発光領域がホール輸送層と電子輸送層近傍の場合の発光層表面修飾 38

Fig. 3-6に，レーザー転写プロセスによりEML表面を修飾した2種類の素子を示す。

素子準備のプロセスは，修飾した表面以外は Fig. 3-3 に示した場合と同じである。

G-EMLとR-EML素子の修飾処理後にEML表面の分析を行った。TOF－SIMS分析の

プロセスフローは，Fig. 1-7に示すフローをEML表面に用いた。また，Fig. 3-7に，

G-EMLとR-EMLの素子を転写修飾した後にTOF-SIMS分析による2次負イオンの窒

素雰囲気修飾に対する強度比を示す。ここで窒素雰囲気に保管した素子の強度比を1 としている。酸素含有イオンやO系，P系，S系が強く検出されたが，G-EMLとR-EML 素子の差は，ほとんどなかった。これはドナー基板から同等の汚染物質が G-EMLと

R-EML素子に転写されたためである。さらに，Fig. 3-4のHTL修飾とFig. 3-7のEML

修飾した素子の2次負イオン強度比には明確な差がない。修飾する有機界面が異なっ てもドナー基板から同等の汚染物質が転写され，汚染が同様に起こっているためであ る。

Fig. 3-6. Schematic of the two sample types with EML surfaces that were modified by laser transfer. The donor substrate had a sputter-coated layer of molybdenum on the glass substrate. The green- and red-emitting devices were emissive close to the HTL and the ETL, respectively. Except for the EML surface indicated by the blue line, all of the layers were fabricated under vacuum.

Fig. 3-7. The intensity ratio of the secondary anions relative to the nitrogen-modified sample after the transfer process, determined by TOF-SIMS analysis. There were large intensity ratios for anions derived from O, P, S, and those containing O. There were no obvious differences in

３.３.４ 発光層への転写修飾後の発光効率と寿命の劣化

Fig. 3-8（a）に，G-EMLとR-EML素子に転写修飾を行った後の初期EL発光効率

の低下率を示す。TOF-SIMS分析ではG-EMLとR-EML素子の強度比には，ほとんど 差は見られなかったが，R-EML 素子の発光効率の低下率はG-EML素子の 20倍にも 達し駆動電圧も１V 程度上昇した。Fig. 3-8（b）に，転写修飾を行った後の G-EML

と R-EML 素子と修飾処理をしていない参照素子である G-Ref (Vac.) と R-Ref (Vac.)

の寿命試験での劣化特性を示す。G-EML素子はR-EML素子に比べ寿命試験中の劣化 が少なかった。これは G-EML素子の発光領域は HTL 近傍であり，R-EML素子の発 光領域はETL近傍に位置するためである。EML表面の汚染物質はETL近傍に発光領 域がある場合にデバイス特性に大きな影響を与えることが分かった。

EML 中の発光領域近傍ではホールと電子の再結合と励起子生成が頻繁に生じてお り，発光領域に近い側の有機/有機界面の汚染物質は，これらの発光プロセスを阻害 するものと考えられる。特に酸素や水分は，発光材料などの有機材料と反応して酸化 や失活させ，発光を阻害すると考えられる。EML 中の発光領域から離れた有機界面 側の汚染は，その影響が小さいため，Fig. 3-8（a）における G-EML素子の輝度低下 の影響も少ないと考察される。

Fig. 3-8. (a) Efficiency deterioration rate of G-EML and R-EML after modification by the transfer process. (b) Luminance degradation as a function of time for G-EML and R-EML after modification by the transfer process. The reference samples data without modification are shown as G-Ref (Vac.) and R-Ref (Vac.).