Microsoft Word - 33rd EU-PVSEC報告.docx

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０１７．９山口真史（豊ダム、オラの組織委員長 JRC）であっ 0 名増、前々国別参加者件減、前々回イツ 241件、 ⑦ イタリアコ 33件の順で Germany Netherlands Japan France Switerland China Italy USA Korea Spain Taiwan Morocco Others

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９．３０豊田工大）ンダ）。長は、 Arno った。今年々回より、者数は、入回会議より、② オランア 43件、 ⑦ であった。 o

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図２はム、系統ュール、宇宙 34件 Becqu 以来、 EU-PVSE 太陽光発 PV & st 光発電の４．主開会式後、BIP （ Chair Growth, of many Innovat Directo 要で、性開拓が必 Amtech や LPCVD for Kno は、 PVのは、発表論統連携 238件、信頼性 18 件、の順で uerel Priz IEA-PVPS の ECの組織委発電への貢 torage、・の今後の方な発表論文式では、（ PVや energy rman Stand , The Nethe y organiza tion を期待 orate Gene 性能向上や必要である Systems, T Dなどの取 owledge and の研究開発

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分野別では、 CdTe等 II-V 、⑥ 市場、別内訳（ RT

rgy & Techn Technolog ワークのコア受賞記念講演 ity、・ PV の挨拶があっ点の重要性 al Agreeme consistent tablish en k Van Sti ネルギー社会ッテリとの連 es（ Chief T 立のオランダ Wim Sinke y, Manager 記（３）と同

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Cry PV Thi Mo Ada Mar Con 系 285件、② 有機）205件 ⑦ 集光太陽）が受賞した。 rm の副議長ーなど、長年 grid integ systems、なランダの特色た。（２）E rgy for Su olicy、② co torが、重要 uropean Co に向け、研究機能、サービ y Officer, PRESSの電気 TKI - Top c nt ECN Sola 後の方向性を ystalline Si Systems in Films odules avanced PV arket, Policy ncentrator PV ② PVシステ件、④ モジ陽光発電、 2001年異長、第 27 回年にわたる ration、・など、太陽色の紹介の Ed Nijpels ustainable ooperation 要で、 PVの ommission, 究開発は重ビスや市場 Tempress, 気炉、PECVD consortium ar Energy）を示した V n D m

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3 ４．１パネル討論：

Paolo Frankl（ IEA）がモデレータとなって、“ T Multi-Terawatt Photovoltaics – Going Beyond Wholesale Electricity” のテーマで、パネル討論がなされ、活発な質疑がなされた。Paolo Franklは、IEAの PVロードマップの紹介の後、PVのみならず、building、EVや水素などモビリティの視点でのパネル討論の方向性を示した。以下に、パネリストの主な意見を紹介する。（１）Georgina Grenon（Director, 100%RE Solutions ENGIE, France）は、輸送分野でのグリーン化が重要で、electricityとの連携が重要であり、可能性の基づく政策が必要であると述べた。（２）Nicola Melchiotti （Head of European Public Affairs and Regulation, Enel, Belgium）は、PVを含む再生可能エネルギーは、将来、間違いなく、メインとなろう。今は、過渡期で、ビジネスモデルや市場設計が求められている。基礎に基づく政策が必要であると述べた。（３） Thomas Nowak（Secretary General European Heat Pump Association AISBL (EHPA), Belgium）は、 buildingに関して、システムインテグレーション、信頼性や性能に関して、意見が述べられた。可能性の基づく政策が必要であると述べた（４）Michael Schmela（Executive Advisor Solar Power Europe (SPE) and Global Solar Council (GSC)）は、グリーンエネルギー社会の創製に向け、アンビシャスを持ち、挑戦することが重要で、アンビシャスターゲットの設定と政策立案が必要であると述べた。（５）Marko Topič（Chairman of European Technology & Innovation Platform Photovoltaics ETIP PV）は、将来、PVは、間違いなく、No.1になるだろう。輸送についても、バッテリ対水素の競合もあるが、benefitに基づく政策が必要であると述べた。

４．２先進太陽電池技術分野：

III-V/Si、ペロブスカイト /Siなど、Siタンデムセルが、ホットトピックスとなっている。（１） J. Benick ら（ FhG-ISE）は、 “ Monolithic III-V//Si Multi-Junction Solar Cell Exceeding an Efficiency of 31%” と題して、プレ－ナリ講演を行った。近年、シリコンベースのタンデム太陽電池が、結晶シリコン太陽電池の 29.4%の理論限界を超える可能性を有することで、注目を集めている。先に、 GaInP/GaAs２接合セルと TOPCon 結晶 Si ボトムセルとのウエハボンディングによる GaInP/GaAs/Si３接合セル（面積 3.98 cm2_{）で、効} 率 32.3％（ Voc=3.085V、 Jsc=12.6mA/cm2、 FF=83％）が報告してきた。図３に、ウエハボンディングによる GaInP/AlGaAs/Si３接合タンデム太陽電池の作製フローを示す。 Si 下部太陽電池の Voc 向上、電流整合の改善が課題であった。 Si 下部セルの再結合低減のため、 SiO2、 n-poly Si、 p-poly Si による passivated contacts、 P イオン注入エミッタ層の最適化に

より、 Voc は、 628ｍ V から 692mV に、改善されている。 light trapping による電流整合も改善され、図４に示すように、２端子構造としては、世界最高の効率 33.3％（面積 3.127 cm2_、 Voc=3.127V、Jsc=12.7mA/cm2、FF=83.8％）を達成している。本会議のハイライトとしても、高い評価を得ている。ヘテロエピ成長による InGaP/GaAs/Si ３接合セルでは、効率 19.7 ％（ Voc=2.52V 、 Jsc=10.0mA/cm2、FF=84.3％）で、転位密度が、2.8x107cm-2と高いことが課題である。EPFL と NREL、シャープ、豊田工大は、 4 端子メカニカルスタックによる InGaP/GaAs//Si セルで、各々、効率 35.9％、 33.0％、 28.2％の状況にある。当面、効率 37％以上の実現を目指している。

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図３（２） M Extract Cells w ルとして３接合タ成の実装れてい（３）B Lead Ha 陽電池、にある。ペロブスルヨウ化３．ウエ作製フロ M. Riennac tion Enabl with Three て、バックタンデム太装面での課る。 Si 下部 B. Ehrler ら alide Perovs 、４端子構。講演者のスカイト太化鉛ペロブハボンデフー（ R. Car 図４． G （ Dr. N cker ら（ I led by Mon e Terminal コンタクト太陽電池で、課題を克服す部セルのパッら（ AMOLF skite ”と題構成のペロブのグループは太陽電池材料ブスカイト ( フィングによ riou et al., I GaInP/GaAs N. Taylor、 3 ISFH）は、 olithic Ta s” と題しト構造を採各々、効するため、T ッシベーシ）は、“ Ind 題して、プブスカイトは、効率 22 料のバンド MAPI)は、 4 よる GaInP IEEE Journ /Si３接合太 33rd EU-PV NREL との andems Usi て、プレー用し、4 端効率 31.5%、 TCO コンタションや電流 direct to Di レーナリ講 /Si２接合タ 2％を、 201 構造に関す直接バンド /AlGaAs/Si al of Photov 太陽電池の VSEC のハイ共同研究の ing Interd ーナリ講演を端子構成の 35.4％を達タクトによ流整合に関 rect Bandga 講演を行ったタンデム太 13 年に達成する検討結果ドギャップ i３接合タン voltaics, 7, 構造と特性イライト）の成果として igitated B を行った。 GaInP/Si２達成している３端子、する結果も ap Transitio た。有機 -無太陽電池は、成していると果が紹介さ半導体を考ンデム太陽 367 (2017) 性て、 “ Maxi Back Conta これまで、接合、GaIn いる。今回、２端子構成も紹介された on in Methyl 無機ハイブリ効率 26.4 との事であされた。長い考えられてい電池の）. imum Power act Bottom Si 下部セ nP/GaAs/Si ４端子構成が検討さた。 lammonium リッド型太 4% の状況る。今回、い間、メチいた。ただ r m i m

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し、直接論計算が直接、間（４） M Efficie 高効率化寿命（拡 τr ここで、 2 x 10 -1/ ここで、 1/ ここで、の熱速度は、結晶面準位、絡電流密は、次式 V ここで、 J0は、飽図５．各図５は接バンドギが MAPI の間接バンド M, Yamaguc ency Solar 化の可能性拡散長）に rad = 1/BN 、N は、キャ -10 cm3/s [3 τ_eff= 1/τ 、 τnonradは τnonrad = σ 、 σ は、非度、 Nrは、晶性の改善、不純物準密度 Jsc、開式で与えら ln 0      J J q kT V L oc 、k は、ボル飽和電流密度各種太陽電池結（は、種々のギャップとスのわずかなド構造の変化 chi ら（豊 r Cells an 性について、に依存する。 (1) ャリア濃度、 3]、である τ_rad + 1/τ は、非放射再 σ vNr (3 非放射再結合非放射再結善、非放射再準位など欠陥開放端電圧られる。 ) 4 ( 1_  ルツマン定度である。池のバンドギ結合開放端電 M. Yamaguc の太陽電池材スピン軌道な間接バン化をフォト豊田工大）は nd Next Ge 考察した放射再結、B は、放射る。実効寿命 τ_nonrad (2) 再結合寿命合中心によ結合中心密再結合中心陥密度の低 Voc および数、T は、絶 Voc の改善ギャップエネ電圧 Voc (V hi et al, J 材料のバン 5 結合 Rashb ドギャップルミネッセは、 “ Anal neration 結果が述べ合寿命 τ_r 射再結合確率命 τeffは、 ) 命で、次式でよる少数キャ度、であるとして働く減が必要でび曲線因子絶対温度、善のためにはネルギーEg に Voc, nrad)の J. Mater. R ドギャップ ba 分裂（ 5 プを予測してセンス測定で ysis for E Solar Cell べられた。太 ad は、次式率で、Si、Ga 次式で与で表されるャリアの捕る。従って、く点欠陥、転である太陽電 FF の改善が q は、電子は、飽和電流に対する開放の外部発光効 Res. (2017) プに対する電 50～ 75 meV ている。今で解析した Efficiency ls” と題し太陽電池特式で与えら aAs では、各えられる。。獲断面積、、太陽電池転位、結晶電池の高効が必要であ子電荷、JLは流密度 Joの放端電圧損失効率(ERE)依存 (in press 電圧損失 (E V）の結果と今回、圧力印た結果が紹介 y Potentia して、各種太特性は、少数れる。各々、2 x 10 v は、少数池の高効率化晶粒界、界面効率化のためある。開放端は、光生成電の低減が必要失(Eg/q-Voc) 存性 s). ） Eg/q-Voc)おとして、理印加による介された。 al of High 太陽電池の数キャリア 0-15 cm3/s、数キャリア化のために面準位、表めには、短端電圧 Voc 電流密度、要である。と非放射再および非放 h 再

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ここで、られる。 V ここで、放射再結 0.28V が結合損失効率化がを尺度図６に陽電池はに改善す + 1/r_sh 率化が期より、規が可能で合電圧損失として示す ,

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は、非放射再 1 ) ( , 0 ,     rad rad oc L J V J は、放射再の場合の飽和た。図５にあり、少数キあると言えるまた、抵抗損各種太陽電 amaguchi e 太陽電池の効化抵抗 (rs + により、28. において、る。 III-V 族抗（ rs +1/ r 接合太陽電 ad)を外部発電圧 Voc は

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再結合電圧 ) 6 (    再結合のみ和電流密度に示すようにキャリア寿る。解析では損失は、曲電池の効率 et al, Pro 効率と計算 1/rsh)＜ 0. 8％の高効率 ERE を 28. 族３接合太陽 sh）＜ 0.02 電池の場合 6 発光効率（、 ERE に対圧損失でありみの場合の開度である。に、結晶 Si 命改善や各は、開放端線因子 FF 率と計算値の g. in PV, 値の外部発 05 において率化が期待 8％から、陽電池は、 5 で、非集、ERE を 0. external r 対して、次式り、放射再開放端での図５のVo i 太陽電池各種再結合損電圧損失 (E に組み込んの外部発光 (2017) (t 発光効率（ E て、外部発待できる。G 40%に改善す ERE を 0.0 集光効率 37. 005％から radiative 式で表され結合電圧

V

光生成電流 g rad c, E /q においてさ損失の低減 Eg/q-Voc)をんだ。効率（ ERE to be publ ERE）依存性光効率（ E aAs 太陽電することに 5％から 10 .9％から、 1％へ改善 efficienc る。 rad oc

V

, は、次流密度で、 rad oc V ,  の値さえ、まだ、減により、さを外部発光）依存性 lished).）性を示す。 RE）を 1％電池は、規格により、 30. 0％へ改善す 42％へと、善することに cy (ERE)）次式で与え rad J0, は、値として、、非放射再さらなる高光効率 (ERE) 結晶 Si 太％から、 30% 格化抵抗 (rs 0％の高効することに高効率化により、規 % s

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7 格化抵抗（ rs +1/ rsh）＜ 0.025 で、非集光効率 38.8％から、 43％へと、高効率化が可能である。CIGaSe 太陽電池は、規格化抵抗 (rs + 1/rsh)＜ 0.05 において、ERE を 0.5％から、10% に改善することにより、26.5％の高効率化が期待できる。CdTe 太陽電池は、規格化抵抗 (rs + 1/r_sh)＜ 0.05 において、ERE を 0.1％から、5%に改善することにより、26.4％の高効率化が期待できる。次世代太陽電池についても考察した。 CZTS(Se)太陽電池は、 ERE を 0.001% から 1%に改善することにより、20％以上の高効率化が可能である。量子井戸・ドット太陽電池は、ERE を 0.1％から 10％に改善することにより、効率 25.8%の実現が期待できる。ペロブスカイト太陽電池は、 ERE を 0.02％から 10％に改善することにより、効率 24.9%の実現が期待できる。

（５） J.E.M. Haverkort ら（ Einhoven Univ. Tech.）は、 “ Efficiency Limit of 1 17.8% Efficiency Nanowire Solar Cells” と題して、ナノワイヤ太陽電池の現状と効率向上の見通しを述べた。上辺 90nm、底辺 270nm、長さ 3μ m の InP ナノワイヤ太陽電池で、効率 17.8％（ Voc=0.766V、 Jsc=29.3mA/cm2_{、 FF=79.4％）を得ている。 1-sun、 6000 倍集光で、各々、}

効率 33.5％、46.7％が期待できるとしている。被覆率の低いナノワイヤ構造太陽電池では、 Voc=0.85V を得ているとの事である。プレーナ構造の InP 太陽電池で、効率 24.2 ％（ Voc=0.939V、 Jsc=31.15mA/cm2_{、 FF=82.6％）の現状であり、ナノワイヤ太陽電池は、見}

劣りする。ナノワイヤ構造により、光反射損は軽減されるが、ナノワイヤ構造挿入により、界面再結合に起因する非輻射再結合損失による電圧低減が課題と考えられる。上記（４）の外部発光効率（ ERE）で比較すると、プレーナ構造の InP 太陽電池で ERE=2％、ナノワイヤ構造太陽電池で ERE=0.0002～ 0.02％で、課題は明白のように思う。

４．３結晶 Si 太陽電池分野：

（１）K. Yamamotoら（カネカ）は、“Record-Breaking Efficiency Back-Contact Heterojunction Crystalline Si Solar Cell and Module”と題して、プレ－ナリ講演を行った。高効率太陽電池の研究開発状況が述べられた。2014年のパナソニックのバックコンタクトヘテロ接合単結晶太陽電池で、効率 25.6％、2015年の SunPowerのバックコンタクト太陽電池で、効率 25.2％、 2017年の FhG-ISEの TOPcon n-Siベースの単結晶 Si太陽電池、効率 25.7％、多結晶 Si太陽電池で、効率 21.9％（面積 4cm2 、 Voc=0.6726V、 Jsc=40.76mA/cm2 、 FF=79.7％）の状況にある。カネカのバックコンタクトヘテロ接合単結晶 Si太陽電池およびモジュールでの最高効率の更新の発表がなされた。図７に、バックコンタクトヘテロ接合単結晶 Si太陽電池の構造を示す。バルク再結合損失の低減による Vocや FFの改善、 a-Siを用いた結晶 Si 表面パッシベーション技術による表面再結合速度の低減、 TCOや a-Siの光吸収低減による短波長域の外部量子効率の改善、光反射損失低減、垂直および横方向の抵抗損失低減、裏面反射の活用、などの適用により、効率 26.7％（面積 79cm2_{、Voc=0.738V、Jsc=42.65mA/cm}2_{、FF=84.9％）} の世界最高セル効率の更新がなされた。理論限界セル効率 29.3 ％（ Voc=0.753V 、 Jsc=43.6mA/cm2、 FF=89.2％）に対して、 FFの改善が課題であり、 FFの改善により、効率 27.1％が可能と述べた。温度特性は、-0.26％ /℃ で、ヘテロ接合太陽電池と同等である。また、メタライズ技術等の改善により、世界最高モジュール効率 24.4％（面積 13177cm2_、 Voc=79.5V、Isc=5.04A、FF=80.1％）も実現している。モジュールの新しい結果は、本年 11

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月 19日～トとして（２） I Product の共同開トを狙う bifacia ～ 200μ POCl3 スクリー PANDA リゼー Jsc=40.4 年第二四に至ってより、現効率 22 が課題で μ m フィマルチ（３）R Cells b ングプロ p コンタのデバイ field i ョン、セ効率 22 ～ 24日、大ても、高い I. Ceser ら tion Envir 開発の成果でうものである al factor は μ m 厚）を用を用いたエーン印刷、 A 生産ライションの 4mA/cm2、四半期末、ている。拡現在、効率 2％達成の見で、 80μ m ィンガー、ワイヤ技術 R. Russell ら by a Novel ロセスをベータクトの同時イス構造にお nduced pla セルの平均効 2.9％（ Voc= 大津で開催予い評価を得て図７．バッ（K. Yoshik （ ECN）は ronment” とであるバックる。ITRPV に、83％以上で用い、SiNx 表エミッタ層お fire-throug ンで試作さ改良により FF=77.4％効率 20.9％拡散パターン 21.6％の状見通しであフィンガー＞ 300μ m 術や伝導性バら（ IMEC）は l Co-Plati ースとした両時形成と Ag 使おけるコンタ ting も比較効率 22.4％（ =694.2mV、予定の PVSE ている。クコンタク kawa et al. 、 “ Pilot と題して、プクコンタクトよれば、202 である。n 型表面パッシおよび裏面 gh バックコされている。り、第四四）を達成し％（面積 24 ンの最適化状況である。る。コンター、＞ 500μ の BSF 層のバックシーは、“ Simult ng Proces 両面受光型結使用量の削減タクト形成の較検討されて（ Voc=691,2 Jsc=40.5m 8 EC-27で、発トヘテロ接合 , Nature E Line Resu プレ－ナリ講ト（IBC）bif 27 年には、結型 PERT 技術をベーション面電界 (BSF）コンタクト。2016 年第四半期末、した。表面 2,8cm2、Vo 、 BSF 層と２次元モデクト抵抗の μ m のワイの適用によトを用いた aneous Fab s” と題し結晶 Si 太陽電減（＜5mg/セの課題が分析ている。Al2O 2mV、Jsc=4 mA/cm2、FF 発表予定と合単結晶Si太 Energy, 2, ults of n-T 講演を行った facial 型セ結晶 Si 太陽をベースに、ン＋ AR、表面層、 SiNx から構成さ第三四半期 20.5 ％（面面パッシベー oc=663mV、と裏面エミデリングにの低減、コド BSF 層のり、効率 23 たモジュール brication o して、プレ－電池においてセル）を目指析されている O3/SiN、SiO 0.4mA/cm2 F=81.1％）の事である太陽電池の構 17032 (2017 Type IBC C た。ECN、Yi セルモジュー陽電池の 30％ 6 インチ n 面電界層、n x 裏面パッシされている末、効率 1 面積 242,8 ーション等 Jsc=40.5m ッタ層のアよる損失解ンタクト層の適用によ 3.7％、の達ル化も検討 of n & p Con ナリ講演を行て、コスト（指している。p 。Ni/Cu の l 2/SiN4 の表 2、FF=80.3％の状況である。本会議の構造 7)） ell Proces ingli Solar ールで、高性％が、両面受 n 型 CZ ウ n 型ベースシベーショ。 Yingli の 9.3％だった 8cm2、 Voc 等の改良によ mA/cm2、FF アイソレーシ解析の結果層の飽和電流り、効率 2 達成の見通し討中との事で ntacts for 行った。Cu （LCOE）低減 p-PERT、n-P light induc 表面、裏面パ％）、ベスある。熱サイのハイライ ss in Mass r、TEMPRESS 性能、低コス受光セルで、ウェハ（ 180 層、BBr3、ン＋ AR、の大量生産たが、メタ c=657mV 、より、 2017 F=78.0％）ション等に、今年末、流密度低減 23.5％、 40 しである。である。す . Bi-Facial プレーティに向け、n、 PERT、n-SHJ ed plating、パッシベーシトセルで、イクル試験 S 0 7 0 J シ

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9

や高温高湿試験結果も報告された。さらなる改善を目指して、PERT、PERC 構造セルに関して、 Ni/ドープポリ Si コンタクトも、検討されている。

（４） W. Kwapll ら（ FhG-ISE ）は、 “ Understanding Light-Induced Degradation in Multicrystalline Silicon: Possible Complex Formation Mechanisms” と題して、プレ－ナリ講演を行った。多結晶 Si 太陽電池の高温光誘起劣化 (LeTID)現象に関する検討結果が、報告された。光誘起劣化は、 n 型 Si では、起こらず、 p 型多結晶 Si、 CZ-Si、 FZ-Si で、起こる。シリコンの欠陥反応の背後にある物理的なメカニズムの理解を可能にします。温度依存性と注入強度依存性、フォトルミネッセンス測定から、欠陥の荷電状態の変化、ヤリアの捕獲断面積と活性化エネルギー（ 0.94eV）が求められている。SiNx:H 層の fast firing で、欠陥が活性化し易く、 B-O 欠陥や Cu、 Ni、 C 等の不純物起因でもなく、空孔（ V） -H 対を考えている。今後は、 FZ-Si で、さらなる検討を進めるとの事である。本会議のハイライトとしても、高い評価を得ている。

（５） D. Amkreutz ら（ HZB）は、 “ Influence of the Precursor Layer Composition and Deposition Processes on the Electronic Quality of Liquid Phase Crystallized Silicon Absorbers” と題して、プレ－ナリ講演を行った。バルク結晶 Si 太陽電池のプロセス工程の複雑さ、コスト低減の必要性が述べられた後、Kerfless 薄型 Si の研究状況が紹介された。ホウケイ酸塩またはボロ /アルミノ珪酸塩ガラス基板上に中間層、さらに、a-Si/nc-Si 層が堆積され、CW 半導体レーザや電子ビームなどのライン状のエネルギー源を用いた液相結晶化（ liquid phase crystallization）がなされ、 5～ 40μ m 厚の mc-Si 層が形成される。残留応力、転位や積層欠陥に加え、C や O 濃度も高く、少数キャリア寿命は、0.5～ 5μ s である。a-Si:H(i/p+) および a-Si:H(n) を用いたバックコンタクトヘテロ接合太陽電池（厚さ 13 μ m ）の面積 10x6mm、10x1mm のセルで、各々、効率 14.2％（Voc=654mV、Jsc=29mA/cm2、FF=75%）、15.9％（Voc=650mV、Jsc=31.7mA/cm2_{、FF=77%）が得られている。薄膜の高品質化や light trapping の改}

善により、効率 18％（Voc=660mV、Jsc=36mA/cm2_{、FF=76%）が可能としている。}

（６）この他、FhG-ISE は、2x2cm2 _{の多結晶 n 型 Si 太陽電池で、ニューレコード効率 22.3％}

（Voc=674.2mV、Jsc=41.1mA/cm2_{、FF=81.6%）を達成した。図８に、多結晶 n 型 Si 太陽電池の構造}

(10)

図４．４（１） Cu(In,G った。図９．ソーの二重（ Voc=6 高 Voc 化れ、処理バッフ８．多結晶薄膜太陽 V. Bermu Ga)(Se,S)2 世界最高効ラーフロン Eg 傾斜層、 686mV、 Jsc 化のアプロ理なしの V ァ層の Eg 調 n 型 Si 太陽陽電池分野 dez ら（ S 2 Record E 効率 Cu(In, ンティアは、、ZnO:B 窓 c=39.9mA/c ローチが報告 oc=665～ 68 調節もなさ陽電池の構造： Solar Fron fficiencie Ga)(Se,S)2 これまで層の検討に cm2_{、 FF=76.} 告された。 83mV から、れ、高 Voc 10 造と特性（N. ntier ）は es and Ove セルの特性、 Cd フリにより、高 .5％）を実光吸収層の 695～ 705 c、高 Jsc を Taylor、3 、 “ Prese rall Progr 性（ R. Kamad ーバッファ Jsc 化をは実現しているの K-PDT 処理 mV に改善さを目指して 3rd_EU-PVSE nt Status ress” と題 da et al., 43 ァ層、表面かり、2014 る。先の 43 理とアニーされているいる。図９ EC のハイライ of Solar 題して、基調 rd IEEE PV S-rich、裏 4 年には、効 3rd IEEE P ールの予備検。（ Zn,Mg ９に示すよイト） r Frontier 調講演を行 SC, 2016）裏面 Ga-rich 効率 20.9％ PVSC では、検討がなさ） O の第二うに、面積 r h

(11)

11

0.51cm2 _{の CdS/ZnO 二重バッファ層および Z(O,S,OH)/(Zn,Mg)O 二重バッファ層}

Cu(In,Ga)(Se,S)2ルで、各々、効率 22.3％（ Voc=721.9mV、Jsc=39.38mA/cm

2_{、FF=78.24%）、}

22.0％の世界第二位の高効率が達成されている（ FhG-ISE 認定）。また、自社測定ではあるが、CdS/ZnO 二重バッファ層および Z(O,S,OH)/(Zn,Mg)O 二重バッファ層 Cu(In,Ga)(Se,S)2

ルで、各々、効率 22.7％、 22.8％も得ているとの事であった。今回、 30 cmx30 cm(841cm2 )の CIS サブモジュールで、効率 19.2%、 7cmｘ 5cm サイズのミニモジュールで、 19.8% の世界最高効率が報告された。 2020 年に、 200W モジュールの出荷を予定している。太陽電池特性向上に向け、低 Eg（ 1.08eV）CIS 組成傾斜光吸収層、低 Eg 層の拡大、透明 TCO 層、高Ｅｇの ZnMgO 第二バッファ層、アルカリ処理などの改善の結果が、高効率化につながっている。アルカリ処理により、少数キャリア寿命も 50ns から 182ns に改善され、Voc 増加につながっている。多結晶 Si 太陽電池に比べて、温度係数も低いとの事である。ベストの値として、-0.23％ /℃ が得られているとの事で、ヘテロ接合結晶 Si 太陽電池の温度係数に匹敵する。本会議のハイライトとしても、高い評価を得ている。

（２） P. Kratzert ら（ Solibro）は、 “ Total Area Efficiency at Commercial Size CIGS Module” 題して、プレーナリ講演を行った。 Solibro は、 2003 年に設立され、累積出荷量は、300MW である。モジュール効率も、2010 年 4 月の平均効率 10％（ベスト 11.7％）から、最近の平均効率 15％（ベスト 16.5％）へと改善されている。 1cm2_{セルで、効率 21.0％の}

状況である。今回、 CIGS 系の生産技術についての検討結果が報告された。１ m2 _{モジュー}

ルで、total area 効率 16.0％（アパーチャエリア効率 17.0％）が得られている。シート抵抗、セル面積、 dead エリア割合、封止 AR、 TCO 上の金属グリッドなどの効果が言及された。金属グリッドの改善による FF 損失の 3％改善がはかられ、 Jsc の 10％損失の内訳として、 AZO の吸収損 1.3mA/cm2、 dead 領域の損損失 1.1mA/cm2、封止部の吸収および反射損 1.1mA/cm2、と分析されている。 30x30cm2 _{のサブモジュールで、自社測定ではあるが、ア}

パーチャ効率 18.8％が得られている。また、 0.94m2 _{モジュールで、 17.6％が得られてい}

るとの事である。今後は、モジュールの大面積化（ 0.94m2_{→ 1.88m}2_{）も進め、出力 140～ 150W}

モジュールから、300～ 320W モジュールにつなげたいとまとめた。本会議のハイライトとしても、高い評価を得ている。

（３） J.R. Site ら（ Colorado State Univ.）は、 “ Enhancements to CdTe Cell Efficiency” と題して、プレ－ナリ講演を行った。まず、 First Solar 社の状況が報告されたので、前回会議の D. Weiss ら（ First Solar）による、“ Delivering on the promise of thin-film PV” と題する CdTe 太陽電池、モジュールに関するプレ－ナリ講演を紹介する。 CdTe 太陽電池の製造工程での CO2放出量は、14 CO2ｇ /kWh で、CIGS、多結晶 Si 太陽電池の各々 17、19CO2 ｇ /kWh で、有利であること。太陽電池モジュールの累積出荷量は、18GW であり、ガラス入んから１パネルの生産時間は、3.5 時間以下である。0.72m2_{パネルから 2.4m}2_{パネルへの大} 面積化に移行中である。2015 年には、図１０に示すように、セル効率 22.1％（ Voc=887mV、 Jsc=31.7mA/cm2_{、FF=78.5％）、面積 0.7m}2_{モジュールで、アパーチャ効率 18.6％を実現し} ている。 CdTe 太陽電池の高効率化は、 CIGS 太陽電池と同様に、組成制御によるバンドギ

(12)

ャップ傾短絡電流率の改善かられてに効果がる。4μ 結果、 C 傾斜組成率化の可より、とまとめコロ置き換え Voｃ改積 0.77 る。（４）M Tandem 普及のた図１１はのトレーを１７％なる。従傾斜がなさ流密度 Jsc 善がはからている。まがあり、キ m 以上の粒 CdTe 太陽成光吸収層可能性追求 τ ＞ 1μ s、めた。図ラド州立大え、短波長善、③ Cu に 7cm2 セルで M.A. Green Solar Cel ためには、太は、主要技術ードオフを％から２５従って、モされ、波長 80 で、約 2m られているがた、Cl パッャリア寿命粒界成長、Z 電池で、効層（ 1.5→ 1.3 求、バルク欠 S＜ 10cm/s、図１０．（ Dr. Sa 大での研究状長域の量子に代わる裏で、効率 1 ら（ UNSW lls” と題し太陽電池の術による L を示す。寿命％、３５％モジュール効 00nm 以上の A/cm2の改が、窓層のッシベーシ命 τ が 10ns ZnTe:Cu バ効率 22.1％ 3→ 1.0→ 1.7 欠陥の理解、Voc＞ 1.1 First Solar arah Kurtz:4 状況も報告子効率改善と裏面コンタク 9.16％（ Vo ）は、“ Pro して、プレのさらなる高 COE ３セ命を２０年％へと改善効率 35％の 12 の赤色の領改善がはから改善によるョンや Eg s から約 10 バックコンタの世界最高 7eV）も検討と低減、パ 1V を実現すの CdTe 太 43rd IEEE P された。 ① と Jsc 改善、クトとして oc=854mV、 ogress with ーナリ講演高性能化、低ント／ kWh から３０年することでのタンデム太域での量子られている。るもので、 J 傾斜は、C 0ns に向上タクトも検高効率が達成討されていパッシベ－シすることに陽電池の高 PVSC のハイ ① CdS バッ、 ② 高温成 Te 層の採用 Jsc=28.4m h Perovskit 演を行った。低コスト化 h 達成時のモ年、５０年にで、許容され太陽電池の子効率の改善。青色の波 Jsc で、約 dTe 層の欠し、Voc の討されてい成されている。今後はション、ドより、効率高効率化の変イライト）ファ層を M 長による C 用による V A/cm2_{、 FF=} te/Silicon 。太陽光発化、長寿命化モジュールに延ばすこれるモジュ実現が期待善がはから波長領域でも 1mA/cm2の欠陥パッシベの改善がはかいる。これらいる。また、は、単結晶にドーピング等率＞ 25％が可変遷 MgZnO バッ CdTe の結晶 Voc 改善、で =79.1％）の n and All-P 発電のさらな化が求められル価格モジュことやモジュュール価格が待されていれている。も、量子効の改善がはベーションかられていらの改善の CdSxTe1-x による高効等の検討に可能であるッファ層で晶性改善とである。面の状況であ Perovskite なる導入・れている。ュール効率ュール効率が緩やかにる。 x

(13)

図１１．図この１２は、ンデム太 Siタンデ失が述べ者らは、 /ぺロブ．主要技術図１２．Si タような高効、 Siタンデ太陽電池でデム太陽電べられた。、低コストブスカイトタ

AM1

5 G

efficiency

(%)

術による LCO タンデム太陽効率を達成すデム太陽電池で、理論変換電池で、効率効率的には化を狙いとタンデム、

0

10

20

30

40

50

60 AM1

.5G

efficiency

(%)

OE ３セントレードオ陽電池の高効するために池の高効率換効率は、率 41％の実は、III-V/Si として、ペペロブスカ

29

33

1 Si botto

13 ント／ kWh達オフ（ energ 効率化の可能最も有望な率化の可能性各々、 42. 現が期待さ iタンデム太ロブスカイカイト /CISタ

42.5 Num

om cell

達成時のモジ y.gov/sunsho 能性（Prof. M なアプローチ性を示す。 5％、 47.5％される。２端太陽電池でイト /Siタンデタンデム太

5

45

2 mber of cel

Free choi

ジュール価 ot） M.A. Green 提チは、タン２接合 Siタ％であり、端子構成、、高効率がデム太陽電太陽電池に着

47.5

50.

3 lls

ice

価格モジュー提供、2012 年ンデム電池でタンデム、実用的には４端子構成が実現してい電池、ペロブ着目してい

.5

ール効率の年）である。図３接合 Siタは、３接合成の利害得いるが、著ブスカイトる。まず、

(14)

最近のペいられてだが、少 ε ～ 6.5 結合エネら最近の性などにデム太陽認定値でである。晶 Siセルる。４．５ T. Ma concent 関する講図１３ . 要性図１静的低倍ために日 30km走ジュールペロブスカている CH3N 少数キャリア 5、移動度ネルギーはの効率 22.1 に、課題は陽電池で、ではないが。 UNSWの sp ル 20.5％）高効率 II asudaら（ trator pho 講演を行っ . 車載用高性（左下図３に、車載倍集光 III-も、車載用走行できるルが必要とカイト太陽電 NH3PbI3は、ア拡散長（ 1 （電子 7.5c は、5～ 16me 1％の変遷のあるものの Stanford U が、面積 0.1 pectral sp の状況であ II-V多接合トヨタ自動 otovoltaic った。高効率太陽）、静的低載用高効率太 -V多接合太用高効率太陽る。出力 800 なる。乗用電池の進展 1.55eVの直 100～ 1000n cm2_{/Vs、正} Vであり、無の状況が述の多くの研究 Univ.グルー 17cm2_{セル、} litting法である。同方法、集光型お動車、豊田工 cs” と題し陽電池開発の低倍集光 III 太陽電池開太陽電池モジ陽電池モジ Wのために用車の CO2エ 14 が紹介され直接遷移型 nm）を持ち、孔 12.5～ 6 無機系太陽べられた。究者が参画ープが、効率 1.43cm2_セで、 28％（法で ,III-V および宇宙工大）は、て、車載用の必要性（左 I-V多接合太発の必要性ジュールのュールの開は、面積 2. エミッションれた。今日、型のバンドギ、高光吸収係 6cm2_{/Vs）な} 陽電池の様相現状では、画している。率 23.6％のセルで、各々（ 0.2cm2_{ペロ} V/Siタンデ用太陽電池 “ Solar p 用高効率太陽左上図）、静太陽電池モ性、静的低倍特性を示す開発が必要で 5m2_{の場合} ンの 64％削、ぺロブスギャップを係数（ GaAsになどの物性相を示す。2 、大面積セペロブスカ状況である々、効率 25 ロブスカイムでは、効池分野： powered ve 陽電池モジ静的低倍集ジュールの倍集光太陽す。 CO2エミである。出、25％以上減が期待さスカイト太陽を有する。小に近い光吸性を有する。 2009年の効セルでの低効カイト /Si２る。４端子構 5.2％、 20. トセル 7.5％効率 34.5％の ehicles wi ジュールの研集光太陽電池の特性（右陽電池開発のッションを出力 800Wがあ上の高効率太される。今回陽電池に用小結晶粒界収係数）、励起子の効率 3.8％か効率、信頼２接合タン構成では、 5％の状況％＋ 4cm2_結の状況にあ ith static 研究開発に池開発の必下図）の必要性とを低減するあれば、１太陽電池モ回、新しい

(15)

15 静的低倍集光太陽電池モジュールが提案された。４倍集光のレンズ設計と共に、 4mm角の InGaP/InGaAs/Ge３接合セルの３３直列、３並列の低倍集光型太陽電池モジュールが試作され、屋内評価で、モジュール効率 27.6％が得られている。モジュール特性、特に、許容角特性の実測値とシミュレーション値との一致をみている。また、屋内評価よりも屋外評価で。効率増加が見られ、散乱光の効果と考えられる。効率の損失解析もなされ、電流不整合や光学損失の改善により、モジュール効率 30％の実現の見通しを得ている。本会議のハイライトとしても、高い評価を得ている。４．６ PV システム、性能、信頼性分野（産総研、千葉恭男氏作成）： Topic5 のプレナリーセッションでは、 4 人の研究者によってモジュールの特性評価・信頼性耐久性などについて最近のトピックスが報告された。

（１） TÜV Rheinland Energy GmbH の W.Harmann 氏は、 “ PV Module Performance Characterization – Challenges from Recent Technology Advances and Demands from Energy Yield Perspective”と題して、基調講演を行った。最近の技術の進歩の観点、エネルギー収率の見通しの観点から PV モジュールの特性評価について重点的な取り組みを報告した。それらの取り組みは 6 つ指摘した。 1． Procedures for electrical stabilization of PV modules ２．Measurement procedure for bifacial PV modules 3. Mandatory validation of nominal power as stated on type label 4. Importance of wavelength range and long pulse length of solar simulation, 5. Test conditions of IEC 6153-1 (G-T matrix) vs. “real world” operation, 6. Extension of product data sheet with specific performance data)について説明された。例えば、電気的特性においては、試験結果が、LID(光誘起劣化 )や CID(電流誘起劣化 )、TID(温度誘起劣化 )によって変化するため、データを比較しながら評価手法を確立することが重要であると説明

した。

（２） NREL の S.R.Kurtz 氏は、 “ Qualitative versus Quantitative Reliability Testing of PV - Gaining Confidence in a Rapidly Changing Technology” と題して、基調講演を行った。日々急速に変化している PV の技術の中の信頼性を得る戦略を報告した。その戦略は、定性・定量性の保証をもとに、標準データの収集、データの分析、リスクアセスメントを行っていくことである。現在、様々な規格の制定に取り組んでいるが、特に標準データの収集の際には、過剰な環境での試験方法の標準化 (例えば IEC61215 の x2x3 など )が必要であり、現在 IEA に提案中である。

（３） OKE-Services の H.Oldenkamp 氏は、 “ Google’ s Little Box Challenge and the Development of the True AC-Module” と題して、プレ－ナリ講演を行った。パワーコンディショナー (PCS)の構成部品の縮小化を図ることで、数センチ角サイズ (WxDxH： 7 ㎝ｘ 3 ㎝ｘ 5 ㎝程度 )の PCS を試作したことを報告した。この PCS の用途は、サイズが非常に小さいため両面受光モジュールに使用することを想定している。

（４）最後の First solar の A.Wade 氏は、 “ The Product Environmental Footprint (PEF) of Photovoltaic Modules – Lessons Learned from the Environmental Footprint Pilot Phase on the

(16)

Way to 演を行 Task12 前回会 degrada 前回会議益々、重 IEA/PVP いる。図最大 2 0.8%～ 0 劣化は、 Qualifi 信頼性 Managem ューされルクラなどが、 ① UV照 ③ 封止材よび動作などが紹 Quality の向上、重要とま a Single Ma った。ヨーでの取り組会議の報告 ation rate 議で、プレ重要となり PS Task13 １４．Ｐ 25年間のデ 0.9％ /年の、コストに icationがななどが重要 ment Syste れた。図１ックや glas 、劣化要因照射による材の delami 作中のスト紹介された y Manageme 、製造コンまとめた。 arket for G ーロッパで組み内容つい告もまとまっ es of PV sy レーナリ講演、 PV の安の活動の概ＰＶモジューデータによれの劣化率であ関わり、こなされてい要となる。 m、システム４に、ＰＶ ss breakage 因となっている封止材の d ination、 ④ トレス、⑤ Po た。今後は nt Systemガントロール、 reen Produ での太陽電池いて報告しっているの stems for 演を行った安定性と長期概要が報告ールの典型れば、統計ある。HITでこれまでは、る。新しい Qualific ム設計や設Ｖモジュー eなど、3～いる。図１ discolorat ④ セルの割 otential In 、 PVモジュガイドライ加速スト 16 cts in the E 池に対するした。ので、紹介す various k 。 PV 産業の期信頼性はされた。 20 的経年劣化的には、 P で、約 1％ /年、IEC61215 い製品開発 cation tes 設置品質が重ルの典型的～ 4年すると５に、 PVモ ion、② インれやクラッ nduced Deg ュールの信ンの開発にレス試験の European U る製造環境する。 M. K inds of PV の拡大と共、 PV の成功 0 ヵ国 36 機化モード（ I Vモジュール年、薄膜は 5や 61646にのためには st は確立さ重要となる的経年劣化モ、PID劣化、モジュールのンターコネック、 ⑤ PVモ radation（頼性向上のに加え、アの向上、フ nion” と題負荷 (PEF) Kontges ら modulesfa に、 PV モジ功に重要な機関、 60 名 IEA/PVPS-T ルの劣化率 1.4％ /年で準拠して、は、コスト / されていず。PVモジュモードを示、長期的にの要因別劣クトリボンモジュール PID）、⑥ ca のさらなるレイ設計・ィールドで題して、プレに対する（ ISFH）は ailures” とジュールのな課題である名の専門家が Task13 Rep 率は、結晶 S である。モジ加速ストレ /性能比、耐ず、製造者ュールの劣化示す。 1～ 2年には、EVA di 劣化率を示すンや溶接結合ル製造、輸送 tastrophi 技術的努力設置・メンでの観測技術レーナリ講 IEA PVPS は、 “ Mean と題して、信頼性は、る。まず、が参画して port） Siで、平均ジュールのレス試験や耐用年数、の Quality 化が、レビ年では、セ iscoloring す。合部の故障送、設置お c failure、力、 PV製造ンテナンス術、などが S n y g 、

(17)

４．７（１） Self-Co （ PV）のる。今後ある。オのデータている。済的に有 Metered は、下式 OSS ( 世帯毎のの平均 PV 電力自己消ら（ TW と題して図１５．系統連携 W. Schram onsumption の電力発生後、自己消オランダのタを基に、。自己消費有利なバッ d Consumpt 式で、表記 (kWh) = -0. の最適バッコストは、力発生の 52 消費に関し Berlin）はて、前回会 PVモジ携、システム m ら（ Utr n: Usage f 生と住宅での消費が進むとの Amersfoor 系統からの費とピークカッテリの平均 tion）（ MW 記される。 .03 + 1.5xP ッテリサイズ 640 ユーロ .8％をカバしては、前回は、 “ Emer 会議で基調講ジュールの要ムインテグ echt Univ for Peak S の電力消費と考えられ rt 市内の 7 の住宅の電カットを結均最適サイ Wh/year）を V size (kW ズの大きなとの事であバーしている回の会議の ging perfo 講演を行っ 17 要因別劣化レーション v. ）は、 having” との不整合を、住宅レベ 79 世帯につ力消費に及合しているズは、 3.4 を尺度とし p) -0.19xNC 違いがありある。バッテる。の報告がまと ormance is た。率（ IEA/PV ン、応用分野 “ Optimal と題して、基を緩和する一ベルでのバついて、 295 及ぼすバッテる。Net Pres kWh であて、 Optima C (MWh/ye り、 0.5kWh テリを使用とまってい sues of ph VPS-Task13 野： Sizing of 基調講演を一つの解はッテリサイ 5 日以上のテリサイズ sent Value ることが、 al Storage S ar) ～ 7kWh にすることにいるので、紹 hotovoltai 3 Report） f Batterie を行った。太は、バッテリイズの最適化日においてズの効果が、（ NPV）解析わかった。 Size（ OSS）に及ぶ。バッにより、平均紹介する。 c battery es for PV 太陽光発電リ使用であ化が必要でて、 10 秒毎解析され析から、経。 NC（ Net ）（ kWh）ッテリ当り均すると、 T. Tjaden systems” V t n

(18)

世界的では、図から分散たらし、策として図１６（ISB 的に、系統図１６に示散発電へ、、系統の安て、 PV＋バ．各国の図１７． BN: 978-0-99 統に占める P 示すように、スマートグ安定化のためバッテリなどの電力に対 Liイオン電 944195-3-8 ( PVの比率が 2014年時点グリッドがめには、PVシどがあり、 18 する PVの割電池とPVモジ (web), Climat 増加しつつ点で、PVの重要となろシステムの系統の安定割合（ IEA/P ジュールの価 te Council of つある。イ比率は 6％ろう。系統連の smart int 定化のために PVPS Trend 価格低減の状 f Australia Lt タリア、ギを超えてい連携は、電 egrationがにも、バッ ds 2015）状況 td 2015）ギリシャ、いる。今後、電圧や周波数が必要であるッテリの重要ドイツなど、集中発電数変動をもる。一解決要性が増し

(19)

ている。図１低減がは＋バッテれた。バ PVシステ図 (H （２）T ナリ講演を行い、る。。系統に頼７には、 Li はかられ、テリシステバッテリ容テムサイズ図１８．

P

H. Vollenweid T. Minderho 演を行った、89 のプロ図１８頼らず、自己 iイオン電池 PV+バッテテムの性能評容量、利用比ズ、使用する

PVシステム

der, Grid Inte

ound（ UNS た。UNStudio ロジェクトに８ .デザイン己消費のシ池と PVモジリシステム評価手法、比率と経済るバッテリ

サイズ、使

egration of PV EE Studio）は、 o は、1988 年に参画したンの例（ N. 19 ステムの方ュールの価ムも、グリッ試験法、シ的メリット容量と自己

使用するバ

V Systems an EH-PSL 1413 “ Aesthet 年に設立さた。現在、93 Taylor、 33 方向が進む価格低減の状ッドパリテシミュレーシトも述べられ己消費率との

バッテリ容量

nd Local Stor , 2014)

tics and Per れ、約 200 3 プロジェ 3rd EU-PVSE と考えられ状況を示すィを実現でション法、れた。一例の関係を示

量と自己消

rage in Distri formance of 名位で、co クトが進行 EC のハイラれる。す。今後、両できるとして電力損失等例として、図示す。

消費率との

ibution Netw f” と題して olor architec 行中であるとライト）両者の価格ている。PV 等が言及さ図１８に、

関係

works”, て、プレー cture design との事であ V n

(20)

20

図１９． HANWHA 本社ビル（ UNStudio 社のホームページより）

Industrial grade PV から、 integrated PV design に進み、 PV power station や BIPV がその成果例であり、図１８に示すような、魅力的なデザインの例、図１９の HANWHA 本社ビルディングなどが紹介された

（３）G. Makrides ら（ Univ. Cyprus）は、“ PV Production Forecasting Model Based on Artificial Neural Network (ANN)”と題して、プレ－ナリ講演を行った。系統連携 PV システムの増加は、発生電力の制度良い予測を求めている。既存の電力システムにおいても、本技術の最適インテグレーションが必要であり、系統およびプラントの管理者にも重要である。本研究は、入力パラメータ、トレーニング期間や隠れた階層の数に従って最適された人工的なニューラル・ネットワーク (ANN) をベースに開発されたノンパラメトリックモデルを用いて、種々の技術による系統連携 PV システムの DC 出力の予測の方法論を提案することである。我々のゴールは、入力パラメータと構成に基づいた最適ネットワークを特定することによって、用いているマシーン・ラーニングモデルの精度向上にある。本研究は、PV 発生電力予測のため、数値的気象予測（ NWP）をもとに動作するマシーン・ラーニングアルゴリズムの精度向上に焦点を合わせている（トレーニングやテストとして、過去のデータで、実行される）。従って、本研究は、PV 発生電力予測における NWP に起因する誤差を考察するのもではない。単結晶 Si PV の系統連携システムに関する最初のマシーン・ラーニング結果が、晴天時に測定された一連の DC 出力データに比べて、平均二乗誤差の平均値（ RMSE）が 1％以下であることを示している。

(21)

（４） A Approac 経済的性界的にニタリ膨大な物有効性、を制限の障害検出の両最近浮上に焦点を図２０にいる。

４．８

（１） L と題して告されたトは、 1 性は増全電力 4 向上が必 A. Betli ら ch”と題して性能を保つも、PV 性能ングシステ物理的変数、特に、信している。となってい両方に非常上しているを合わせてに示すよう

市場、ビ

L. Benedet て、プレーた。 2016年 10kW以下のしている。 48～ 50％に必要である（ i-EM）はて、プリーナつためにも、能評価を通テムが設置さ数の収集やイ信頼性の劣るメンテナンいる。設置コ常に有望なアる。しかし、ているケースに、本会議図（ N.

ビジネス、

ti（ GSE）ーナリ講演を年、イタリアの住宅用で、 2030年にはになろう。既るとまとめたは、 “ Predic ナリ講演をメンテナして不具合されているインターネる通信インンス戦略にコストやモアプローチ一方、文スもあるが議のハイラ２０．ビッ Taylor、 33

政策等：

は、 ” PV m を行った。アの PV累積 1.55ユーは、PVが 50G 既存の PVプた。 21 ctive Mainte を行った。長ンス戦略策合の原因とな。しかしなット接続のフラストラおける予測デルの複雑として、デ献によると、 PV プライトでも、ッッグデー 3rd EU-PVSE market, Bus イタリアの導入量は、ロ /W、産業 GW、水力 38G ラントの最 enance in Ph 長年にわたり策定が重要なる種々のながら、一般の必要性が、ラクチャで測コンポーネ雑さを低減データマイと、風力発電ントでの研ビッグデータ処理の重 EC のハイラ siness and の PVを含む再 19.3GWであ業用で 1.32ユ GW、風力 17 最適化や経済 hotovoltaic り、PV プラとなってき要因を検出般的に、高、解析モニリモートモネントの欠させるためイニングに基電プラント研究は、まだータ処理の重要性ライト） Price Deve 再生可能エある。 2016 ユーロ /Wで GWで、再生済性に加え Plants with ラントの高いきている。そ出するため高カスタマイニタリングシモニタリング欠如もコスめ、障害の予基づく統計トにおける装だ、初歩段の重要性が指 elopments エネルギーの 6年の PVシスである。蓄電生可能エネルえて、 PV市場 h a Big Data い技術的、それ故、世に、解析モイズ費用、システムのグの有効性トの最小化予測と早期計的手法が、装置レベル段階にある。指摘されて in Italy” の状況が報ステムコス電池の必要ルギーは、場の価値の a

(22)

（２） S と題してとなってダ州 11. ルニア州性能化や（３）G for New に、 5kw 下の電力 Allianc ル市場 coordin が手を上 ISAプロプロモー country レベルの５．感展示がよりも少を含め S. Kurtz（て、プレーている。PV .4％、ハワ州など、バや長寿命化 G.C. Werlin w Global S wh/m2_{・ day} 力需要の多 ceプログラの創製を狙 nationを検上げているログラムへのートプログ yと需要国との会議を予図想：が、欧州市少し増えたると、 2,51 NREL）は、ーナリ講演を Vは、米国のワイ州 10％なバッテリ技術化に加え、革 ngs（ ISA） Solar Mark y以上の日射多いゾーンがラムが紹介さ狙いとして検討中で、供る。さらに、の参画、実グラムの明確との連携の予定している図２１．世市場の冷え込た印象で、本 16名との事 D. Feldma を行った。の全電力の 1 など、 7州で術が必要と革新的技術は、” The kets” と題射量の多いがあり、需された。上ている。 30 供給者とし需要側を含実働、貢献を確化、② ISA coordinat る。詳細は世界の日射量込みを反映本会議参加者事であった。 22 an（ NREL）米国の PV市 1.4％に過ぎで、 6.3％以なっている、用途開発 Internati して、プレ、 PV供給可要と供給の記供給と需 0 兆米国ドて、インド含めて、54カを明確にす Aプログラム ion action 、www.iso 量分布（ww して、出展者は、1,86 に代わり、市場は、 20 ぎないが、以上の導入がる。今後、市発が、重要で ional Solar レーナリ講演可能なゾーの不整合があ需要の整合ドルの市場がド、ブラジルカ国になりることであムの有用性 nの進展、で larallianc w.isolaral 展企業数が減 64名、展示関 ” New Bus 010年の 1GW カリフォルが進んでい市場拡大にであるとま r Alliance 演を行ったンと、日射ある。 The を狙いとしが見込まれル、アフリカそうであるある。次のス、貢献度のである。201 ce.orgで、 lliance.or 減少してい関係者やサ iness Mode Wから 2016年ルニア州 15. いる。一方、に向け、価格まとめた。 – Creatin た。図２１に射量 3.5kwh/ Internatio して、新たなれる。 Coop カ 9カ国なる。第一ステステップは visibilit 7年 12月 9日参照された rg）いる。参加者サイドイベン els in PV” 年の１５ GW 3％、ネバカリフォ格低減、高 g Momentum に示すよう /m2_{・ day以} onal solar なグローバ peration とど、17カ国テップは、は、 ① ISAの y、③ sunny 日に、state たい。者は、前回ント参加者 W m r y

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23 今後 10年も結晶 Si系が主流であり続けることが期待される。勿論、そのためにも、研究開発の一層の強化が重要なポイントの一つであると言えよう。結晶 Si太陽電池セッションでは、欧米からの研究成果発表が盛んだが、日本企業からの参加は少なく、今後の危惧を感じる。また、欧州で産学連携が進んでいる。わが国でも、 NEDOプロジェクトで、結晶 Si 太陽電池の研究開発のコンソシアムが進展して、優位な成果が出つつある。今後も、 NEDO プロジェクト等での発展を期待するし、結晶 Si太陽電池を含む太陽光発電の研究開発者人口を増やし、さらにレベルを上げることが必要である。わが国には、太陽光発電に関し、他国が真似をできない高度な研究開発を行うことが求められている。もう一度、世界一の生産量と市場の創製の実現をしたいものである。しかし、今後の太陽光発電の発展や市場拡大のためには、まだまだ、国の支援が必要と言える。太陽電池や太陽光発電の高性能化、低コスト化、長寿命化の流れにあり、技術開発のさらなる強化と産学連携が必要である。幸い、日本は、各分野で世界最高の技術力を有していると言える。固定電力買い取り制度の後の展開も重要であり、smart gridや self- consumptionが重要であり、バッテリ等の貯蔵技術とのハイブリッド化が必要であろう。また、技術開発が、太陽電池モジュールおよびシステムの低コスト化にも有効であり、オールジャパンで連携して、総合力で、直近の壁を打破する必要があろう。自動車応用や農業利用も期待したい。このためにも、車載のプロジェクトや国際共同研究の離陸も期待したい。次回の 34th_{EU-PVSECは、45}th IEEE PVSCと PVSEC-28の合同で、2018年 6月 10日～ 15日、ハワイ島で、 WCPEC-7として、開催予定である。来年は、 35th EU-PVSECも開催するとの事で、 2018年９月に、ベルギーのブリュッセルで開催予定である。日程は、調整中で、日程確定は、２週間後になるとの事である。また、 PVSEC-27は、2017年 11月 19日～ 24日、大津で、開催予定である。（以上）