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一30  −20  −10 0 10 Temperature(°C)

20 30

図5.7:IDT/ZnO/2−cut LiNbO3構造SAWブイルターの中心周波数の温度依存性

表5.3:IDT/ZnO/z−cut LiNbO3構造のSAWフィルターの温度特性 ZnO膜厚 測定周波数(0°C)挿入損失(0°C)

 δ(nm)      (MHz)      (dB)

周波数変化率

  (kHz/°C)

 0 600 800

24。78 24.47 24.71

一59.6

−42.0

−43.0

一3.56

−3.24

−2.79

ZnO膜厚

 δ(nm)

温度係数 周波数最大誤差 温度測定最大誤差

(ppm/°C)      (kHz)       (°C)

 0 600 800

一144

−132

−113

0ゾー⊥7ーり0ρO∩∠

71005  1一

 2.1

 5.7

−1.9

88

第5章 SAWフィルターの温度特性

(氷温域温度センサへの応用)

 δ=600の成膜後のZnO薄膜上のSAWフィルターの中心周波数(図5.7(III))の変化率

は,近似直線の傾きの値より一3.24kHz/°C,温度係数αは,−132 ppm/°Cであり,δ=800の SAWフィルターでは,変化率は一2.79 kHz/°C,温度係数αは,−U3 ppm/°Cであった.なお,

δ=0のピークの周波数の変化率は,−3.56kHz/°Cであり,温度係数αは,−144 ppm/°Cで あったので,ZnO薄膜の膜厚δが厚くなると,中心周波数の変化率が減少することがわかる.こ れは,ZnOの温度係数が一30 ppm/°Cであることから,膜厚が厚くなるとZnO自体の温度係 数に近づくためと考えられる.

 次に,成膜後のZnO薄膜上のSAWフィルターの温度センサとしての精度を検討する.δ=600 のSAWフィルターにおける近似直線との最大誤差は18.61 kHzであった.また,δ=800の SAWフィルターでは,最大誤差は一5.27 kHzであった.このことから,δ=600およびδ=800 のSAWフィルターの温度検出の最大誤差はそれぞれ,5.7°Cおよび一1.9°Cであった.これら の値は,検出目標値±0.5°Gに対し非常に大きな値であり,δ=600の時はIDT/z−cut LiNbO3 構造のSAWフィルター(δ=0)の最大誤差2.1°Cよりも大きな値となっていた.この原因は,

図5.6(b)の挿入損失の微分波形(dL/4∫)よりわかるように,極大(1)および極小(II)となる周 波数の近傍でノイズの影響を排除できず,正確な中心周波数の値が算出できなかったためと考

えられる.

(2)ポストアニール処理後のZnO薄膜上に作製したSAWフィルターの温度特性

 図5.8に膜厚δが600nm(δ=600)のポストアニール処理後のIDT/ZnO/z−cut LiNbO3 構二造SAWフィルターの20 MHzから30 MHzの一19.9°C,−0.1°C,20.0°Cにおける挿入損 失の周波数特性を示す.

 ポストアニール処理後のIDT/ZnO/z−cut LiNbO3構造SAWフィルターの挿入損失の周波 数特性は,IDT/z−cut LiNbO3構造のSAWフィルターと同様図5.8(1)の周波数に鋭いピーク が測定された.このピークは非常に鋭いため,測定波形より直接,挿入損失が極大となる周波数 を読み取ることができ,温度の上昇と共に低周波数側にシフトすることが確認できた.このピー クの周波数および挿入損失の値は,基板温度一〇.1°Cにおいて24.62MHzおよび一4ユdBで

あった.

 基板の基板温度を一19.9°Cへ変化させたとき,挿入損失が極大となる周波数が∫oが24.70MHz となり高周波数側ヘシフトすることが確認できた、また,挿入損失の値は,−42dBとなり,出力 IDTに到達する信号強度が減少することがわかった.一方,基板温度を20,0°Cへ変化させた とき,SAWフィルターの周波数特性は,中心周波数允が24.55 MHzとなり,低周波数側ヘシフ

トし,挿入損失が一40dBとなることが確認できた.

5.4.IDT/ZnO/z−cut LiNbO3構造SAWフィルターの温度特性 89

一40

0

6

︵mで︶・︒のO﹂⊂OモΦω≡

annealed IDT/ZnO/z−cut LiNbO

(1)

_19.9°

_0.1°C

20.0°C

       一80

       20        25        30        Frequency(MHz)

図5.8:ポストアニール処理後のIDT/ZnO/z−cut LiNbO3構造SAWフィルターの周波数温度

依存性(20MHz〜30 MHz)

       annealed IDT/ZnO/z−cut LiNbO        −40

       (III)

      

  

@ 

@4

︵mで︶⑩⑩O﹂⊆OモΦの≡

一50 一20.0°C

 O.0°C 20.0°C

       40        45        50        Frequency(MHz)

図5.9:ポストアニール処理後のIDT/ZnO/z−cut LiNbO3構造SAWフィルターの周波数温度

依存性(40MHz〜50 MHz)

90

第5章 SAWフィルターの温度特性

(氷温域温度センサへの応用)

(N

Gエご︿≡=Φ﹀︒⊂Φ⊃σ巴﹂

200