STRJ WS: March 4, 2003, 設計 TF/PIDS/FEP クロスカット設計 TF/PIDS/FEP クロスカット報告低電力 SoC のロードマップ - モバイルマルチメディアへのアプローチ - 設計 TF 主査日立製作所内山邦男

(1)

低電力

低電力SoCのロードマップ

のロードマップ

- モバイルマルチメディアへのアプローチ

モバイルマルチメディアへのアプローチ

-設計

設計

設計TF／

／

／PIDS／

／

／FEPクロスカット報告

クロスカット報告

設計

設計TF主査　　

主査　　

日立製作所　内山邦男

(2)

設計

クロスカット

本クロスカットの目的と活動内容

　低電力

SoC

のロードマップ作成と　　　　　　　　

　　　　　　　問題点、技術課題の明確化

　　（１）モバイルマルチメディアの動向調査

　　（２）現状（0.18um)の低電力SoCの分析

　　（３）低電力SoC設計モデルの作成

　　　　（初期モデル、集積度トレンドの設定）

　　（４）設計モデルとHP、LOP（-HS、-UHS）、LSTP　　

　　　デバイスモデルを用いた設計パラメータの検証

　　　　（動作周波数、消費電力の確認）

(3)

デジタル民生機器の動向

Car

navigation

1111999999990000

2000

Mobile

information

terminal

STB

DigitalTV

PDA

32/64

32/64bbbb

Video game

Next generation

Video game

Video CD

Digital Still camera

MPEG camera

DVD player

AutoPC

CIS

Mobile phone

(GSM,CDMA,..)

LAN router

：ﾓﾊﾞｲﾙﾏﾙﾁﾒﾃﾞｨｱ機器

(4)

設計

クロスカット

マルチメディア処理の要求性能

GOPS

0.01

0.1

1

10 ﾋﾞﾃﾞｵ

ﾋﾞﾃﾞｵ

ｵｰﾃﾞｨｵ

音声

通信

認識

ｸﾞﾗﾌｨｸｽ

FAX

Data

Dataﾓﾃﾞﾑ

ﾓﾃﾞﾑ

2

22 2次元描画

次元描画

3

33 3次元描画

次元描画

MPEG

Dolby

Dolby-

--

-AC3

AC3

ﾀｽｸ限定

JPEG

JPEG伸張圧縮

伸張圧縮

MPEG1

MPEG1伸張

伸張

_MP/ML

MPEG2 伸張

MPEG2

伸張

_MP/HL

圧縮

VoIP

VoIPﾓﾃﾞﾑ

ﾓﾃﾞﾑ

単語認識

文章翻訳

ｹｰｽﾍﾞｰｽ

ﾀｽｸ限定

GOPS:

GOPS: Giga

Giga

Giga Operations Per Second

Giga

Operations Per Second

100 音声自動翻訳

音声自動翻訳

10

10 10Mpps

Mpps

100

100 100Mpps

Mpps

MPEG4

顔認識

声紋認識

ｿﾌﾄｳｪｱ無線

動画像認識

(5)

PDA向けSoCの例

0.18um／

／

／400MHz／

／

／470mW (typ.)

CPU

I-cache

32KB

D-cache

32KB

I2C

FICP

USB

MMC

UART AC97

I2S

OST

GPIO

SSP

PWM

RTC

DMA cnt.

LCD

Cnt.

MEM

Cnt.

PWR

CPG

SDRAM

64MB

Flash

32MB

LCD

ペリフェラル領域

4 – 48MHz

データ転送領域

100MHz

プロセッサ領域

Max 400MHz

・

・・

・MMｱﾌﾟﾘ

ｱﾌﾟﾘ

　

　 MP3

　

　 JPEG

簡易動画

6.5MTrs.

・使用

・使用時間

時間

6-10Hr

機器仕様

USB　if

MMC

KEY

Sound

(6)

設計

クロスカット

携帯電話向けSoCの例

CPU

Cache

32KB

XYRAM

16KB

CPG

WDT

CMT

KEYIF

MMC

FLC

SIOF

SCIF

VIF

DMAC

MFI

MEM

Cnt.

RAM

ROM

LCD

DSP

URAM

128KB

・

・・

・MMｱﾌﾟﾘ

ｱﾌﾟﾘ

　　

　　MP3

　　

　　JPEG

MPEG4

Java

・通話時間

140min.

・待受け

・待受け時間

時間

200Hr

RAM

CMOS camera

Bluetooth

Sound

NAND/AND

Flash

MMC

KEY

ペリフェラル領域

- 33MHz

0.18um／

／

／133MHz／

／

／170mW (typ.)

13.4Trs.

(

内

SRAM:9.5Mtrs.)

プロセッサ領域

133MHz

Flash

RF

Baseband

SoC

RAM

ROM

Flash

データ転送領域

66MHz

機器仕様

(7)

低電力SoCの設計モデル

高周波領域

低周波領域

論理部

メモリ部

F

_h

TL

_h

CPU, FPU, DSP,

Media Proc.

HW accelerator,

Config. Arrays, ..

F

_ｌｌｌｌ

TM

_ｌｌｌｌ

F

_h

TM

_h

動作周波数：

動作周波数： F

_h

Cache,

XY memory,

Work memory,

…

F

_h

TL

_h

Memory cnt.,

DMAC, Graphic eng.,

Peripheral module, ..

(Ser., Par., Comm.,.)

2

nd

_-Cache,

2

nd

_{- work mem.,}

Global mem.,

Temp. buffer, ….

ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ数：

TL = TL

_h

+TL

_l

ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ数：

TM = TM

_h

+TM

_l

動作周波数：

動作周波数： F

_l

(8)

設計

クロスカット

低電力SoC設計モデルの初期値

(@130nm)

高周波領域

低周波領域

論理部

メモリ部

4.7Mtrs.

19.6Mtrs.

8.6Mtrs.

F

_h

: 180MHz (LSTP)

330Hz (LOP)

620MHz (HP)

F

_l

= F

_h

/ 4

6.8Mtrs.

11.5Mtrs.

28.2Mtrs.

/ 64mm

2 39.7Mtrs.

(9)

集積度のロードマップ

0

200

400

600

800 1000

1200

2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 ﾒﾓﾘ（低周波）

ﾒﾓﾘ（低周波）

論理（低周波）

ﾄﾗ

ﾝ

ｼ

ﾞｽ

ﾀ

数

ﾄﾗ

ﾝ

ｼ

ﾞｽ

ﾀ

数

ﾄﾗ

ﾝ

ｼ

ﾞｽ

ﾀ

数

ﾄﾗ

ﾝ

ｼ

ﾞｽ

ﾀ

数

Mtrs.

・ﾁｯﾌﾟ面積：64mm

2

・Tr数増加率： x1.26/year (x2/3years)

ﾒﾓﾘ（高周波）

論理（高周波）

(10)

設計

クロスカット

チップ面積の分析

0

40

80

120

180

200 0.35u

0.25u

0.18u

0.13u

mm

2

ref. ISSCC, CoolChips

テクノロジーノード

チッ

プ面

積

チッ

プ面

積

チッ

プ面

積

チッ

プ面

積

64mm

2

(11)

デバイスモデル

Ye ar of Produ c tion Ye ar of Produ c tion Ye ar of Produ c tion

Ye ar of Production 2 0 0 22 0 0 22 0 0 22002 2 0 0 42 0 0 42 0 0 42 0 0 4 2 0 0 72 0 0 72 0 0 72 0 0 7 2 0 1 02 0 1 02 0 1 02 0 1 0 2 0 1 32 0 1 32 0 1 32 0 1 3 2 0 1 62 0 1 62 0 1 62 0 1 6 Technology Node DRAM

Technology Node DRAM Technology Node DRAM

Technology Node DRAM nmn mn mn m 1 1 51 1 51 1 51 1 5 9 09 09 09 0 6 56 56 56 5 4 54 54 54 5 3 23 23 23 2 2 22 22 22 2 Ph ysic alGate Le ngth (HP) Ph ysic alGate Le ngth (HP) Ph ysic alGate Le ngth (HP) Ph ysic alGate Le ngth (HP) nmn mn mn m 5 35 35 35 3 3 73 73 73 7 2 52 52 52 5 1 81 81 81 8 1 31 31 31 3 9999 (LOP&LSTP) (LOP&LSTP) (LOP&LSTP) (LOP&LSTP) nmn mn mn m 7 57 57 57 5 5 35 35 35 3 3 23 23 23 2 2 22 22 22 2 1 61 61 61 6 1 11 11 11 1 Supply Vo ltage (HP) Supply Vo ltage (HP) Supply Vo ltage (HP) Supply Vo ltage (HP) VVVV 1 .11 .11 .11 .1 1111 0 .70 .70 .70 .7 0 .60 .60 .60 .6 0 .50 .50 .50 .5 0 .40 .40 .40 .4 Su pply Vo ltage (LOP)

Su pply Vo ltage (LOP) Su pply Vo ltage (LOP)

Su pply Vo ltage (LOP) VVVV 1 .21 .21 .21 .2 1 .11 .11 .11 .1 0 .90 .90 .90 .9 0 .80 .80 .80 .8 0 .70 .70 .70 .7 0 .60 .60 .60 .6 Su pply Vo ltage (LSTP) Su pply Vo ltage (LSTP) Su pply Vo ltage (LSTP) Su pply Vo ltage (LSTP) VVVV 1 .21 .21 .21 .2 1 .21 .21 .21 .2 1 .11 .11 .11 .1 1111 0 .90 .90 .90 .9 0 .90 .90 .90 .9 CV/I (HP) CV/I (HP) CV/I (HP) CV/I (HP) pspspsps 1 .31 .31 .31 .3 0 .9 90 .9 90 .9 90 .9 9 0 .6 80 .6 80 .6 80 .6 8 0 .3 90 .3 90 .3 90 .3 9 0 .2 20 .2 20 .2 20 .2 2 0 .1 50 .1 50 .1 50 .1 5 CV/I (LOP) CV/I (LOP) CV/I (LOP) CV/I (LOP) pspspsps 2 .4 52 .4 52 .4 52 .4 5 1 .8 41 .8 41 .8 41 .8 4 1 .1 41 .1 41 .1 41 .1 4 0 .8 50 .8 50 .8 50 .8 5 0 .5 60 .5 60 .5 60 .5 6 0 .3 50 .3 50 .3 50 .3 5 CV/I (LOP-HS) CV/I (LOP-HS) CV/I (LOP-HS) CV/I (LOP-HS) pspspsps 2 .12 .12 .12 .1 1 .5 81 .5 81 .5 81 .5 8 1111 0 .7 40 .7 40 .7 40 .7 4 0 .50 .50 .50 .5 0 .3 20 .3 20 .3 20 .3 2 CV/I (LOP-UHS) CV/I (LOP-UHS) CV/I (LOP-UHS) CV/I (LOP-UHS) pspspsps 1 .8 41 .8 41 .8 41 .8 4 1 .3 81 .3 81 .3 81 .3 8 0 .8 90 .8 90 .8 90 .8 9 0 .6 60 .6 60 .6 60 .6 6 0 .4 50 .4 50 .4 50 .4 5 0 .2 90 .2 90 .2 90 .2 9 CV/I (LSTP) CV/I (LSTP) CV/I (LSTP) CV/I (LSTP) pspspsps 4 .4 14 .4 14 .4 14 .4 1 2 .6 82 .6 82 .6 82 .6 8 1 .8 11 .8 11 .8 11 .8 1 1 .4 31 .4 31 .4 31 .4 3 0 .9 10 .9 10 .9 10 .9 1 0 .6 60 .6 60 .6 60 .6 6 Isd,le ak ( HP) Isd,le ak ( HP) Isd,le ak ( HP) Isd,le ak ( HP) A/ u mA/ u mA/ u m 3 .0 0 E- 0 8A/ u m 3 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 8 1 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 7 1 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 6 3 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 6 3 .0 0 E- 0 63 .0 0 E- 0 63 .0 0 E- 0 6 7 .0 0 E- 0 67 .0 0 E- 0 67 .0 0 E- 0 67 .0 0 E- 0 6 1 .0 0 E- 0 51 .0 0 E- 0 51 .0 0 E- 0 51 .0 0 E- 0 5 Isd,le ak ( LOP) Isd,le ak ( LOP) Isd,le ak ( LOP) Isd,le ak ( LOP) A/ u mA/ u mA/ u m 1 .0 0 E- 1 0A/ u m 1 .0 0 E- 1 01 .0 0 E- 1 01 .0 0 E- 1 0 3 .0 0 E- 1 03 .0 0 E- 1 03 .0 0 E- 1 03 .0 0 E- 1 0 7 .0 0 E- 1 07 .0 0 E- 1 0 1 .0 0 E- 0 97 .0 0 E- 1 07 .0 0 E- 1 0 1 .0 0 E- 0 91 .0 0 E- 0 91 .0 0 E- 0 9 3 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 9 1 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 8 Isd,le ak ( LOP- HS) Isd,le ak ( LOP- HS) Isd,le ak ( LOP- HS) Isd,le ak ( LOP- HS) A/ u mA/ u mA/ u m 1 .0 0 E- 0 9A/ u m 1 .0 0 E- 0 91 .0 0 E- 0 91 .0 0 E- 0 9 3 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 93 .0 0 E- 0 9 7 .0 0 E- 0 97 .0 0 E- 0 9 1 .0 0 E- 0 87 .0 0 E- 0 97 .0 0 E- 0 9 1 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 8 3 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 8 1 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 7 Isd,le ak ( LOP- UHS)

Isd,le ak ( LOP- UHS) Isd,le ak ( LOP- UHS)

Isd,le ak ( LOP- UHS) A/ u mA/ u mA/ u m 1 .0 0 E- 0 8A/ u m 1 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 81 .0 0 E- 0 8 3 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 83 .0 0 E- 0 8 7 .0 0 E- 0 87 .0 0 E- 0 8 1 .0 0 E- 0 77 .0 0 E- 0 87 .0 0 E- 0 8 1 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 71 .0 0 E- 0 7 3 .0 0 E- 0 73 .0 0 E- 0 73 .0 0 E- 0 73 .0 0 E- 0 7 1 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 61 .0 0 E- 0 6 Isd,le ak ( LSTP)

Isd,le ak ( LSTP) Isd,le ak ( LSTP)

Isd,le ak ( LSTP) A/ u mA/ u mA/ u m 1 .0 0 E- 1 2A/ u m 1 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 2 1 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 2 1 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 2 3 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 21 .0 0 E- 1 2 3 .0 0 E- 1 23 .0 0 E- 1 23 .0 0 E- 1 2 7 .0 0 E- 1 27 .0 0 E- 1 27 .0 0 E- 1 27 .0 0 E- 1 2 1 .0 0 E- 1 11 .0 0 E- 1 11 .0 0 E- 1 11 .0 0 E- 1 1

･HP: High performance

･LOP, LOP-HS, LOP-UHS: Low operating power, -high speed, -ultra high speed

･LSTP: Low standby power

(12)

設計

クロスカット

動作周波数の設計目標

x1.2 / year

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5 2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 F

_h

F

_l

（高周波領域）

（低周波領域）

動作周波

数

動作周波

数

動作周波

数

動作周波

数

GHz

x1.1 / year

F

_l

=F

_h

/4

(13)

動作周波数の算出モデル

F

_next

/F

_now

≒

≒Td

≒

_now

/Td

_next

≒

≒Cg

_now

/Cg

_next

････V

_now

/V

_next

････Ids

_next

/Ids

_now

≒

≒(C････V/I)

_now

/ (C････V/I)

_next

Td

Tc=T

_clk-Q

+ Td + T

_setup

+T

_skew

clk

(14)

設計

クロスカット

動作周波数の見積もり

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0 2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 HP

LOP-UHS

LOP-HS

LOP

LSTP

動作周波

数

動作周波

数

動作周波

数

動作周波

数

GHz

(15)

消費電力の算出モデル

P = p

････f････C････Vdd

2 ＋

＋p････Isc････Δ

＋

Δ

Δtsc････Vdd････f＋

＋

＋Ileak････Vdd + Idc････Vdd

　　　

消費電力

消費電力P

ダイナミック電力

貫通

リーク電力

直流

・

・・

・Cnext=Cnow x k x Bと想定

と想定

　　

　　k : ｽｹｰﾘﾝｸﾞ係数

ｽｹｰﾘﾝｸﾞ係数

　　

　　B : 素子数増加率

素子数増加率

・

・・

・Tr当たりの消費電力

当たりの消費電力

　　

　　logic : memory = 4.4 : 1

・

・・

・logic部のﾘｰｸ電流

部のﾘｰｸ電流

　

　= (7xLg) x ｹﾞｰﾄ数

ｹﾞｰﾄ数

ｹﾞｰﾄ数 x I

ｹﾞｰﾄ数

_leak

・

・・

・SRAM部のﾘｰｸ電流

部のﾘｰｸ電流

部のﾘｰｸ電流=

部のﾘｰｸ電流

　

　= 2x(3xLg) x ﾋﾞｯﾄ数

ﾋﾞｯﾄ数

ﾋﾞｯﾄ数 x I

_leak

* sub-thresholdのみ計算

のみ計算

(16)

設計

クロスカット

消費電力の設計目標

現状

・

・・

・携帯電話

携帯電話

　　動作時：

　　動作時：50～

～

～200mW

～

　　

　　待機時：

待機時：10～

待機時：

～

～100uA

～

・

・・

・PDA

　　

　　動作時：

動作時：200～

動作時：

～

～800mW

～

　　

　　待機時：

待機時：～

待機時：

～

～1mA

～

今後

・バッテリ能力改善

　⇒動作時、待機時電力が緩和

・機器温度（体感温度）が問題

　

　 ⇒動作時電力の制約

　　　

動作時：～

動作時：～1W

動作時：～

(17)

消費電力の見積もり（HPモデル）

0

10

20

30

40

50

60

70 2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 ﾘｰｸ

ﾘｰｸ

ﾘｰｸ (l)

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ(d)

W

消費電

力

消費電

力

消費電

力

消費電

力

57.4W:1.8(d)+55.6(l)

4.05W:0.53(d)+3.52(l)

0.58W:

0.46(d)+0.12(l)

(18)

設計

クロスカット

消費電力の見積もり（LOPモデル）

0

2

4

6

8

10

12 2002

2004

2007

2010

2013

2016

ﾘｰｸ

ﾘｰｸ (l)

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ(d)

消費電

力

消費電

力

消費電

力

消費電

力

W

LOP

LOP-HS

LOP-UHS

LOP:1.25W/0.021(l)

LOP-HS:1.45W/0.21(l)

LOP-UHS:3.44W/2.1(l)

LOP:0.38W/0.0013(l)

LOP-HS:0.45W/0.013(l)

LOP-UHS:0.64W/0.13(l)

(19)

消費電力の見積もり（LSTPモデル）

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5 2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 ﾘｰｸ

ﾘｰｸ

ﾘｰｸ (l)

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ(d)

W

消費電

力

消費電

力

消費電

力

消費電

力

2091mW:2091(d)+0.125(l)

490mW:490(d)+0.0056(l)

160mW:

160(d)+0.0043(l)

(20)

設計

クロスカット

消費電力／周波数比

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0 2002

3

4

5

6

7

8

9 2010

11

12

13

14

15

16 HP

LOP-UHS

LOP

LSTP

LOP-HS

消費電力

／周

波数

比

消費電力

／周

波数

比

消費電力

／周

波数

比

消費電力

／周

波数

比

mW/MHz

(21)

まとめ

• 低電力SoCの設計モデルを作成

• 設計モデルとHP、LOP（-HS、-UHS）、LSTP　　　　

　デバイスモデルを用いて設計パラメータを検証

• 低電力SoCの設計において、

　　（１）HP：設計困難、LOP-UHS：設計難易度大（2010～）

　　（２）LOP、LOP-HS：低電力SoC設計の中心モデル

　　（３）LSTP：低スタンバイ指向のSoC

　　（４）電力性能比（ｍW/MHz）：LOP＜LOP-HS＜LSTP

今後、設計モデル、パラメータ算出モデルの更なる詳細化により、

STRJ WS: March 4, 2003, 設計 TF/PIDS/FEP クロスカット 設計 TF/PIDS/FEP クロスカット報告 低電力 SoC のロードマップ - モバイルマルチメディアへのアプローチ - 設計 TF 主査日立製作所内山邦男

低電力

低電力

低電力

低電力SoCのロードマップ

のロードマップ

のロードマップ

のロードマップ

- モバイルマルチメディアへのアプローチ

モバイルマルチメディアへのアプローチ

モバイルマルチメディアへのアプローチ

モバイルマルチメディアへのアプローチ

-設計

設計

設計

設計TF／

／

／PIDS／

／

／

／

／FEPクロスカット報告

クロスカット報告

クロスカット報告

クロスカット報告

設計

設計

設計

設計TF主査

主査

主査

主査

日立製作所 内山邦男

日立製作所 内山邦男

日立製作所 内山邦男

日立製作所 内山邦男

設計

クロスカット

本クロスカットの目的と活動内容

低電力

低電力

低電力

低電力

SoC

のロードマップ作成と

のロードマップ作成と

のロードマップ作成と

のロードマップ作成と

問題点、技術課題の明確化

問題点、技術課題の明確化

問題点、技術課題の明確化

問題点、技術課題の明確化

（１）モバイルマルチメディアの動向調査

（２）現状（0.18um)の低電力SoCの分析

（３）低電力SoC設計モデルの作成

（初期モデル、集積度トレンドの設定）

（４）設計モデルとHP、LOP（-HS、-UHS）、LSTP

デバイスモデルを用いた設計パラメータの検証

（動作周波数、消費電力の確認）

デジタル民生機器の動向

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STRJ WS: March 4, 2003, 設計 TF/PIDS/FEP クロスカット設計 TF/PIDS/FEP クロスカット報告低電力 SoC のロードマップ - モバイルマルチメディアへのアプローチ - 設計 TF 主査日立製作所内山邦男

設計TF主査　　

主査　　

主査　　

主査　　

日立製作所　内山邦男

日立製作所　内山邦男

日立製作所　内山邦男

日立製作所　内山邦男

　低電力

のロードマップ作成と　　　　　　　　

のロードマップ作成と　　　　　　　　

のロードマップ作成と　　　　　　　　

のロードマップ作成と　　　　　　　　

　　　　　　　問題点、技術課題の明確化

　　　　　　　問題点、技術課題の明確化

　　　　　　　問題点、技術課題の明確化

　　　　　　　問題点、技術課題の明確化

　　（１）モバイルマルチメディアの動向調査

　　（２）現状（0.18um)の低電力SoCの分析

　　（３）低電力SoC設計モデルの作成

　　　　（初期モデル、集積度トレンドの設定）

　　（４）設計モデルとHP、LOP（-HS、-UHS）、LSTP　　

　　　デバイスモデルを用いた設計パラメータの検証

　　　　（動作周波数、消費電力の確認）