車載インフォテインメント用電源 IC マルチ出力リニアレギュレータ

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015 1 Publication Order Number:

April 2016- Rev. 0 LV56851UVJP/D

LV56851UV

概要

LV56851UV は車載インフォテインメントシステムに最適な低消費電流 のマルチ出力レギュレータ IC です。LV56851UV はリニアレギュレータ 出力 5 系統、ハイサイドパワースイッチ 1 系統、I2C-bus 制御、ACC 検知回路、バッテリー電圧検知、また、過電流保護、過電圧保護、過 熱保護の各種保護機能を備えています。

機能

・低消費電流 60 A（typ, VDDのみ動作時)

・レギュレータ出力5系統

マイコン用：出力電圧3.3 V、出力最大電流300 mA システム用：出力電圧3.3/5 V、出力最大電流300 mA

オーディオ用：出力電圧5/8.5/9/12 V 、出力最大電流400 mA イルミネーション用：出力電圧8/9/10.5/12 V、出力最大電流300 mA CD用 ：出力電圧5/6/7/8 V、出力最大電流1500 mA

・VCC連動のハイサイドスイッチ1系統

AMP：最大出力電流500 mA、入出力間電位差0.75 V

・ACC減電検知回路

検知電圧2.7/3.2/3.6/4.2 V

・バッテリ電圧検知(BDET) : VCC2

低電圧検知(UVDET) 6.5/7.5(hys=0.5 V or 1.5 V)/8 V 過電圧検知(OVDET) 18 V

・ I2C-bus制御入力

VDDを除く5出力の独立ON/OFF制御、SYS/ILM/CD/AUDIO/ACC/UV電 圧設定

Read back 対 応 ： 出 力 電 圧 設 定 、 出 力 過 電 流 、 検 知 出 力 (ACC/UV/OVDET/OVP/TWARN)

・RESET回路

RESET電圧 2.8 V (typ, 0.85*VDD), N-MOS Open-Drain出力

・電源入力端子

VCC1：基準電圧、制御回路部電源、VDD出力

VCC2：オーディオ、イルミネーション、CD、AMP、SYS用電源入力

・過電流保護機能

・過電圧保護機能(OVP) VCC1,VCC2：Typ 21 V（VDD出力は除く）

・過熱保護機能 Typ 175℃、 過熱警告 Typ 140℃

・パッケージ HZIP15

・AEC-Q100(Grade 3) Qualified and PPAP capable

アプリケーション

・車載インフォテインメント

www.onsemi.jp

ORDERING INFORMATION Ordering Code:

LV56851UV-XH Package

HZIP15

(Pb-Free / Halogen Free) Shipping (Qty / packing)

720 / Tube HZIP15

車載インフォテインメント用電源 IC マルチ出力リニアレギュレータ

*^：I2Cバスはフィリップス社の商標です。

LV56851UV

ブロック図

AUDIO

VREF ACCIN

ACCDET VREF

VREG

VDD 3.3 V, 0.3 A

VREF 1.25 V 5.1 V

GND

TSD/

5/8.5/9/12 V, 0.4 A VCC2

SYS

3.3 V/5 V, 0.3 A

CD

5/6/7/8 V, 1.5 A

AMP

VCC2-0.75 V, 0.5 A CTRL

11

OVP OVP

OVP VDD SYS_EN

VREF

ILM_EN VREF

CD_EN VREF AUDIO_EN

VREF

AMP_EN

OVDET UVDET

BDET

9

3

5 4

1 13

15 14 8

7

2

6 ACC

VDD SCL

I²C-bus CTL SDA

TSD OVP

OVP→All Output OFF except VDD TSD→All Output OFF UV

OV 10

12

BDET VDD VDD

RESET VCC1

RSTB

FILT

VDD

- +

- +

- +

- +

- +

VDD

ILM

8/9/10.5/12 V, 0.3 A

LV56851UV

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■端子説明

端子番号 端子名 機能 等価回路

1 AMP AMP出力端子 VCC2-0.75 V

2 GND GND端子

3 ILM ILM出力端子 8 V～12 V

4 AUDIO AUDIO出力端子 5 V～12 V

5 CD CD出力端子

5 V～8 V

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VCC2

2 GND

1 7

VCC2

GND

180kΩ

1kΩ 7

4

2

20.9~60kΩ

VCC2

GND

180kΩ

1kΩ 7

5

2

33.3~60kΩ

VCC2

GND

180kΩ

1kΩ 7

3

2 20.9~33.4kΩ

LV56851UV

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端子番号 端子名 機能 等価回路

6 ACCIN ACC検出入力端子

7 VCC2 電源端子

8 VCC1 電源端子

9 SYS SYS出力端子 3.3 V/5 V

10 SCL I²Cクロック入力端子

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GND

6

2

90kΩ

36~78kΩ

VCC1 VCC2

GND

8

2 7

VCC2

GND

230/420kΩ

1kΩ 7

9

2

140kΩ

VDD

2 GND

10 11

1kΩ

8 VCC1

LV56851UV

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端子番号 端子名 機能 等価回路

11 VDD VDD出力端子 3.3 V

12 SDA I²Cデータ入力端子

13 RSTB

RESET端子

RESET時L出力 非RESET時OPEN

14 BDET BDET出力端子

15 ACCDET ACCDET出力端子

VDD

2 GND

11

13

100Ω 1kΩ

VDD

2 GND

11

12

100Ω 1kΩ

GND

100Ω

2 14

11 VDD

15

GND

11

VCC1

140kΩ230kΩ 8

2

LV56851UV

最大定格/Ta=25C(Note 1)

項目 記号 条件 定格値 Unit

最大電源電圧 Vcc max VCC1,VCC2 36 V

許容端子電圧

Vio max

SDA,SCL,ACCDET,BDET,RSTB,SYS,VDD ILM,AUDIO,CD

ACCIN, AMP

7 14 36

V 許容消費電力

Ta≦ 25C

Pd max ・IC単体

・Al放熱板(50×50×1.5 mm³)使用時

・無限大放熱時

1.3 5.3 26

W

尖頭電源電圧 Vcc peak VCC1/VCC2/ACCIN

下記サージ試験波形参照 50 V

動作周囲温度 Topr -40~+85 ℃

最大ジャンクション温度 Tjmax +150 C

保存周囲温度 Tstg -55 ～ +150 C

1.最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。これらの定格値を超えた場合は、デバイスの機能性を損ない、ダメ ージが生じたり、信頼性に影響を及ぼす危険性があります。

サージ試験印加波形(VCC1,VCC2,ACCIN)

・許容消費電力ディレーティングカーブ 50V

16V 10%

90%

100msec 5msec

(a) IC単体(HZIP15)

(b) Al 放熱板(50×50×1.5 mm³)使用時

・Al放熱板取付け条件

締付ﾄﾙｸ：

39 N

cm

LV56851UV

www.onsemi.jp 推奨動作範囲

/Ta=25

VCC1

項目 記号 条件 定格値 Unit

動作電圧範囲1 VCC op1 7～16 V

VCC2

項目 記号 条件 定格値 Unit

動作電圧範囲2 VCC op2 ILM出力10.5 V時 12.5～16 V

ILM出力8 V時 10～16 V

動作電圧範囲3 VCC op3 AUDIO出力8.5 V時 9.5～16 V 動作電圧範囲4 VCC op4 CD(8V)出力(Io=1.5 A) 10.5～16 V CD(8V)出力(Io=1.5 A) 10.5～16 V

動作電圧範囲5 VCC op5 AMP出力 7.5～16 V

動作電圧範囲6 VCC op6 SYS出力 7.5～16 V

2.推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険 性があります。

・定格と推奨動作範囲の関係

(*)

+

16 V

VCC1

ILM

VCC2

21 V

14V 12.5V

11V 10V

Vo=12 V Vo=10.5 V Vo=9 V Vo=8 V

7V

AUDIO 9.5V

7.5V

Vo=12 V Vo=9 V Vo=8.5 V Vo=5 V

13V 10V

CD(Io≦1 A) 8V 7.5V

Vo=8 V Vo=7 V Vo=6 V Vo=5 V

9V 10V

7.5V

AMP

Out-of-Rating

VDD

disabled(OVP)

recommended operation range

operating1

operating2(*)

drop out region 20.5 V

7.5V

SYS

Vo=3.3 V Vo=5 V

LV56851UV

電気的特性 特に指定がない場合、Ta=25℃(Note 4)

, VCC1=VCC2=14.4 V

項目 記号 条件 Ratings

Unit min typ max 消費電流 Icc VDD無負荷, ACCIN=0 V

I²C register Gr0/Gr1/Gr2=00h 60 100 A VDD (3.3 V)出力

出力電圧 Vo1 Io1=200 mA 3.13 3.3 3.47 V

出力電流 Io1 Vo1≧3.1 V 300 mA ﾗｲﾝﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLN1 7.5 V<VCC1<16 V,Io1=200 mA 30 90 mV ﾛｰﾄﾞﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLD1 1 mA＜Io1＜200 mA 70 150 mV ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧 VDROP1 Io1=200 mA 0.5 1.0 V ﾘｯﾌﾟﾙﾘｼﾞｪｸｼｮﾝ(Note 5) RREJ1 f=120 Hz,VCC1=0.5 Vpp

Io1=200 mA 40 50 dB

RESET

RESET電圧 Vrst0 VDD falling 2.7 2.8 2.94 V Vrst Vo1に対する比率、VDD falling 85 %

検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧 Vrshs Vo1に対する比率 1.6 %

検知出力遅延1 Td1 H to L, VDD=Vrst+0.4 V→Vrst-0.4 V 25 sec 検知出力遅延2 Td2 L to H, VDD=Vrst-0.4 V→Vrst+0.4 V 100 sec SYS (3.3 V/5 V)出力；SYS_EN=1

出力電圧1 Vo21 Io2=200 mA, SYS_V=0 3.13 3.3 3.47 V 出力電圧2 Vo22 Io2=200 mA, SYS_V=1 4.75 5.0 5.25 V 出力電流 Io2 Vo21≧3.1 V, Vo22≧4.7 V 300 mA ﾗｲﾝﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLN2 7.5 V＜VCC2＜16 V, Io2=200 mA 30 90 mV ﾛｰﾄﾞﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLD2 1 mA＜Io2＜200 mA 70 150 mV ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧 VDROP2 Io2=200 mA 0.4 0.8 V ﾘｯﾌﾟﾙﾘｼﾞｪｸｼｮﾝ(Note 5) RREJ2 f=120 Hz, VCC2=0.5 Vpp

Io2=200 mA 40 50 dB

ILM (8-12 V)出力；ILM_EN=1

出力電圧1 Vo31 Io3=200 mA, ILM_V[1:0]=00 7.6 8.0 8.4 V 出力電圧2 Vo32 Io3=200 mA, ILM_V[1:0]=01 8.55 9.0 9.45 V

出力電圧3 Vo33 Io3=200 mA, ILM_V[1:0]=10 9.97 10.5 11.03 V 出力電圧4 Vo34 Io3=200 mA, ILM_V[1:0]=11 11.4 12 12.6 V

出力電流 Io3 300 mA

ﾗｲﾝﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLN3 Vo+2 V＜Vcc2＜16 V, Io3=200 mA 30 90 mV ﾛｰﾄﾞﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLD3 1 mA＜Io3＜200 mA 70 150 mV ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧 VDROP3 Io3=200 mA 0.6 1.05 V ﾘｯﾌﾟﾙﾘｼﾞｪｸｼｮﾝ(Note 5) RREJ3 f=120 Hz ,Io3=200 mA 40 50 dB

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LV56851UV

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項目 記号 条件 Ratings Unit

CD出力（5-8 V）；CD_EN=1

出力電圧1 Vo41 Io4=1000 mA, CD_V[1:0]=00 4.75 5.0 5.25 V 出力電圧2 Vo42 Io4=1000 mA, CD_V[1:0]=01 5.7 6.0 6.3 V 出力電圧3 Vo43 Io4=1000 mA, CD_V[1:0]=10 6.65 7.0 7.35 V 出力電圧4 Vo44 Io4=1000 mA, CD_V[1:0]=11 7.6 8.0 8.4 V 出力電流 Io4 Vo41≧4.7 V, V44≧7.6 V 1500 mA ﾗｲﾝﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLN4 Vo+2 V＜Vcc2＜16 V, Io4=1000 mA 50 100 mV ﾛｰﾄﾞﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLD4 10 mA＜Io4＜1000 mA 100 200 mV ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧1 VDROP4 Io4=1000 mA 0.9 1.5 V ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧2 VDROP4’ Io4=500 mA 0.45 0.75 V ﾘｯﾌﾟﾙﾘｼﾞｪｸｼｮﾝ(Note 5) RREJ4 f=120 Hz ,Io4=1000 mA 40 50 dB AUDIO（5-12V）出力；AUDIO_EN=1

出力電圧1 Vo51 Io5=200 mA, AUD_V[1:0]=00 4.75 5.0 5.25 V 出力電圧2 Vo52 Io5=200 mA, AUD_V[1:0]=01 8.13 8.5 8.87 V 出力電圧3 Vo53 Io5=200 mA, AUD_V[1:0]=10 8.55 9.0 9.45 V 出力電圧4 Vo54 Io5=200 mA, AUD_V[1:0]=11 11.4 12 12.6 V

出力電流 Io5 400 mA

ﾗｲﾝﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLN5 Vo+1 V＜Vcc2＜16 V, Io5=200 mA 30 90 mV ﾛｰﾄﾞﾚｷﾞｭﾚｰｼｮﾝ ⊿VoLD5 1 mA＜Io5＜200 mA 70 150 mV ﾄﾞﾛｯﾌﾟｱｳﾄ電圧 VDROP5 Io5=200 mA 0.3 0.6 V ﾘｯﾌﾟﾙﾘｼﾞｪｸｼｮﾝ(Note 5) RREJ5 f=120 Hz, Io5=200 mA 40 50 dB AMP HS-SW；AMP_EN=1

出力電圧 Vo6 Io6=500 mA ^Vcc2 _-1.5 ^Vcc2 _-0.75 V

出力電流 Io6 Vo6≧Vcc2-1.5 V 500 mA

ACC減電検知：

ACC検知電圧1 Vacc1 ACC_V[1:0]=00, ACCIN falling 2.62 2.7 2.78 V ACC検知電圧2 Vacc2 ACC_V[1:0]=01, ACCIN falling 3.1 3.2 3.3 V ACC検知電圧3 Vacc3 ACC_V[1:0]=10, ACCIN falling 3.49 3.6 3.71 V ACC検知電圧4 Vacc4 ACC_V[1:0]=11, ACCIN falling 4.07 4.2 4.33 V ACC解除電圧1 Vaccr1 ACC_V[1:0]=00, ACCIN rising 2.81 2.9 2.99 V ACC解除電圧2 Vaccr2 ACC_V[1:0]=01, ACCIN rising 3.3 3.4 3.5 V ACC解除電圧3 Vaccr3 ACC_V[1:0]=10, ACCIN rising 3.68 3.8 3.92 V ACC解除電圧4 Vaccr4 ACC_V[1:0]=11, ACCIN rising 4.26 4.4 4.54 V

検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧 Vachs 0.2 V

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LV56851UV

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項目 記号 条件 Ratings Unit

CD出力（5-8 V）；CD_EN=1

UV検知電圧1 Vuv1 VCC2 falling, UVD_V[1:0]=00 6.3 6.5 6.7 V UV検知電圧2 Vuv2 VCC2 falling, UVD_V[1:0]=01 7.27 7.5 7.73 V UV検知電圧3 Vuv3 VCC2 falling, UVD_V[1:0]=10 7.27 7.5 7.73 V UV検知電圧4 Vuv4 VCC2 falling, UVD_V[1:0]=11 7.76 8.0 8.24 V UV解除電圧1 Vuvr1 VCC2 rising, UVD_V[1:0]=00 6.79 7.0 7.21 V UV解除電圧2 Vuvr2 VCC2 rising, UVD_V[1:0]=01 7.76 8.0 8.24 V UV解除電圧3 Vuvr3 VCC2 rising, UVD_V[1:0]=10 8.73 9.0 9.27 V UV解除電圧4 Vuvr4 VCC2 rising, UVD_V[1:0]=11 8.24 8.5 8.76 V 検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧1 Vuvhs1 UVD_V[1:0]=00 0.5 V 検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧2 Vuvhs2 UVD_V[1:0]=01 0.5 V 検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧3 Vuvhs3 UVD_V[1:0]=10 1.5 V 検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧4 Vuvhs4 UVD_V[1:0]=11 0.5 V 過電圧検知：OVDET

OV検知電圧 Vovd VCC2 rising 17 18 19 V

検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧 Vodhys 0.5 V

過電圧保護：OVP

OVP検知電圧 Vovp VCC1 or VCC2 rising, 出力停止 21 V

検知ﾋｽﾃﾘｼｽ電圧 Vovhys 0.5 V

CMOS出力：ACCDET,BDET

出力H電圧 VflgH Isource=1 mA ^VDD _-0.3 VDD V

出力L電圧 VflgL Isink=1 mA 0.3 0.4 V RSTB：

入力L電圧 Vilrs 内部回路RESET 0 0.4 V

入力H電圧 Vihrs 内部回路RESET解除 2.8 VDD VDD +0.3 V

出力L電圧 VrsbL Isink=1 mA 0.3 0.4 V I²C-bus I/F：SCL,SDA

入力L電圧 Vils 0 0.4 V

入力H電圧 Vihs 2.8 VDD VDD

+0.3 V SDA出力L電圧 Vols Isink=1 mA, ACK or data read 0.3 0.4 V

3.製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気 的特性で示している特性を得られない場合があります。

4.全ての仕様は Tj と Ta(=25℃)がほぼ等しい状態でのテストにより規定されている。接合部温度 Tj の上昇を極力抑えるため、パルス負荷によりテストを 行っている。

5. 設計保証

LV56851UV

www.onsemi.jp TYPICAL CHARACTERISTICS

30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80

-50 0 50 100

Icc (uA)

temp(deg.) Standby Current (Icc)

VCC=7V VCC=14.4V VCC=16V

0 100 200 300 400 500 600 700 800

0 5 10 15 20 25 30 35 40

Icc (uA)

VCC1,VCC2 (V) Standby Current (Icc)

-45°C 25°C 85°C 110°C

82 82.5 83 83.5 84 84.5 85 85.5 86 86.5 87

-50 0 50 100

Vrst (%)

temp(deg.) RESET Voltage

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

-50 0 50 100

Vrshs (%)

temp(deg.) RESET detection hysteresis

2.7 2.75 2.8 2.85 2.9 2.95

-50 0 50 100

Vreset(V)

temp(deg.) RESET Detection Voltage

19 21 23 25 27 29 31 33 35

-50 0 50 100

Td1 (us)

temp(deg.) RESET Detection Delay (Td1)

70 80 90 100 110 120 130 140

-50 0 50 100

Td2 (us)

temp(deg.) RESET Detection Delay (Td2)

LV56851UV

3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6

-50 0 50 100

Vacc2, Vaccr2 (V)

temp(deg.)

ACC Under Voltage Detection2, detection voltage

Vacc2 Vaccr2

7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9 8 8.1 8.2

-50 0 50 100

Vuv2, Vuvr2 (V)

temp(deg.)

Under Voltage Detection2, detection voltage

Vuv2 Vuvr2

17 17.2 17.4 17.6 17.8 18 18.2 18.4

-50 0 50 100

Vovd (V)

temp(deg.)

Over Voltage Detection, detection voltage

Vovd Vovd_r

19.5 20 20.5 21 21.5 22

-50 0 50 100

Vovp (V)

temp(deg.)

Over Voltage Protection, detection voltage

Vovp Vovp_r

3.2 3.22 3.24 3.26 3.28 3.3 3.32 3.34 3.36 3.38 3.4

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[VDD] Output voltage (Io=200mA)

VCC1=7V VCC1=14.4V VCC1=16V

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

-50 0 50 100

Vdrop (V)

temp(deg.)

[VDD] Dropout voltage (Io=200mA)

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Vo (V)

[VDD] Output current vs Output voltage (VCC1=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

30 40 50 60 70 80 90 100

(dB)

[VDD] Ripple Rejection vs frequency (Io=200mA, T=25°C)

VCC=7V VCC=14.4V VCC=16V

LV56851UV

www.onsemi.jp

3.2 3.22 3.24 3.26 3.28 3.3 3.32 3.34 3.36 3.38 3.4

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[SYS(3.3V)] Output voltage (Io=200mA)

VCC2=7.5V VCC2=14.4V VCC2=16V

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

-50 0 50 100

Vdrop (V)

temp(deg.)

[SYS(3.3V)] Dropout voltage (Io=200mA)

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

-50 0 50 100

Vdrop (V)

temp(deg.)

[ILM(8V)] Dropout voltage (Io=200mA)

7.8 7.85 7.9 7.95 8 8.05 8.1 8.15 8.2

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[ILM(8V)] Output voltage (Io=200mA)

VCC2=10V VCC2=14.4V VCC2=16V

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Vo (V)

Io (A)

[ILM(8V)] Output current vs Output voltage (VCC2=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

0 10 20 30 40 50 60 70 80

10 100 1000 10000 100000

(dB)

Frequency (Hz)

[ILM(8V)] Ripple Rejection vs frequency (Io=200mA, T=25°C)

VCC=10V VCC=14.4V VCC=16V 0

0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Vo (V)

Io (A)

[SYS(3.3V)] Output current vs Output voltage (VCC2=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

10 100 1000 10000 100000

(dB)

Frequency (Hz)

[SYS(3.3V)] Ripple Rejection vs frequency (Io=200mA, T=25°C)

VCC=7.5V VCC=14.4V VCC=16V

LV56851UV

7.8 7.85 7.9 7.95 8 8.05 8.1 8.15 8.2

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[CD(8V)] Output voltage (Io=1A)

VCC2=10V VCC2=14.4V VCC2=16V

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4

-50 0 50 100

Vdrop (V)

temp(deg.)

[CD(8V)] Dropout voltage (Io=1A)

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

0 0.5 1 1.5 2 2.5

Vo (V)

Io (A)

[CD(8V)] Output current vs Output voltage (VCC2=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

10 100 1000 10000 100000

(dB)

Frequency (Hz)

[CD(8V)] Ripple Rejection vs frequency (Io=1000mA, T=25°C)

VCC=10V VCC=14.4V VCC=16V

8.3 8.35 8.4 8.45 8.5 8.55 8.6 8.65 8.7

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[AUDIO(8.5V)] Output voltage (Io=200mA)

VCC2=9.5V VCC2=14.4V VCC2=16V

0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45

-50 0 50 100

Vdrop (V)

temp(deg.)

AUDIO Dropout Voltage (Io=200mA)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Vo (V)

[AUDIO(8.5V)] Output current vs Output voltage (VCC2=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

10 20 30 40 50 60 70 80

(dB)

[AUDIO] Ripple Rejection vs frequency (Io=200mA, T=25°C)

VCC=7.5V VCC=14.4V VCC=16V

LV56851UV

www.onsemi.jp

0 2 4 6 8 10 12 14 16

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Vo (V)

Io (A)

[AMP] Output current vs Output voltage (VCC2=14.4V)

-45°C 25°C 85°C 110°C

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

-50 0 50 100

Vo (V)

temp(deg.)

[AMP] Output drop voltage (Io=500mA)

VCC2=7.5V VCC2=14.4V VCC2=16V

LV56851UV

I

C

項目 記号 min typ max unit

SCLクロック周波数 fSCL 0 400 kHz

ホールド時間、｢START｣条件 tHD;STA 0.6 us

SCLクロックの”L”期間 tLOW 1.3 us

SCLクロックの”H”期間 tHIGH 0.6 us

データホールド時間 tHD;DAT 0 us

データセットアップ時間 tSU;DAT 0.1 us

SDA及びSCL信号の立上がり時間 tr 0.3 us

SDA及びSCL信号の立下がり時間 tf 0.3 us

｢STOP｣条件のセットアップ時間 tSU;STO 0.6 us

｢STOP｣条件｢START｣条件との間の バス・フリー時間

tBUF 1.3 us

バス・ラインの容量性負荷 Cb 400 pF

tBUF

SCL SDA

tLOW tf

tr

ST

tHD;STA

tHD;DA tHIGH tSU;DAT

tf

tr

SP ST tSU;ST

O

LV56851UV

www.onsemi.jp I²Cシリアルインターフェースフォーマット (MSB first)

本ICの制御はI²C-bus制御方式を採用しており、

SCL,SDAの2線により制御を行います。

通信プロトコルは、スタート条件・デバイスアド レス・サブアドレス・データ・ストップ条件とな ります。

各8bitの後にはACK bitが続き、受信側のデバイス がSDAラインをプルダウンします。

本ICはオートアドレスインクリメントに対応しま せん。(データの書き込みは1回の通信で1レジスタ のみとなります。)

Read mode時のプロトコルは、スタート条件・デバ イスアドレス・データ1・データ2・ストップ条件 となります。

(注)I²C-bus回路はVDD出力を電源として動作する ので、VDD電圧が正常でない条件下では通信が不能 になります。

・デバイスアドレス

S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0 R/W 0 0 0 1 0 0 0 1/0

・レジスタマップ

Write

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 init PM ILM_EN CD_EN AUDIO_EN SYS_EN AMP_EN 0 0 0 00000000 VCTL ILM_V1 ILM_V0 CD_V1 CD_V0 AUD_V1 AUD_V0 SYS_V 0 00000000

DET ACC_V1 ACC_V0 UVD_V1 UVD_V0 BDETMD 0 (Reserved) 00000000

Read

D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 init

VCTL ILM_V1 ILM_V0 CD_V1 CD_V0 AUD_V1 AUD_V0 SYS_V 0 00000000

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 init FLG ACCUV UV OV OVP TWARN OC 0 0 00000000

Write mode

SCL SDA

Start Condition

Device Address + R/W + ACK Data(address A) + ACK

Read mode

SCL SDA

Start Condition

Device Address + R/W + ACK Read data2 + ACK Stop Condition Read data1 + ACK

AK

R D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 AK D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 AK S3

S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0

Stop Condition Sub Address(A) + ACK

AK

W A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 AK D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 AK S6 S5 S4 S2 S1 S0

LV56851UV

Writeレジスタ説明

ADR bit Name init Description 00h 7 ILM_EN 0 ILM出力制御 1: ON 0: OFF

6 CD_EN 0 CD出力制御 1: ON 0: OFF 5 AUDIO_EN 0 AUDIO出力制御 1: ON 0: OFF 4 SYS_EN 0 SYS出力制御 1: ON 0: OFF 3 AMP_EN 0 AMP出力制御 1: ON 0: OFF

2 0

1 0

0 0

ADR bit Name init Description

01h [7:6] ILM_V[1:0] 00 ILM出力電圧制御(*) 11: 12 V 10: 10.5 V 01: 9 V 00: 8 V [5:4] CD_V[1:0] 00 CD出力電圧制御(*) 11: 8 V 10: 7 V 01: 6 V 0: 5 V [3:2] AUD_V[1:0] 00 AUDIO出力電圧制御(*) 11: 12 V 10: 9 V 01: 8.5 V 00: 5 V

1 SYS_V 0 SYS出力電圧制御(*) 1: 5 V 0: 3.3 V

0 0

* 出力電圧制御の設定は、対応する出力が"OFF"設定(xxx_EN=0)の時のみ有効です。"ON"設定(xxx_EN=1)の時は無視されま す。

ADR bit Name init Description

02h [7:6] ACC_V[1:0] 00 ACC検知電圧制御 11: 4.2 V 10: 3.6 V 01: 3.2 V 00: 2.7 V [5:4] UVD_V[1:0] 00 UVDET検知電圧制御

11: 8 V 10: 7.5 V(9 V) 01: 7.5 V(8 V) 00: 6.5 V 3 BDETMD 0 BDET出力モード 1: BDET/TWARN 0: BDET only

2 0

[1:0] (Reserved) 00 (TEST用) 通常動作時は"00"に設定すること。

Readレジスタ説明

ADR bit Name init Description

[15:14] ILM_V[1:0] 00 ILM出力電圧設定 11: 12 V 10: 10.5 V 01: 9 V 00: 8 V [13:12] CD_V[1:0] 00 CD出力電圧設定 11: 8 V 10: 7 V 01: 6 V 0: 5 V [11:10] AUD_V[1:0] 00 AUDIO出力電圧設定 11: 12 V 10: 9 V 01: 8.5 V 00: 5 V

9 SYS_V 0 SYS出力電圧設定 1: 5 V 0: 3.3 V

8 0

7 ACCUV 0 ACC減電検出 1: Under Voltage 0: Normal 6 UV 0 UV検出 1: Under Voltage 0: Normal 5 OV 0 OV検出 1: Over Voltage 0: Normal

4 OVP 0 OVP検出 1: Over Voltage Protection 0: Normal 3 TWARN 0 Thermal Warning 1: High temperature 0: Normal 2 OC 0 出力過電流 1: Over current 0: Normal

1 0

0 0

LV56851UV

www.onsemi.jp 動作説明・使用上の注意点

[スタンバイモード]

VCC1が入力されると内部制御回路がリセットされ、

スタンバイモードで起動します。

スタンバイモードでは以下の機能が有効です。

VDD(3.3 V)出力 I²C通信

過電圧保護(OVP)/UVDET/OVDET/ACC検知、BDET 出力

過熱保護(TSD)

[VCC1/VCC2]

VCC1は、VDD出力および基準電圧や内部制御回路 などの共通回路の電源入力であり、デバイスの動 作に必ず必要です。

VCC2はILM/CD/AUDIO/AMP/SYS出力用の電源入力 です。

LV56851UVはVCC1,2及びACCIN端子について50 V のサージ入力耐性を備えていますが、セットの安 全設計のために、バッテリーへ接続するラインに はサージを吸収するためのパワーツェナー等のク ランプ素子を追加することを推奨いたします。

LV56851UVはバッテリー逆接続に対する保護を備 えていませんので、デバイスに負電圧が印加され る恐れがある場合は対GND間にショットキーダイ オードを追加することを推奨いたします。

[コントロール]

LV56851UVの各機能はI²C-busで制御されます。詳 細は「I²Cシリアルインターフェースフォーマッ ト 」の項を参照してください。

[リニアレギュレータ]

VDD出力

VDD出力は制御の状態に関係なくVCC1が印加され ている限り常時アクティブです。

SYS/CD/AUDIO/ILM出力

各出力はI²C-busにより個別にON/OFFさせること ができます。

各出力は、出力電圧をI²C-busにより選択するこ とが可能です。出力電圧設定は必ず該当出力をイ ネーブルにする前に行って下さい。出力電圧設定 を変更する場合は一度出力をディセーブルにした 後に行ってください。レギュレータ出力が動作中 に電圧が切替わらないようにするため、出力電圧 設定は対応する出力が"OFF"設定(xxx_EN=0)の時 のみ有効となる論理になっています。"ON"設定 (xxx_EN=1)の時は無視されます。

出力電圧設定の状態はI²C-busのREAD（VCTLレジ スタ）により確認することができます。万一通信 エラー等が発生し誤ったコマンドデータを受信し た場合でも意図しない出力電圧にならないように するため、レギュレータ出力をイネーブルにする 直前にVCTLレジスタ をREAD し正しい電圧設定に なっているか確認することを推奨します。

各出力は過負荷状態になると出力電流制限を行 います。デバイスへかかるストレスを低減するた め、リミット電流値は出力電圧の低下に従って小 さくなります（フの字型電流制限)。

LV56851UVのレギュレータは全てPチャンネル LDMOS出力のLDOです。出力コンデンサを選択する 際は、出力電圧起動時間、過渡応答、安定性の3つ を主に考慮する必要があります。コンデンサの値 やタイプはコスト、サイズ、温度特性、調達性な どの制約があります。タンタル、アルミ電解、フ ィルム、セラミックコンデンサは全て使用可能で すが、ESRの制約には注意が必要です。アルミ電解 コンデンサは最も安価ですが、低温(-25～-40℃) にて容量値やESR値がかなり変動します。この特性 についてはコンデンサメーカーのデータシートを 参照してください。

[ハイサイドスイッチ]

AMPはVCC2連動のハイサイドスイッチです。各出力 はI²C-busにより個別にON/OFFさせることができ ます。

各出力は過負荷状態になると出力電流制限を行 います。デバイスへかかるストレスを低減するた め、出力電圧が2.5 V(typ)以下になるとリミット 電流値は小さい値にシフトします。

LV56851UV

これらの出力が誘導性の負荷もしくは異なる接地 電位を持つ負荷に接続される場合は、デバイスを 負電圧から保護するためにダイオード(D1-2)を追 加する必要があります。

[過電流制限]

レギュレータ出力(VDD/SYS/ILM/CD/AUDIO)および ハイサイドスイッチ出力(AMP)はフォールドバッ ク型電流制限回路を内蔵しており、出力の短絡か らデバイスを保護します。

各出力(VDD出力以外)のいずれかが過電流制限状 態になると、I²C-busのFLGレジスタOC bitが1にセ ットされます。

[検出回路]

RESET回路

VDD電圧が2.8 V(Vo1:3.3 V×0.85, typ)以下の状 態が検知遅延時間(Td1)以上継続すると、RSTBは Lowにプルダウンされます。RSTB=Lowの時は内部制 御回路がリセットされ、I²C-busの各レジスタは初 期化されます。VDD電圧が2.86 V(Vo1:3.3 V×0.866, typ)以上に復帰し検知遅延時間(Td2)以上継続す ると、RSTBはオープンとなり外部プルアップ抵抗 RrstによりHighレベルになると内部リセットは解 除されます。

長いRESET時間(>Td2)を設定したい場合は

RSTB-GND間に容量Crstを付加して下さい。Crstを 付加した場合のRESET時間はおよそ下記の式の通 りとなります。

VDD

RSTB Td2 Td1 Td2

Td1

Unstable Region Unstable Region

VDD GND

GND (<Td1)

Vrst Vrst+Vrsth

RSTB Timing Chart

(<Td2)

RESET delay time (typ)

= 0.68*Rrst*Crst + Td2 (sec)

RESET

Filter VDD

I²C CTRL

VDD Vrst

Reset RSTB

To MCU

(Optional) Rrst

Crst

Vrst : RESET voltage(typ:2.8 V)

LV56851UV

www.onsemi.jp 減電圧検知(UVDET)

VCC2電圧が設定値(UVD_V[1:0])以下になると減電 圧検知し、I²C-busのFLGレジスタUV bitが1にセッ トされます。また、UVDET検出時にBDET出力=Lowと なります。減電圧検知しても各出力は停止しませ ん。

過電圧検知(OVDET)

VCC2電圧が18V(typ)以上に達すると過電圧検知し、

I²C-busのFLGレジスタOV bitが1にセットされます。

また、OVDET検出時にBDET出力=Lowとなります。過 電圧検知しても各出力は停止しません。

ACC減電検知

ACCIN電圧が設定値(ACC_V[1:0])以下になると減 電圧検知し、I²C-busのFLGレジスタACCUV bitが1 にセットされます。また、ACC減電検出時にACCDET 出力=Lowとなります。ACC減電検知しても各出力は 停止しません。

過電圧保護(OVP)

VCC1またはVCC2が21 V(typ)以上に達するとOVP 検出し、I²C-busのFLGレジスタOVP bitが1にセッ トされます。また、VDD以外の全出力が自動的に停 止します。VCC1およびVCC2が20.5 V(typ)以下に復 帰するとOVP解除されます。但し、一度OVP検知す るとI²C-busのPMレジスタがリセットされるため、

OVP解除しても各出力は停止したままとなります (ラッチオフ)。

OVP検出時にはBDET出力=Lowとなります。

過熱保護(Thermal Shutdown)

デバイスを過熱から保護するため、ジャンクショ ン温度が約175℃(typ)を超えると制御の状態に関 係なく全出力を停止します。ジャンクション温度 が約145℃(typ)未満になると、VDD出力は自動復帰 しI²C-busによる制御が可能になります。 定格 (Tjmax=150℃)を超える領域での動作となるため、

本ICの過熱保護機能を利用した製品設計は行わな いで下さい。

過熱警告(Thermal Warning)

デバイス過熱の警告として、ジャンクション温度 が約140℃(typ)を超えるとI²C-busのFLGレジスタ TWARN bitが1にセットされます。ジャンクション 温度が約130℃(typ)未満になるとTWARNはリセッ トされます。TWARN検知しても各出力は停止しませ ん。

I2C-busのDETレジスタBDETMD bitを1に設定する と、TWARN検出時にBDET出力=Lowとなります。

BDET端子

BDET端子はI2C-busのDETレジスタBDETMD bit設定 により下記の動作となります。

各条件のいずれかに該当する時BDET=Lowとなり ます。

BDET=Lowとなる条件

Conditions 0 (default) 1 UV VCC2 < UVDET Threshold  

OV VCC2 > OVDET Threshold   TWARN Tj > 140^oC(typ) ignored 

LV56851UV

タイミングチャート

18 V

VCC1

SYS output

2.7 V 2.9 V

ILM_EN=1 CD_EN=1 AUDIO_EN=1 SYS_EN=1 AMP_EN=1 ILM_EN=0 CD_EN=0 AUDIO_EN=0 SYS_EN=0 AMP_EN=0

VDD 6.5 V 7 V

3.8 V

I²C inputs (SCL/SDA)

ACCIN

ACCDET VCC2

VDD output

ILM output

CD output

AUDIO output

Initial Settings

21 V 20.5 V 17.5 V

Output enable Settings

OVP detect OVP release Output enable Settings

VDD lost

BDET VDD RSTB VDD

2.86 V 2.8 V

AMP output

2.8 V

Initial Settings

LV56851UV

www.onsemi.jp 応用回路例

周辺部品表

部品名 説明 推奨値 備考

C1 AMP出力安定用容量 2.2 F以上

C2,C3,C4,C9,C10 出力安定用容量 10 F以上(*) C6,C8 電源バイパス用容量 C6: 100 F以上

C8: 47 F以上

VCC,GNDピン近くに配置し て下さい

C5,C7 発振防止用容量 0.22 F以上 D1,D2 内部素子保護用ダイオード ON semiconductor

SB1003M3 D3 逆流防止用ダイオード ON semiconductor

SB1003M3

R1,R2 ACC電圧分圧抵抗 R1>R2

R3 プルアップ抵抗 100 k

(*) 出力コンデンサは、電圧/温度変動および個体差を含めて、容量値10 F以上かつESR=0.001〜10  を満たすこと。また、電 解コンデンサは高周波特性の良いものを使用すること。

ILM ACCIN

CD SDA SCL

VCC2 VCC1

GND VDD RSTBSYS

1 2

3 4

5 6

7 8

9 10

11 12

13 14

15

LV56851UV

AUDIO BDET

AMP

AMP D2

D1

SCL SDA

ILM AUDIO CD VDD

+B

SYS

C10 BDET

ACC

C9 C1

C6 C5

C2 C3 C4

D3

RSTB

ACCDET

ACCDET

R1

R2

C8 C7 R3

LV56851UV

HZIP15 放熱板の取付けについて

半導体デバイスの発熱を外部へ放熱し、接合部温 度を下げる目的で放熱板を使用しますが、その放 熱板を取付ける際の注意点を示します。

a．指定のないものについては、ヒートシンクには んだ付けしないこと

b．放熱板の取付けについて

・平ねじを使用

・ワッシャを併用（パッケージの保護）

・締付けトルクは39～59 N・cm（4～6 kg・cm）

の範囲内

・タッピングねじを使用する場合は半導体デバ イス取付け部の穴径より太いものを使用しな い

・放熱板と半導体デバイスのタブやヒートシン クの間に、隙間を作らない。

バイヤホールの位置に注意する クズ、ゴミ等をはさまない

・放熱板はプレス・バリやねじ穴のバリがない ことを確認する

・放熱板および基板の反りは凸および凹ともに ねじ穴間隔で0.05 mm以下

・ねじれについては最大0.05 mm以下

・放熱板と半導体デバイスは平行に取り付ける

電動ドライバーまたはエアードライバーを使用 する際

・回転数の目安：max 700 rpm～typ 400 rpm

c

・放熱板取付け時はシリコングリスを使用し、均 一に塗布する

・弊社推奨シリコングリス：YG-6260

（ﾓﾒﾝﾃｨﾌﾞ・ﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ・ﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ・ｼﾞｬﾊﾟﾝ合同 会社製）

d．基板実装時の注意事項

・半導体デバイスは、放熱板を取付けた後、プリ ント基板に実装する

・プリント基板に実装後、放熱板を取付ける場合 は、ネジ締め時に半導体デバイス、外部端子に 無理な機械的ストレスが掛からないように実

装に合った設計をする

e．固定金具等を使用して放熱板へ半導体デバイスを

・固定金具や位置決めダボ等への乗り上げが無い こと

・固定金具は半導体デバイスに無理な機械的スト レスが掛からないような設計

f

・放熱板の面取り・ダレは使用するねじ頭径より 大きくしない

隙間 放熱板

ﾊﾞｲﾔﾎｰﾙ

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・タッピングねじ止めの場合は、放熱板の穴径 は小さすぎない様にする

（ビス径に対し-15 %程度の穴径が望ましい）

g．半導体デバイスをスプリングバンドを使用して

LV56851UV

外形図

unit:mm

HZIP15 CASE 945AB

ISSUE A

SOLDERING FOOTPRINT*

NOTE: The measurements are not to guarantee but for reference only.

Through Hole Area Package name

HZIP15 (Unit: mm)

1.2

2.54

2.54

2.54 (1.91)

2.54

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ON Semiconductor及びONのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 若しくはその子会社の米国及び/または他の国における登録商標です。SCILLCは特許、商 標、著作権、トレードシークレット(営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。SCILLCの製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧い ただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. SCILLCは通告なしで、本書記載の製品の変更を行うことがあります。SCILLCは、いかなる特定の目 的 での製品の適合性について保証しておらず、また、お客様の製品において回路の応用や使用から生じた責任、特に、直接的、間接的、偶発的な損害に対して、いかなる 責任も負うことはできません。SCILLCデータシートや仕様書に示される可能性のある「標準的」パラメータは、アプリケーションによっては異なることもあり、

実際の性能も時間の経過により変化する可能性があります。「標準的」パラメータを含むすべての動作パラメータは、ご使用になるアプリケーションに応じて、お客様 の専門技術者において十分検証されるようお願い致します。SCILLCは、その特許権やその他の権利の下、いかなるライセンスも許諾しません。SCILLC製品は、人体への 外科的移植を目的とするシステムへの使用、生命維持を目的としたアプリケーション、また、SCILLC製品の不具合による死傷等の事故が起こり得るようなアプ リケーションなどへの使用を意図した設計はされておらず、また、これらを使用対象としておりません。お客様が、このような意図されたものではない、許可されてい ないアプリケーション用にSCILLC製品を購入または使用した場合、たとえ、SCILLCがその部品の設計または製造に関して過失があったと主張されたとしても、そのよう な意図せぬ使用、また未許可の使用に関連した死傷等から、直接、又は間接的に生じるすべてのクレーム、費用、損害、経費、および弁護士料などを、お客様の責任に おいて補償をお願いいたします。また、SCILLCとその役員、従業員、子会社、関連会社、代理店に対して、いかなる損害も与えないものとします。

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(参考訳)