S-8426A バッテリバックアップ切換用IC

www.sii-ic.com

バッテリバックアップ切換用

IC

© SII Semiconductor Corporation, 2006-2015

Rev.2.0

_02

S-8426A シリーズは、メイン電源とバックアップ電源の切り換え回路を 1 チップで構成することのできる CMOS IC です。1 チッ プに2 個のボルテージレギュレータ、3 個の電圧検出器電源切り換えスイッチとその制御回路等を内蔵しています。 メイン電源とバックアップ電源の切り換え機能の他に、電源電圧に対応した3 種類の電圧検出出力信号をマイクロコンピュータな どに供給できます。 また、スイッチ制御に特殊シーケンスを採用することにより、バックアップ電源の有効利用が実現でき、バックアップシステム構 築に最適なIC です。

„ 特長

• 低消費電流 通常動作時 ：15 μA Max.（VIN = 6 V） バックアップ時 ：4.5 μA Max. • ボルテージレギュレータ 出力電圧精度 ：_±2% 出力電圧 ：2.3～5.4 V の範囲で 0.1 V ステップで独立に選択可能 • 3 種類（CS、PREEND 、RESET ）の電圧検出器を内蔵 検出電圧精度 ：_±2% 検出電圧 ：2.4～5.3 V の範囲で 0.1 V ステップで選択可能（CS 電圧検出器） 1.7～3.4 V の範囲で 0.1 V ステップで選択可能（PREEND 、RESET 電圧検出器） • メイン電源とバックアップ電源の切り換え回路を 1 チップで構成可能 • バックアップ電源の有効利用が可能 • 特殊シーケンスの採用 メイン電源電圧がスイッチ部の動作する初期電圧に達しない状態では、バックアップ電圧は出力されません。 • 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*1 *1. 詳細は「„ 品目コードの構成」を参照してください。

„ 用途

• カメラ一体型 VTR • デジタルカメラ • メモリカード • その他 SRAM バックアップ機器

„ パッケージ

• 8-Pin TSSOP • 8-Pin SOP（JEDEC）

2

„ ブロック図

VBAT VSW2 検出回路 M1 CS 電圧検出器 Vsw1 検出回路 スイッチ 制御回路 VOUT RESET RESET 電圧検出器 CS VIN _REG2 REG1 VRO VSS PREEND PREEND 電圧検出器 図1

„ 品目コードの構成

1. 製品名

パッケージ略号とIC の梱包仕様*1 T8T1 ：8-Pin TSSOP、テープ品 J8T1 ：8-Pin SOP（JEDEC）、テープ品 追番*2 AA～ZZ まで順次設定 S-8426A xx - xxxx x 環境コード U ：鉛フリー（Sn 100%）、ハロゲンフリー G ：鉛フリー（詳細は弊社営業部までお問い合わせください） *1. テーピング図面を参照してください。 *2. 「3. 製品名リスト」を参照してください。

2. パッケージ

パッケージ名 図面コード パッケージ図面 テープ図面 リール図面

8-Pin TSSOP 環境コード = G FT008-A-P-SD FT008-E-C-SD FT008-E-R-SD

環境コード = U FT008-A-P-SD FT008-E-C-SD FT008-E-R-S1

8-Pin SOP（JEDEC） 環境コード = G FJ008-A-P-SD FJ008-D-C-SD FJ008-D-R-SD

環境コード = U FJ008-A-P-SD FJ008-D-C-SD FJ008-D-R-S1

3. 製品名リスト

表1 製品名／項目 出力電圧 VRO 出力電圧 VOUT CS 電圧 −VDET1 CS 電圧 +VDET1 RESET電圧 −VDET2 RESET電圧 +VDET2 PREEND電圧 −VDET3 PREEND電圧 +VDET3 スイッチ電圧 VSW1

S-8426AAA-J8T1x 5.000 5.000 4.500 _×0.95+VOUT 2.900 3.068 2.100 2.207 +VDET4

*1

×0.77 *1. +VDET4は−VDET1から次式で算出します。

+VDET4 = （−VDET1）＋15×｛（−VDET1）－0.8｝÷372

注意 スイッチ電圧（VSW1）が、RESET検出電圧（−VDET2）以上になるようCS 電圧を設定してください。 備考1. 選択範囲は以下のとおりです。 VRO, VOUT ：2.3～5.4 V（0.1 Vステップ） −VDET1 ：2.4～5.3 V（0.1 Vステップ） −VDET2 ：1.7～3.4 V（0.1 Vステップ） −VDET3 ：1.7～3.4 V（0.1 Vステップ） 2. VSW1 ：+VDET1×0.85または+VDET1×0.77

4

„ ピン配置図

8-Pin TSSOP Top view 1 2 3 4 8 7 6 5 表2 端子番号 端子記号 端子内容 1 VSS グランド端子 2 _{PREEND PREEND 電圧検出器の出力端子} 3 VBAT*1 バックアップ電源入力端子 4 CS CS電圧検出器の出力端子 5 RESET RESET 電圧検出器の出力端子 図2 6 VOUT*1 ボルテージレギュレータ2の出力端子 7 VIN*1 メイン電源入力端子 8 VRO*1 ボルテージレギュレータ1の出力端子 *1. VBAT、VOUT、VIN、VRO端子は、VSS（GND端子）との間にコンデ ンサを付加してください。（「„ 標準回路」参照。） 1 2 3 4 8 7 6 5 8-Pin SOP(JEDEC) Top view 表3 端子番号 端子記号 端子内容 1 VSS グランド端子 2 _{PREEND PREEND 電圧検出器の出力端子} 3 VBAT*1 バックアップ電源入力端子 4 CS CS電圧検出器の出力端子 5 RESET RESET 電圧検出器の出力端子 6 VOUT*1 ボルテージレギュレータ2の出力端子 図3 7 VIN*1 メイン電源入力端子 8 VRO*1 ボルテージレギュレータ1の出力端子 *1. VBAT、VOUT、VIN、VRO端子は、VSS（GND端子）との間にコンデ ンサを付加してください。（「„ 標準回路」参照。）

„ 絶対最大定格

表4 （特記なき場合：Ta = 25 °C） 項目 記号 定格 単位 メイン電源入力電圧 _VIN VSS−0.3～VSS+18 V バックアップ電源入力電圧 _VBAT VSS−0.3～VSS+18 V ボルテージレギュレータの出力電圧 VRO, VOUT VSS−0.3～VIN+0.3 V CS出力電圧 VCS VSS−0.3～VSS+18 V 　 RESET 出力電圧 VRESET VSS−0.3～VSS+18 V PREEND 出力電圧 VPREEND VSS−0.3～VSS+18 V 許容損失 8-Pin TSSOP PD 700*1 _mW 8-Pin SOP（JEDEC） 850*1 _mW 動作周囲温度 _Topr −40～+85 °C 保存温度 _Tstg −40～+125 °C *1. 基板実装時 ［実装基板］ （1）基板サイズ ：114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm （2）名称 ：JEDEC STANDARD51-7 注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化な どの物理的な損傷を与える可能性があります。 0 50 100 150 1200 800 400 0 許 容損失 （ PD ）［ mW ］ 8-Pin TSSOP 周囲温度（Ta）［°C］ 1000 600 200 8-Pin SOP（JEDEC） 図4 パッケージ許容損失（基板実装時）

6

„ 電気的特性

1. S-8426AAA

表5 (1 / 2)

（特記なき場合：Ta = 25 °C）

項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 測定_回路

ボ ル テ ー ジ レ ギ ュ レ ー タ 出力電圧1 VRO VIN = 6 V, IRO = 30 mA 4.900 5.000 5.100 V 1 ドロップアウト電圧1 Vdrop1 VIN = 6 V, IRO = 30 mA − 356 474 mV 1 負荷安定度1 ΔVRO1 VIN = 6 V, IRO = 0.1～40 mA − 50 100 mV 1 入力安定度1 ΔVRO2 VIN = 6～16 V, IRO = 30 mA − 5 20 mV 1 出力電圧温度係数1 ΔVRO _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 1 ΔTa・VRO 出力電圧2 VOUT VIN = 6 V, IOUT = 50 mA 4.900 5.000 5.100 V 1 ドロップアウト電圧2 Vdrop2 VIN = 6 V, IOUT = 50 mA − 401 540 mV 1 負荷安定度2 ΔVOUT1 VIN = 6 V, IOUT = 0.1～60 mA − 50 100 mV 1 入力安定度2 ΔVOUT2 VIN = 6～16 V, IOUT = 50 mA − 10 30 mV 1 出力電圧温度係数2 ΔVOUT Ta = −40～+85 °C − ±100 − ppm/ °C 1 ΔTa・VOUT メイン電源入力電圧 VIN − − − 16 V 1 電 圧 検 出 器 CS検出電圧 −VDET1 VIN電圧検出 4.410 4.500 4.590 V 2

CS解除電圧 +VDET1 − _×0.93VOUT _×0.95 VOUT _×0.97 VOUT V 2

RESET検出電圧 −VDET2 VOUT電圧検出 2.842 2.900 2.958 V 2

RESET解除電圧 +VDET2 − 2.994 3.068 3.142 V 2

PREEND検出電圧 −VDET3 VBAT電圧検出 2.058 2.100 2.142 V 2

PREEND解除電圧 +VDET3 − 2.154 2.207 2.260 V 2 動作電圧 _{Vopr VIN or VBAT} 1.7 − 16 V 2 検出電圧温度係数 Δ−VDET1 _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 2 ΔTa・−VDET1 Δ−VDET2 _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 2 ΔTa・−VDET2 Δ−VDET3 _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 2 ΔTa・−VDET3 シンク電流 ISINK V_VDS = 0.5 V, IN = VBAT = 2.0 V RESET 1.50 2.30 − mA 3 PREEND 1.50 2.30 − mA 3 CS 1.50 2.30 − mA 3 リーク電流 ILEAK VDS = 16 V, VIN = 16 V − − 0.1 μA 3

表5 (2 / 2)

項 目 記号 条 件 _{Min. Typ. Max. 単位} 測定

回路 ス イ ッ チ 部 スイッチ電圧 VSW1 VBAT = 2.8 V, VIN電圧検出 +VDET4 *1 ×0.75 +VDET4*1 ×0.77 +VDET4*1 ×0.79 V 4

CS出力禁止電圧 VSW2 VBAT = 3.0 V, VOUT電圧検出 _×0.93VOUT _×0.95 VOUT _×0.97 VOUT V 5

VBAT側スイッチ

リーク電流 ILEAK VIN = 6 V, VBAT = 0 V − − 0.1 μA 6

VBAT側スイッチ抵抗 RSW

VIN = オープン,

VBAT = 3.0 V, IOUT = 10～500 μA − 30 60 Ω 7

スイッチ電圧 温度係数 ΔVSW1 _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 4 ΔTa・VSW1 CS出力禁止電圧 温度係数 ΔVSW2 _{Ta = −40～+85 °C − ±100 −} ppm/ °C 5 ΔTa・VSW2 総 合 消費電流 ISS1 VIN = 6 V, VBAT = 3.0 V, 無負荷 − 6 15 μA 8 ISS2 VIN = 16 V, VBAT = 3.0 V, 無負荷 − 7 20 μA 8

IBAT1 VIN = 6 V, VBAT = 3.0 V, 無負荷 − 0.5 3.5 μA 8

IBAT2 VIN = オープン, VBAT = 3.0 V, 無負荷 Ta = 25 °C − 1.5 4.5 μA 8 Ta = 85 °C − − 5.0 μA 8 バックアップ電源 入力電圧 VBAT − 1.7 − 4.0 V 7 *1. +VDET4は−VDET1から次式で算出します。

+VDET4 = （−VDET1）＋15×｛（−VDET1）－0.8｝÷372

8

„ 測定回路

10 μF VRO or VOUT VIN VSS VIN ↓ V VSS RESET

VINVBAT VOUT CS 100 kΩ VIN 100 kΩ PREEND 100 kΩ VBAT VDET3測定時には、VINに6 Vを印加する。

V

V

V

V

V

図5 測定回路 1 図6 測定回路 2 VDS VIN VIN VSS CS RESET VBAT VOUT PREEND

A

A

A

VBAT VIN VOUT VIN VSS VBAT VINに6 V印加後、測定する。 V V 図7 測定回路 3 図8 測定回路 4 VOUT VIN VSS CS F.G. VBAT VBAT オシロ スコープ オシロ スコープ 100 kΩ VSS A VIN VBAT VIN 図9 測定回路 5 図10 測定回路 6 IOUT VBAT VOUT VIN VSS VBAT V VINに6 V印加後、オープンにして測定する。 ↓ VIN VBAT VIN VIN VSS VBAT A A IBAT ISS

IBAT2測定時には、VINに6 V印加後、VINを

オープンにして、IBATを測定する。

„ 動作説明

S-8426A シリーズの内部構成は、以下のとおりです。 • 入力電圧（VIN）を定電圧化して、VROに出力するボルテージレギュレータ1 • 入力電圧（VIN）を定電圧化して、VOUTに出力するボルテージレギュレータ2 • 入力電圧（VIN）を監視するCS 電圧検出器 • 入力電圧（VBAT）を監視するPREEND 電圧検出器 • 出力電圧（VOUT）を監視するRESET 電圧検出器 • スイッチ部 以下にそれぞれの機能と動作について説明します。

1. ボルテージレギュレータ

ドロップアウト電圧の小さいボルテージレギュレータが内蔵されています。VRO、VOUT 端子（ボルテージレギュレータ の出力端子）電圧は2.3～5.4 V の範囲で 0.1 V ステップで独立に出力電圧を選択できます。 1. 1 ドロップアウト電圧 Vdrop1、Vdrop2 電気的特性の表に記載されている出力電圧1 の条件のときに、VRO 端子から出力される電圧を VRO(E)とします。入力電

圧VINを下げて行き、VRO 端子からの出力電圧が VRO(E)の98%となるときの入力電圧を VIN1とすると、ドロップアウト

電圧（Vdrop1）は次の式により定義されます。

Vdrop1 = VIN1－VRO(E)×0.98

同様にして、電気的特性の表に記載されている出力電圧2 の条件で出力される VOUT 端子の電圧を VOUT(E)とし、VOUT

端子からの出力電圧がVOUT(E)の98%となるときの入力電圧を VIN2とすると、ドロップアウト電圧（Vdrop2）は次の式に

より定義されます。

Vdrop2 = VIN2－VOUT(E)×0.98

2. 電圧検出器

ヒステリシス特性を持った、高精度低消費電流の電圧検出器が3個内蔵されています。CS電圧検出器はVINとVBATの両端 子から電力が供給されているので、メイン電源またはバックアップ電源が動作電圧範囲内（1.7～16 V）にあれば出力が不 定になることはありません。なお、出力はすべてNchオープンドレインですので、100 kΩ程度のプルアップ抵抗が必要です。 2. 1 CS電圧検出器 CS電圧検出器は、入力電圧（VIN）（VIN端子電圧）を監視しています。検出電圧は、2.4～5.3 Vの範囲で0.1 Vステップ で選択できます。検出結果はCS端子に出力され、検出電圧以下ではロウレベルを、解除電圧以上ではハイレベルをそれ ぞれ出力します（ただし、VOUT端子電圧がCS出力禁止電圧（VSW2）の場合はロウレベルになります）。 入力電圧 解除電圧 出力電圧 検出電圧 図13 電圧検出器の検出と解除電圧の定義

10

2. 2 PREEND 電圧検出器

PREEND 電圧検出器は、入力電圧（VBAT）（VBAT端子電圧）を監視しています。検出電圧は、1.7～3.4 Vの範囲で0.1

Vステップで選択できます。 この機能によりバックアップ電源が残り少なくなっていることを事前に知らせます。 検 出結果は PREEND 端子に出力され、検出電圧以下ではロウレベルを、解除電圧以上ではハイレベルをそれぞれ出力し ます。

2. 3 RESET 電圧検出器

RESET 電圧検出器は、出力電圧（VOUT）（VOUT端子電圧）を監視しています。検出電圧は、1.7～3.4 Vの範囲で0.1 V

ステップで選択できます。 検出結果はRESET 端子に出力され、検出電圧以下ではロウレベルを、解除電圧以上ではハ

イレベルをそれぞれ出力します。なお、_{VOUT端子電圧が1.0 V以上ならばRESET 端子の出力は、正常論理を出力しま}

す。

注意 _{PREEND 、RESET 電圧検出器は、検出する端子が異なります。実使用上では VBAT 側から電流を取るので、}

M1 が ON の時には M1 の入出力電圧差（Vdif）を考慮してください。

3. スイッチ部

スイッチ部はVSW1、VSW2検出回路、スイッチ制御回路、ボルテージレギュレータ2 およびスイッチトランジスタ M1 から 構成されています（図14 参照）。 M1 VBAT VIN VOUT スイッチ 制御回路 VSW1 検出回路 REG2 VSW2 検出回路 図14

3. 1 VSW1検出回路

VSW1検出回路は、電源電圧（VIN）を監視し、検出結果をスイッチ制御回路へ送信します。検出電圧（VSW1）は、CS 解

除電圧（+VDET1）の77±2%または 85±2%に設定できます。

またVSW2＞+VDET1となる製品については、下記の式で求められる+VDET4に対して、77±2%または 85±2%の設定とな

ります。

+VDET4 = （−VDET1）＋15×｛（−VDET1）－0.8｝÷372

3. 2 VSW2検出回路 VSW2検出回路には、VOUT端子電圧を監視し、CS解除電圧出力をVOUT端子電圧がVSW2電圧に上昇するまで、ロウレベ ルに保持させる機能があります。VOUT端子電圧がボルテージレギュレータ2の出力電圧（VOUT）の95±2%に上昇したそ の時に、VIN端子電圧がCS解除電圧（+VDET1）以上に上昇しているとCS端子の出力をロウレベルからハイレベルに変化 させます。一方、VIN端子電圧がCS検出電圧（−VDET1）以下に下がれば、VSW2電圧とは無関係にCS端子の出力は、ハイ レベルからロウレベルに変化します。

また、VOUT端子電圧がアンダーシュートを起こし、VSW2電圧以下に下がっても、VIN端子電圧がCS検出電圧（−VDET1）

以上であれば、CS端子の出力はハイレベルを保持します。 3. 3 スイッチ制御回路 スイッチ制御回路は、ボルテージレギュレータ2およびスイッチトランジスタM1を制御しています。電源電圧（VIN）（あ るいは電源電圧（VBAT））のシーケンスに対応して特殊シーケンス状態と、通常シーケンス状態とがあります。電源電 圧（VIN）が上昇し、CS解除電圧（+VDET1）以上になると通常シーケンス状態に入り、それまでは特殊シーケンス状態 を保持します。 （1）特殊シーケンス状態 スイッチ制御回路は、初期状態からメイン電源電圧（VIN）が接続され、CS 解除電圧（+VDET1）以上に達するまで は、バックアップ電源の消耗を防ぐため、VSW1検出回路の状態に関わらず、ボルテージレギュレータ2 を ON し、 スイッチトランジスタM1 を OFF としています。この状態を特殊シーケンス状態と呼びます。 （2）通常シーケンス状態 スイッチ制御回路は、特殊シーケンス状態から一度でもメイン電源電圧（VIN）がCS解除電圧（+VDET1）以上に達 すると、通常シーケンス状態になります。 一旦通常シーケンスに入ると、VINによって、表6 のようにボルテージレギュレータ2 とスイッチトランジスタ M1 の ON／OFF を切り換えます。なお、ボルテージレギュレータ 2 が OFF から ON への切り換えに要する時間 は、最大で数百μs かかります。この期間は、ボルテージレギュレータ 2 とスイッチトランジスタ M1 がともに OFF になり、VOUT 端子電圧が降下することがあります。これを防止するために、VOUT 端子には必ず 10 μF 以上の コンデンサを付加してください。 また、_{VOUT端子電圧がRESET 検出電圧以下になると、特殊シーケンス状態に戻ります。} 表6 電源電圧(VIN)によるボルテージレギュレータ 2 とスイッチトランジスタ M1 の ON／OFF 切り換え 電源電圧 (VIN) _{レギュレータ2} ボルテージ _{トランジスタM1} スイッチ VOUT端子電圧 VIN＞VSW1 ON OFF VOUT

12

3. 4 スイッチトランジスタM1

VIN端子からVOUT端子へのスイッチは、ボルテージレギュレータ2によって兼用されています。ボルテージレギュレー

タ2がOFFすれば、VOUT端子からVIN端子への電流の逆流はありません。

また、ボルテージレギュレータ2の出力電圧は、2.3～5.4 Vの範囲で0.1 Vステップで選択できます。

スイッチトランジスタM1 の ON 抵抗は、60 Ω以下（IOUT = 10～500 μA 時）です。

したがって、M1 が ON して VOUT 端子が VBAT 端子に接続されると、M1 による電圧降下（Vdif）は最大で60×IOUT（出

力電流）となり、VOUT 端子には最小で VBAT－Vdif (max.)が出力されます。

なお、ボルテージレギュレータ2 が ON で、M1 が OFF の時、M1 のリーク電流は VBAT 端子を接地（VSS 端子）した

状態で、0.1 μA max.（VIN = 6 V、Ta = 25 °C 時）におさえられています。

Vdif M1 VBAT VIN VOUT REG2 図15 Vdifの定義

„ タイミングチャート

VIN (V) VRESET (V) VPREEND (V) VCS (V) VBAT (V) VOUT (V) VRO (V)

14

„ 標準回路

VRO VRO 10 μF VOUT RESET CS VSS 6 V 3 V VIN VBAT VOUT 10 μF S-8426A シリーズ 0.1 μF + + + 1 kΩ 10 μF VOUT 100 kΩ VOUT 100 kΩ PREEND VOUT 100 kΩ

図

17

注意1. VOUT、VRO端子には、10 μF以上のコンデンサを必ず付加してください。 2. 上記接続図及び定数は動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定 してください。

„ 注意事項

• IROまたはIOUTが小さいアプリケーションでは、出力電圧VRO、VOUTが上昇し、負荷安定度が規格外になることがあります。 IROまたはIOUTは10 μA 以上とるようにしてください。

• VOUT 端子をモニタしているRESET 電圧検出器が、アンダーシュートによってアクティブにならないように、VOUT 端 子に適切なコンデンサを付加してください。

• オーバーシュート量が VRO 端子と VOUT 端子に付加されている IC やコンデンサの定格を越えないように注意してくださ い。

• VOUT、VRO 端子には、10 μF 以上のコンデンサを必ず付加してください。

• VINがVSW1以上の電圧から立ち上がる時には、VBATがPREEND 解除電圧以上であってもPREEND 端子にパルス幅が4 ms

未満の_{LOW パルスが発生します。従ってPREEND 端子をモニタする場合、V}INを立ち上げてから必ず4 ms 以上経過後 にモニタするようにしてください。 • 本 IC は静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気が IC に印加されないように して下さい。 • 弊社ICを使用して製品を作る場合、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当ICを含めた 製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

„ 応用回路

1. バックアップにタイマ・マイコンを使用し、

PREEND

をメイン

CPU で表示する場合

アドレスデータ VRO 10 μF RESET CS 6 V VIN VBAT VOUT 3 V 0.1 μF 1 kΩ 10 μF VSS CS RESET VCC 100 kΩ 100 kΩ タイマ マイコン S-8426A シリーズ RESET VCC メイン CPU + + + 10 μF PREEND INT 100 kΩ 図18 応用回路 1

16

2. バックアップ電池として2次電池を使用する場合

VRO 10 μF RESET CS VSS 6 V VIN VBAT VOUT S-8426A シリーズ + + 3 V _{0.1 μF} VCC INT マイコン 10 μF + 100 kΩ 10 μF 100 kΩ RESET 備考 ボルテージレギュレータ1を使用して、バックアップ電池をフローティング充電することができます。 図19 応用回路 2

3. メモリカード

100 kΩ VSS VIN S-8426A シリーズ RESET _VBAT CS VOUT + カード部 + 0.1 μF 3 V VIN BDT1 CS 10 μF 10 μF PREEND BDT2 100 kΩ 100 kΩ SRAM CS 図20 応用回路 3 注意 上記接続図及び定数は動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定 数を設定してください。

„ 過渡応答特性

1. 入力電圧変動による過渡応答特性

入力電圧の変動は、電源投入（0 V→10 V の矩形波）を印加した場合と電源変動（6 V↔10 V の矩形波）を印加した場合 とで異なります。それぞれの場合について、リンギング波形とパラメータ依存性を示します。また、参考までに測定回路 を示します。 1. 1 電源投入：0 V→10 Vの矩形波の場合 出力電圧 10 V オーバーシュート アンダーシュート 入力電圧 0 V 図21 電源投入：0 V→10 Vの矩形波の場合 図22 測定回路 高速Amp. RL P.G. VSS VOUT VIN COUT オシロ スコープ S-8426A シリーズ VOUT 端子 VRO 端子 COUT = 22 μF, IOUT = 50 mA, Ta = 25 °

C

入力電圧 (5 V/div) 0 V 10 V t (100 μs/div) 出力電圧 (0.5 V/div) CRO = 22 μF, IRO = 30 mA, Ta = 25 °C 出力電圧 (0.5 V/div) 入力電圧 (5 V/div) _{0 V} 10 V t (100 μs/div) 図23 電源投入のリンギング波形（VOUT 端子） 図24 電源投入のリンギング波形（VRO 端子）

18

1. 2 電源変動：6 V↔10 Vの矩形波の場合 10 V オーバー シュート 6 V 入力電圧 出力電圧 アンダー シュート 図25 電源変動：6 V↔10 Vの矩形波の場合 図26 測定回路 高速Amp. RL VSS VOUT VIN COUT オシロ スコープ S-8426A シリーズ P.G. VOUT 端子 6 V 10 V 入力電圧 (4 V/div) 出力電圧 (50 mV/div) t (100 μs/div)

COUT = 22 μF, IOUT = 50 mA, Ta = 25 °C 10 V 6 V t (100 μs/div) 図27 電源変動のリンギング波形（VOUT 端子） VRO 端子 10 V 入力電圧 (4 V/div) 出力電圧 (50 mV/div) 6 V t (100 μs/div) CRO = 22 μF, IRO = 30 mA, Ta = 25 °C 10 V 6 V t (100 μs/div) 図28 電源変動のリンギング波形（VRO 端子）

1. 3 参考データ：出力電流（IOUT）、負荷容量（COUT）、入力変動量（ΔVIN）、温度（Ta）の依存性

参考までに、VOUT 端子と VRO 端子に発生するリンギング量を出力電流（IOUT）、負荷容量（COUT）、入力変動量（ΔVIN）

および温度（Ta）をパラメータとして測定した結果を次に示します。

（1） IOUT依存性

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 20 40 60 リン ギング量 (V) IOUT (mA) COUT = 22 μF, VIN = 6↔10 V, Ta = 25 °C 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0 20 40 60 CRO = 22 μF, VIN = 6↔10 V, Ta = 25 °C リンギ ング量 (V) IRO (mA) 図29 図30 オーバーシュート アンダーシュート （2） COUT依存性

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0 10 20 30 40 50 リン ギング量 (V) IOUT = 50 mA, VIN = 6↔10 V, Ta = 25 °C COUT (μF) 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0 10 20 30 40 50 CRO (μF) IRO = 30 mA, VIN = 6↔10 V, Ta = 25 °C リン ギング量 (V)

20

（3） ΔVIN依存性

ΔVINは、低い方の電圧を6 Vに固定した場合の高い電圧との差を示しています。

たとえば、ΔVIN = 2 Vは、6 V↔8 Vということです。

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

IOUT

= 50 mA, COUT = 22 μF, Ta = 25 °C

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0 1 2 3 4 5 リンギン グ量 (V) ΔVIN (V) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0 1 2 3 4 5 IRO = 30 mA, CRO = 22 μF, Ta = 25 °C リン ギング量 (V) ΔVIN (V) 図33 図34 オーバーシュート アンダーシュート （4）温度依存性

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 −50 0 50 100 リ ンギング 量 (V) Ta (°C)

VIN = 6↔10 V, IOUT = 50 mA, COUT = 22 μF VIN = 6↔10 V, IRO = 30 mA, CRO = 22 μF

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 −50 0 50 100 リンギ ング量 (V ) Ta (°C) 図35 図36 オーバーシュート アンダーシュート

2. 負荷変動による過渡応答特性

S-8426A シリーズでは、入力電圧を一定にして出力電流を 10 μA ↔ 50 mA（VROは10 μA ↔ 30 mA）と変動させると、

出力電圧にオーバーシュート、アンダーシュートが生じます。図37 に、出力電流による出力電圧の変動の様子を示しま す。参考までに、図38 に測定回路を示します。ついで、リンギング波形とパラメータ依存性を示します。 図37 出力電流による出力電圧の変動 アンダー シュート オーバー シュート 出力電流 出力電圧 50 mA 10 μA 図38 測定回路 オシロ スコープ VSS VOUT VIN COUT S-8426Aシリーズ 2. 1 負荷変動 負荷変動によるVOUT 端子でのリンギング波形を図 39 に、VRO 端子でのリンギング波形を図 40 にそれぞれ示します。 VOUT端子 出力電流 出力電圧 (50 mV/div) t (500 ms/div) 50 mA 10 μA VIN = 6.0 V, COUT = 22 μF, Ta = 25 °C 50 mA 10 μA t (50 μs/div) 図39 負荷変動によるリンギング波形（VOUT 端子） VRO 端子 出力電流 出力電圧 (20 mV/div) 30 mA 10 μA VIN = 6.0 V, CRO = 22 μF, Ta = 25 °C 30 mA 10 μA

22

2. 2 参考データ：入力電圧（VIN）、負荷容量（COUT）、出力変動量（ΔIOUT）、温度（Ta）の依存性

（1） VIN依存性

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 4 5 6 7 8 9 10

COUT = 22 μF, IOUT = 50 mA ↔ 10 μA, Ta = 25 °C

VIN (V) リン ギング量 (V) 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 4 5 6 7 8 9 10 CRO = 22 μF, IRO = 30 mA ↔ 10 μA, Ta = 25 °C VIN (V) リンギ ング量 (V) 図41 図42 オーバーシュート アンダーシュート （2） COUT依存性

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

COUT (μF) VIN = 6.0 V, IOUT = 50 mA ↔ 10 μA, Ta = 25 °C リンギ ング量 (V ) 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0 10 20 30 40 50 VIN = 6.0 V, IRO = 30 mA ↔ 10 μA, Ta = 25 °C CRO (μF) リンギン グ量 (V) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0 10 20 30 40 50 図43 図44 オーバーシュート アンダーシュート

（3） ΔIOUT依存性

ΔIOUT、ΔIROは、少ない方の電流を10 μA に固定した場合の多い電流を示します。たとえば、ΔIOUT=10 mA は、10 μA↔10

mA ということです。

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0 10 20 30 40 50 60 リン ギング 量 (V) COUT = 22 μF, VIN = 6.0 V, Ta = 25 °C

ΔIOUT (mA)

0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0 10 20 30 40 50 60 リ ンギング 量 (V) CRO = 22 μF, VIN = 6.0 V, Ta = 25 °C

ΔI

RO

(mA)

図45 図46 オーバーシュート アンダーシュート （4） 温度依存

（a） VOUT 端子 （b） VRO端子

Ta (°C)

VIN = 6.0 V, IOUT = 50 mA ↔ 10 μA, COUT = 22 μF

リンギン グ量 (V) 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 −50 0 50 100 Ta (°C) VIN = 6.0 V, IRO = 30 mA ↔ 10 μA, CRO = 22 μF リンギン グ量 (V ) 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 −50 0 50 100 図47 図48

24

„ 諸特性データ（

Typicalデータ）

1. ボルテージレギュレータ部（V

RO

= V

OUT

= 5.0 Vの場合）

1. 1 入力電圧（VIN）－出力電圧（VRO）特性（REG1） (1) Ta = 85 °C (2) Ta = 25 °C 4.0 5.0 V RO [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IRO = 10 mA IRO = 30 mA IRO = 50 mA IRO = 70 mA IRO = 90 mA 4.0 5.0 V RO [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IRO = 10 mA IRO = 50 mA IRO = 30 mA IRO = 70 mA IRO = 90 mA (3) Ta = −40 °C 4.0 5.0 V RO [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IRO = 50 mA IRO = 30 mA IRO = 10 mA IRO = 70 mA IRO = 90 mA 1. 2 入力電圧（VIN）－出力電圧（VOUT）特性（REG2） (1) Ta = 85 °C (2) Ta = 25 °C 4.0 5.0 V OUT [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IOUT = 50 mA IOUT = 30 mA IOUT = 10 mA IOUT = 70 mA IOUT = 90 mA 4.0 5.0 V OUT [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IOUT = 50 mA IOUT = 30 mA IOUT = 10 mA IOUT = 70 mA IOUT = 90 mA (3) Ta = −40 °C 4.0 5.0 V OUT [V] 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 4.2 4.0 VIN [V] 6.0 7.0 IOUT = 50 mA IOUT = 30 mA IOUT = 10 mA IOUT = 70 mA IOUT = 90 mA

1. 3 出力電流（IRO）−ドロップアウト電圧（Vdrop1）特性 1. 4 出力電流（IOUT）−ドロップアウト電圧（Vdrop2）特性 0 0.02 0.06 V drop1 [V] 0.8 1.0 0.6 0.4 0.2 0 IRO [A] 0.04 Ta = 85 °C Ta = 25 °C Ta = −40 °C 0 0.02 0.06 V drop2 [V] 0.8 1.0 0.6 0.4 0.2 0 IOUT [A] 0.04 Ta = 85 °C Ta = 25 °C Ta = −40 °C

1. 5 出力電流（IRO）－出力電圧（VRO）特性 1. 6 出力電流（IOUT）－出力電圧（VOUT）特性

1μ 100μ 10m V RO [V] 4.70 4.80 4.90 5.00 IRO [A] 5.20 VIN = 6 V Ta = 25 °C Ta = 85 °C Ta = −40 °C 5.10 1 1μ 100μ 10m V OUT [V] 4.70 4.80 5.00 5.10 IOUT [A] 1 5.20 VIN = 6 V Ta = 25 °C Ta = 85 °C Ta = −40 °C 4.90 1. 7 出力電圧（VRO）温度特性 1. 8 出力電圧（VOUT）温度特性

VIN = 6 V, IRO = 30 mA, Ta = 25 °CでのVRO電圧基準 VIN = 6 V, IOUT = 50 mA, Ta = 25 °CでのVOUT電圧基準

−40 0 25 50 75 Δ V RO [mV] 20 10 0 −10 −20 −30 Ta [°C] 30 −25 85 −40 0 25 50 75 Δ V OUT [mV] 20 10 0 −10 −20 −30 Ta [°C] 30 −25 85 1. 9 入力安定度（VRO）温度特性 1. 10 入力安定度（VOUT）温度特性 −40 0 25 50 75 Δ V RO2 [mV] ₁₀ 0 −10 Ta [°C] 30 −25 85 20 −40 0 25 50 75 Δ V OUT2 [mV] 15 10 5 0 Ta [°C] 20 −25 85

26

1. 11 負荷安定度（VRO）温度特性 1. 12 負荷安定度（VOUT）温度特性 −40 0 25 50 75 Δ V RO1 [mV] 30 20 10 0 Ta [°C] 40 −25 85 −40 0 25 50 75 Δ V OUT1 [mV] 30 20 10 0 Ta [°C] 40 −25 85

2. 電圧検出器

2. 1 CS 電圧検出器（−VDET1 = 4.5 V の場合）

(1) 検出電圧（−VDET1）温度特性 (2) 出力電流（ISINK）特性

Ta = 25 °CでのCS（−VDET1）電圧基準 −40 0 25 50 75 Δ CS [mV] 10 0 −10 −20 Ta [°C] 20 −25 85 0 1.0 4.0 CS I SINK [mA] 25 30 15 10 5 0 VDS [V] 3.0 2.0 20 VIN = 3 V Ta = 25 °C VIN = 1.7 V (3) 出力電流（ISINK）温度特性 VIN = VBAT = 2.0 V, VDS = 0.5 V −40 0 25 50 75 CS I SINK [mA] 8 4 2 0 Ta [°C] 10 −25 85 6

2. 2 RESET 電圧検出器（−VDET2 = 2.9 V の場合）

(1) 検出電圧（−VDET2）温度特性 (2) 出力電流（ISINK）特性

Ta = 25 °CでのRESET （−VDET2）電圧基準 −40 0 25 50 75 Δ RESET [mV] 10 0 −10 −20 Ta [°C] 20 −25 85 0 1.0 4.0 RESET I SINK [mA] 25 30 15 10 5 0 VDS [V] 3.0 2.0 20 VIN = 3 V Ta = 25 °C VIN = 1.7 V (3) 出力電流（ISINK）温度特性 VIN = VBAT = 2.0 V, VDS = 0.5 V −40 0 25 50 75 RESET I SINK [mA] 8 4 2 0 Ta [°C] 10 −25 85 6 2. 3 PREEND 電圧検出器（−VDET3 = 2.1 V の場合）

(1) 検出電圧（−VDET3）温度特性 (2) 出力電流（ISINK）特性

Ta = 25 °CでのPREEND （−VDET3）電圧基準 −40 0 25 50 75 Δ PREEND [mV] 10 0 −10 −20 Ta [°C] 20 −25 85 0 1.0 4.0 PREEND I SINK [mA] 25 30 15 10 5 0 VDS [V] 3.0 2.0 20 VIN = 2 V Ta = 25 °C VIN = 1.7 V (3) 出力電流（ISINK）温度特性 VIN = VBAT = 2.0 V, VDS = 0.5 V 10 20

28

3. スイッチ部

3. 1 スイッチ電圧（VSW1）温度特性 3. 2 CS 出力禁止電圧（VSW2）温度特性 Ta = 25 °C での VSW1電圧基準 Ta = 25 °C での VSW2電圧基準 −40 0 25 50 75 Δ V SW1 [mV] 10 0 −10 −20 Ta [°C] 20 −25 85 −40 0 25 50 75 Δ V SW2 [mV] 10 0 −10 −20 Ta [°C] 20 −25 85

3. 3 入力電圧（VBAT）－VBATスイッチ抵抗（RSW）特性 3. 4 VBATスイッチ抵抗（RSW）温度特性

IOUT = 500 μA VBAT = 3 V, IOUT = 500 μA

1 2 5 R SW [ Ω ] 50 60 30 20 10 0 VBAT [V] 3 50 4 −40 0 25 50 75 R SW [ Ω ] 50 40 30 20 10 0 Ta [°C] 60 −25 85

3. 5 VBAT側スイッチリーク電流（ILEAK）温度特性

VIN = 6.0 V, VBAT = 0 V −40 0 25 50 75 I LEAK [nA] 25 20 15 10 5 0 Ta [°C] 30 −25 85

4. 消費電流

4. 1 VIN－VIN消費電流（ISS1）特性 4. 2 消費電流温度特性 VIN = 6.0 V, VBAT = 3.0 V 0 6 18 I SS1 [μ A] 12 16 10 6 4 0 VIN [V] 12 14 16 10 8 4 2 2 8 14 _{Ta = 85 °C} Ta = 25 °C Ta = −40 °C −40 0 25 50 75 I SS1 [μ A] 12 8 4 0 Ta [°C] 16 −25 85

No. TITLE SCALE

TSSOP8-E-PKG Dimensions

No. FT008-A-P-SD-1.1

FT008-A-P-SD-1.1

0.17±0.05 0.65 0.2±0.1 1 ₄

No. TITLE

SCALE UNIT

SII Semiconductor Corporation

ø1.55±0.05 8.0±0.1 ø1.55 +0.1 _-0.05 (4.4) 0.3±0.05 1 4 5 8 Feed direction

TSSOP8-E-Carrier Tape

No. FT008-E-C-SD-1.0

FT008-E-C-SD-1.0

+0.4 -0.2 6.6 mm

No. TITLE SCALE

No. FT008-E-R-SD-1.0

2±0.5 ø13±0.5 ø21±0.8 3,000 QTY.

TSSOP8-E-Reel

FT008-E-R-SD-1.0

No. TITLE

SCALE UNIT

SII Semiconductor Corporation

2±0.5 ø13±0.5 ø21±0.8 4,000 QTY.

TSSOP8-E-Reel

FT008-E-R-S1-1.0

mm

No. FT008-E-R-S1-1.0

No. FJ008-A-P-SD-2.1

0.4±0.05 1.27 0.20±0.05 1 4 No. TITLE SCALE

SOP8J-A-PKG Dimensions

FJ008-A-P-SD-2.1

No. TITLE SCALE UNIT mm 5 8 1 4 ø2.0±0.05 ø1.55±0.05 0.3±0.05 2.1±0.1 8.0±0.1 5°max. 6.7±0.1 Feed direction

SOP8J-D-Carrier Tape

No. FJ008-D-C-SD-1.1

FJ008-D-C-SD-1.1

No. TITLE SCALE QTY. 2,000 2±0.5 13.5±0.5 2±0.5 ø13±0.2 ø21±0.8

Enlarged drawing in the central part

SOP8J-D-Reel

No. FJ008-D-R-SD-1.1

No. TITLE SCALE UNIT mm QTY. 4,000 2±0.5 13.5±0.5 2±0.5 ø13±0.2 ø21±0.8

Enlarged drawing in the central part

SOP8J-D-Reel

No. FJ008-D-R-S1-1.0

FJ008-D-R-S1-1.0

1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01