によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測定評価します。
IGBT、パワーMOSFETを中心としたパワー半導体のゲート 端子にゲートオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧として D−S間に数100〜3kVの逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク 電流値を測定し、定期的にロギングします。
その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使いいただけ ます。
高温逆バイアス試験装置
ドレイン電源 ： 0〜2kVまたは0〜3kV ゲート電源 ： 0〜±30Vまたは0〜±35V
温度制御 ： DUTボード槽内接続タイプ〜200℃または350℃
連続モード ： Ice一定で設定デバイス温度に到達するように 冷却水温と水量を制御
Vfサイクルモード ： デバイス温度が設定温度に到達するように IceのON／OFFによる制御を繰り返す サイクルモード ： 設定時間でIceのON／OFFを繰り返す
パワーサイクル試験装置
パワー半導体（IGBT･MOSFET）の信頼性向上に重要な役割 を果たすパワーサイクル試験装置。
パワー半導体に大電流を印加し、デバイス内部を発熱させて 高温目標温度にさせたり、低温目標温度にするために電流印 加を遮断して内部発熱を止め、外部よりチラー水や空気によ り冷却。この繰り返しにより冷却ストレスをデバイスに与えて 熱応力破断を発生させ、ワイヤボンディングとチップ間の接 合評価をします。
水冷式
空冷式
パワーデバイス パワーデバイス
■主なテストモード
計測評価システム
･ 半導体関連装置
イオンマイグレーション評価システム
（エレクトロケミカルマイグレーション）
電子機器の微細化、高密度化により、イオンマイグレーショ ン評価、絶縁評価の必要性が高まっています。イオンマイグ レーション評価システムは、試料を高温高湿環境にさらしな がら、イオンマイグレーションにともなうリーク電流や絶縁 抵抗の低下を自動的に検出します。
●
独自の連続通電スキャナリレー方式と、国際標準対応の計
測器による高精度な測定。
●
ストレス定電圧（ストレス電圧、測定電圧）は、
100V仕様と、オプションの300V、500V仕様。
●
1000V、2500Vの高電圧仕様にも対応します。
●
専用ソフトによる、リアルタイムなデータ編集･閲覧が
可能。
●
コンデンサの絶縁劣化特性の自動評価も可能です。お問
い合わせください。
（写真はシステム例）
チャネル構成 ： 標準25ch（最大150ch／ラック）
チャネル制御 ： 5ch 25ch
抵抗測定範囲 ： 2×105Ω〜1×1013Ω（100V印加時）
2×103Ω〜1×1011Ω（1V印加時）
■ AMI-U
プリント基板のスルーホールやはんだ接続部のクラックは、
断線や接触不良の原因となり、電子機器の信頼性に大きく影 響します。クラックの原因としては接続方法･はんだの材質･
フラックス活性剤の種類･洗浄方法などの内的因子のほか、
温度や湿度などの外的因子も影響します。
導体抵抗評価システムは冷熱衝撃装置や恒温恒湿器と連動 させることにより、クラックの発生を導体抵抗の変化から検 知。コネクター、スイッチリレー等の接触部の試験にもご利 用いただけます。
●
独自のマルチスキャン方式と国際標準対応の計測器を
搭載。
●
直流電流計測方式と交流電流計測方式の2タイプ。
●
絶対値あるいは変化率による故障判定が可能。
●
パソコンでリアルタイム測定。測定中においても、
データ編集･閲覧が可能。
導体抵抗評価システム
※標準システム、中継ユニットと計測ケーブル使用時
（写真はシステム例）
コンデンサを中心にプリント基板、絶縁材料など各種電子材 料の静電容量、tanδ、インピダンスの温（湿）度特性、周波 数特性、経時変化を自動計測できます。
コンデンサ温度特性評価システム
（誘電特性評価システム）
（写真はシステム例）
印加方式 ： 直流電流計測方式 交流電流計測方式
チャネル構成 ： 標準40ch（最大280ch／ラック）
測定間隔 ： 最小3秒（10ch）、3秒ステップで変更可能
抵抗測定範囲 ： 1×10−3〜1×106Ω 1×10−3〜1×104Ω 測定精度※ ： 10mΩ 測定値±5％以内
測定レンジ ： 1Ω、10Ω、100Ω、1kΩ、10kΩ、
100kΩ、1MΩ、AUTO 10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、
100Ω、1kΩ、10kΩ、AUTO 計測器 ： ナノボルトメーター仕様
34420A ミリオームメーター仕様
4338B
測定方法 ： 交流4端子対測定（計測ケーブル先端）
測定間隔 ： 最小1分〜1500分（1分ステップで変更可能）
測定範囲 ： 測定周波数 20Hz〜1MHz 誘電正接 0.0001〜10.0000 tanδ 静電容量 インピダンス測定範囲による インピダンス 10mΩ〜100ＭΩ
測定レンジ ： 10Ω、100Ω、300Ω、1kΩ、3kΩ、10kΩ、30kΩ、100kΩ、AUTO
■ AMR-U
■ AMQ
30
31
LSIの信頼性に大きく関わる、酸化膜の信頼性評価が求めら れます。TDDB評価システムは、ウェーハをはじめガラス基板 やパッケージレベルでの、薄膜化による絶縁酸化膜の耐圧や 酸化膜の特性と平坦化による故障原因の解明に大きな役割 をはたします。
電圧電流の出力やモニターが可能なSMモジュールをチャン ネル毎に装備。SMモジュールは4 SMUで1ボードを、最大 9ボード収納できるユニット（36 SMU）を基本構成とし、
ウェーハレベルで最大 9セット（324 SMU）まで増設が行え ます。
TDDB（酸化膜経時破壊）
評価システム
SMU性能 ： 電圧±50V／電流±100mA DUT処理数 ： 最大108DUT（パッケージ）
最大324DUT（ウェーハ）
■ AMM
半導体素子は、ウェーハの大口径化、微細化、高集積化に伴 い、単体トランジスタの信頼性が求められています。
単体トランジスタ特性評価として、I-V特性、HCI、NBTIな どの継続変化を測定します。
デバイスの多数個一括同時処理が行えます。
半導体パラメトリック 評価システム
（写真はシステム例）
電圧／電流印加範囲 ： ±50V／±100mA
分解能 ： 1mVステップ／1pAステップ
電圧／電流測定範囲 ： ±50V／±100mA DUT処理数 ： 最大54DUT（パッケージ）
最大162DUT（ウェーハ）
■ AMM
半導体デバイス寿命は、この微細加工や新材料に依存するた め、より過酷な加速条件下でのエレクトロマイグレーション評 価が重要になっています。この寿命加速要因となる温度と電 流ストレスによる高精度な測定に、デバイス寿命を導くため に必要なパラメータを求める解析ソフトを搭載。
エレクトロマイグレーション 評価システム
ストレス電流源 ： 出力範囲 ＋DC0.1mA〜200mA オーブン温度制御範囲 ： ＋65〜＋400℃
オーブン温度分布 ： ±2.5℃（＋65〜＋350℃）
チャネル数 ： 最大240ch
■ AEM
32
スタティックバーンインシステム
THB評価システム
半導体デバイスやアセンブリされた電子機器に温度や種々の 電気的ストレスを加え、表面汚染や入力回路劣化のある半導 体デバイスの除去に効果を発揮します。スタティックバーンイ ン専用のA1シリーズから、クロックバーンインシステムへの 拡張性を備えたB1シリーズを用意しました。
車載用半導体など、過酷な条件下で高い信頼性を求められる LSIの信頼性確保のため、高温高湿バイアス試験（THB）の電 気化学的な信頼性試験を行う装置です。高精度な高温高湿 環境下においてデバイス許容発熱量は最大500Wまで対応 しており、さまざまな種類のデバイスに対応出来ます。
型式 対象試料 温度範囲
RBS-A1 IC、ディスクリート、
その他半導体デバイス全般、
各種電子部品、
電子ユニットおよび基板
Ｈタイプ ： ＋70〜＋150℃
Ｍタイプ ： ＋20〜＋150℃
Ｌタイプ ： −30〜＋150℃
Ｕタイプ ： −55〜＋150℃
RBS-B1
ATEとテスト内容を最適にシェアすることにより、テストコス トをトータルで削減できるなど、スケーラビリティーの高いバー ンインシステムです。数多くの実績から受け継いだユーザーイ ンターフェースは、各種メモリーとロジックに対して必要なテス トパターンを容易に作成でき、高い生産性をご提供します。
またパターンジェネレーター･ドライバー･チャンバーはそれぞ れモジュール化しており、信頼性試験からスクリーニングまで、
幅広く最適なテスト環境に対応します。
モニタードバーンインシステム
型式 対象試料 主な仕様
MBI メモリー、MPU、システムLSI
チャネル数 48ch
VIH ＋1.0〜＋15.0V PS1 ＋1.0〜＋10.0V／16A
フラッシュメモリーをはじめとする不揮発性メモリーの消去
／書き込みサイクル試験を大量かつ高速に行えます。評価試 験における通信速度は従来品の12,500倍、ブロック処理や バッドブロック処理においては6倍以上の高速化を実現し、
処理時間を大幅に短縮しました。用途にあわせて評価試験 タイプと量産試験タイプをご用意しています。
不揮発性メモリ評価システム
型式 ドライバ デバイス電源
RBM-LCT チャネル数 142ch VIH 1〜8V VIHH1〜4 1〜13V
PS1 0.8〜6.0V／ 10A PS2 1〜13V ／ 5A PS3 ±1〜15V／ 1A PS4 ±1〜15V／ 1A
温度／温湿度範囲 ： 50〜95℃／70〜95％rh（50〜85℃）
温湿度分布性能 ： ±2℃／±5％rh（無試料時）
C100 M60
C100 M80
C70 M20 C50
M70
C60 M90
C25 M30 C20 M85
Y20 C30 M100 Y30
C10 M30 C100
M60
C100 M80
C70 M20 C50 M00
Y100 C60 M15 Y100
C15 Y100 M80
Y10
M90
M40 C5 M90
Y90 C20 M100 Y100
M40 Y30 C30
M40 Y100
C40 M50 Y100
C5 M20 Y100
C80 Y40
C100 Y50
C40 Y20 C70
Y100
C90 Y100
C35 Y100 C80 M5
Y5 C100 M20 Y10
C50
植物工場 ・ 環境計測機器
33
植物工場 人工光型植物生産システム
出荷・作業室
栽培室 機械室
空調器
倉 庫
25m
6m
15m FLランプ（32W）
×3列 高輝度LED（赤色）
×2列 有機培地 栽培室 管理室
作業室
制御盤
更衣室 前 室
栽培・育苗ライン
エアコン
炭酸ガスボンベ
エアーシャワー
エアーシャワー
PH調整剤タンク 液肥タンク
栽培ベッド（W0..65m×7.2m×３段）
栽培照明（蛍光灯）
育苗ベッド
（W0..65m×6.2m×１段）
養液ポンプ 養液タンク
栽培ベッド 排水配管
栽培ベッド 供給配管
栽培室内部
栽培・育苗ライン お問い合わせは、エスペックミック株式会社（P.44）へ
断熱パネルの組み立て式で、植物の育成に必要な光･空気･温 度･水（養液）を人工的に制御し、一定時間での栽培を連続的 に行える生産システムです。生産量、設置条件などにより、屋 内施設型、コンテナ式などお選びいただけます。