A. 圧電性
4.3. 実験値との比較
1 Ag
1.8Scm
Q/Ea 1.3 Ag 11.1Scm
0.3 Ea
Q/
(A)
(B)
Fig. 4.4. イオン拡散のイメージ. (A) 短波長フォノンによるイオンの空孔へのジャンプ.
各イオンは単独で拡散する. (B) 長波長フォノンの要素を含んだイオンの集団的移動.
以上の考察をもとに,モデルから次のような予測が立てられる.
(1) イオン導電性の高い物質ほど,Q/Eaの値が大きい.
(2) アルカリハライドのようなイオン結晶における拡散では,短波長フォノンによる寄 与が主要であり,イオンは単独で拡散し,輸送熱が小さい.
(3) 温度上昇によって,大きな群速度をもった様々なフォノンモードがイオン拡散に参 加する.その結果,Q/Eaの値は温度と共に増加する.
これらの予想との妥当性を検証するため,それぞれの予想に対してデータを集め,
モデルと実験との比較を行った結果を次に示す.
第 4章
同的な運動が助長され,それによって が大きくなるという,モデルによる予想と 一致している.
Ea
Q/
Fig. 4.5. Q/Eaとイオン伝導度の関係.温度範囲は 400-555 [K]
4.3.2. 輸送熱 とイオン拡散の活性化エネルギー Q E
aFig. 4.6. イオン導電性を示す物質の輸送熱と活性化エネルギーの関係
1 5
4 ~
10 Scm
10
1
10
Scm
10
Fig. 4.6.に,イオン導電性を示す物質の輸送熱と活性化エネルギーの関係を示す.Q
とEaは同じ温度に対するデータであるが,物質によってその温度は異なる.図中の直 線はQEaを表す.AgIを含む超イオン導電体(SIC;○)は -AgI, Ag4RbI5, Ag4NH4I5, Ag4KI5, Ag1.1Hg0.3Se1.4I0.9, -Ag2HgI4などである [10].4元系非晶質固体電解質であ る AgI-Ag2O-V2O5-P2O5(□) [22]は,非常に高いイオン導電性をもち,QEaの関係 に従う.Cuを含む超イオン導電体(▲ ,▼)は,Fig. 4.5.で挙げたような物質である [21].
多くの超イオン導電性固体は,温度増加に伴い低伝導相(
)から高伝導相()へ 相転移する. Fig. 4.6.から,物質による系統性があることがわかる.超イオン導電体 は,QEaを示す線の近くにあるが,アルカリハライドのような典型的なイオン結晶 は線から離れている.イオン結晶は超イオン導電体に比べ,活性化エネルギーが大き い.Fig. 4.6.にみられる物質の傾向は 4.2.2.の理論予測 (2)を裏付けているといえる.また,銅ハライド系の輸送熱は,銀ハライド系より比較的大きい.これは,銅化合物 は混合伝導を示すことと関係していると思われる.
輸送熱とイオン輸率の関係は,
H
.t
QeT
(4.12)と表される [10].ここでeは可動イオンの電荷,Tは温度,tはカチオンのイオン輸率,
はポテンシャル差に比例する熱起電力,
Hは電極に関連する項である [10,23].式 (4.12)からイオン輸率の減尐は輸送熱の増加につながることを示す.
銀ハライド系超イオン導電体の電子伝導度は,イオン伝導度に比べとても小さいの で無視できる.また, Ag+のイオン輸率はほぼ 1である[10].一方,銅ハライド系化合 物のイオン輸率は,銀系に比べて小さい [10,24,25].これに関して, Wagner[24]は,
銅ハライド系物質では 573K以下で電子伝導は無視できないことを示している.また,
イオンおよび電子の伝導度について,高橋らの測定によると [25],500K における
CuI-CdI2 の電子伝導度は 程度であるのに対して, AgI-CdI2 では
程度になると報告しており, Cu 系導電体と Ag 系導電体では電子伝導度 が 105倍程度違うことがわかる.
第 4章
4.3.3. Q / E
aの温度依存性
Table 4.1.にQ/Ea値の温度依存性を示した.各物質とも,温度と共にQ/Eaが増加し ている.モデルによると,温度の上昇に伴って大きな群速度をもつフォノンモードがイ オン拡散に参加し始め,その結果,lやQ/Eaの値が増加する.
興味深いのは,Cu16Rb4I7Cl13のようなCu導電体系化合物では, CuIに比べ低温で大 きいQ/Eaの値を示すことである.これは,強いイオン結合性をもつ RbIを銅ハライド に混ぜることによってイオンが動きやすい状泀になるという,結合揺らぎモデル [26]の 観点からも理解できる.イオンが動きやすいということは,活性化エネルギーが低いこ とを意味する.これは,超イオン導電体の特徴の1つであり,モデルにおける集団運動 とつながる.
Table 4.1. Q/Ea値の温度依存性
Compound T(K) Q/Ea Phase
CuI 435 0.54 non-SIC
572 0.89 non-SIC
Cu3CdI5 395 0.65 non-SIC
470 1.00 non-SIC
Cu7(C6H12N4CH3)Br8 322 0.63 SIC
372 0.88 SIC
Cu16Rb4I7Cl13 360 0.63 SIC
437 0.81 SIC