ADC 8 ADC 7 ADC 6 ADC 5 ADC 4 ADC 3

7 6 5 4 3 2 1 0

ADCL

ADC0 - - -

-ADC1

A/D変換が完了すると、その結果がこれら2つのﾚｼﾞｽﾀで得られます。

ADCLが読まれると、A/Dﾃﾞｰﾀ ﾚｼﾞｽﾀはADCHが読まれるまで更新されません。従ってこの結果が左揃えで、且つ8ﾋﾞｯﾄを越える精 度が必要とされないなら、ADCHを読むことで用が足ります。さもなければADCLが初めに、その後にADCHが読まれなければなりま せん。

A/D多重器選択ﾚｼﾞｽﾀ(ADMUX)の左揃え選択(ADLAR)ﾋﾞｯﾄ(訳注:原文では「とA/Dﾁｬﾈﾙ選択(MUX3～0)ﾋﾞｯﾄ」となっていますが、

ATmega8は全ﾁｬﾈﾙ同一形態の(差動入力がない)ため、この部分は不適切です)は、このﾚｼﾞｽﾀから結果を読む方法に影響を及ぼし ます。ADLARが設定(1)されると結果は左揃えにされます。ADLARが解除(0)されていると(既定)、結果は右揃えにされます。

● ADC9～0 : A/D変換結果 (ADC Conversion result)

これらのﾋﾞｯﾄは132頁の「A/D変換の結果」で詳述されるように変換での結果を表します。

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ (書き込み中読み出し可能な自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ)

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ支援はMCU自身によるﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ｺｰﾄﾞのﾀﾞｳﾝﾛｰﾄﾞとｱｯﾌﾟﾛｰﾄﾞ用の真の書き込み中の読み出しが可能な自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ機 構を提供します。この特徴はﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘに常駐するﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑを使用するMCUによって制御される柔軟な応用ｿﾌﾄｳｪｱ更 新を可能にします。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑはﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ内にｺｰﾄﾞを書き(ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)、ｺｰﾄﾞを読み、またはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾒﾓﾘからｺｰﾄﾞを読むの に、利用可能なﾃﾞｰﾀ ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽと関連する規約のどれもが使用できます。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域内のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ｺｰﾄﾞはﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾒﾓﾘを含 むﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ全体を書く能力を持ちます。従ってﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞは自身をも変更でき、この機能がそれ以上必要とされないなら、そのｺｰ ﾄﾞから自身を消去することもできます。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾒﾓﾘの容量はﾋｭｰｽﾞで設定可能で、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞは個別に設定可能な2組の独立した ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄを持ちます。これは異なる保護ﾚﾍﾞﾙを選択する独特な柔軟性を使用者に与えます。

特徴

● 書き込み中読める(Read-While-Write)自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ

● 柔軟性のあるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾒﾓﾘ容量

● 高い安全性 (柔軟な保護用の独立したﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ)

● ﾘｾｯﾄ ﾍﾞｸﾀ選択用の独立したﾋｭｰｽﾞ

● 最適化されたﾍﾟｰｼﾞ容量 (注1)

● 効率的なｺｰﾄﾞ手法

● 効率的な読み-変更-書き(ﾘｰﾄﾞ ﾓﾃﾞﾌｧｲ ﾗｲﾄ)支援

注1: ﾍﾟｰｼﾞはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中に使用される多数のﾊﾞｲﾄから成るﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの区画です(145頁の表89.参照)。このﾍﾟｰｼﾞ構成は通常動 作に影響を及ぼしません。

ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの応用領域とﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域

ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘは応用領域とﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域の2つの主な領域で構成されます(図102.参照)。各領域の容量は143頁の表82.と図102.で 示されるようにBOOTSZﾋｭｰｽﾞによって設定されます。これら2つの領域は個別の施錠ﾋﾞｯﾄの組を持つため、異なる保護ﾚﾍﾞﾙを持てま す。

応用領域

応用領域は応用ｺｰﾄﾞを格納するのに使用されるﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの領域です。応用領域用保護ﾚﾍﾞﾙは応用ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ(ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ 0)によって選択できます(137頁の表78.参照)。応用領域から実行される時にSPM命令が禁止されるので、応用領域はどんなﾌﾞｰﾄ ﾛｰ ﾀﾞ ｺｰﾄﾞも決して格納し得ません。

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域 (BLS)

応用領域が応用ｺｰﾄﾞ格納用に使用されるのに対して、SPM命令はBLSから実行する時にだけﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞを始められるので、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱはBLSに格納されなければなりません。SPM命令はBLS自身を含む全てのﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘをｱｸｾｽできます。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領 域用保護ﾚﾍﾞﾙはﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ施錠ﾋﾞｯﾄ(ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄ1)によって選択できます(137頁の表79.参照)。

ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの書き込み中に読み出し可能な領域と不能な領域

どちらのｱﾄﾞﾚｽがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞされるかによって、CPUが書き込み中の読み出しを支援するか、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱが更新中にCPUが 停止されるかのどちらです。上で記述されるようなBOOTSZﾋｭｰｽﾞによって設定可能な2つの領域に加え、ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘは書き込み中 読み出し可能な(RWW)領域と書き込み中読み出し不能な(NRWW)領域の2つの固定領域にも分けられます。RWWとNRWW領域間 の境界は136頁の図102.と143頁の表83.で与えられます。この2つの領域間の主な違いを次に示します。

● RWW領域側に配置されたﾍﾟｰｼﾞを消去または書くとき、NRWW領域はその動作中に読むことができます。

● NRWW領域側に配置されたﾍﾟｰｼﾞを消去または書くとき、その全ての動作中にCPUは停止されます。

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱ動作中、使用者ｿﾌﾄｳｪｱがRWW領域側に配置されるどのｺｰﾄﾞも決して読めないことに注意してください。「書き込 み中読み出し可能領域」という記述はﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ(消去または書き込み)される領域としての引用で、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱが更新中に 実際に読まれる領域ではありません。

訳補: 上の記述はNRWW領域からRWW領域をﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞするという前提で、消去または書き込みを行う側ではなく、行われる側でこ の名称が定義されていることを意味します。即ち、NRWW領域からRWW領域をﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞすると、NRWW領域のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑは通 常通り動作する(即ち読める)ので、ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞされる側はRWW領域と名付けられ、この逆ではCPUが停止する(即ち読めない) ので、NRWW領域と名付けられているという意味です。

書き込み中読み出し可能 (RWW) 領域

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱ更新がRWW領域側のﾍﾟｰｼﾞをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞする場合、ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘからｺｰﾄﾞを読むことが可能ですが、NRWW領域 に配置されるｺｰﾄﾞだけです。ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ実行中、そのｿﾌﾄｳｪｱはRWW領域が決して読まれないことを保証しなければなりません。使 用者ｿﾌﾄｳｪｱがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中に(例えば、CALL,JMP,LPM系命令または割り込みによって)RWW領域側に配置されるｺｰﾄﾞを読もうとす ると、そのｿﾌﾄｳｪｱは未知の状態へ行き着くかもしれません。これを避けるために割り込みは禁止、またはﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域へ移動のど ちらかにされるべきです。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域は常にNRWW領域に配置されます。RWW領域が読み出しに対して妨げられている限り、

SPM命令制御ﾚｼﾞｽﾀ(SPMCR)のRWW領域多忙(RWWSB)ﾋﾞｯﾄが論理1として読めます。ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞが完了した後、RWW領域に配置 したｺｰﾄﾞを読む前にRWWSBはｿﾌﾄｳｪｱによって解除(0)されなければなりません。RWWSBを解除(0)する方法の詳細については138 頁の「SPMCR - SPM命令制御ﾚｼﾞｽﾀ」をご覧ください。

書き込み中読み出し不能 (NRWW) 領域

NRWW領域に配置したｺｰﾄﾞはﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｿﾌﾄｳｪｱがRWW領域内のﾍﾟｰｼﾞを更新する時に読めます。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ｺｰﾄﾞがNRWW領域 を更新するとき、全てのﾍﾟｰｼﾞ消去またはﾍﾟｰｼﾞ書き込み動作中にCPUが停止されます。

表77. 書き込み中読み出し可能機能 ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中にZﾎﾟｲﾝﾀで指定される領域

RWW領域 NRWW領域

CPU動作 ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中に読める領域

通常動作 NRWW領域

停止 なし

RWW機能支援 あり なし 図101. RWW領域とNRWW領域の関係

書き込み中読み出し 可能 (RWW) 領域

書き込み中読み出し 不能 (NRWW) 領域 ZﾎﾟｲﾝﾀRWW領域指定

ZﾎﾟｲﾝﾀNRWW領域指定 ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中の

命令読み込み可能 ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ中の

命令読み込み不能 (CPU停止)

BOOTSZ=11

応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ 領域

$0000

RWW 領域 図102. 選択によるﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ用ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの領域分割

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ

BOOTSZ=10

応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ 領域

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ 領域

BOOTSZ=01

応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ 領域

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ 領域

BOOTSZ=00

応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ 領域

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ 領域 NRWW領域開始位置

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域開始位置 応用領域最終位置 RWW領域最終位置

NRWW 領域

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ施錠ﾋﾞｯﾄ

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ能力が必要とされないなら、ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ全体が応用ｺｰﾄﾞ用に利用可能です。ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞは個別に設定可能な独立した2 組のﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄを持ちます。これは異なる保護ﾚﾍﾞﾙを選択する独特な柔軟性を使用者に与えます。

使用者は以下を選択できます。

● MCUによって更新するｿﾌﾄｳｪｱからﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ全体を保護

● MCUによって更新するｿﾌﾄｳｪｱからﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘのﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域だけを保護

● MCUによって更新するｿﾌﾄｳｪｱからﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの応用領域だけを保護

● ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ全体で更新するｿﾌﾄｳｪｱを許可

より多くの詳細については表78.と表79.をご覧ください。ﾌﾞｰﾄ施錠ﾋﾞｯﾄはｿﾌﾄｳｪｱと直列または並列のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作で設定(0)できま すが、これらのﾋﾞｯﾄはﾁｯﾌﾟ消去指令によってのみ解除(1)できます。一般書き込み禁止(LB動作種別2)はSPM命令によるﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ のﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞを制御しません。同様に、試みられたなら、一般読み書き禁止(LB動作種別3)はLPM命令とSPM命令による読み込みも 書き込みも制御しません。(訳補:一般LBはLPM/SPM命令に関して無関係の意)

表78. 応用領域に対する保護種別 (0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ、1=非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)

BLB0 動作種別 BLB01 保護種別

0 0 1 BLB02

1 0 0 2

3 4

SPM命令は応用領域に書くことを許されません。

SPM命令による応用領域への書き込みと、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域でのLPM命令による応用 領域からの読み込みが許されません。 (注)

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域でのLPM命令による応用領域からの読み込みが許されません。 (注) 1

1

1 LPM, SPM命令が応用領域をｱｸｾｽすることに対して制限はありません。

注: BLB02=0で、割り込みﾍﾞｸﾀがﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に配置されていると、応用領域での実行時に割り込みが禁止されます。

表79. ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に対する保護種別 (0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ、1=非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)

BLB1 動作種別 BLB11 保護種別

0 0 1 BLB12

1 0 0 2

3 4

SPM命令はﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域に書くことを許されません。

SPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域への書き込みと、応用領域でのLPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域からの読み込みが許されません。 (注)

応用領域でのLPM命令によるﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域からの読み込みが許されません。 (注) 1

1

1 LPM, SPM命令がﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域をｱｸｾｽすることに対して制限はありません。

注: BLB12=0で、割り込みﾍﾞｸﾀが応用領域に配置されていると、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域での実行時に割り込みが禁止されます。

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑへの移行

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞへの移行は応用ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑから分岐(Jump)または呼び出し(Call)によって行います。これはUSARTやSPIｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由で 受信した指令のような起点によって始められるかもしれません。代わりに、ﾘｾｯﾄ後にﾘｾｯﾄ ﾍﾞｸﾀがﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ領域開始ｱﾄﾞﾚｽを指示す るようにﾌﾞｰﾄ ﾘｾｯﾄ(BOOTRST)ﾋｭｰｽﾞをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)できます。この場合、ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞがﾘｾｯﾄ後に開始されます。応用ｺｰﾄﾞが設定された (書かれた)後、このﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ)は応用ｺｰﾄﾞの実行を始めることができます。このﾋｭｰｽﾞがMCU自身によって変更できないこと に注意してください。これは一旦ﾌﾞｰﾄ ﾘｾｯﾄ ﾋｭｰｽﾞがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されると、ﾘｾｯﾄ ﾍﾞｸﾀは常にﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾘｾｯﾄを指示し、このﾋｭｰｽﾞが 直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞまたは並列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽを通してのみ変更できることを意味します。

表80. ﾌﾞｰﾄ ﾘｾｯﾄ ﾋｭｰｽﾞ (0=ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ、1=非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) BOOTRST

0 1

ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ ﾘｾｯﾄ ﾌﾞｰﾄ ﾛｰﾀﾞ開始ｱﾄﾞﾚｽ(143頁の表82.参照) 応用ﾘｾｯﾄ $0000

ﾘｾｯﾄ後実行開始ｱﾄﾞﾚｽ (ﾘｾｯﾄ ﾍﾞｸﾀ)