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デバイス コンフィギュレーション

ドキュメント内 DS41364B_JP (ページ 127-133)

PIC16F193X/LF193X

PIC16F193X/LF193X

レジスタ 10-1: コンフィギュレーションワード 1

R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1

FCMEN IESO CLKOUTEN BOREN1 BOREN0 CPD CP

bit 13 bit 7

R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1

MCLRE PWRTE WDTE1 WDTE0 FOSC2 FOSC1 FOSC0

bit 6 bit 0

記号の説明:

R = 読み出し可 W = 書き込み可 U = 未実装ビット。「0」として読み出し

u = 不変 x = 不明 -n/n = POR および BOR 時の値/その他すべての

リセット時の値

1 = セット 0 = クリア

ビット 13 FCMEN: フェイルセーフ クロック モニタ イネーブル ビット

1 =フェイルセーフ クロック モニタは有効

0 =フェイルセーフ クロック モニタは無効

ビット 12 IESO: 内部/外部スイッチオーバ ビット 1 = 内部/外部スイッチオーバ モードが有効 0 = 内部/外部スイッチオーバ モードは無効 ビット 11 CLKOUTEN: クロック出力イネーブル ビット

1 = CLKOUT 機能は無効。I/O または RA6/CLKOUT のオシレータ機能 0 = CLKOUT 機能が RA6/CLKOUT で有効

ビット 10-9 BOREN<1:0>: ブラウンアウト リセット イネーブル ビット(1) 11 = BOR は有効

10 = BOR は、動作時に有効となりスリープ時は無効となる

01 = PCON レジスタの SBOREN ビットで BOR を制御 00 = BOR は無効

ビット 8 CPD: データ コード プロテクション ビット(2) 1 = データ メモリのコード プロテクションは無効

0 = データ メモリのコード プロテクションは有効

ビット 7 CP: コード プロテクション ビット(3)

1 = プログラム メモリのコード プロテクションは無効

0 = プログラム メモリのコード プロテクションは有効

ビット 6 MCLRE: RE3/MCLR/VPP ピン機能選択ビット LVP ビット = 1 の場合:

このビットは無視される LVP ビット = 0 の場合:

1 = RE3/MCLR/VPP ピンの機能は、MCLR。弱プルアップが有効

0 = RE3/MCLR/VPP ピンの機能はデジタル入力。MCLR は内部で無効。弱プルアップは WPUE3 ビットで制御 される

ビット 5 PWRTE: パワーアップ タイマ イネーブル ビット(1) 1 = PWRT は無効

0 = PWRT は有効

ビット 4-3 WDTE<1:0>: ウォッチドッグ タイマ イネーブル ビット 11 = WDT は有効

10 = WDT は、動作時に有効となり、スリープ時に無効となる 01 = WDT は、WDTCON レジスタの SWDTEN ビットで制御される 00 = WDT は無効

1: ブラウンアウト リセットを有効にしても、パワーアップ タイマは自動的には有効になりません。

2: 消去中にコード プロテクションをオフにすると、データ EEPROM 全体が消去されます。

3: コード プロテクションをオフにすると、プログラム メモリ全体が消去されます。

PIC16F193X/LF193X

ビット 2-0 FOSC<2:0>: オシレータ選択ビット

111 = ECH: 外部クロック、高電力モード: RA7/OSC1/CLKIN に CLKIN 110 = ECM: 外部クロック、中電力モード: RA7/OSC1/CLKIN に CLKIN 101 = ECL: 外部クロック、低電力モード: RA7/OSC1/CLKIN に CLKIN 100 = INTOSC オシレータ: RA7/OSC1/CLKIN に I/O 機能

011 = EXTRC オシレータ: RA7/OSC1/CLKIN に RC 機能

010 = HS オシレータ: RA6/OSC2/CLKOUT ピンおよび RA7/OSC1/CLKIN に高速水晶/振動子 001 = XT オシレータ: RA6/OSC2/CLKOUT ピンおよび RA7/OSC1/CLKIN に水晶/振動子 000 = LP オシレータ: RA6/OSC2/CLKOUT ピンおよび RA7/OSC1/CLKIN に低電力水晶/振動子

レジスタ 10-1: コンフィギュレーション ワード 1 (続き)

1: ブラウンアウト リセットを有効にしても、パワーアップ タイマは自動的には有効になりません。

2: 消去中にコード プロテクションをオフにすると、データ EEPROM 全体が消去されます。

3: コード プロテクションをオフにすると、プログラム メモリ全体が消去されます。

PIC16F193X/LF193X

レジスタ 10-2: コンフィギュレーションワード 2

R/P-1/1 R/P-1/1 U-1 R/P-1/1 R/P-1/1 R/P-1/1 U-1

LVP DEBUG BORV STVREN PLLEN

bit 13 bit 7

U-1 R/P-1/1 R/P-1/1 U-1 U-1 R/P-1/1 R/P-1/1

VCAPEN1 VCAPEN0 WRT1 WRT0

bit 6 bit 0

記号の説明:

R = 読み出し可 W = 書き込み可 U = 未実装ビット。「0」として読み出し

u = 不変 x = 不明 -n/n = POR および BOR 時の値/その他すべての

リセット時の値

1 = セット 0 = クリア

ビット 13 LVP: 低電圧プログラミング イネーブル ビット(1) 1 = 低電圧プログラミングが有効

0 = MCLR/VPP で高電圧を使用してプログラミング ビット 12 DEBUG: インサーキット デバッガ モード イネーブル

1 = インサーキット デバッガは無効。RB6/ICSPCLK および RB7/ICSPDAT は汎用 I/O ピン 0 = インサーキット デバッガは有効。RB6/ICSPCLK および RB7/ICSPDAT はデバッガ専用。

ビット 11 未実装:「1」として読み出し

ビット 10 BORV: ブラウンアウト リセット電圧選択ビット 1 = ブラウンアウト リセット電圧は 1.9V 0 = ブラウンアウト リセット電圧は 2.7V

ビット 9 STVREN: スタック オーバーフロー/アンダーフロー リセット イネーブル ビット 1 = スタックのオーバーフローまたはアンダーフローはリセットを発生する 0 = スタックのオーバーフローまたはアンダーフローはリセットを発生しない ビット 8 PLLEN: PLL イネーブル ビット

1 = 4xPLL は有効 0 = 4xPLL は無効

ビット 7-6 未実装:「1」として読み出し

ビット 5-4 VCAPEN<1:0>: 電圧レギュレータ キャパシタ イネーブル ビット(2) 00 = VCAP は RA0 で有効

01 = VCAP は RA5 で有効 10 = VCAP は RA6 で有効

11 = VCAP ピンにキャパシタはない ビット 3-2 未実装:「1」として読み出し

ビット 1-0 WRT<1:0>: フラッシュ メモリ セルフライト プロテクション ビット

4 kW のフラッシュ メモリ (PIC16F1933/PIC16LF1933 および PIC16F1934/PIC16LF1934 のみ):

11 = 書き込みプロテクションはオフ

10 = 000h - 1FFhは書き込み保護状態、200h - FFFhEECON制御によって変更可能 01 = 000h - 7FFhは書き込み保護状態、800h - FFFhEECON制御によって変更可能 00 = 000h - FFFhは書き込み保護状態、EECON制御によって変更可能なアドレスはなし 8 kW のフラッシュ メモリ (PIC16F1936/PIC16LF1936 および PIC16F1937/PIC16LF1937 のみ):

11 = 書き込みプロテクションはオフ

10 = 000h - 1FFhは書き込み保護状態、200h - 1FFFhEECON制御によって変更可能 01 = 000h - FFFhは書き込み保護状態、1000h - 1FFFhEECON制御によって変更可能 00 = 000h - 1FFFhは書き込み保護状態、EECON制御によって変更可能なアドレスはなし 16 kW のフラッシュ メモリ (PIC16F1938/PIC16LF1938 および PIC16F1939/PIC16LF1939 のみ):

11 = 書き込みプロテクションはオフ

10 = 000h - 1FFhは書き込み保護状態、200h - 3FFFhEECON制御によって変更可能 01 = 000h - 1FFFhは書き込み保護状態、2000h - 3FFFhEECON制御によって変更可能 00 = 000h - 3FFFhは書き込み保護状態、EECON制御によって変更可能なアドレスはなし

1: LVP を使用してプログラミング モードに入る場合、LVP ビットを「0」にプログラムできません。

2: PIC16LF193X では「11」として読み出されます。

PIC16F193X/LF193X

10.2 コード プロテクション

コード プロテクションは、コンフィギュレーション ワード 1 の CP ビットを使用して制御します。コー ドプロテクションが有効の場合、すべてのプログ ラムロケーション (0000h ~ 7FFFh) の読み出しは

「0」となり、その後のプログラム メモリ (0000h ~ 7FFFh) への書き込みは無効です。

データメモリは、メモリ内にあるコードプロテクト

ビット (CPD) を使用して保護されます。データコー

ド プロテクションが有効 (CPD =0) の場合、すべて のデータ メモリ ロケーションの読み出しは「0」と なり、その後のデータメモリへの書き込みは無効で す。プログラム実行中は、データメモリへのプログ ラミングおよび読み出し動作が可能です。

ユーザー ID ロケーションおよびコンフィギュレー ションワードは、プロテクション設定に関わらず プログラムおよび読み出し可能です。

10.3 ユーザー ID

ユーザーがチェックサムまたはその他のコード識別 番号を格納できる ID ロケーションとして、4 つのメ モリロケーション(8000h ~ 8003h) が指定されていま す。これらのロケーションは通常動作中にアクセス できませんが、プログラム/検証中には読み出しおよ び書き込みが可能です。MPLAB® IDE を使用する場

合は、ID ロケーションのうち LSB の 7 ビットのみレ

ポートされます。詳細は、『PIC16193X/PIC16LF193X Memory Programming Specification』(DS41360A) を参照 してください。

PIC16F193X/LF193X

ノート:

PIC16F193X/LF193X

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