希土類元素添加カルコゲナイドガラスの基礎物性

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Title

希土類元素添加カルコゲナイドガラスの基礎物性( はしがき

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Author(s)

嶋川, 晃一

Report No.

平成9年度-平成10年度年度科学研究費補助金 (基盤研究

_{(C)(2) 課題番号09650352) 研究成果報告書}

Issue Date

1998

Type

研究報告書

Version

URL

http://hdl.handle.net/20.500.12099/357

※この資料の著作権は、各資料の著者・学協会・出版社等に帰属します。

(2)

K･Shimakawa,N･1ゐshida,and _{A.Gaqioo,"Current} topICS _Of _photoinduced

metastabilitiesinamorphoussemiconductors"(Invitedreviewpaper),WbrldScienti負c 1999(印刷中)

M.Senda,N.Ybshida,andK.Shimakawa,"Kineticsofphotoinduceddefectcreationin

amorphous semiconductors:analogyto aloglStlC equationin a biologicalsystem",

PhilosophicalMagazineLetters1999(印刷中) A.Gadoo,K.Shimakawa,N.1bshida,T.Ohno,A.Kolobov;and YIkeda, "PhotoinducedchangesofactransportinAs2Se3丘1ms:Roleofdefectsandbandtails", PhysicalReviewB1999(印刷中)

1.研究の目的と背景

希土類元素を添加したガラスは1550nm帯に強い発光を示す｡特にカルコゲナイドガラスは酸化物を母材にするのに比較して(i)フォノンエネルギーが低い､(ii)屈折率が大きい､(iii)近赤外光(1550nm)の吸収が小さい､(iv)加工が容易なことから､ファイバー増幅器やファイバーレーザとして大きな潜在力をもつと思われる｡カルコゲナイドガラスを母材とする場合のもうひとつの大きな特徴は希土類元素を直接励起しなくても1550nm(光ファイバ領域)の発光が観察されることである｡本研究の主題は1)カルコゲン材料からエネルギーがどのように伝達されるのか､2)非囁射エネルギーがどのようにかかわるか､この2点を明らかにするのが目的である｡デバイスとしての将来を考えて､まず"薄膜"の希土類添加カルコゲナイドガラスの作製を目指すことにした(世界ではまだ報告例がない)｡非幅射エネルギーは発光ではないので､直接観察するのは困難である｡そのため非輯射エネルギーを一種の"雑音"としてとらえようとする新しい試み

から出発する｡そのための雑音測定システムを構築し､発光､非発光の関連を

つかむこととした｡