本研究室に配属されて以来約2年間に渉りFT-ICRと共にしてきたが，未だに完全に装置につい て理解しているとは言えず，そのためまだ性能を十分生かしきれていないような気がする．今後 実験はもちろんもう少し装置についても理解を深めなくてはいけないと感じる．
24量体以上でNOに対して反応の様相が大きく変化したが，もう少し詳しく調べる必要がある．
また，装置のことに戻るが未だに本実験装置で60量体以上のサイズを作ることができていない．
このような状態ではクラスターの生成機構を調べることはまず難しいと思われる．
謝辞 謝辞 謝辞 謝辞
本論文を作成するにあたり，大変お忙しい中いつも親身にご指導して下さった丸山茂夫助教授 に心より感謝いたします．また，研究会で的確なアドバイス，貴重な助言をいただきました庄司 正弘教授，井上助手，横谷助手，渡辺技官に深く感謝いたします．二年間に渉り研究室でお世話 になった山口さん，崔さん，高木さん，木村さん，井上(智)君にはお世話になりました．同じ修士 二年の伊藤さん，阿部君，渋田君これからもよろしくお願いします．四年生の飯沼君，池田君，
細田君にはやるときにはきちんとやるということを学ばせていただきました．最後になりました が同じ実験班として自分には関係のないときも手伝ってくれた向江君，池田君には感謝していま す．河野正道助手には二年間いつも実験を手伝っていただいたり，クラスターについて教えてい ただき感謝しています．
最後になりましたがみなさま本当にありがとうございました。。。。。
付録 付録 付録 付録 1
Fig. AはFT-ICRの性能の一端を示している．1200amu付近においても1amuの解像度を容易に得 ることができる．
30 40 50
1175 1180 1185 1190
Mass (amu) Si42+
Number of Silicon Atoms
In tens it y ( a rb it rary )
Fig. A FT-ICR 質量スペクトル
右上に42量体を拡大している
付録2
Fig. BはICRセルのフロントに5V，バックに10Vかけたとき内部の電圧分布を簡単に求めるた めに模式的に決定した初期値である．本当は中心部の電圧にはひずみがみられる．
Fig. Cはフロントドアと筒部の境界，Fig. Dは筒部とバックドアの境界において軸方向に対して 垂直に切った断面の電圧を表している．
Fig. Eはイオンが回転していると考えられる半径10mmにおける電圧の分布である．
0 10
Fig. C フロントドアと筒部の境界部の電圧
10V 0V
5V
10V 0V
5V
Fig. B ICR Cellの電圧模式図
0 10
Fig. D 筒部とバックドアの境界部の電圧
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0
5 10
V o lt ag e (V )
Z (mm)
Fig. E r=10mmにおける電圧分布
参考文献 参考文献 参考文献 参考文献
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