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Microsoft PowerPoint - m54583fp_e.ppt

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Academic year: 2021

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(1)

PIN CONFIGURATION DESCRIPTION

M54583FP is eight-circuit collector-current sink typeDarlington transistor arrays. The circuits are made of PNP and NPN transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform high-current driving with extremely low input-current supply.

FEATURES

● High breakdown voltage (BVCEO > 50V) ● High-current driving (IC(max) = 400mA) ● Active L-level input

● With input clamping diodes

APPLICATIONS

Interfaces between microcomputers and high-voltage, high current drive systems, drives of relays and printers, and MOS-bipolar logic IC interfaces

FUNCTION

The M54583FP is produced by adding PNP transistors to M54585 inputs. Eight circuits having active L-level inputs are provided.

Resistance of 7kΩ and diode are provided in series between each input and PNP transistor base. The input diode is intended to prevent the flow of current from the input to the VCC. Without this diode, the current flow from “H” input to the VCC and the “L” input circuits is activated, in such case where one of the inputs of the 8 circuits is “H” and the others are “L” to save power consumption. The diode is inserted to prevent such misoperation.

This device is most suitable for a driver using NMOS IC output especially for the driver of current sink.

Collector current is 400mA maximum. Collector-emitter supply voltage is 50V. 3 4 5 6 7 8 9 10 18 17 16 15 14 13 12 11 →O2 →O3 →O4 →O5 →O6 →O7 →O8 IN2→ IN3→ IN4→ IN5→ IN6→ IN7→ IN8→ GND Vcc 2 19 →O1 IN1→ 1 20 NC ○ NC CIRCUIT DIAGRAM Vcc OUTPUT INPUT GND 7K 7K 3K 2.7K 7.2K mA 400

Current per circuit output, L Collector current

IC

W 1.10

Ta = 25℃, when mounted on board Power dissipation Pd V – 0.5 ~ VCC Input voltage VI V – 0.5 ~ + 50 Output , H Collector-emitter voltage VCEO V 10 Supply voltage VCC Unit Ratings Conditions Parameter Symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75℃)

Package type 20P2N-A

NC : No connection OUTPUT INPUT

The eight circuits share the Vcc and GND.

The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used.

(2)

Duty Cycle no more than 10% V VCC-3.6 - 0 “L” input voltage VIL V VCC - VCC-0.7 “H” input voltage VIH 200 - 0 Duty Cycle no more than 34% mA 350 - 0

Collector current (Current per 1

circuit when 8 circuits are coming on simultaneously) IC V 8 5 4 Supply voltage VCC max typ min Unit Limits Parameter Symbol

RECOMMENDED OPERATING (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75℃)

SWITCHING CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted, Ta = 25℃)

IC= 200mA IC= 350mA - - 3500 2000 VCE= 4V, VCC= 5V, IC= 350mA, Ta = 25℃ DC amplification factor hFE mA 3.0 1.9 - VCC= 5V, VI= VCC -3.6V Supply current

(one circuit coming on) ICC μA -600 -320 - VI= VCC-3.6V Input current II 1.6 0.98 - V 2.2 1.2 - VI = VCC-3.6V Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) V - - 50 VS= 50V, VI= 0.2V Collector‐emitter breakdown  voltage V(BR)CEO max typ min Unit Limits Test conditions Parameter Symbol

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise noted, Ta = -20~+75℃)

ns — 3200 — Turn-off time toff ns — 130 — CL= 15pF(note 1) Turn-on time ton max typ min Unit Limits Test conditions Parameter Symbol *

*:The typical values are those measured under ambient temperature (Ta) of 25℃. There is no guarantee that these values are obtained under any conditions.

NOTE 1 TEST CIRCUIT

TIMING DIAGRAM

OUTPUT INPUT 50% 50% ton 50% 50% toff 50Ω CL PG INPUT OUTPUT Measured device

(1) Pulse generator (PG) characteristics: PRR = 1kHz,

tw = 10μs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO= 50Ω ,VI= 0.4 to 4V

(2) Input-output conditions : RL= 30Ω, Vo = 10V , VCC= 4V

(3) Electrostatic capacity CL includes floating capacitance at connections and input capacitance at probes

VCC

(3)

Thermal Derating Factor Characteristics Ambient temperature Ta (℃) Po w e r d iss ip at ion P d (W )

Output Saturation Voltage Collector Current Characteristics

Output saturation voltage VCE(sat) (V)

Collector cur rent I C (m A ) Duty-Cycle-Collector current Characteristics Duty cycle (%) Collector cur rent I C (m A ) Duty cycle (%) Collector cur rent I C (m A ) Duty-Cycle-Collector current Characteristics Inpu t cu rr en t I I( mA) Input Characteristics

Supply voltage-Input voltage VCC–VI (V)

DC Amplification Factor Collector Current Characteristics

Collector current IC (mA)

DC am plificatio n fa ct or h FE ① ② ③ ④⑤ ⑧ ⑥ ① ② ③ ④ ⑤

•The collector current values represent the current per circuit. •Repeated frequency > 10Hz •The value in the circle represents the

value of the simultaneously-operated circuit. •Vcc=5V •Ta = 25℃ 10 7 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ VCC=5V VCE=4V 5 3 2 3 102 7 5 3 2 10 7 5 3 2 3 102 7 5 3 2 101 0 1 2 4 5 0 -0.2 -0.6 -0.8 Ta=75℃ 3 -0.4 Ta=-20℃ Ta=25℃ VCC=5V 0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ 100 200 300 400 VI=1.4V VCC=5V

標準特性

0 25 50 75 100 0 0.5 1.0 1.5 0 20 60 80 100 0 100 200 300 40 400 0 20 60 80 100 0 100 200 300 40 400

•The collector current values represent the current per circuit. •Repeated frequency > 10Hz •The value in the circle represents the

value of the simultaneously-operated circuit. •Vcc=5V •Ta = 85℃ -1.0 500 2.0 500 500 104

(4)

Supp ly cu rr ent I CC (m A )

Supply Current Characteristics

Supply Voltage VCC(V) Collector cur rent I C (m A )

Grounded Emitter Transfer Characteristics

Supply voltage-Input voltage VCC–VI (V)

0 1 2 3 4 0 0 1 2 3 4 100 200 300 Ta=25℃ Ta=-20℃ Ta=75℃ VCC=4V VCE=4V 0 2 4 8 10 Ta=75℃ 6 Ta=-20℃ Ta=25℃ VI=0V 5 400

(5)
(6)

安全設計に関するお願い

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あります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損

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