. ブロックダイアグラム.

(8) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 機能およびタイミングチャート. ਃⷺᵄߣPWM಴ജߩ㑐ଥ (ቯᏱᤨ) ਃⷺᵄ (CT┵ሶ㔚࿶) DB┵ሶ㔚࿶. 1.6 V typ. 1.0 V typ ࠛ࡜࡯ࠕࡦࡊ಴ജ (E/O┵ሶ㔚࿶) ࡉ࡯ࠬ࠻ ࠴ࡖࡀ࡞ ಴ജ (HA16121 -2chߩߺ) PWM ࡄ࡞ࠬ ಴ജ. VIN (on) t ON. t OFF. GND (off). T ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ ߹ߚߪࠗࡦࡃ࡯ ࠹ࠖࡦࠣ಴ജ (HA16116-1, 2ch, HA16121-1ch). VIN (off). GND (on) ᤨ㑆 ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬On duty = tON/T, T = 1/fOSCߩ㑐ଥ߇޽ࠅ߹ߔ‫ޕ‬. Rev.3.0,. ߎߩࡄ࡞ࠬߪ N࠴ࡖࡀ࡞ ࡄࡢ࡯MOS FETߩࠥ࡯࠻ ࠍ㚟േߒ߹ߔ‫ޕ‬. 2003.09.18,. page 6 of 32. ߎߩࡄ࡞ࠬߪ P࠴ࡖࡀ࡞ ࡄࡢ࡯MOS FETߩࠥ࡯࠻ ࠍ㚟േߒ߹ߔ‫ޕ‬.

(9) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 外付け部品定数の設定法 (各端子の使用法) 以下の設定項目について説明いたします。. S.GND 1. 1.. 2.. ⊒ᝄ๟ᵄᢙ (fOSC)ߩ⸳ቯ. DC/DCᄌ឵಴ജ 㔚࿶߅ࠃ߮ ࠛ࡜࡯ࠕࡦࡊ. CT 2. 19 Vref. RT 3. 18 TIM. IN(+)1 4. 17 ON/OFF. IN(−)1 5. 16 IN(−)2. E/O1 6 3.. ࠺࠶࠼ࡃࡦ࠼⸳ቯ ߅ࠃ߮ ࠰ࡈ࠻ࠬ࠲࡯࠻. 20 S.V IN. 15 E/O2. ࠴ࡖࡀ࡞1. DB1 7. ࠴ࡖࡀ࡞2. CL1 8 4.. ಴ജᲑ࿁〝ߣ ࡄࡢ࡯MOS FET ߩ࠼࡜ࠗࡉᣇᴺ. 5.. VrefߩUVL ߅ࠃ߮OVP. 6.. ㆊ㔚ᵹᬌ಴ᤨߩ 㑆ᰳേ૞ߩ⸳ቯ (࠲ࠗࡑᤨ㑆). 7.. ON/OFF┵ሶߩ ૶↪ᴺ. 8.. ᬌ಴ㆊ㔚ᵹ୯ߩ ⸳ቯᣇᴺ. 14 DB2 13 CL2. OUT1 9. 12 OUT2. P.GND 10. 11 P.V IN. 1. 発振周波数 fOSC の設定図 1.1 に，三角波発振器の等価回路を示します。. (3.3V ICౝㇱ㔚૏). VH 1.6 V typ. t1. t2. Vref (2.5 V). VL 1.0 V typ. RA. CT charging IO ࠦࡦࡄ࡟࡯࠲. RC IO Discharging 1.1 V. 1:2 RT. RB CT (ᄖઃߌ). CT. RT (ᄖઃߌ) ICౝㇱ. 図 1.1 三角波発振器の等価回路. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 7 of 32.

(10) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 三角波は，PWM パルスを作る上で，基準となる電圧波形です。本ブロックの動作原理は，外付けタイミング抵抗 RT で決まる定電流 IO を，外付けタイミング容量 CT に常時流しておき，CT 端子電圧がコンパレータのスレッショルド電圧 VH を越えると，コンパレータ出力によりスイッチを切り換え，CT から IO を放電します。次に CT 端子電圧がスレッショルド電圧 VL 以下になると，再度コンパレータによりスイッチを切り換えて，IO の放電を停止し，この繰り返しで三角波の発振を行います。 IO = 1.1V/RT です。また，IO のカレントミラー回路は電流能力が小さいので，RT ≥ 5kΩ (IO ≥ 220µA) でご使用ください。また，本 IC では，三角波の VH, VL は内部の RA, RB, RC により約 1.6V, 1.0V に固定されています。ここで，発振周波数は， 1 fOSC = ߢ᳞߼ࠄࠇ߹ߔ‫ޕ‬ t1 + t2 + t3 ߚߛߒ C R ࡮(VH − VL) C ࡮(VH − VL) = T T t1 = T 1.1 V/RT 1.1 V CT࡮(VH − VL) C R ࡮(VH − VL) = T T = t1 (2 − 1) × 1.1 V/RT 1.1 V. t2 =. VH − VL = 0.6 V ࠃࠅ㧘 t1 = t2 =. 0.6 C R 1.1 T T. t3 ѳ 0.8 µs (⊒ᝄེౝࠦࡦࡄ࡟࡯࠲ㆃᑧᤨ㑆) ࠃߞߡ fOSC =. 1 1 [Hz] ѳ 2t1 + t3 1.1 CT RT + 0.8 µs. となります。なお，fOSC の値はコンパレータ回路の遅延時間のため，上式とは多少異なります。また，高い周波数では，コンパレータの遅延により，三角波にオーバシュート，アンダシュートを生じ，デッドバンドスレッショルドがずれます。実装にてご確認の上，定数を設定してください。. 2. DC/DC コンバータ出力電圧 VO の設定とエラーアンプ使用法 2.1 正電圧ブースト (VO > VIN) またはステップダウン (VIN > VO > Vref) 出力タイプ VO =. R1 + R2 ࡮VREF (V) R2. となります。ブースト出力は HA16121 の CH (チャネル) 2 のみ可能です。ステップダウン出力は HA16116 の両 CH および， HA16121 の CH1 が使えます。 VO. ࠛ࡜࡯ࠕࡦࡊ IN(−)1 − CH1 IN(+)1 +. R1 R2. VO R1. IN(−)2 −. R2. +. Vref┵ሶ. Vref 2.5 V (ౝㇱធ⛯). 図 2.1 Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 8 of 32. CH2.

(11) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 2.2 インバーティング出力タイプ (負電圧または VO < Vref) VO = −Vref ࡮. R + R4 R1 ࡮ 3 −1 R3 R1 + R2. (V). となります。インバーティング出力は，両 IC とも CH1 のみ可能です。 Vref┵ሶ Vref 2.5 V. R1. IN(−)1 R2. R3 IN(+)2 R4. −. CH1. + ࠛ࡜࡯ࠕࡦࡊ. VO. 図 2.2 インバーティング出力タイプ 2.3 エラーアンプについてエラーアンプの等価回路を図 2.3 に示します。本 IC シリーズのエラーアンプは，単純な NPN トランジスタの差動入力アンプと，定電流ドライブの出力回路より成っています。オープンループ利得を 50dB と低く抑え，広帯域 (BW = 4MHz) のアンプとなっています。これにより，電源を構成したときの帰還が安定にかけられ，また，位相補償もし易くなっています。 HA16116, HA16121 とも，チャネル 1 のエラーアンプは，インバーティング制御も可能なように，非反転入力 (IN(+)) をピンに出していますが，チャネル 2 のエラーアンプは，HA16116 がステップダウン専用， HA16121FP がブースト専用としたため，非反転入力は IC 内部で Vref に接続してあります。 ICౝㇱ VIN. E/O. IN(−) IN(+). PWMࠦࡦࡄ࡟࡯࠲߳ (ౝㇱ) 80 µA. 40 µA. 図 2.3 エラーアンプの等価回路. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 9 of 32.

(12) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 3. デッドバンド (DB) デューティおよびソフトスタートの設定 (各チャネル共通) 3.1 デッドバンドデューティの設定これは，DB 端子の入力電圧 (VDB) を調整して設定します。VDB は，本 IC の Vref から 2 本の外付け抵抗で分圧して得るのが便利です。 R2 VDB = Vref × (V) R1 + R2. VTH − VDB × 100 (%) ̖̖ ߚߛߒ㧘VDB > VTLߩ႐วߢߔ‫ޕ‬VDB < VTLߩ႐วߪ㧘 VTH − VTL ࠺࠶࠼ࡃࡦ࠼࠺ࡘ࡯࠹ࠖߪ100% (PWM಴ജߪ಴ߥ޿) 1 ߦߥࠅ߹ߔ‫ޕ‬ ߚߛߒ㧘 T = fOSC. Duty (DB) =. 【注】 VTH = 1.6V (Typ), VTL = 1.0V (Typ)です。 Vref = 2.5V Typ なので，R1, R2 により，1.0V ≤ VDB ≤ 1.6V となるように設定してください。. To Vref CT VDB. R1. − + +. E/O. DB. 5k. PWM ࠦࡦࡄ࡟࡯࠲. 1.6 V typ. VTL. 1.0 V typ. ࡉ࡯ࠬ࠻ ࠴ࡖࡀ࡞. UVLࠃࠅ. CST R 2. VIN. VTH VE/O VDB. 0.8V. On t ON. tOFF. PWM ࡄ࡞ࠬ ಴ജ ࠬ࠹࠶ࡊ ࠳࠙ࡦ ߹ߚߪ ࠗࡦࡃ࡯ ࠹ࠖࡦࠣ ࠴ࡖࡀ࡞. VIN Off. Off On. GND VIN GND. T. 図 3.1 デッドバンドデューティの設定 3.2 ソフトスタート (SST) の設定 (各チャネル) ソフトスタートは，電源投入時に VDB (3.1 項参照) を徐々に上げ，PWM 出力パルス幅を段々と開くシステムで，DC/DC コンバータ出力の急な立ち上がりによるオーバシュートを防止します。これは DB 端子に CST を追加することで実現できます。これは次により設定してください。図 3.2 のように，DB 端子は三角波の VTL = 1.0V Typ から，0.2V 低い約 0.8V に内部でクランプされています。 tA · · · PWM パルスを開き始めるまでのスタンバイ時間 tB · · · SST がかかっている時間ソフトスタート時の DB 端子電圧は図 3.2 において，次式となります。 VSST = VDB࡮ 1 − e. −t − t0.8 T. ,. tSST = tA + tB. ߚߛߒ㧘 t0.8 = −T ln. 1−. 0.8 VDB. ,. T = CST࡮(R1 // R2). 数値の選び方：ソフトスタート時間 tSST が短かすぎますと，DC/DC コンバータの出力電圧がオーバシュートしやすくなります。これを防ぐために，tSST を数 10ms 以上に設定してください。. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 10 of 32.

(13) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. V (㔚࿶). VSST. ਃⷺᵄ VTH. 1.6 V. VTL. 1.0 V. ࠢ࡜ࡦࡊ㔚࿶ 0.8Vࠃࠅࠬ࠲࡯࠻. ቯᏱേ૞. PWM಴ജ ࡄ࡞ࠬ߇ 㐿߈ᆎ߼ࠆ t 0.8. tA. 0V. tB VIN. ࡉ࡯ࠬ࠻ ࠴ࡖࡀ࡞ PWM಴ജ. 0V. ࠬ࠹࠶ࡊ ࠳࠙ࡦ ߹ߚߪ ࠗࡦࡃ࡯ ࠹ࠖࡦࠣ. VIN 0V VO. DC/DCᄌ឵಴ജ (ᱜ಴ജߩ଀) 0V. t = 0 (ߎߎߢIC ON). t = tSST. 図 3.2 ソフトスタート (SST) の設定. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 11 of 32.

(14) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 4. トーテムポール型出力段とパワーMOS FET のドライブについて本 IC の出力段はトーテムポール回路で構成されていますので，外付けスイッチ素子としてパワーMOS FET を，ゲート耐圧内の VIN ならばダイレクトに接続してご使用いただけます。 VIN がパワーMOS FET のゲート耐圧を越える恐れのある場合は図 4.1 のようにツェナーダイオードによる保護などの対策をしてください。図 4.1 は P チャネルパワーMOS FET の例です。 P.V IN. ࡃࠗࠕࠬ ࿁〝. (଀) VIN = 18 V ࠥ࡯࠻଻⼔↪ ࠷ࠚ࠽࡯࠳ࠗࠝ࡯࠼. OUT ࠥ࡯࠻ ଻⼔ᛶ᛫. VO + −. ࠼࡜ࠗࡉ࿁〝 ࡚ࠪ࠶࠻ࠠ࡯ࡃ࡝ࠕ ࠳ࠗࠝ࡯࠼. 図 4.1 P チャネルパワーMOS FET (例) 5. Vref 回路の低入力誤動作防止 (UVL) と過電圧保護 (OVP) 機能 5.1 動作原理基準電圧回路は，UVL, OVP を備えています。Vref 出力電圧は 2.5V で一定 (定常時) ですが，VIN が低いときは，UVL 回路にて Vref 出力電圧を約 1.7V および約 2.0V のヒステリシス電圧で検出し，この電圧以下で PWM 出力を停止 (OFF) し，誤動作を防止します。また，地絡した場合も，UVL が動作します。 OVP は，IC 外部から誤って過電圧を印加した場合，例えば VIN に天絡した場合に備えて，Vref と GND 間のツェナーダイオード ZD (5.6V) と抵抗 R で検出を行い，Vref が約 7.0V 以上のときに PWM 出力を停止します。ただし，2.5V〜7V の印加電圧においては，PWM 出力パルスの論理およびスイッチングレギュレータの出力電圧の精度は保証されません。. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 12 of 32.

(15) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 5.2 クイックシャット UVL が働くと，図 5.1 のようなシンクトランジスタが ON し，電流を引き抜きます。IC を OFF する際にも動作し，CT 端子，DB 端子の電流を引き抜きますので，これによりクイックシャットがかかります。これで， DB 端子のソフトスタートコンデンサ (CSST) のチャージを引き抜けるため，後述の間欠動作の際にも，1 回の ON ごとにソフトスタートが働きます。 PWM಴ജ PWM಴ജ On OFF. PWM಴ജേ૞඙㑆. PWM಴ജ OFF. Off 1.7 2.0. 2.5. VIN߇ૐ޿႐ว. 5.0. 7.0. Vref (V). Vrefߦ⇣Ᏹ߇޽ߞߚ႐ว. VrefߣUVL, OVPߩ㑐ଥ VIN. Vref Vref 2.0V, 1.7V ᬌ಴. Vref ⊒↢࿁〝 ZD 5.6 V. ౝㇱࡄ࡞ࠬ ାภ࡜ࠗࡦ UVL. OUT. R ࠪࡦࠢ ࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲. 10 kΩ. OVP. ઁ࿁〝߳. 図 5.1 クイックシャット. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 13 of 32. OUT.

(16) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 6. 過電流検出時の間欠動作タイミングの設定 6.1 動作原理本 IC のカレントリミッタは，はじめに出力パルスごとに過電流状態を検出して出力パルスを絞り，パルス· バイ·パルス過電流保護をします。もし，連続して過電流になった場合は，TIM 端子と ON/OFF 端子を使って IC を間欠動作させるため，これにより垂下特性がシャープな電源を構成することができます。この場合の ON/OFF 時間の設定は ON/OFF 端子のスレッシュホールド電圧 VON, VOFF にヒステリシスがある (VON – VOFF = VBE) ことを利用して行い，次のとおりです。. 【注】なお，本 IC では，片チャネルで過電流を検出した場合，他チャネルが過電流未検出でも，同時にパルス·バイ·パルスカレントリミッタが掛かります。また，間欠動作をご使用にならない場合，TIM 端子はオープンとし，ON/OFF 端子をハイレベル (VON 以上) にプルアップしてください。 VIN 390 kΩ. ࠞ࡟ࡦ࠻ ࡜࠶࠴ ࡝ࡒ࠶࠲. RA TIM. 4.7 kΩ. Q. RB ON/OFF. 2.2 µF. CL. S R. + −. Vref ⊒↢࿁〝. C ON/OFF. 図 6.1 接続図 (例) 6.2 間欠動作タイミングチャート (VON/OFF のみ). *1 4VBE c. c V ON/OFF. 3VBE 2VBE. On ICߪON. On Off. ICߪOFF. VBE a 0V 2TON a. ㅪ⛯ߒߡㆊ㔚ᵹᬌ಴ᤨ b. 㑆ᰳേ૞ߦ౉ࠅ㧘IC߇OFFᤨ c. ㆊ㔚ᵹ⸃㒰ᤨ (ᄥ޿⎕✢). b t. TON TOFF. ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬1. VBEߪICౝㇱߩ࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲ߩࡌ࡯ࠬࠛࡒ࠶࠲㑆㔚࿶ߢ㧘⚂0.7Vߢߔ‫ޕ‬ (࿑7.1ෳᾖ) ⹦ߒߊߪ‫ోޟ‬૕ᵄᒻ࠲ࠗࡒࡦࠣ࠴ࡖ࡯࠻‫ߏࠍޠ‬ෳᾖߊߛߐ޿‫ޕ‬. 図 6.2 間欠動作タイミングチャート. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 14 of 32.

(17) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 6.3 間欠時間計算式以下で与えられます。 (1) TON TON = CON/OFF × RB × ln. 3VBE 2VBE. = CON/OFF × RB × ln1.5 ×. 1. ×. 1 − On duty* 1. 1 − On duty*. ѳ 0.4 × CON/OFF × RB ´×. 1 1 − On duty*. (2) TOFF TOFF = CON/OFF × (RA + RB) × ln. VIN − 2VBE VIN − 3VBE. VBE ѳ 0.7 V ߢߔ‫ޕ‬. (1)より，TON は，パルス·バイ·パルスカレントリミッタがかかるポイント (TON) が小さい (過負荷が大きい) 程，小さくなります。 (2)より TOFF は VIN に依存します。また，VIN 投入時，ON/OFF 端子電圧が 3VBE に到達するまで IC は OFF しています。 DB┵ሶ㔚࿶. ਃⷺᵄ. ࠞ࡟ࡦ࠻࡝ࡒ࠶࠲േ૞ὐ PWM಴ജ (ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦߩ႐ว) t ON. On duty =. t ON T. T − 1/fOSC T ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬On dutyߪ㧘PWM 1ࠨࠗࠢ࡞ਛߢ㧘ࡄ࡞ࠬ.ࡃࠗࡄ࡞ࠬࠞ࡟ࡦ࠻࡝ࡒ࠶࠲േ૞ᤨߩONᤨ㑆ߩഀว‫ޕ‬. 図 6.3. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 15 of 32.

(18) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 6.4 間欠動作タイミングの例 (計算値) (1) TON TON = T1 × CON/OFF × RB ただし，係数 T1 = 0.4 ×. 1 1− ON duty. (6.3 (1) ࠃࠅ). たとえば，CON/OFF = 2.2µF, RB = 4.7kΩ，カレントリミッタのかかる ON Duty が 75%の場合 TON≒16ms となります。なお，カレントリミッタを掛けたい PWM ON Duty の設定は，通常，下図の関係をもとに決めます。. 4. 3. 2 T1 1. 0 0. 20. 40. 60. 80. 100. (PWM) ON Duty (%). 図 6.4 間欠動作タイミングの例 (1) (2) TOFF TOFF = T2 × CON/OFF × (RA + RB) ただし，係数. T2 = ln. VIN − 2VBE (6.3 (2) ࠃࠅ) VIN − 3VBE. たとえば，CON/OFF = 2.2µF, RB = 4.7kΩ, RA = 390kΩ, VIN = 12V の場合 TOFF = 60ms となります。. 0.1. T2 0.05. 0. 0. 10. 20 V IN (V). 30. 図 6.5 間欠動作タイミングの例 (2). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 16 of 32. 40.

(19) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. ਃⷺᵄ VCT ࠺࠶࠼ࡃࡦ࠼ VDB. ࡉ࡯ࠬ࠻࿁〝଀ VIN CF RF. ࠛ࡜࡯ࠕࡦࡊ಴ജ VE/O PWMࡄ࡞ࠬ಴ജ (ࡉ࡯ࠬ࠻ߩ႐ว). IC. RCS. CL. Inductor. OUT. VOUT ID. ࡄࡢ࡯MOS FETߩ ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ (ID) (⎕✢ߪࠗࡦ࠳ࠢ࠲ ߩ㔚ᵹ) V IN ࠞ࡟ࡦ࠻࡝ࡒ࠶࠲ ┵ሶ (CL) V IN − 0.2 V. F.B. L, VINߢ᳿߹ࠆ VTCL. RCS, RFߢ᳿߹ࠆ. 図 6.6 7. ON/OFF 端子の使用法 7.1 ON/OFF 端子による IC のオフについて本 IC は図 7.1 のように ON/OFF 端子を 2VBE 以下の電圧にすることで IC を安全にオフすることができ，電源システムのパワーセーブにご利用できます。このときの IC の消費電流 (IOFF) は，HA16116 は 10µA Max，HA16121 は 150µA Max です。また，ON/OFF 端子は，5V 印加時のシンク電流が 50µA Typ で，TTL や CMOS などのロジック IC でドライブすることも可能です。間接動作と併用したい場合は，オープンコレクタ，またはオープンドレインのロジック IC をご使用ください。 VIN I IN RA ᄖઃߌࡠࠫ࠶ࠢIC Off. On. RB. P.V IN S.VIN ಴ജᲑ߳ ࡜࠶࠴߳. TIM. 50 kΩ ࠬࠗ࠶࠴. ON/OFF. + −. ઁ࿁〝߳. 4 VBE CON/OFF. Q1 Q2 Q3. HA16116, HA16121. 図 7.1 ON/OFF 端子による IC のオフ. 2003.09.18,. page 17 of 32. Vref಴ജ. Q4. GND. Rev.3.0,. Vref ⊒↢࿁〝. On/offࡅࠬ࠹࡝ࠪࠬ࿁〝.

(20) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 7.2 UVL 電圧の調整方法 (間欠動作を使用しない場合) 本 IC シリーズは，UVL 電圧を外部から調整できます。図 7.2 の関係を利用して，VIN に対する UVL の VTH, VTL を相対的に変えて調整します。 IC の起動時は Q4 が OFF しているので，VON = 3VBE≒2.1V です。よって，図の RC, RD を接続すると，UVL 解除電圧は RC + RD VIN = 2.1 V × RD となります。なお，この VIN は，あくまで UVL が解除される電源電圧で，この状態では，まだ Vref は 2.5V 未満です。Vref = 2.5V を得るには，VIN を約 4.3V 以上印加してください。また，本 IC シリーズは，VON/OFF は内部のトランジスタの VBE を利用しているため，VON の温度依存性は約 –6mV/°C あります。電源セット設計の際はご留意ください。. VIN P.V IN. S.VIN ಴ജᲑ߳. RC. TIM (ࠝ࡯ࡊࡦ). ઁ࿁〝߳. ࡜࠶࠴߳. ON/OFF Q1 Vref ⊒↢࿁〝. 50 kΩ RD. Q2 Q3 GND. 3. On/offࡅࠬ࠹࡝ࠪࠬ࿁〝. VIN ≥ 4.5 V. 2 VOFF 1.4 V. 1 0. Q4. 2.5 V. Vref. 0. 1. VON 2.1 V. 2. 3. 4. 5. VON/OFF. 図 7.2 UVL 電圧の調整方法. Rev.3.0,. 2003.09.18,. Vref಴ജ. page 18 of 32.

(21) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ 8. 過電流状態時の検出電流値の設定本 IC の過電流検出の VTH は 0.2V Typ です。また，バイアス電流は 200µA Typ です。カレントリミッタをかけるパワーMOS FET の検出ピーク電流値は，次式のようになります。 V − (RF + RCS)࡮IBCL ID = TCL RCS ただし，VTCL = VIN – VCL, VCL は GND を基準とした CL 端子の電圧です。また，CF と RF はその時定数で決まるローパスフィルタで，パワーMOS FET の ON·OFF に伴うスパイク電流による誤動作を防止します。. C F 1800 pF. S.VIN. R CS 0.05 Ω. I BCL ઁ࿁〝߳. CL. 1k. OUT. 200 µA. RF 240 Ω. OUT. G. S D. − +. IN(−). 図 8.1 ステップダウン使用例図中の数値例では， 0.2 V − (240Ω + 0.05Ω) × 200µA ID = 0.05Ω = 3.04 [A] となり，フィルタのカットオフ周波数は 1 1 = 370 [kHz] fC = = 2π CF RF 6.28 × 1800pF × 240Ω. Rev.3.0,. 2003.09.18,. VO. ᬌ಴಴ജ (ౝㇱ). となります。. page 19 of 32. V IN. + −.

(22) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 定格値 HA16116FP, HA16121FP 40. HA16116FPJ, HA16121FPJ 40. 単位. ±0.1 ±1.0. ±0.1 ±1.0. A A. VCL VIEA. VIN VIN. VIN VIN. V V. E/O 入力電圧 RT 端子ソース電流. VIE/O IRT. Vref 500. Vref 500. V µA. TIM 端子シンク電流 1 許容損失*. ITM PT. 20 680. 20 680. mA mW. 動作温度ジャンクション温度. Topr Tjmax. –40〜+85 125. –40〜+85 125. °C °C. 保存温度. Tstg. –55〜+125. –55〜+125. °C. 項目. 記号. 電源電圧. VIN. 出力電流 (DC) 出力電流 (Peak). IO IO peak. カレントリミッタ端子電圧エラーアンプ入力電圧. V. 【注】 1. この値は，40 × 40 × 1.6 [mm] のガラスエポキシ基板に実装時のものです。ただし，配線密度 10% の場合，Ta = 45°C までで，これ以上は 8.3mW/°C でディレーティングを，また，配線密度 30% の場合，Ta = 64°C までで，これ以上は 11.1mW/°C でディレーティングをしてください。. 800. ㈩✢ኒᐲ10%ߩ႐ว. ⸵ኈ៊ᄬ PT (mW). 680 mW. ㈩✢ኒᐲ30%ߩ႐ว. 600 447 mW 400. 348 mW. 200. 0 −40. −20. 0. 20. 40. 45͠. 64͠. 85͠. 60. 80. 100. േ૞๟࿐᷷ᐲ Ta (͠). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 20 of 32. 125͠. 120. 140.

(23) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 電気的特性 (Ta = 25°C, VIN = 12V, fOSC = 300kHz, VON/OFF ≥ 3V) 項目基準電圧部. 三角波発振器部. 休止期間調整回路部. ＰＷＭコンパレータ部. 記号. Min. Typ. Max. 単位. 測定条件. 出力電圧. Vref. 2.45. 2.50. 2.55. V. ラインレギュレーション. Line. —. 30. 60. mV. 4.5V ≤ VIN ≤ 40V. ロードレギュレーション. Load. —. 30. 60. mV. 0 ≤ IO ≤ 10mA Vref = 0V. 出力短絡電流. IOS. 10. 25. —. mA. Vref OVP 電圧. Vrovp. 6.2. 6.8. 7.0. V. VO = 1mA. 出力電圧温度変動. ∆Vref/∆Ta. —. 100. —. ppm/°C. 最大発振周波数. fOSCmax. 600. —. —. kHz. 最小発振周波数. fOSCmin. —. —. 1. Hz. 発振周波数入力電圧安定度. ∆fOSC/∆VIN. —. ±1. ±3. %. 4.5V≤VIN≤40V における変動率. 発振周波数温度安定度. ∆fOSC/∆Ta. —. ±5. —. %. –20°C≤Ta≤85°C における変動率. 発振周波数. fOSC. 270. 300. 330. kHz. ローレベルスレッショルド電圧. VTLDB. 0.87. 0.97. 1.07. V. 出力 ON デューティ = 0%. ハイレベルスレッショド電圧. VTHDB. 1.48. 1.65. 1.82. V. 出力 ON デューティ = 100%. スレッショルド差電圧. ∆VTDB. 0.55. 0.65. 0.75. V. ∆VTH = VTH – VTL. 出力ソース電流. Isource (DB). 100. 150. 200. µA. DB 端子 = 0V. ローレベルスレッショルド電圧. VTLCMP. 0.87. 0.97. 1.07. V. 出力 ON デューティ = 0%. ハイレベルスレッショルド電圧. VTHCMP. 1.48. 1.65. 1.82. V. 出力 ON デューティ = 100%. スレッショルド差電圧. ∆VTCMP. 0.55. 0.65. 0.75. V. ∆VTH = VTH – VTL. デッドバンド精度. DBdev. –5. 0. +5. %. VEO = (VTL + VTH)/2. 入力オフセット電圧. VIOEA. —. 2. 10. mV. 入力バイアス電流. IBEA. —. 0.8. 2. µA. 出力シンク電流. IO sink (EA). 28. 40. 52. µA. オープンループにて VI = 3V, VO = 2V. 出力ソース電流. IO source (EA). 28. 40. 52. µA. オープンループにて VI = 2V, VO = 1V. 開ループ電圧利得. AVO. 40. 50. —. dB. f = 10kHz. ユニティゲイン帯域幅. BW. 3. 4. —. MHz. ハイレベル出力電圧. VOHEA. 2.2. 3.0. —. V. IO = 10µA. ローレベル出力電圧. VOLEA. —. 0.2. 0.5. V. IO = 10µA. CT = 220pF, RT = 10kΩ. Duty = 50%からの偏差エラーアンプ部. (次頁に続く). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 21 of 32.

(24) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. (Ta = 25°C, VIN = 12V, fOSC = 300kHz, VON/OFF ≥ 3V) 項目過電流検出部. 出力段部. Min. Typ. Max. 単位. スレッショルド電圧. VTCL. 記号. VIN –0.22. VIN –0.2. VIN –0.18. V. CL バイアス電流. IBCL. 150. 200. 250. µA. CL = VIN. 動作時間. tOFF CL. —. 200. 300. ns. CL = VIN – 0.3V. —. 500. 600. ns. HA16121FP の ch2 のみに適用. —. 0.7. 2.2. V. IO sink = 10mA, HA16116 に適用. —. 1.6. 1.9. V. IO sink = 10mA, HA16121 に適用 IO sink = 0mA, HA16121 に適用. 出力ロー電圧. VOL1. OFF 時ロー電圧. VOL2. —. 1.0. 1.3. V. —. 1.6. 1.9. V. 測定条件. IO sink = 1mA, ON/OFF 端子 = 0V HA16121 の ch2 のみに適用. —. 1.0. 1.3. V. IO sink = 0mA, ON/OFF 端子 = 0V HA16121 の ch2 のみに適用. 出力ハイ電圧. VOH1. OFF 時ハイ電圧. VOH2. 立ち上がり時間 UVL 部. ON/ OFF 部. tr. VIN –1.9. VIN –1.6. —. V. IO source = 10mA. VIN –1.3. VIN –1.0. —. V. IO source = 0mA. VIN –1.9. VIN –1.6. —. V. IO source = 1mA ON/OFF 端子 = 0V. VIN –1.3. VIN –1.0. —. V. IO source = 0mA ON/OFF 端子 = 0V. —. 70. 130. ns. CL = 1000pF (対 VIN) *1 CL = 1000pF (対 VIN) *1. 立ち下がり時間. tf. —. 70. 130. ns. VIN ハイレベルスレッショルド電圧. VTUH1. 3.3. 3.6. 3.9. V. VIN ローレベルスレッショルド電圧. VTUL1. 3.0. 3.3. 3.6. V. VIN UVL ヒステリシス電圧. ∆VTU1. 0.1. 0.3. 0.5. V. Vref ハイレベルスレッショルド電圧. VTUH2. 1.7. 2.0. 2.3. V. Vref ローレベルスレッショルド電圧. VTUL2. 1.4. 1.7. 2.0. V. Vref UVL ヒステリシス電圧. ∆VTU2. 0.1. 0.3. 0.5. V. ∆VTU2 = VTUH2 – VTUL2. ON/OFF 端子シンク電流. ION/OFF. —. 35. 50. µA. ON/OFF 端子 = 5V. IC ON 電圧. VON. 1.8. 2.1. 2.4. V. IC OFF 電圧. VOFF. 1.1. 1.4. 1.7. V. ON/OFF ヒステリシス電圧. ∆VON/OFF. 0.5. 0.7. 0.9. V. ∆VTU1 = VTUH1 – VTUL1. 【注】 1. HA16121 の 2ch の CL は対 GND に接続。なお，CL は，IC テスト時にパワーMOS FET のゲートの代わりに接続する，負荷容量です。 (次頁に続く). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 22 of 32.

(25) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. (Ta = 25°C, VIN = 12V, fOSC = 300kHz, VON/OFF ≥ 3V) 項目 TIM 部. 総合部. Min. Typ. Max. 単位. 定常時 TIM 端子シンク電流. ITIM1. 0. —. 10. µA. CL 端子 = VIN, VTIM = 0.3V. 過電流検出時 TIM 端子シンク電流. ITIM2. 10. 15. 20. mA. 動作電流. IIN. 6.0. 8.5. 11.1. mA. CL 端子 = VIN – 0.3V, VTIM ≤ 0.3V CL = 0pF (対 VIN) *1. 8.5. 12.1. 15.7. mA. 11.0. 15.7. 20.5. mA. CL = 500pF (対 VIN) *1 CL = 1000pF (対 VIN) *1. 0. —. 10. µA. HA16116FP. 0. 120. 150. µA. HA16121FP. OFF 電流. 記号. IOFF. 測定条件. ON/OFF 端子 = 0V. 【注】 1. HA16121 の 2ch の CL は対 GND に接続。なお，CL は，IC テスト時にパワーMOS FET のゲートの代わりに接続する，負荷容量です。. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 23 of 32.

(26) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 主特性 • 基準電圧部 (Vref) ౉ജ㔚Ḯ㔚࿶ ኻ Vref․ᕈ. Vref᷷ᐲ․ᕈ 2.54. Ta = 25͠ RA = 390 kΩ (VIN㨪ON/OFF┵ሶ㑆). Reference voltage Vref (V). Reference voltage Vref (V). 3. 2.5 V. 2 UVL⸃㒰: 3.6 V UVLേ૞: 3.3 V. 1 3.3 3.6 0. VIN = 12 V IO (Vref ) = 1 mA 2.52. 2.50. 2.48. 4.3. 1 2 3 4 5 Power supply input voltage VIN (V). 40. 2.46 −20. 85 0. 20. Vrefࡠ࡯࠼࡟ࠡࡘ࡟࡯࡚ࠪࡦ Reference voltage Vref (V). 3.0. 2.5. 2.0. 1.50 ⍴⛊㔚ᵹ 0 10 20 Output current IO sink (mA). 30. • UVL (低入力電圧誤動作防止) 部 ࡅࠬ࠹࡝ࠪࠬ㔚࿶᷷ᐲ․ᕈ. VIN UL voltage (V). 4.5. 2003.09.18,. ࡅࠬ࠹࡝ࠪࠬ᏷. 3.5. 3.0. 2.5. Rev.3.0,. ࡂࠗࠬ࡟࠶࡚ࠪ࡞࠼㔚࿶. 4.0. ࡠ࡯ࠬ࡟࠶࡚ࠪ࡞࠼㔚࿶. −20. page 24 of 32. 0. 40. 60. Ambient temperature Ta (͠). 20 40 60 80 Ambient temperature Ta (͠). 100. 80. 100.

(27) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ • 三角波発振器部. 2.0. Triangle wave level (V). RT pin voltage (V). ਃⷺᵄᝄ᏷ ኻ ⊒ᝄ๟ᵄᢙ․ᕈ. RT┵ሶ಴ജ㔚ᵹ․ᕈ. 1.1. 1.0. 0.9 ផᅑ૶↪▸࿐ 10 (RT ѳ100 kΩ) 0.8. 0. 100. VTH 1.5 ਃⷺᵄᝄ᏷ VTL. 1.0. 0.5. ‫ޣ‬ᵈ‫․ߩߎޤ‬ᕈߩߚ߼㧘࠺࠶࠼ࡃࡦ࠼߅ࠃ߮ PWMࠦࡦࡄ࡟࡯࠲ߩࠬ࡟࠶࡚ࠪ࡞࠼ 㔚࿶ߪ㧘㜞๟ᵄߢᄌേߒ߹ߔ‫ޕ‬. 330 (RT ѳ3 kΩ). 200. 300. 400. 500. 0 (DC). IRT (µA). 100. 200. 300. 400. ⊒ᝄ๟ᵄᢙ ኻ CT, RTቯᢙ․ᕈ (VIN = 12V). 100 70. C. RT (kΩ). 50. T. 30 20. 10 22. 10 7. 47 00. .1. 5 3. 10. Frequency variation (∆f/fo) (%). 2003.09.18,. 30. 00. 0. 0. pF. 0p. pF. =. 47. pF 600 kHz. F. pF. pF. pF. 50 70 100 200 300 Oscillator frequency fOSC (kHz). 500 700 1 M. ⊒ᝄ๟ᵄᢙ᷷ᐲ቟ቯᐲ VIN = 12 V. +5. A: fOSC = 300 kHz B: fOSC = 600 kHz. B 0. A. A. −5. B 85. −10 −20. Rev.3.0,. 00. µF. 20. +10. 00. 47. 10. 22. 0. page 25 of 32. 500. fOSC (kHz) (࡝࠾ࠕࠬࠤ࡯࡞). 20 40 60 Ambient temperature Ta (͠). 80. 100. 600.

(28) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ • エラーアンプ部 ࠝ࡯ࡊࡦ࡞࡯ࡊ೑ᓧ․ᕈ. AVO 40. Phase delay φ (deg.). Open loop gain A VO (dB). 60. 0 φ. 45. 20. 90. 135 BW 0 1k. 3k. 10 k. 30 k. 100 k. 300 k. 1M. 3M. 180 10 M. Error amplifier input frequency fIN (Hz). ࠦࡕࡦࡕ࡯࠼౉ജ․ᕈ. Output offset VO (mV). +100. 0 − EA +. −100. VO − +. VI Vref −200. −300. 0. 1. 2 3 Input voltage VI (V). 4. • ON デューティ特性 ON࠺ࡘ࡯࠹ࠖ․ᕈ. ON࠺ࡘ࡯࠹ࠖ․ᕈ 100. z. 80. z. z kH 0. Hz 0k. 40. fO. SC. =5. 20. 20. 30. 0. 40. 60. z. kH. kH. 0. ࡉ࡯ࠬ࠻PWM಴ജ (HA16121-2 ch). 60. 60. On duty*2 (%). 30. 0. kH. 0k =5 SC. 60. fO. On duty*1 (%). 80. ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ PWM಴ജ (HA16116-1, 2ch HA16121-1ch). Hz. 100. 0 0.8. 1.0. 1.2 1.4 VDB or VE/O (V). 1.6. 1.8. ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬1. 1࠲ࠗࡒࡦࠣਛ㧘಴ജ߇̌L̍ߦߥࠆഀวߢߔ‫ޕ‬. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 26 of 32. 0 0.8. 1.0. 1.2 1.4 VDB or VE/O (V). 1.6. 1.8. ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬2. 1࠲ࠗࡒࡦࠣਛ㧘಴ജ߇̌H̍ߦߥࠆഀวߢߔ‫ޕ‬.

(29) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ • その他の特性 IC ON㔚࿶㧘OFF㔚࿶᷷ᐲ․ᕈ 4. 210. 3. VON or VOFF (V). Detection voltage VTH (mV). ࠞ࡟ࡦ࠻࡝ࡒ࠶࠲࡟ࡌ࡞᷷ᐲ․ᕈ 220. 85͠. 200. 190. 180 −20. 0. 20 40 60 Ambient temperature Ta (͠). 80. Current dissipation IIN (mA). 30. 1. VOFF ࠝࡈ㔚࿶ (⚂−4mV/͠). 0 20 40 60 80 Ambient temperature Ta (͠). 100. ಴ജ┵ሶ (಴ജᛶ᛫) ․ᕈ. 11. Ta = 25͠ ߦ߅ߌࠆ ᦨᄢቯᩰ 680 mW. 10. ⽶⩄ኈ㊂ 1000 pF/ch 20 500 pF/ch. VGS (Pch ࡄࡢ࡯ MOS FET). ONᤨ಴ജࡂࠗ㔚࿶ OFFᤨ಴ജࡂࠗ㔚࿶ (HA16116-1, 2ch߅ࠃ߮ HA16121-1ch). 9. 3. ή⽶⩄. 10. 85͠. 12. Output voltage VO (VDC). fOSC = 300 kHz ON࠺ࡘ࡯࠹ࠖ50% Ta = 25͠. 2. 0 −20. 100. IIN ኻ VIN․ᕈ 40. VON ࠝࡦ㔚࿶ (⚂−6mV/͠). ONᤨ಴ജࡠ࡯㔚࿶ 2. 1. 10 20 30 Power supply voltage VIN (V). 0. 40. 0. ಴ജ࠼࡜ࠗࡉ࿁〝ߦࠃࠆ ࡄࡢ࡯MOS FETߩ⋥ធ㚟േ⢻ജ࠺࡯࠲ 800. OFFᤨ಴ജࡠ࡯㔚࿶ (HA16121-1, 2ch). 2 4 6 8 IO sink or IO source (mA). 10. VGS (Nch ࡄࡢ࡯ MOS FET). 2SJ214ߩ႐วߩࠥ࡯࠻࠼࡜ࠗࡉᵄᒻ. VIN = 12 V fOSC = 130 kHz. IO peak (mA). 600 2SJ214. 2SJ176. 2SJ216. ࠼࡜ࠗࡉ㔚࿶ 5 V/div. 400. 200. 0. ࠼࡜ࠗࡉ㔚ᵹ * 200 mA/div 1000. 2000. 3000. 4000. Ciss (pF) ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬ታ✢ߪ࠺ࠖࠬࠢ࡝࡯࠻ߩኈ㊂ߢ᷹ቯߒߚ࠺࡯࠲ (HA16116 ࠴ࡖࡀ࡞ᒰࠅ). Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 27 of 32. 650 nsec/div ‫ޣ‬ᵈ‫ࠅࠃߦࡉ࡯ࡠࡊ࠻ࡦ࡟ࠞ *ޤ‬᷹ቯ (ࡉ࡯ࠬ࠻ch (HA16121-2ch)ߪ㧘ኻGND⽶⩄ߣߥࠅ㧘 ߶߷หߓ․ᕈߢߔ‫)ޕ‬.

(30) Rev.3.0,. 12V. VIN. 2003.09.18,. page 28 of 32. from UVL. ON/OFF. S.VIN. 5k. S.GND. 1. 0.8V. VIN. 2.5V಴ജ ࡃࡦ࠼ ࠡࡖ࠶ࡊ ၮḰ㔚࿶ ⊒↢࿁〝. 20. න૏ R : Ω C : µF (ή⸥౉) pF (p) ICߪHA16116ߢߔ‫ޕ‬. Cref 0.1. TIM. OVP. VL VH. UVL. 18. ਃⷺᵄ. CT 220p. CT. 2. 1.1 V RT. RT 10k. RT. 3. ࡃࠗࠕࠬ㔚ᵹ. ࡜࠶࠴࡝࠮࠶࠻ࡄ࡞ࠬ. 1.0 V. 1.6 V. ਃⷺᵄ⊒↢࿁〝. L. H. Vref. 19. Q. IN(+)1. 4. R. S. ࡜࠶࠴. OR. UVL಴ജ. + EA1 −. 0.8V. VIN. 12k. 14. DB2. + 2.2 −. 24k. 33k. E/O1. 5k. R3 2k. 2.2. R4 10k. 24k. +. −. − + CL2. CL1. 8. 0.2 V. Vref. Vref. 0.2 V. to S.VIN. CL1 − +. from UVL. DB1. 7. CL2. 1800p. 240. 240. 330µH. HRP24. 4.7. 4.7. 1800p. P.GND. 10. NAND OUT1. OUT1. 9. P.VIN. 11. NAND (HA16116). OUT2*. OUT2. 13 to S.VIN 12. from UVL. PWM COMP 1. − + +. + + −. PWM COMP 2. 5k. from UVL. from UVL. 6. 12k. 4700p 10k. 100k. 33k. E/O2. 15. 0.8V. − EA2 +. IN(−)1. 5. 16 VIN. 100k. 10k. 4700p. ON/OFF IN(−)2. 17. RB 4.7k CTM 2.2. RA 390k. HA16116FPࠍ↪޿ߚ㧘+12V౉ജ㧘±5V಴ജ㔚Ḯ. 20k. 20k. −. +5V ಴ജ. +. 0.05. 2SJ214. HRP24. + − 470. +. −5V ಴ജ. ࠗࡦࡃ࡯࠹ࠖࡦࠣ಴ജ −. ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ಴ജ. + 470 −. 330µH. 2SJ214. 0.05. HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 動作回路例 (1).

(31) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 全体波形タイミングチャート (動作回路 (1) における). 12 V VIN 0V VTIM ,. 2.8 V 2.1 V. VTIM , VON/OFF. VON/OFF. 2.1 V. 1.4 V. 0.0 V On On. (V) 3.0. On. On On. VE/O Off. Off. Off. Off. Off. 2.0 VE/O, VCT, VDB. VCT ਃⷺᵄ. 1.0 VDB 0.0 VCL. 12 V 11.8 V 0V ࡄ࡞ࠬ㨯ࡃࠗ㨯ࡄ࡞ࠬ ࠞ࡟ࡦ࠻࡝ࡒ࠶࠲േ૞. VOUT*1 12 V PWM ࡄ࡞ࠬ 0 V DC/DC಴ജ (ᱜ㔚࿶ߩ଀). ࠰ࡈ࠻ࠬ࠲࡯࠻. ቯᏱേ૞. ICߩേ૞⁁ᘒ 㔚ḮON IC ON ‫ޣ‬ᵈ‫ ޤ‬1. PWMࡄ࡞ࠬ಴ജᵄᒻߪ㧘ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ೙ᓮߩ႐วߢߔ‫ޕ‬ ࡉ࡯ࠬ࠻೙ᓮ (HA16121 -2ch) ߢߪ⺰ℂ߇෻ォߒ߹ߔ‫ޕ‬. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 29 of 32. ㆊ㔚ᵹᬌ಴㧘㑆ᰳേ૞. ㆊ㔚ᵹ⸃㒰㧘 ࠢࠗ࠶ࠢ ቯᏱേ૞ ࠪࡖ࠶࠻ 㔚ḮOFF㧘 IC OFF.

(32) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 動作例 2 (使用法ワンポイントアドバイス) 1. インダクタ，パワーMOS FET，ダイオードの取付け 1. ࡉ࡯ࠬ࠻઀᭽. 2. ࠬ࠹࠶ࡊ࠳࠙ࡦ઀᭽. V IN. V IN CF. RCS. RF. V IN. CF. HA16121FPߩ Ch2ߩߺ૶↪น. RF. V IN. RCS. CL. CL. HA16116FP ߅ࠃ߮ HA16121-Ch1. OUT VO. VO. OUT GND. GND FB. FB. 3. ࠗࡦࡃ࡯࠹ࠖࡦࠣ઀᭽ CF RF. V IN. 4. ࡃ࠶ࠢࡉ࡯ࠬ࠻઀᭽ RCS. CF. Ch1ߩߺ૶↪น. RF. V IN. CL. RCS. Ch1ߩߺ૶↪น. CL. OUT. OUT VO. VO GND. GND FB. FB Vref. 2. IC を ON した状態で，出力を ON･OFF する方法 ᣇᴺ1.. ࠴ࡖࡀ࡞ߩߺ಴ജࠍOFFߔࠆᤨ㧘 DB߹ߚߪE/Oࠍធ࿾ߒߡߊߛߐ޿‫ޕ‬ ߚߛߒ㧘E/Oធ࿾ᤨߪౣ߮ONߔࠆ㓙㧘 ࠰ࡈ࠻ࠬ࠲࡯࠻ߪ௛߈߹ߖࠎ‫ޕ‬ DB. Off. 2003.09.18,. ࠴ࡖࡀ࡞ߩߺ૶↪ߒߚ޿႐ว㧘 ૶↪ߒߥ޿࠴ࡖࡀ࡞ߩធ⛯ࠍᰴߩ ࠃ߁ߦߒߡߊߛߐ޿‫ޕ‬. CL → VINߦធ⛯ IN(+), IN(−) → ធ࿾ ߘߩઁ → ࠝ࡯ࡊࡦ. E/O. Rev.3.0,. ᣇᴺ2.. page 30 of 32. VIN. CL IN + IN − GND.

(33) Rev.3.0,. 5V. VIN. 2003.09.18,. page 31 of 32. 0.8V. VIN. 1. 5k. L. H. Vref. 1.0 V. 1.6 V. OVP. ਃⷺᵄ. 18. VL VH. UVL. ਃⷺᵄ⊒↢࿁〝. 19. S.GND. 2. CT 220p. CT. ࡃࠗࠕࠬ㔚ᵹ. TIM. 3 RT 10k. RT. 1.1 V RT. ࡜࠶࠴࡝࠮࠶࠻ࡄ࡞ࠬ. S.VIN. 2.5V಴ജ ࡃࡦ࠼ ࠡࡖ࠶ࡊ ၮḰ㔚࿶ ⊒↢࿁〝. 20. න૏ R : W C : µF (ή⸥౉) pF (p) ICߪHA16121ߢߔ‫ޕ‬. from UVL. ON/OFF. Cref 0.1. ON/OFF. R. S. 4. Q. ࡜࠶࠴. OR. IN(+)1. UVL಴ജ. 17. CTM 2.2. RB 4.7k. RA 390k. HA16121FPࠍ↪޿ߚ㧘+5V౉ജ㧘+12V, −22V಴ജ㔚Ḯ. VIN. 100k. IN(−)1. + EA1 −. 0.8V. VIN. 0.8V. − EA2 +. 100k IN(−)2. 12k. 12k. 4700p 10k. 5. 16. 6. from UVL. 5k. 33k. E/O1. from UVL. R3 1.2k. 24k. +. −. 7. R4 22k. 2.2. DB1. 8. CL1. 9. 0.2 V to S.VIN. CL1 − +. Vref. Vref. 0.2 V. 11. P.V IN. OUT1. OUT1. 10. NAND. P.GND. NAND (HA16116). OUT2*. CL2 OUT2 12 to S.VIN. − + CL2. 13. from UVL. PWM COMP 1. − + +. + + −. PWM COMP 2. 5k. from UVL. DB2. 2.2. 14. −. +. 24k. E/O2. 33k. 15. 4700p 10k. 1800p. 1800p. 240. 4.7. 330µH. 2SK1094. 4.7. 240. +. 1.3 k. 5.1 k. −. +12V ಴ജ. +. 0.05. 2SJ214. + −. 470. −. −12V ಴ജ. ࠗࡦࡃ࡯࠹ࠖࡦࠣ಴ജ +. ࡉ࡯ࠬ࠻಴ജ. 470 −. HRP24. 330µH. 0.05. HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 動作回路例 (3).

(34) HA16116FP/FPJ, HA16121FP/FPJ. 外形寸法図. As of January, 2003 Unit: mm. 12.6 13 Max 11. 1. 10. 1.27 *0.42 ± 0.08 0.40 ± 0.06. 0.10 ± 0.10. 0.80 Max. *0.22 ± 0.05 0.20 ± 0.04. 2.20 Max. 5.5. 20. 0.20 7.80 +– 0.30. 1.15. 0˚ – 8 ˚ 0.70 ± 0.20. 0.15. 0.12 M *Dimension including the plating thickness Base material dimension. Rev.3.0,. 2003.09.18,. page 32 of 32. Package Code JEDEC JEITA Mass (reference value). FP-20DA — Conforms 0.31 g.

(35) 営業企画統括部. 〒100-0004 東京都千代田区大手町2-6-2 日本ビル. 安全設計に関するお願い. 1. 弊社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，半導体製品は故障が発生したり，誤動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として，人身事故火災事故，社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計，延焼対策設計，誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。. 本資料ご利用に際しての留意事項. 1. 本資料は，お客様が用途に応じた適切なルネサステクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり，本資料中に記載の技術情報についてルネサステクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施，使用を許諾するものではありません。 2. 本資料に記載の製品データ，図，表，プログラム，アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害，第三者所有の権利に対する侵害に関し，ルネサステクノロジは責任を負いません。 3. 本資料に記載の製品データ，図，表，プログラム，アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり，ルネサステクノロジは，予告なしに，本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります。ルネサステクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては，事前にルネサステクノロジ，ルネサス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに，ルネサステクノロジホームページ(http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。 4. 本資料に記載した情報は，正確を期すため，慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には，ルネサステクノロジはその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品データ，図，表に示す技術的な内容，プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は，技術内容，プログラム，アルゴリズム単位で評価するだけでなく，システム全体で十分に評価し，お客様の責任において適用可否を判断してください。ルネサステクノロジは，適用可否に対する責任は負いません。 6. 本資料に記載された製品は，人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計，製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸，移動体用，医療用，航空宇宙用，原子力制御用，海底中継用機器あるいはシステムなど，特殊用途へのご利用をご検討の際には，ルネサステクノロジ，ルネサス販売または特約店へご照会ください。 7. 本資料の転載，複製については，文書によるルネサステクノロジの事前の承諾が必要です。 8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ，その他お気付きの点がございましたらルネサステクノロジ，ルネサス販売または特約店までご照会ください。. 営業お問合せ窓口株式会社ルネサス販売. 本京西札東い茨新松中浜西北中松鳥九鹿. 浜支東京支幌支北支わき支城支潟支本支部営業本松支部営業本陸支国支山支取支州支児島支. http://www.renesas.com 社社社店社店社店社部店部社社店店社店. 〒100-0004 〒212-0058 〒190-0023 〒060-0002 〒980-0013 〒970-8026 〒312-0034 〒950-0087 〒390-0815 〒460-0008 〒430-7710 〒541-0044 〒920-0031 〒730-0036 〒790-0003 〒680-0822 〒812-0011 〒890-0053. 千代田区大手町2-6-2 (日本ビル) 川崎市幸区鹿島田890-12 (新川崎三井ビル) 立川市柴崎町2-2-23 (第二高島ビル2F) 札幌市中央区北二条西4-1 (札幌三井ビル5F) 仙台市青葉区花京院1-1-20 (花京院スクエア13F) いわき市平小太郎町4-9 (損保ジャパンいわき第二ビル3F) ひたちなか市堀口832-2 (日立システムプラザ勝田1F) 新潟市東大通1-4-2 (新潟三井物産ビル3F) 松本市深志1-2-11 (昭和ビル7F) 名古屋市中区栄3-13-20 (栄センタービル4F) 浜松市板屋町111-2（浜松アクトタワー10F）大阪市中央区伏見町4-1-1 (大阪明治生命館ランドアクシスタワー10F) 金沢市広岡3-1-1 (金沢パークビル8F) 広島市中区袋町5-25 (広島袋町ビルディング8F) 松山市三番町4-4-6 (GEエジソンビル松山2号館3F) 鳥取市今町2-251 (日本生命鳥取駅前ビル) 福岡市博多区博多駅前2-17-1 (ヒロカネビル本館5F) 鹿児島市中央町12-2 (明治生命西鹿児島ビル2F). (03) 5201-5350 (044) 549-1662 (042) 524-8701 (011) 210-8717 (022) 221-1351 (0246) 22-3222 (029) 271-9411 (025) 241-4361 (0263) 33-6622 (052) 261-3000 (053) 451-2131 (06) 6233-9500 (076) 233-5980 (082) 244-2570 (089) 933-9595 (0857) 21-1915 (092) 481-7695 (099) 284-1748. ■技術的なお問合せおよび資料のご請求は下記へどうぞ。総合お問合せ窓口：カスタマサポートセンタ E-Mail: [email protected]. © 2003. Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 1.0.

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