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(1)論 パ ル スYAGレ. ー ザ に よ るSiウ. 山田啓司**大. エ ハ の 割 断 機 構 に 関 す る研 究*. 礒桂一***細. Studies on Cleaving. Mechanism. 川. 晃**上. 田隆司**. of Silicon Wafer with Pulsed YAG Laser. Keiji YAMADA, Keiichi OISO, Akira HOSOKAWA and Takashi UEDA. The thermal stress cleaving. dicing. This method. of silicon wafer with a laser beam is a prospective. makes it possible. to cut a wafer at very high production. wheel and to protect the wafer from the contamination silicon. wafer irradiated. measured. with the pulsed Nd:YAG. using two-color. of the crack propagation.. pyrometer. reduce the thermal damages Key words. which supersedes. rate in comparison. laser is investigated.. The temperature. the temperature. and to improve the cleaving. emission. with laser should. to examine. thin blade. mechanism. at the area irradiated. is also measured. at the area irradiated. the mechanical. with the diamond. of cutting coolant and chips. In this paper, the cleaving. with an optical fiber. The acoustic. In the process,. technique,. of. with laser is. the mechanism. be controlled. in order to. accuracy.. : Nd:YAG laser, silicon wafer, dicing process,. thermal. stress, temperature. measurement,. two-color. pyrometer. 法 に つ い て 検 討 して い る.レ ー ザ に は 加 工 材 料 に 与 え る 熱 的 影. 1.緒言. 響 を抑 え る た め パ ル スYAGレ. 半 導 体 デ バ イ ス の 製 造 に お い て,ウ エ ハ 上 にパ タ ー ン を形 成. ー ザ を用 い て い る.ま. た,パ ル. ス レ ー ザ を 用 い る こ と で,き 裂 の 進 展 して い く様 子 を精 度 良 く. した 後,通 常 ダ イ ヤ モ ン ド砥 粒 を 用 い た ブ レ ー ドに よ る 切 断 加. 観 察 す る こ と が 可 能 と な る.き. 工 が 行 わ れ て い る.脆 性 材 料 で あ るSiを 切 断 加 工 す る際 に は,. (Acoustic emission)信. チ ッ ピ ン グ や ク ラ ッ ク の発 生 を抑 え る た め加 工 能 率 は抑 え られ. る.ま た,温 度 差 に よ っ て 生 じ る 熱 応 力 を 活 用 した 加 工 法 で あ. て い る.ま. る こ とか ら,レ ー ザ 照 射 部 の 温 度 を計 測 し,AE信号. た,ウ. エ ハ を保 持 す る た め に ダ イ シ ン グ テ ー プ や. ワ ッ ク ス を必 要 と し,工 程 前 後 の 段 取 り作 業 を 煩 雑 と して い. 裂 が 進 展 す る 様 子 はAE. 号 を計 測す る こと に よって監 視 してい. と組み 合. わ せ る こ とで,き 裂 の 進 展 に 及 ぼ す 温 度 の 影 響 を 調 べ て い る.. る 。 しか も,使 用 さ れ る 加 工 液,切 断 に際 し て発 生 す る切 り く. 2,加. ず や 脱 落 し た 砥 粒 ・ボ ン ドは,ウ エ ハ 上 の デ バ イ ス の 汚 染 要 因 と も な る.. 工. 原. 理. 図1に 脆 性材 料 の レーザ 割断 加工 の原 理 を示 す.レ ー ザ光 が. これ に 対 し,レ ー ザ に よ る 割 断 は 熱 応 力 に よ っ て き裂 を進 展. 加 工物 に照射 され る と,照射 部 は急激 な温 度上 昇 とともに熱膨. さ せ て 加 工 を 行 う こ とか ら,ウ エ ハ に は 何 ら外 力 を加 え ず ダ イ. 張 す る.照射 部 は周 囲の低温 部分 か ら拘束 される ため に圧 縮応. シ ン グ す る こ とが で き る1).ま た,き 裂 の進 展 が 速 い た め に 生. 力 を生 じ,そ の周辺 には引 張応 力が 生 じる.こ の 引張応 力 は照. 産 能 率 の 向 上 が 可 能 で あ り,原 理 的 に は 切 り くず を 排 出 し な い. 射部 を中心 と した円周 方 向 に働 くため,引 張応 力場 内 にあ る き. た め 歩 留 ま りの 大 幅 な 改 善 も期 待 で き る,さ ら に,完 全 な ドラ イ加 工 の た め 汚 染 の 恐 れ は な く,し か も結 晶 の へ き開 面 を利 用. 裂 は レーザ照 射部 中心 へ 向か って進展 す る.加 工物 に任 意の送 り速 度 を与 えて照 射位 置 を移動 させ る と,き裂 は レーザ照 射部. す れ ば,加 工 精 度 の 非 常 に高 い 割 断 面 を 得 る こ とが 可 能 で あ る. に追従 して進 展 し,最 終的 に は加工 物 を分 断 す る こ とが で き. と考 え られ る.. る.. これ まで,ガ ラ ス を対 象 と して 多 くの 実 験 的研 究 や 理 論 的 研. 究 が 行 わ れ て お り,割 断 機 構 の 解 明2)や加 工 条 件 と加 工 能 率 ・ 品 位 の 関 係3)な ど に 関 し て 検 討 さ れ て い るが,照 射 温 度 が 加 工. に 及 ぼ す 影 響 な ど不 明 な 点 も多 い.ま た,Siウ エ ハ を対 象 と し. て,研 磨 面 を 液 体 窒 素 や 氷 水 に よ っ て 冷 却 しつ つ,非 研 磨 面 に YAGレ. ー ザ を連 続 照 射(CW)す. る こ とで,良 好 な 割 断 面 を得 る. よ う な工 夫 も な さ れ て い る が4),実 用 化 に 際 して は工 程 の煩 雑. 化 を も た ら す と考 え ら れ る.. そ こ で 本 研 究 で は,Siウ エ ハ の レー ザ 割 断 を と りあ げ,そ の. 加 工 機 構 を調 べ る と と も に 精 度 の高 い 割 断 面 を安 定 して得 る 方 *原 **正 ***本. 稿受 付 平 成13年4月11日 会 員 金 沢 大 学 工 学 部(金 沢 市 小 立 野2‑40‑20) 田 技 研 工 業(株)(東 京 都 港 区 南 青 山2‑1‑1). Fig.1. Principle. of themal. stress cleaving. of brittle material. 精 密 工 学 会 誌Vol.67,No.19,2001. with laser. 1861.

(2) 山田 ・大 礒 ・細川 ・上 田:パ. ル スYAGレ. ー ザ に よ るSiウ. エ ハ の 割 断機 構 に 関 す る 研 究. り,両 出 力 の 比 を 求 め る こ とで 測 定 温 度 が 得 られ る, 3.実 3.1実. 験. 方. 法. 図3に は,一 定 温 度 に加 熱 したSiウ エ ハ 研 磨 面 を用 い て 行 っ. 験 装置. た 校 正 実 験 の 結 果 を 示 す.実 験 結 果 は 理 論 的 に 求 め られ る 感 度. 図2に 実 験 装 置 の 概 略 を,表1に. 実 験 条 件 を 示 す.加 工 物 は. 曲 線6)と よ く一 致 し て お り,お よ そ150℃ 以 上 の 温 度 を 精 度 よ. φ5イ ン チ のSiウ エ ハ か ら図 に示 す よ う に,き 裂 の 進 展 方 位. く測 定 で き る.ま た,本 温 度 計 の 応 答 速 度 は,増 幅 回 路 の 周 波. が 〈01丁〉 と な る よ う に切 り出 して 用 い,照. 数 特 性 が 支 配 的 で あ る が,約100kHzま. 射 開始 点 には ビ ッ. カ ー ス 圧 子 を押 込 ん で 初 期 き裂 を 導 入 して い る.加 工 物 の研 磨 面(Ra‑20nm)にNd:YAGレ. ー ザ を10pulse/sで. パ ルス照射 し. なが ら,〈011〉方 向 に加 工 物 を一 定速度Vで 移 動 させ て割 断加. で フ ラ ッ トな 利 得 が 得. ら れ て お り5),本 実 験 に十 分 な 速 さ を持 っ て い る. 3.3AE測. 定 装置. 図2に 示 す よ う に,加 工 物 上 に は 割 断 部 か ら5mmの. 位置に. 工 を行 っ て い る.な お,レ ー ザ 光 の エ ネ ル ギ ー 分 布 を測 定 した. AEセ. 結 果5》,次 式 で 表 さ れ る ガ ウ ス 分 布 を して お り,本 実 験 の 照 射. し て い る.照 射 部 温 度 と同 時 に 測 定 す る こ と に よ り,き 裂 進 展 に 及 ぼ す 照 射 温 度 の 影 響 を調 べ る こ とが 出 来 る,使 用 し たAE. 位 置 で の ス ポ ッ ト半 径wは. 約0.9mmで. あ る.. ンサ ー を 取 り付 け て お り,割 断 加 工 中 の き裂 進 展 を 監 視. 測 定 シ ス テ ム は 表1に 示 す. 〓(1). 4.実 こ こ で,Q:レ 3.2温. ー ザ 出 力,r:中. 心 か ら の 距 離 を 示 す,. 4.1レ. 度測 定 装置. 4.1.1測. レー ザ 光 照 射 部 の 温 度 を測 定 す る た め,筆 者 らの 開発 した 光 フ ァ イ バ 型2色. 温 度 計5)を 用 い て い る.温. 度 計 の光 フ ァイバ. は,加 工 物 が 移 動 し て も常 に フ ァ イ バ 中 心 軸 が 照 射 部 中 心 に 一 致 す る よ う 固 定 さ れ て お り,そ の 距 離 はt=5mmに. 設定 してい. る.実 験 で 使 用 し た 光 フ ァ イ バ は コ ア 径300μm,受. 光 角2ξ. =48° のTe系 カ ル コ ゲ ナ イ ドフ ァ イ バ で あ る .こ の フ ァ イ バ は. 験. 結. 果. ー ザ光 照射 部 の温度 定 波 形 と加 工 温 度. 図4に 割 断 加 工 中 の 温 度 測 定 波 形 例 を示 す.図4(a)はInSb素 子 出 力,(b)はMCT素. 子 出 力 を そ れ ぞ れ 示 して い る.図3の. 校. 正 曲 線 を参 照 して 両 出 力 の比 を 温 度 に換 算 した 結 果,図. 中A. に お い て 温 度 θA=410℃,Bに. おい. お い て 温 度 θB=370℃,Cに. て は 温 度 θC=420℃ と加 工 物 の 両 端 に お い て 温 度 が 高 くな っ て. レー ザ 光 が 光 フ ァ イ. い る.そ こ で 本 実 験 で は ,安 定 した き裂 進 展 が 行 わ れ て い る 加 工 物 中央部 の温度 θ ,を 加 工 温 度 と し て 評 価 す る こ と に す る. 図4(b)に お け る パ ル ス 波 形Bを 拡 大 して 示 し た の が 図5で. バ を介 して 温 度 計 に 入 射 し,温 度 測 定 結 果 に影 響 を 及 ぼ す こ と. あ る.測 定 波 形 は レ ー ザ 光 照 射 開 始 と ほ ぼ 同 時 に 上 昇 し,照 射. お よ そ3μmよ. り短 い 波 長 の の 赤 外 線 を透 過 し な い こ とか ら,. 照 射 面 に お い て 反 射 し た 波 長1.06μmの. は な い.. 終 了 後,約20msで. レー ザ 照 射 部 か ら輻 射 さ れ る赤 外 線 は 光 フ ァイ バ に よっ て 受 光,伝 送 さ れ積 層 型 光 電 変 換 素 子 に よ っ て 電 気 信 号 に 変 換 され る.積 層 型 素 子 はMCT(HgCdTe)素. 子 上 にInSbが. Fig.2. Schematic. 照 射 前 の 温 度 に低 下 して い る.し た が っ て ,. レ ー ザ 照 射 間 隔 が100msで し た 後,次. 製膜 され てお. illustration. of experimental. setup in cleaving. process Table. Fig.3. 1862精. Calibration. 密 工 学 会 誌Vol. results. of two-color. .67,No.11,2001. あ る こ と か ら,温 度 が 十 分 に 低 下. の 照 射 が 行 わ れ て い る こ とが わ か る.. pyrometer. with laser 1 Experimental. conditions.

(3) 山 田 ・大 礒 ・細 川 ・上田:パ. ル スYAGレ. Fig.S. Fig.4 Typical output waves of two-color pyrometer in cleaving process of Si wafer 4,1.2き. 裂進 展 の臨界 温度. 送 り速 度 をV=3.33mmlsと ワ ーQを. 4.2加 した 条 件 下 で レー ザ の ピ ー ク パ. 変 化 し た場 合 の 加 工 温 度 を 図6に. Detailed. picture. エ ハ の 割 断 機 構 に 関 す る研 究. of output wave from MCT. pyrometer. 工精 度. 前 節 の 結 果 か ら,照 射 部 の 温 度 は,加 工 条 件 に依 存 す る 臨 界. に お い て,. 温 度 以 上 に 上 昇 させ な け れ ば,き 裂 を進 展 させ 割 断 を行 う こ と. 断出 来 た場合 には 白ヌ キ記号. が で きな い こ と が わ か っ た.し か し加 工 温 度 の 上 昇 は 損 傷 を増. を,割 断 で き な か っ た 場 合 に は 黒 塗 り記 号 を 用 い て 割 断 加 工 の. 大 させ 加 工 精 度 を 低 下 させ て し ま う恐 れ が あ る.そ こ で,レ ー. 可 否 を示 して い る.図. ザ 光 の 照 射 面 と加 工 に よっ て 得 られ た 割 断 面 に お け る加 工 損 傷. γは レー ザ 照 射 時 間 で あ り,割. に お い て,同. 示 す.図. ー ザ に よ るSiウ. じQに 対 して も,照 射 条. 件 で 加 工 温 度 に 大 きな 差 を生 じて い る.こ の た め,Qが て も加 工 温 度 が 低 い と き割 断 は 行 わ れ ず,逆. にQが. 大きく 小 さ くて. を 評 価 して み る. 4.2.1レ. ーザ照射 面 の加 工損 傷. も加 工 温 度 が 高 く な る と確 実 に 割 断 が 行 わ れ て い る.そ の 境 界. 図8は,加. 工 後 の 割 断 部 を レ ーザ 光 照 射 面 か ら観 察 した 例 で. と な る 温 度 が 明 確 に現 れ て お り,こ こで は 割 断 の 臨 界 加 工 温 度. あ る.図8(a)で. θ 、,と呼 ぶ こ と に す る.図6で. レー ザ 出 力 を低 くす る こ と で,図8(b)に 示 す よ う に 照 射 痕 を残. 上 の 温 度 に な れ ば100%割 図7は. はBR≒250℃. で あ り,こ れ 以. 断 が 行 え る こ と が わ か る.. 送 り速 度 をV=6.66mm/sと. て い る.お い る.vが. 径rD)が. 観 察 さ れ る が,. さず に 割 断 す る こ とが で きる.照 射 面 に 照 射 痕 が 残 っ た 場 合,. 大 き く した 場 合 で あ る が,. この と き も割 断 の 可 否 の 境 界 と な る 臨 界 加 工 温 度B. は 等 間 隔 の 照 射 痕(半. Rが 存 在 し. よ そ,B. R=300℃ と図6の 場 合 よ り も高 く な っ て 大 き く な る と,レ ー ザ照 射 点 か ら き裂 先 端 まで の 距. Siは 熱 損 傷 を 受 け て い る と考 え ら れ る の で,こ バ イ ス を作 製 す る こ とが で き な い.す. の 部分 に はデ. な わ ち ,照 射 痕 の 直 径. 2rDが 照 射 面 にお け る 加 工 しろ と み な せ る. レ ーザ 出 力 が よ り高 い 条 件 で は,照 射 面 に 割 断 に は 不 要 な き. 離 が 大 き くな り,き 裂 進 展 に 必 要 と され る 熱 応 力 を生 じ る に は. 裂 が 発 生 し,欠 け を生 ず る 場 合 も観 察 さ れ た.こ の 種 の 損 傷 に. 照 射 点 を よ り高 温 に加 熱 す る必 要 が あ る た め で あ る.こ の よ う. つ い て は4.3に お い て 後 述 す る.. に,割 断 の 臨 界 加 工 温 度 は 一 定 で は な く加 工 条 件 に よっ て 変 化 す る こ と が わ か る.. Fig.6 Temperature of Si wafer in cleaving process (V=3.33 mm/s). Fig.7 Temperature of Si wafer in cleaving process (V=6.66 mm/s). Fig.8 Photograph of cleaved edge on irradiated surface of workpiece (V=3.33 m/s, T=2.0 ms). Fig.9 Photograph of cleaved surface of workpiece (V=3.33 m/s, T=2.0 ms). 精 密 工 学 会 誌Vol.67,No.11,2001. 1863.

(4) 山 田 ・大礒 ・細川 ・上田:パ ルスYAGレ 4.2.2割. ーザ によるSiウ エハ の割断機構 に関す る研究. 断 面の 加工損 傷. 図9は,割. 割 断 面 の あ ら さ を触 針 式 あ ら さ計 で 測 定 した 結 果 を図10に. 断 面 を観 察 し た例 で あ る.図(a),(b)い. ずれ の場 合. 示 す.レ ー ザ 出 力 が(a)215Wと. 小 さ い場 合 に は 割 断 面 の あ ら さ. も,割 断 面 に は き裂 の 進 展 を 表 す 規 則 的 な縞 模 様 が 観 察 で き. 曲 線 は 規 則 的 な 凹 凸 形 状 と な り,あ ら さ が 小 さ い.一 方,レ ー. る.縞. ザ 出 力(b)449Wの. 模 様 の 間 隔 は レー ザ 照 射 点 間 隔L=V/fに. 等 し く,レ ー. ザ の パ ル ス照 射 ご とに き裂 が 伝 播 と停 止 を繰 り返 して い る こ と が 確 か め ら れ る.ま た 図9(a)に お い て は,照 射 面 に お け る 損 傷 が 大 き く,割. 断 面 に ま で そ の 影 響 が 現 れ て い る.. 場 合 に は あ ら さ曲 線 は 不 規 則 な形 状 と な り,. あ ら さ も 大 き く な っ て い る. 4.2.3加 工 温 度 と損 傷 の 関 係 一 定 の 送 り速 度Vの 下 ,レ ー ザ 出 力Qお. よ び パ ル ス 幅 τを. 変 化 させ て 実 験 を行 い,加 工 温 度 と レ ー ザ 照 射 面 に お け る 照 射 痕 半 径rDと の 関係 を 求 め た.実 験 結 果 を 図11に 実 線 はrDの 上 限 を 示 し て い る.図. 示 す.図 中 の. か ら明 らか な よ う に,温 度. が 上 昇 す る に した が い 照 射 痕 は 大 き く な る と と も に ば らつ きが 増 大 す る 傾 向 に あ る. 図12に,割 す.図. 断 面 に お け る あ ら さRaと 加 工 温 度 と の 関 係 を 示. 中 の 実 線 はRaの. 上 限 を 示 して い る.図11と. 同 様,加 工. 温 度 の 上 昇 に と も な い 割 断 面 の あ ら さRaが 大 き く な る と と も に ば らつ きが 増 大 す る こ とが わ か る.以 上 の 結 果 か ら,安 定 し た 精 度 よ い 割 断 加 工 を行 うた め に は,加 工 温 度 の 上 昇 を抑 制 す Fig.10 Profile of cleaved surface of workpiece (V=3.33 mm/s, T=2.0 ms). る こ とが 極 め て 重 要 で あ る と い え る.. 4.3AE波. 観測 に よ る き裂 発生 の監 視. き裂 の 進 展 時 に発 生 す るAE波 過 程 を 調 べ て み た.図13に,レ 表 例 を 示 す.図(8)は,き い 場 合 のAE波. を観測 す る ことに よって加 工 ー ザ 照 射 時 のAE波. 裂 が 進 展 せ ず,ウ. 観 測 の代. エ ハ を 割 断 し得 な. 形 で あ る.パ ル ス レ ー ザ 照 射 に と もな う 熱 衝 撃. に よ る ノ イ ズ 程 度 の 低 いAE出 力 しか 観 察 で き な い. 一方 ,き 裂 が 進 展 す る 場 合 に は,同 図(b),(c)に 示 す よ う に, 高 い 出 力 が 観 察 さ れ る.図(b)で 図(a)と 同 条 件 で あ るが,主. は,加. 工 物 送 り速 度V以. 外は. き裂が 進展 す る際 に高 い ピー クを. 有 す る 出 力 が 発 生 して い る.ま た,レ ー ザ 出 力 が 大 きい 場 合 に は,図(c)に Fig.11. Relationship. between. and temperature. damages. on irradiated. surface. of workpiece. 示 す よ う に 照 射 中,及. び 照 射 後 の 冷 却 中 に波 形 が. 見 ら れ る. 図14に,き. 裂 が 進 展 した 場 合 のAE波. 観 察 例 に 対 応 す る照. 射 部 の 写 真 を示 す(撮 影 方 向 は 図8と 同 じ).図14(a)か か な よ う に,レ ー ザ 照 射 中 に の みAE波. ら明 ら. 形が観 測 される場 合 に. は,照 射 痕 が 残 る もの の 照 射 部 に 副 き裂 は 発 生 して い な い.一 方,照. 射 後 に もAE波. 形 が 観 測 され た 図14(b)に お い て は,照. 射 部 を囲 む よ う に 副 き裂(ラ テ ラ ル き裂)が 発 生 し て 照 射 面 に は 欠 けが 生 じて い る.以 上 の 結 果 か ら,割 断 を 行 う た め の 主 き 裂 は レ ー ザ 照 射 中 に 進 展 し,副 き裂 に と もな う 欠 け の 発 生 は 照 射 後 の 冷 却 中 に発 生 して い る と考 え る こ とが 出 来 る.こ の こ と か ら,レ ー ザ 照 射 後 の 冷 却 時 にAE波. が発 生 しない加 工条件 を. 選 ぶ こ とで,照 射 部 の 欠 け の 発 生 を抑 制 で きる と 考 え られ る. Fig.12. Relationship temperature. between. roughness. of cleaved. surface and. of workpiece. FIg.13 Acoustic emission observed during laser irradiation (r3.0. 1864精. 密 工 学 会 誌Vol,67,No.11,2001. ms).

(5) 山 田 ・大 礒 ・細 川 ・上 田:パ. るAE波. ル スYAGレ. ー ザ に よ るSiウ. エハの割断機構 に関する研究. は 副 き裂 の 発 生 を表 し て い る と結 論 づ け る こ と が で き. る. な お,こ れ ら き裂 発 生 の 機 構 に つ い て は,今 後,破 壊 力 学 を 適 用 して 詳 細 に 検 討 す る こ と に して い る. 5.緒. Siウエ ハ にパ ル スYAGレ. 言. ーザ を照 射 す る こ とに よ り割 断加. 工 を行 い,加 工条 件 と照射 部温 度 の関係,及 び加 工損 傷 に及 ぼ す 影響 につ い て検討 した.ま たAE波 を観測 して主 き裂や 副 き 裂発 生 メ カニズ ムにつ いて調べ て みた.以 下 に本論 文で得 られ た結果 を示 す, (1)安. 定 して き裂 を 進 展 さ せ,割 断 を行 う こ とが で きる 照. 射 部 臨 界 温 度 θ,,が 存 在 す る.本 V=3.33mm/sに θ=300℃ (2)BQを. Ffg.14 Photograph of irradiated area of workpiece. 研 究 の場 合 加 工 速度. お い てθcr=250℃,V=6.66mmlsに. お いて. で あ っ た.. 少 し越 え る 加 工 条 件 を 選 ぶ こ とで,レ. ーザ 痕が. 照 射 面 に残 らず,か つ 割 断 面 の 良 好 な加 工 を 行 う こ と.が. (tt=3.0 ms). で き る.し か し,BQを. 大 き く越 え る 条 件 で は.照 射 痕. 径 や 割 断 面 あ ら さは 大 き く な り,そ の ば ら つ き も増 大 す る.. (3)AE波 の観察 結果 か ら,加 工 を行 う主 き裂 は レーザ 光照 射 中 に進展 し,照射部 の 欠け の原 因 とな る副 き裂は照 射 後の 冷却 中 に発 生 す る.. 謝 本 研 究 の 一 部 は,平 (奨 励 研 究(A),課. 辞. 成12,13年. 度 文部 省科 学研 究費 補助 金. 題 番 号12750095)に. よ る もの で あ る こ と を. 記 し て お 礼 申 し上 げ ます.. Fig.15. Relationship. between. feed. rate. and. time. when. AE. 参 考 文 献. is observed. (Q=567W,ƒÑ=3.0. ms). 1)沖 山 俊 裕:レ. ー ザ 割 断,精. 2)た と え ば,今 井 康 文,森 そ こ で,レ ー ザ 照 射 開 始 時 か ら主 き裂 発 生 ま で の 時 間 を 箱, 副 き裂 発 生 ま で の 時 間 をT2と 定 義 し(図13参 力Qと. レー ザ 照 射 点 間 隔Lを. 照),レ. ーザ出. 変 化 させ た 場 合 の 影 響 に つ い て. 調 べ た 結 果 を 図15に. 示 す.同. 増 大 に と もな い,主. き裂 発 生 時 間 鱈 が 大 き くな っ て い る こ と. が わ か る.Lが. 図 か ら,レ. ー ザ 照 射 点 間 隔Lの. 大 き くな る と,き 裂 先 端 と照 射 点 の 距 離 が 長 く. な り,き 列 を 進 展 さ せ る 熱 応 力 が 作 用 す る ま で の 時 間 が 長 く な っ た と考 え られ る.こ の 結 果 は,送 り速 度Vが 大 き く な る と, き裂 進展 の た め の 臨 界 温 度Baが に 一 致 す る.一. 方,冷. 上 昇 す る とい う図6,7の 結 果. 却 中 の き裂 発 生 時 間T2は,照. 射点 聞隔. Lに 関 係 な くほ ぼ 一 定 と な っ て お り,主 き裂 先 端 と照 射 点 の 距 離 に 関係 な く発 生 して い る こ と が わ か る.し た が っ て,加 熱 時 に 発 生 す るAE波. 密 工 学 会 誌,60,2(1994)196.. 田 英 毅,高 瀬 徹,古. 賀 博 之:ぜ い. 性 材 料 の 熱 応 力 に よ る 割 断 加 工 の 可 能 性,日. 本 機 会学 会. 論 文 集,ss,509,A(1989)2764. 3)黒 部 利 次,松 本 貴 宏:液 用 基 板 ガ ラ ス のYAGレ. 晶 デ ィス プ レ イ(STN方 ー ザ に よ る 割 断,精. 式)表 示. 密 工 学 会 誌,. 63,7(1997)1018. 4)黒 部 利 次,野. 口 通 一,松. 本 貴 宏:YAGレ. コ ン ウ エ ハ の 精 密 割 断,精 5)上 田 隆 司,山. 田 啓 司,古. ーザ に よる シ リ. 密 工 学 会 誌,62,1(1996)95.. 本 達 明:YAGレ. 治 療 に 関 す る 研 究(第1報),精. ーザ に よる歯科. 密 工 学 会 誌,66,1(2㎜). 1388. 6)上 田 隆 司,入. 山 孝 宏,杉. シ ュ 温 度 測 定,精. 田 忠 彰:レ. ーザ照 射部 の フ ラ ッ. 密 工 学 会 誌,61,2(1995)278.. は 主 き 裂 の 進 展 を表 し,冷 却 時 に発 生 して い. 精 密 工 学 会 話Vol.67,No.11,2001. 1865.

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