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内 の静電ポテンシャルと電場を決めるイメージチャージ:

ドキュメント内 ëoã…éqä‘ëäå›çÏóp.pdf (ページ 52-55)

q1**(-d), q3**(2h - d), q5**(4h - d), ··· , q2n+1**= (α21α23)nβ23q, ···, (n ≥ 0) q2**(+d), q4**(2h + d), q6**(4h + d), ··· , q2n**= (α21α23)n-1α21β21q, ···, (n ≥ 1)

(D.6a)

双極子−双極子相互作用 - 53

h → 0の極限でのイメージチャージの総和は下のようになり、界面の上下の等距離点に異なる大きさ

のイメージチャージが生じる。

q*(+d) = 2[ε2(ε*- ε1)]/[ε*(ε1 + ε)]q

q*(-d) = 2[ε2(ε*+ε2)]/[ε*(ε1 + ε)]q (D.6b)

誘 電 膜 内の静電ポテンシャルと電場を決めるイメージチャージ:

q(-d) = q

q1'(+d), q3'(3h + d), q5'(4h + d), ··· , q2n+1' = (α21α23)nα21q, ···, (n ≥ 0) q2'(2h - d), q4'(4h - d), q6'(6h - d), ··· , q2n' = (α21α23)nq, ···, (n ≥ 1)

q1*(-2h + d), q3*(-4h + d), q5*(-6h + d), ··· , q2n+1*= (α21α23)nα23q, ···, (n ≥ 0)

q2*((-2h - d), q4*(-4h - d), q6*(-6h - d), ··· , q2n*= (α21α23)nq, ···, (n ≥ 1) (D.7a)

h → 0の極限でのイメージチャージの総和は下のようになり、界面の上下の等距離点に異なる大きさ

のイメージチャージが生じる。

q*(+d) = 2(ε*2 - ε1ε2)/[ε*(ε1 + ε)]q

q*(-d) = 2(ε* - ε1)(ε* - ε2)/[ε*(ε1 + ε)]q (D.7b)

付録 E.数学公式

デルタ関数

δ(ax)(x) a

δ(x2a2)=[δ(xa)+ δ(x+a)]

2 a δ(x)=lim

α→0

1 π

α α2+x2

 

 

 δ(−x)= δ(x)

xδ(x)=0

(def): δ+(x)= δ* (x)= 1 2iπ lim

α→0

1 x

 

 

 , then δ+(x)+ δ(x)= δ(x)

δ+(x)− δ(x)= 1 lim

α →0

x α2+x2 δ(x)dx

=1

F(x)δ(xa)dx

=F(a )

双極子−双極子相互作用 - 54 級数の和

1 + r + r 2 + … + r n = 1−rn+1 1−r

付録 F  用語 培風館 物理学辞典から抜粋

自己無撞着場 SCF(self-consistent field)

 相互作用する多粒子系の理論に登場する概念。多粒子系の理論的取扱いは、子間相互作用がある場 合には一般に困難な課題になる。このようなときにしばしば用いられる最も簡単な近似的取扱いは、

相互作用の効果を一体ポテンシャルで表し、この一体ポテンシャルを自己無撞着に決める。こうして 決められたポテンシャルが自己無撞着場である。この方法は多体問題に直面するさまざまな分野で用 いられている。

 自己無撞着場を求める繰返しの方法では、収束することが保証されていない。収束するか否かは、

出発点として選ぶ状態による。また、同じ出発点から出発しても、次の繰返しのときに前回の結果を そのまま用いるのではなく、前回と前々回の結果を適当に平均したものを使うことにより、収束しな かったものが収束するようになることがある。またこのとき、平均のとりかたによって収束する速さ が著しく変わることがある。

平均場近似 MFA(mean field approximation)= 分子場近似(molecular field approximation)

 多体問題を解くための最も簡単な近似方法。問題を平均的なポテンシャルの中を運動する一体問題 に直し、そのポテンシャルを自己無撞着(⇒自己無撞着場)に決定する。

コヒーレントポテンシャル近似 CPA(coherent field approximation)

 置換型固溶体における電子構造を研究するために、P.Soven (1967年) によって導入された平均場近 似理論である。CPAと略す。電子に限らず、無秩序系のフォノン、フレンケル励起子、スピン波など の素励起にも適用することができる。CPAの考えかたは,磁性などの協力現象における分子場近似の 考えかたと同じである。AxB1-x 型の二元合金 (xは組成Aの規格化濃度) について考えてみよう。

上図に示すように、合金中のある1つの格子点に着目し、その周囲をある有効ハミルトニアンHで記 述される一様な有効媒質と見なす。着目しているその格子点がA原子 (またはB原子) で占められた ときは、電子はHとA原子 (またはB原子) のポテンシャル差によって散乱される。A原子のときの 電子の散乱振幅にA原子の濃度xを掛け、B原子のときの電子の散乱振幅にB原子の濃度 (1 - x) を 掛けて加えたものが0である、という条件から、Hを自己無撞着に決定する。CPAは、リジッドバン ド模型に比べてその理論的基礎がはっきりしていることから、多くの系に適用されて、無秩序系の物 理に大きな進歩をもたらした。

クラウジウス=モソッティの関係式 Clausius-Mosotti’s relation

A B 1−x

H

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