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同軸ケーブル諸定数の計算式

ドキュメント内 電子・電気機器用電線要覧 (ページ 158-163)

4.ケーブル諸定数の計算式(正弦波交流)

5. 同軸ケーブル諸定数の計算式

記号

d1 :内部導体の外径(m)

d2 :外部導体の内径(m)

t1 :内部導体の肉厚(m)

t2 :外部導体の肉厚(m)

ε :絶縁体の実効誘電率(εs ε0)

εs :絶縁体の実効比誘電率

ε0 :真空の誘電率(=——×10-9F/m)

μ :絶縁体の実効透磁率

μ0 :真空の透磁率(= 4π× 10-7H/m)

μ1 :内部導体の透磁率 μ2 :外部導体の透磁率

ρ0 :標準軟銅の固有抵抗(= 1.724 × 10-8 Ω m,20℃)

ρ1 :内部導体の固有抵抗(Ω m)

ρ2 :外部導体の固有抵抗(Ω m)

tanδ :絶縁体の実効誘電体力率 R :実効導体抵抗(Ω /m)

R1 :内部導体の実効抵抗(外側表面抵抗)(Ω /m)

R2 :外部導体の実効抵抗(内側表面抵抗)(Ω /m)

L :インダクタンス(H/m)

L1 :内部導体の自己インダクタンス(外側表面インダクタンス)(H/m)

L2 :外部導体の自己インダクタンス(内側表面インダクタンス)(H/m)

Le :外部インダクタンス(H/m)

C :静電容量(F/m)

G :漏洩量( Ω /m)

f :周波数(Hz)

ω :角周波数(= 2πf)

α :減衰量(Np/m)

 (lNp = 8.686dB)

αγ :抵抗減衰量(Np/m または dB/m)

αg :漏洩減衰量(Np/m または dB/m)

β :位相量(rad/m)

γ :伝幡定数(=α+ jβ)

Z0 :特性インピーダンス(Ω)

36π1

電気特性計算式

●基本式

R;実効抵抗 Ω /m R = R1 + R2

R1 =— ———・FR(u1)+—————・ρ1 R2 =— ———・FR(u2)ー—————・ρ2 ここで d1′= d1ー 2t1,d2′= d2+ 2t2であるが 一般に ti≪ diであるから d1′≒ d1,d2′≒ d2とすると

R = ———・————+ ———・————+ ———ー———

L;インダクタンス H/m L = Le+ L1 + L2

Le=——In—= 0.4605log10—

L1 =——— ———FL(u1)

L2 =——— ———FL(u2)

G;漏洩量  Ω /m

G =ωCtanδ= 2πfCtanδ C;静電容量 F/m

C =———=—————×10-12    ε=εs・ε0

ここに FR(u¡)=—————————

    FL(u¡)=—————————

    u¡= t¡ ———= 2t¡ ———= 2t¡ πρ¡f μ¡=——

    ρ¡:導体の導電率(Siemens/m)

    δ¡:導体の表皮厚さ(m)

    i = 1,2(内,外導体)

1)同軸ケーブルの一次定数(正弦波交流について)

μ1ρ1f 1 π

d1 (d1′+3d1)

4πd12d1′

μ2ρ2f 1 π

d2 (d2′+3d2)

4πd22d2′

μ1ρ1f

π FR(u1)

d1 μ2ρ2f

π FR(u2)

d2

πd12ρ1 πd22ρ2

2πμ d2

d1 d2

d1 2πd11 μ1ρ1

πf

sinh ui+ sin ui

cosh uiー cos ui

μ2ρ2πf

2πε 24.13・εs

In—   log10—d2

d1 d2

d1

sinh uiー sin ui

cosh uiー cos ui

2ωμi

ρi

πfμi

ρi

2ti

δi

2πd21

70

電気特性計算式

●近似式

○ 周波数が比較的高い場合は FR(u),FL(u)≒1となり

R=— ———+— ———+ ———−———

L=—— ln —+——— ———+——— ———

さらに周波数が高い場合

R=— ———+— ——— (ただし,d1,d2 は l に比しあまり小でない場合)

L=—— ln —

○ 内,外両導体が標準軟銅(非磁性体)かつ内部導体が充実導体であり絶縁体に磁性体を使用していない場合は R= 83.04 f  —+— FR(u2)  ×10-9+5.487 ——−—— × 10-9

L= 0.4605log10— ×10-6+——— —+—FL(u2) × 10-9 ここに μ1=μ2=μ=μ0(非磁性体)

R(u1)=FL(u1)≡ l(充実内部導体)

u2 = 30.3t2 f(標準軟銅の場合)

また ρ1= k12ρ0,ρ2= k22ρ0とする この kiの値は次のとおり k = 1 (銅単線,銅円管)

k = 1.2 (撚線)

k = 1.3 (アルミニウム円管)

k = 3.6 (鉛管)

k = 2 〜 3 (銅線編組)

比較的周波数が高い場合は

FR(u2),FL(u2)≒ 1 となるから

R = 83.04 f —+— ×10-9+5.487 ——−—— ×10-9

L = 0.4605log10 —×10-6+——— —+— ×10-9 さらに周波数が高い場合は

R = 83.04 f —+— ×10-9(ただし,d1,d2 は l に比しあまり小でない場合)

L = 0.4605log10 —×10-6 μ1ρ1f

d11 π 1 d2 μ2ρ2f

π

πd12ρ1 πd22ρ2

2πμ d2 d1 1

2πd1 μ1ρ1 πf 1

2πd2 μ2ρ2 πf

d11 μ1ρ1f π 1

d2 μ2ρ2f π 2πμ d2

d1

} )

} )

k1d1 k2

d2 k12

d12 k22

d22

d2d1 13.21 f k1

d1 k2 d2

} )

k12d12

k1d1 k2

d2 k22

d22 d2d1 13.21

f

k1d1 k2d2

k1d1 k2d2

d2d1

2)同軸ケーブルの二次定数(正弦波交流について)

○同軸ケーブルは比較的高い周波数で用いられるので,通常 ω L≒ωLe≫ R,ω C ≫ G となる。

したがって

Z0 :特性インピーダンス Ω Z0 = —−j——

α :減衰量 Np/m α=αγ+αg

αγ=— — αg=— — CL R

R2 C

L L

G C 2

電気特性計算式

β :位相量 rad/m

β=ω LC 1 +— ——+——

○さらに数 10kHz 以上では下記となる Z0 = Z+ΔZ0(1ー j)

Z=——In—=———log10—

ΔZ0=———— —+—

周波数 f が数 100kHz 以上ではΔ Z0 の項を無視して差支えない αγ=—————— ——+—— × 10-4(Np/m)

αg=—・f・ εs・tanδ×10-8(Np/m)= 9.10・f・ εs・tanδ×10-8(dB/m)

β= 20.94・f・ εs×10-9+——————  —+— ×10-9

●波長短縮率 K =———(%)

●限界周波数(TE11波の発生周波数)

fc=———————(MHz)………連続的な均一絶縁形式の場合

fc=————(GHz)………ディスク絶縁等の均一間隔に配置された絶縁形式の場合 ここに p:ディスク等の配置ピッチ(mm)

} )

ωLR G 1 ωC

8

60 εs

d2d1 138.2 εs

d2d1 1.98

εs

f

) )

k1d1 k2

d2 εs 10 f

d2d1 60In—

ρ1 ρ2 d1 d2

) )

=——————— —+— ×10-9(dB/m)2.612 εs f

k1d1 k2 d2 d2d1

log10—

0.301 εs

k1d1 k2 d2 d2d1

log10—

f・

100 εs

(d1 + d2)191・εs

2p・ε300s

3)同軸ケーブルの合成比誘電率および合成誘電体力率の計算式

  円板状絶縁体の場合 π3

B

B

t

A

A

pーt

p

B

B

外部導体

中心導体

円板状絶縁体

εs=εA 1 ー— +εB・—,tanδ=—————————————————

A を空気とすればεA=1,tanδA= 0 となり εs=1+—(εBー1),tanδ=——————

○ 特に円板状絶縁体 B としてポリエチレン(εB= 2.26)を使用した時の実効比誘電率εsと p/t の関係は次図のとおりとなる。(ただし絶 縁体 A は空気とする)

pt

εA(p ー t)・tanδεs・pA+εB・t・tanδB

εB・t・tanδB

εs・p pt

pt

72

電気特性計算式

コルデル螺旋絶縁

○円形コルデルの場合 内部導体の外径:d1 外部導体の内径:d2

コルデル絶縁体の外径:d3 =————

コルデル絶縁体の比誘電率:εc

コルデル絶縁体の誘電体力率:tanδc

コルデル絶縁体の巻きつけピッチ:p とすれば

コルデルの占有率 k =—— 1 + —— 2

=— ———— 1 + —— 2          ただし d4 =————

同軸絶縁の場合

B A

d1

d2

d3

中心導体

絶縁体

外部導体

εs=—————

tanδ=———————————

A を空気とすれば εA= l,

tanδA=0となり εs=————

tanδ=————

ここに

P = In—,Q = In—,R = In—

εAεBP εAR+εBQ

εARtanδB+εBQtanδA

εAR+εBQ

εBP R+εBQ

RtanδB

R+εBQ

d3d1 d2

d1 d3 d2

d2 ー d1 2

) )

4d4d3 πd4

p 1

4 d2 ー d1

d2 + d1

πd4

p d1 + d2

2 1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

t/p

εs=1—(εt B−1)

p

=1.26—tp

電気特性計算式

d3

d1 d2

P

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