シート / Datasheet FF1800R17IP5

FF1800R17IP5

PrimePACK™3+モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT5andエミッターコントロール5diode内蔵and

NTCサーミスタ

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC

V

CES

= 1700V

I

C nom

= 1800A / I

CRM

= 3600A

一般応用

TypicalApplications

•

ハイパワーコンバータ

•

Highpowerconverters

•

モーター駆動

•

Motordrives

•

電鉄駆動

•

Tractiondrives

•

風力タービン

•

Windturbines

電気的特性

ElectricalFeatures

•

拡張された動作温度T

vjop

•

ExtendedoperatingtemperatureT

vjop

•

高い電流密度

•

Highcurrentdensity

•

低スイッチング損失

•

Lowswitchinglosses

•

低V

CEsat

飽和電圧

•

LowV

CEsat

•

T

vjop

=175°C

•

T

vjop

=175°C

機械的特性

MechanicalFeatures

•

CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ PackagewithCTI>400

•

•

長い縁面/空間距離

•

Highcreepageandclearancedistances

•

高いパワー/サーマルサイクル耐量

•

Highpowerandthermalcyclingcapability

•

高いパワー密度

•

Highpowerdensity

ModuleLabelCode

FF1800R17IP5

IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V 連続DCコレクタ電流

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 85°C, Tvj max = 175°C IC nom  1800  A

繰り返しピークコレクタ電流

Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  3600  A

ゲート・エミッタ間ピーク電圧

Gate-emitterpeakvoltage VGES  +/-20  V

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 1800 A, V = 1800 A, VGEGE = 15 V = 15 V IC = 1800 A, VGE = 15 V VCE sat 1,75 2,10 2,30 2,20 2,65 2,90 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧

Gatethresholdvoltage IC = 64,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,35 5,80 6,25 V

ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 9,00 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,8 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,20 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 1800 A, VGE = ±15 V CE = 900 V RGon = 0,56 Ω td on 0,31_0,33 0,34 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IVC = 1800 A, VGE = ±15 V CE = 900 V RGon = 0,56 Ω tr 0,17_0,18 0,19 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 1800 A, VGE = ±15 V CE = 900 V RGoff = 0,68 Ω td off 0,71_0,80 0,85 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IVC = 1800 A, VGE = ±15 V CE = 900 V RGoff = 0,68 Ω tf 0,14 0,18 0,21 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ターンオンスイッチング損失

Turn-onenergylossperpulse IVC = 1800 A, VGE = ±15 V, di/dt = 9100 A/µs (TCE = 900 V, LS = 30 nHvj = 175°C)

RGon = 0,56 Ω Eon 405 600 725 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 1800 A, VGE = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (TCE = 900 V, LS = 30 nHvj = 175°C) RGoff = 0,68 Ω Eoff 485 680 780 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 短絡電流

SCdata VVGECEmax≤ 15 V, V = VCES -LCC = 1000 VsCE ·di/dt tP≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 7200 A

ジャンクション・ケース間熱抵抗

Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 16,5 K/kW

ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 14,0 K/kW

動作温度

FF1800R17IP5

Diode、インバータ/Diode,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1700  V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent IF  1800  A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM  3600  A 電流二乗時間積 I²t-value VVRR = 0 V, t = 0 V, tPP = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 125°C = 175°C I²t  730 650  kA²skA²s 最大損失 Maximumpowerdissipation Tvj = 175°C PRQM  1800  kW

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

順電圧 Forwardvoltage IIFF = 1800 A, V = 1800 A, VGEGE = 0 V = 0 V IF = 1800 A, VGE = 0 V VF 1,75 1,70 1,70 2,10 2,05 2,05 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 1800 A, - diR = 900 V F/dt = 9100 A/µs (Tvj=175°C) VGE = -15 V IRM 1350 1600 1800 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 1800 A, - diR = 900 V F/dt = 9100 A/µs (Tvj=175°C) VGE = -15 V Qr 315 620 810 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IVF = 1800 A, - diR = 900 V F/dt = 9100 A/µs (Tvj=175°C) VGE = -15 V Erec 160 365 480 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 33,0 K/kW ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 17,0 K/kW

動作温度

Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

定格抵抗値 Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ R100の偏差 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 % 損失 Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

FF1800R17IP5

モジュール/Module

絶縁耐圧

Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV

ベースプレート材質

Materialofmodulebaseplate  Cu 

沿面距離

Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal  33,033,0  mm 空間距離

Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal  19,019,0  mm 相対トラッキング指数

Comperativetrackingindex CTI  > 400 

min. typ. max. 内部インダクタンス

Strayinductancemodule LsCE 10 nH

パワーターミナル・チップ間抵抗

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 0,10 mΩ

保存温度 Storagetemperature Tstg -40 150 °C 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 1,8 8,0 -2,1 10 Nm Nm 質量 Weight G 1400 g

Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur TBPmax = 150°C

FF1800R17IP5

出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 175°C 出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 伝達特性IGBT-　インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V I C [A] 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 175°C スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=0.56Ω,RGoff=0.68Ω,VCE=900V E [mJ] 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 175°C

FF1800R17IP5

スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1800A,VCE=900V RG [Ω] E [mJ] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 175°C 過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 ZthJC : IGBT i: ri[K/kW]: τi[s]: 1 3,15 0,0222 2 6,26 0,0521 3 6,26 0,0521 4 0,836 1,07 逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.68Ω,Tvj=175°C VCE [V] I C [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 175°C

FF1800R17IP5

スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.56Ω,VCE=900V IF [A] E [mJ] 0 600 1200 1800 2400 3000 3600 0 100 200 300 400 500 600 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 175°C スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1800A,VCE=900V RG [Ω] E [mJ] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 175°C 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) Z thJC [K/kW] 10 100 ZthJC : Diode 安全動作領域Diode、インバータ(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C I R [A] 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 IR, Modul

FF1800R17IP5

NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[ Ω ] 0 25 50 75 100 125 150 100 1000 10000 100000 Rtyp

FF1800R17IP5

回路図/Circuitdiagram

パッケージ概要/Packageoutlines

1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6 7 7 8 8 A A B B C C D D E E F F A2

Revision nderungen Datum Name Bearb. Norm Datum Name 16.03.2015 17.06.2015 EU\froebusd EU\noellem Mat.-Nr.: Ma stab: Werkstoff:

Ersatz f r: Ersetzt durch:

Oberfl che: Kanten: Modell: Revision: 1 : 1 D00046423_00 ISO 2768 - mK EN ISO 1302 Korrektur Korrektur 02 Benennung: Modul Dokumentstatus: Serienfreigabe Datenblattskizze PP3+ D00062172 ISO 13715

Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG , auch f r den Fall von Schutzrechtanmeldungen.

Zul. Abweichung: 01 02 26.08.2015 21.10.2015 R M R M A00062169 36002 base Blatt-Nr.: 1 Gepr. DE 2.0 14 25 39 64 78 117 195 234 6 24 58 76 113 150 187 224 3 7 ₃9 8 9 0 ,5 2501 92 103 0,8 A B C 8x 0,8 A B C 8x 360,2 (2x) 80,1 (8x) 180,2 (4x)

recommended design height lower side bus bar to baseplate

recommended design height lower side PCB to baseplate screwing depth max. 16mm (8x) A screwing depth max. 8mm (8x) 5,5- 0,2 (14x) 0,5 A B C 14x 10 ( 6 x ) M8 (8x) M4 (8x) ( 5,5) B 7 3 ( 5,5) C 156 3 ,8 ( 8 x ) 11 ,8 0 ,3 ( 8 x ) 2 3 ,6 0 ,3 7,5 +0,5 38,250,25 2 max. 3 max. 260,25 2 0 ,6 0 ,3 2 5 ,1 0 ,3 ( 2 x ) 2 2 ,1 0 ,3 ( 2 x )

TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™   TrademarksupdatedNovember2015   OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-03-31 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:[email protected]   重要事項 本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記 された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ び責任を否定いたします。 さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文 書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。 本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途 に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。 本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください （www.infineon.com）。 警告事項 技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま でお問い合わせください。 インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない こと予めご了承ください    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof