ナノスケール軟X線分光系の開発と電子線励起状態研究への応用

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ナノスケール軟X線分光系の開発と

電子線励起状態研究への応用

(研究課僅番号12440079)

/

′/ 平成12-14年度科学研究費補助金(基盤研究(B; (2))研究成果報告暮 ← Ei

平成15年3月

研究代表者 寺内正己

(東北大学多元物質科学研究所 教授)

/  ′

目次

1.はしがき

2.研究組織

早:研究経費

4.研究成果

4. 1 概略

4. 2 研究成果リスト

A.出版物/B.学会発表等

4. 3 関連研究成果リスト

A.出版物/B.学会発表等

5.参考文献

ll

′

1.はしがき

近年､ Mn酸化物系物質の光誘起相転移に伴う巨大磁気抵抗効果に代表され

るように､励起状態の新物性に注目が集まっており､新機能性材料の開発が期

待されている｡一方､近年の先端機能材料のナノスケール化に伴い､界面やナ

ノドットなどの小さくかつ特定の領域の物性評価(電子状態測定)が大きな社

会的要請となっていることは衆知の事実である｡すなわち､ナノスケール領域

の励起状態研究は新物性の発現･新機能性材料開発のフロンティアともいえる｡

われわれは､局所領域を特定しその``ナノ領域の電子状態測定''を可能に

する手法として電子顕微鏡法に立脚した電子エネルギー損失分光法(EELS)に

注目し､世界に先駆けて超高分解能EELS電子顕微鏡の開発を行ってきた｡現在､

世界最高のエネルギー分解能12meVを有する｡この装置を用い､フラレンやナ

ノチューブの電子状態解析を世界に先駆けて行ってきた｡そして､立方晶BNを

用いた実験では､ EELS内殻電子励起スペクトル(基底状態からの遷移)が､従

来､等価であると言われている軟Ⅹ線発光スペクトル(励起状態からの遷移)

と異なることを見出した｡

EELS電子顕微鏡にⅩ発光スペクトル測定装置を組み合わせれば､ナノスケ

ール領域の基底状態と励起状態を一つの装置で測定可能となる｡これは､新し

い励起相転移現象を発見･解明する上で必要不可欠な測定手法である0

本研究においては､不等間隔回折格子を用いたコンパクト･高分解能なⅩ

線分光器を製作して透過型電子顕微鏡に装着し､特定した微小領域から軟Ⅹ線

発光スペクトルの測定が可能な分光システムの開発を行った｡この研究は､ナ

ノスペクトロスコピーの基礎研究の発展のみならず､新素材の開発･応用にお

ける日本の国際競争力の強化に不可欠である｡さらに､開発した軟Ⅹ線発光分

光装置とこれまで開発してきた高分解能EELS電子顕微鏡を用い､ h, C,W-BNの価

電子帯及び伝導帯状態密度分布の測定を行い､ BN結合状態の差に起因する状態

密度分布の違いの研究をおこなった｡

本研究の特色は､これまでの基底状態からの遷移スペクトルだけではなく､

励起状態の電子系の情報をもつⅩ線発光スペクトルをもナノスケール領域から

測定できるようにするという点にある｡このため､電子顕微鏡本体の高い空間

分解能を損なわないために､従来のローランド円と凹面回折格子を用いた大掛

かりな光学系ではなく､最近開発された不等間隔回折格子を用いたコンパクト

な光学系を採用する点に大きな特徴がある｡このようなナノメータ領域の電子

状態解析を目的としたコンパクトな電子顕微鏡用高分解能軟Ⅹ線発光分光装置

Ill

の開発･応用は世界に例がなく､われわれが世界に先駆けて行い成功した｡こ

の先駆的な研究に対し､本研究を行った平成12-14年度の期間に8回の招待講

演(国際会議:4回､国内会議:/4回)を行った｡

2.研究組織

研究代表者:寺内正己(東北大学多元物質科学研究所 教授)

研究分担者:津田健治(東北大学多元物質科学研究所 助教授)

研究分担者:斉藤 晃(東北大学多元物質科学研究所 助手)

3.研究経費

平成12年度

平成13年度

平成14年度

円 円 円 千千千 0 0 0 0 0 0 6 3 9 8 3 2 計 14, 800 千円 lV

4.研究成果

4. 1 概略

フェルミ準位近傍の電子構造は固体の物性研究において重要なテーマであ

る｡これを調べるための一手法として､内殻正孔が緩和する際に放射される軟Ⅹ

線を分光して価電子帯DOSを反映したスペクトルを得る軟Ⅹ線発光分光法があ

る｡この手法において内殻電子の励起源として電子線を用いた場合､電子顕微

鏡と組合わせることで局所領域の電子状態を測定することが可能となる｡これ

まで開発してきた高分解能EELS電子顕微鏡とによる伝導帯DOSや誘電関数測定

法を組合わせて局所領域の電子構造の総合的な解析を可能にするためには､高

性能の電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光装置を開発する必要がある｡

軟Ⅹ線分光器は汎用の透過型電子顕微鏡JEM2000FXに装着した｡実験の際

には､電子線が入射した試料から放出される軟Ⅹ線をチャンバー内の回折格子

で分光し､結像位置に設置したCCDカメラで検出する(図1)0

本研究では､検出効率を向上させるため､高解像度､大面積､かつ低バッ

CCD 可素:13. 5pn)× 13. 5pJn チャンネル数:2048 ×2048 温度;-130℃ 図1 JBM2000FX 戸口 団 回折格子×3 { LA 髭r G PC L ﾆ ﾉ^9W 折格子 鹿洞野機構

クグラウンドなCCD検出器を採用した｡さらに光学系を改良し､回折格子の交

換機構と角度調節機構を組み込んだ｡これによって分光可能な軟Ⅹ線の波長範

囲を広げ(60eV∼1200eV) ､回折光がCCDに入射する際の角度のずれも補正でき

るようになった｡分光器チャンバーの真空度を維持するために､電子顕微鏡と

は独立な排気系を用意した｡

この装置を用いることで､六方晶BNを測定した場合には､電子ビームの電

流量は10nA､プローブ径300mmでスペクトル測定ができるようになった｡ Ⅴ

W-BNは大型単結晶の作製が困難であり､これまで価電子帯DOSの測定は報

告されていない｡まず､電子顕微鏡を用いて粉末試料の中から単結晶領域を特

定し､今回開発した分光器を用いてB K発光スペクトルを測定した｡そのスペ

クトルと､同様にして測定したh-BNやC-BNのスペクトルを図2に示す｡ l 2.5 2 1.5 1 0.5 1 図2      ′ヽ

一ぺJ毒N

∫ _⊥ノノ ⊥.'････qim 1 70    175    1 80    1 85    190 三つのスペクトルはすべて184eV付近のメインピークと172eV付近のサブ

ピークからなる｡スペクトルの右端の三角で示した所は価電子帯の上端に対応

する｡矢印でしめしたピークはB-Nのけ結合に由来した状態密度のピークと同定

できる｡ C-BNに比べ､ h-BNではこのピークが左側(低エネルギー側) -約1eV ずれていることが分かる｡これは､ h-BNのG結合距離(0. 144mm)がC-BNのG結

合距離(0.157mm)よりも短いことに起因すると考えられる｡この結果は､理論

計算の結果と一致している｡ 図3にC-BNとⅤ-BNのスペクトルを重ねて示した｡ 183eV付近のB点では､ BA 1 0.$ 0.6 0.4 0.2 図3 1 70   175   1 80   1 85   190 C-BNに比べてW-BNのピークが弱くなっている｡また､ 180eV付近ではどちらの Vl

ノ′ スペクトルも肩状の構造を持つが､ C-BNに比べてW-BNのCのピークは高エネル

ギー側にずれている｡ C-BNスペクトルのBとDの構造は､バンド計算によれば

Ⅹ点付近([100]方向)の電子状態密度に対応していると.#告されている. cIBNと

W-BNの結晶構造は閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型である｡したがって､この二つの構

造の(立方晶で考えて) [100]方向の周期性の違いがスペクトルの差としてあら

われていると考えられる｡

本研究では電子顕微鏡用軟‡線分光器の改良を行い､BN-の応用を行った｡

開発した軟Ⅹ線分光電子顕微鏡を用い､世界で初めて､電子顕微鏡による特定

--したナノスケール領域からの価電子帯状態密度分布測定を可能にした｡空間分

解能は300nm､ B K発光スペクトルの一次光(180eV前後)で見積もったエネルギ ー分解能は0. 36eVが得られたoまた､ W-BN単結晶の微少領域から初めて軟Ⅹ線 発光スペクトルを測定し､ h-BN, C-BNとの価電子帯状態密度分布の違いを明らか

にすることができた｡

本装置を用い､大きな良質の結晶が得られないフラレンやナノチューブ､

準結晶､ボロン化合物等の価電子帯の測定をおこない､これまで得てきた高分

解能EELS装置による伝導帯の測定や誘電関数の測定と合わせて総合的な電子

状態の解明に応用して行きたい｡また､装置のエネルギー分解能･ S爪l ･立体角

をさらに改善する必要がある｡それには､強度の弱い高次回折光の利用､画素

の小さな大面積の液体窒素冷却型ccD検出器の採用､オリジナル回折格子のデ

ザインによる立体角の向上等が必要である｡それにより､空間分解能1-2mm､エ

ネルギー分解能0.2eVの実現を目指す必要がある｡ Vu

4. 2 研究成果リスト

A.出版物

1. Production of2;ig芝ag･tyPe BN nanotubeS and BN cones bythermalannealing

M.Terauchi, M.Tanakn, a.Suzuki, A.Ogino and K.Kimura

chemiCalPhysicsLetters, vol.324(5/6), 359･364 (2000)

2. IIighenergy･resolution electron energy-loss Spectroscopy based on electronmicroSCOPy

M.Terauchi 8nd M.Tanak8

Inst. Phys. Conf. Ser. No.165, 211･212 (2000)

3. Development of a Sub･eV resolution 80氏･Ⅹ･ray spectrometerfor a transmission electron

microSCOpe

M.Terauchi, H.Yananotoand M.Tanakn

＼ Jou-alofElectron Microscopy, vol･50(2), 101･104 (2001)･

4. HighEnergy-Resolution EELS Study of the Electromic Structure of Boron Nitride Cones

M.Terauchi. M.Kawana, M.Tanakn, K.Suzuki, A.0gino and X.Kimura

NmoDet耶ガ女MateLT'ds, AIP CP590, 133･ 136 (2001).

5. A Sub･eV resolution 80氏-Ⅹ･ray SPeCtrOmeter for a transmission electronmicroSCOPe tO

obtaiJlthe density of States Of the vdence band M.Terauchi. H.Yananoto and M.Tanaka

MicroSCOPy & Microanalysis, vol.7(supple.2), 228･229 (2001)

6.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の製作 寺内正己､山本秀人､田中通義､鈴木正よし､新田健一､伊藤栄一､高橋郁夫 東北大学科学計測研究所報告､ γol.49(1), 61･66 (2001) 7.電子顕微鏡によるナノ領域の価電子帯DOS測定法の開発 寺内正己､田中通義 固体物理､ Ⅷ1.36(5), 29･34 (2001)

8. Convergent･Beam Electron Di缶action IV

M.Tanakn, M.Terauchi, R.Tsuda and K.Saitoh JEOL･Maruzen, Tokyo (200/2) p.p.352.

9. Development of A HighEnergy-resolution So允-X･ray Spectrometerfor ATransmiSSion

Electron Microscope

M. Terauchi and M. Kawana

MicroSCOpy & MicroanalySi8, VOl.2(Supple.2) , 644･645 (2002)

10, EELSで何が分かるのか? 寺内正己 日本結晶学会誌､ γol.44(5), 277･283 (2002). ll. EESLを用いた電子構造解析 寺内正己 日本結晶学会誌､ γol.44(6), 347･354 (2002). 12.炭素を含まないナノチューブーBNナノチューブとBNナノコーンー 寺内正己

パリティ､ vol.18 (8), inthe press.

8.学会発表等

1.高分解能電子エネルギー損失分光電子顕微鏡の開発と応用(学会賞受賞講演) 寺内正己 日本電子顕微鏡学会第56回学術講演会､ 2000年5月､東京 2.高分解能EELSによるBNコーンの電子状態の研究 寺内正己､田中通義､鈴木啓悟､荻野あっし､木村薫 日本電子顕微鏡学会第56回学術講演会､ 2000年5月､東京

3. Highenergy-resolution electron energy･loss spectroscopy based on electronmicroscopy

(血tq'ted)

M.Terauchi αnd M.Tanakn

4.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光装置の開発 山本秀人､寺内正己､田中通義 日本物理学会､ 2000年9月､新潟 5.高分解能EELSによるBNコーンの電子状態の研究ⅠⅠ 寺内正己､川名正直､田中通義､鈴木啓悟､荻野あっし､木材業 日本物理学会､ 2000年9月､新潟 6. BNコーンの電子状態の研究 寺内正己､川名正直､田中通義､鈴木啓悟､荻野あっし､木村薫 特定領域｢フラレン･ナノチューブネットワーク｣研究会､ 2000年10月､金沢

7. Highenergy･re801ution EELS and X･ray SpeCtrO8COPy (血Tq'ted

M.Terauchi and M.Tanika

8th conlTerence on Frontiers 0f Electron Miczy)8COpy in Materials Science (MatSue, 11/13･ 17, 2000)

8. HighEnergy･Resolution EELS Study of the Electronic Structure of Boron Nitride Cone

M.Terauchi, M.Kawana, M.Tanaka, R.Su2:uki, A.0gino and K.Eimura

lntemational Symposium on Nanonetwork MaterialS鑑amakura, I/15･18, 2001)

9.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光装置の開発とボロン同素体-の応用 山本秀人､寺内正己､田中通義 日本物理学会､ 2001年3月､東京 10.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の開発 寺内正己､山本秀人､田中通義 日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会､ 2001年5月､福岡 ll. EELS電子顕微鏡によるBNチューブおよびコーンの電子状態の研究 寺内正己 特定額域｢フラーレン･ナノチューブネットワーク｣研究会､ 2001年6月､東京

12. A sub-eV resolution so允-Ⅹ･ray印eCtrOmeterfor a tranSmi88ion electronmicroSCOPe tO

ノ′

M.Terauehi, H.YzLmamOtO and M.Tanikn

Microscopy 良 MicroanalyBiB (USA, 8/6･9, 2001)

13. TEM･EELS/XESによるh･BNの電子構造の研究 寺内正己､川名正直 日本物理学会､ 2001年9月､徳島大 14.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の開発ⅠⅠ 川名正直､寺内正己 日本物理学会､ 2001年9月､徳島大 15.電子顕微鏡による価電子帯DOS測定法の開発(招待講演) 寺内正己 日本電子顕微鏡学会第46回シンポジウム､ 2001年11月､筑波

16. Development of a highenergy･re80lution 80氏･Ⅹ･ray Spectrometerfor a transmission electronmicro8COPe (血Tq'teLカ

M.Tbrauchi

strategies and Advances in AtomiCLevel Spectroscopy andAnalysiS Workshop

(Guadelou.pe, 5/5･9, 2002) 17.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の開発ⅡⅠ 川名正直､寺内正己 日本物理学会､ 2002年3月､滋賀 18.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の開発Ⅱ 寺内正己､川名正直 日本電子顕微鏡学会､ 2002年5月､大阪

19. Development of A HighEnergy･re801ution So且-Ⅹ･ray Spectrometerfor ATransmi8Sion

Electron MicroSCOp e

M. Terauchi and M. Kawana

MicroSCOPy & Microanaly8i8, (Quebec, 8/4･8, 2002)

20. TEM･ⅩESによる準結晶の電子状態の研究

日本物理学会､ 2002年9月､愛知 21.電子顕微鏡用軟Ⅹ線分光器の開発Ⅳ 寺内正己､内藤大介､川名正直 日本物理学会､ 2002年9月､愛知 22. TEM･ⅩESによるカーボンナノチューブの電子状態の研究 内藤大助､寺内正己 日本物理学会､ 2002年9月､愛知 23. TEMによる高分解能WDSの可能性(招待講演) 寺内正己 日本顕微鏡学会シンポジウム､ 2002年11月､仙台 25.高分解能WDSの開発-TEM-XESの可能性- (招待講演) 寺内正己 日本顕微鏡学会､高分解能電子顕微鏡研究会､ 2003年2月､札幌 26.電子顕微鏡による物性解析(招待講演) 寺内正己 ナノテク総合支援プロジェクトユーザー会議､ 2003年3月､筑波

27. Highenergy-resolution EELS and XES analysis 0fBN materials (血tq'bLb

M.Tbmuchi

10th IntemationalSympoSium on Advanced Materials (Tsuknba, 3/10･ 13, 2003)

28.準結晶･近似結晶の疑ギャップー実験的立場から- (招待講演) 寺内正己 日本物理学会､ 2003年3月､仙台 29. TEM･EELSⅨESによるボロンナノベルトの電子構造の研究 寺内正己､佐藤庸平､ Z.Wang､清水禎樹､佐々木毅､川口建二､木村薫､越崎直人 日本物理学会､ 2003年3月､仙台

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4. 3 関連研究成果リスト

A.出版物

1.An0.2eV energy resolutio analyticalelectronmicroscope

M.Tanakn, M.Terauchi, KTsuda, K.Saitoh, T.Honda, K.Tsuno, M.Naruse, T.Tomita and T.Kaneyama

lnst. Phys. Conf. Ser. No.165, 217･218 (2000)

2. Advances in Symmetry analysis by convergent-beam electron di缶action (invited)

M.Tbrauchi and M.Tanakn

InSt. Phys. Cone. Ser. No.165, 201･202 (2000)

4. Structtue of the boron nibide丘Ims obtained by RPECVDfrom borazine

T.P.Smimova, M.Terauchi, F.Sato, K.Shibata aLnd M.T如Iaka

Chemistryfor Sustainable Development, vol･8( 1 /2), 63-67 (2000)

5. Distinction of Space Groups (B3 & 1213)and (n22 & 1212121)using coherent conve喝ent-beam

electron diLRaction.

KJsuda, K.Saitoh, M.Terapchi, M.Tanakaand P.Goodman

Acta Crystallographica A, vol･56(4), 359-369 (2000)

6.高機能電子顕微鏡を用いて明らかにされた準結晶構造と準単位胞モデル

田中通義､寺内正己､津田健治､斎藤晃､察安邦､安部英司

日本金属学会誌｢まてりあ｣､ γol.39(8), 645-653 (2000)

7. Wurtzite-Zinc-blende polytyPism in ZnSe on GaAs(111)A

A.Ohtake, J.Nakamura, MJerauchi. F.Sato, M.Tda, K.Kimuraand T.Yao

Phys. Rev. a, yol.63(19), 195325-1-4 (2001)･

8. Distinction between space groups having prlnCipal rotationand screw axes, which ape

combined withtwofold rotation aLXeS, uSingthe coherent convergent-beam electron di鮎ction

method

Acta Crystallographica A, vol.57(3), 21 9-230 (2001 ).

9. Nano-wire crystals of 7E-COnjqgated organic materials

T.Onodera, T.Oshikiri, H.Katagi, H.Kasai, S.Okada, H.Oikawa, M.Terauchi. M.Tanakaand

H.Nakanishi

J. CrystalGrow恥vol.229, 586-590 (2001).

10. Hybridized microcrystals composed of metal fine particles and 7t-COnjugated or苫amiC

microcrystals

A.Masuhara, H.Kasai, S.Okada, H.Oikawa, MJerauchi. M.Tanaka and H.Nakanishi

Jpn. ∫. Appl. Phys., γol.40(lob), L1 129-Ll13 1 (2001).

1 1. Selective excitation of a symetric interface plasmon mode in two close planar SiO2/Si

interface observed by electron enezwlloss spectroscopy

H.Komoda, A.W地K.Ishida, K.Sasakawa, T.Okan0, Y.Tsubokawa and M.TeJ･auChi

Jpn. ∫. App. Pbys., γol.40(7), 45 12-45 15 (2001).

12. Structure study ofthinRPECVD CdxZn7_XS fllms

N.Ⅰ.Fainer, M.L.Xo8inova, Yu.M.RumyantSeV, EA.MaxinovSki, M.Tbrauchi,

KShibata, F.Satoh, M.Tanakn, N.P.Sy80eVa and RA.Ku2;netSOV

J. Phys. ⅠⅤ Ⅶ1.ll, 979･985 (2001).

13. StructuJ,e and compositioninvestigation of RPECVD SiCN and LPCVD BCN山mS M.L.Ⅸosinova, N.Ⅰ.Fainer, Yu.M.RumyantBeV, M.Terauchi, KShibata, F.Satoh,

M.Tanaka and RA.Ku2metSOV

J. Phy8. IV, vol.ll, 987･994 (2001).

14. A Sign of SuperconductivityinLi-doped α-rhombohedralBoron

A.Oguri, K.Kimura, M.Tbrauchi and M.T如Iaka

NmlOneEwol* Materials, AIP CP590, 507-5 1 0 (200 1 ).

15. Control of crystal polarity in a wurtZiite crystal: ZnO mms grown by plasma･aSSi8ted molecularbeam epitaxy on GaN

S/R.Hong, T.Hanada, H/a.Ko, Y.Chen, T.Ya°, D.Imai, EAraki, M.Shinohara, Ⅹ.Saitoh and M.Tbrauchi

′

16. Strain-induced Sqrhce segregation in lnO.5Ga0.6AdGaAsheteroepitaxy

A.Ohtake, M.02:eki, M.Terauchi, F.Sato and M.Twakn

Applied PhySicSLetters, VOl.80, Number 2 1, 3931･3933 (2002)･

ら.学会発表等

1.高分解能EELSによるアルカリ金属ドープC60ポリマーの電子状態の研究

寺内正己､山口哲弘､田中通義､岩佐義宏､三谷洋興､八木健彦

日本電子顕微鏡学会第56回学術講演会､ 2000年5月､東京

2.An0.2eV energy reBOlutio analytiCalelectronmicroscope

M.Tanaka, M伽me岨KTbuda, KSaitoh, TLHonda, KTho, M･Naruse,

T.Tbmita and T.Xaneyama

2nd IUMAS (Hawai, 7/10･ 14, 2000)

3. Advances in symmetry analysis by convergent-beam electron dilhction (血Tq'ieLb

M.触h and 班.Thnakn

2nd IUMAS (Haw°, 7/10･ 14, 2000)

4. SyntheBiS and Prppertie8 0fBoron C血onitride and Boron Nitride mms

ML.触inova, NJ.Fainer; EAM血movSki, Yu.Mumyantsev, mralk岨

KShibata, F.Satoh, M.Thnaka and FAKumet80V

lSt A由皿Conference on CryStalGrov血zLnd CrystalTbclmology (鮎ndai, 8/29･9/1, 2000)

5. Films 0flndividualand Mixed Sulphide8 0fCadmium, Copper and Zinc

N.Ⅰ.Fainer, Yu.班.RumyantSeV, M･LEoShova, M･Terauchi, KShibata, F･Satoh,

M.Thnaka and m.Ku2metSW

lSt Asian Conference on Crystd Grow血and CryStalTbclmology (鮎ndai,

8n2919/1, 2000)

6. Synthesis and Properties of Silicon Carbonitride mmS

Nl.Fainer, ML.EoShova, Yu.M.RumyantSeV, M.触岨KShibata, F･Satoh, M.恥naka and FAKu2inetBOV

lstAsian Conference on Cry8talGrowth and CryStalTbclmology (Sendai,

8/2919/1, 2000)

7.Annew 0.2eV energy resolution JEOL electron microscope

M.Tanaka, M.Terauchi. a.Tsuda, Ⅹ.Saitoh, T.Honda, a.TBunO, M.Naruse,

T.%mita and T.Kaneyana

Joint meeting 2000 ofJEM･u8er8 (Germany; 9/25･26, 2000)

8. α菱面体ボロン-のLiドーピングと新超伝導体の探索 小乗淳司､木村薫､寺内正己､田中通義 特定額域｢フラレン･ナノチューブネ●ットワーク｣研究会､ 2000年10月､金沢 9. TEM法による構造解析の基礎(招待講演) 寺内正己 日本電子顕微鏡学会関西支部電子顕微鏡技術研究会､ 2000年12月､大阪

10. HighEnergy-Resolution EELS Study of the Electronic Structure of Polymerized C60

Single Cry8talS

M･TbTauChi･ S･NiBhimura, M･Thah･ T･Mit姐i, Y･IwaSa iLnd T･Yagi

InternationalSynpoSium on Nanonetwork Material8 (Ramaknra, 1/15･18,

2001)

ll. Superconductivity inLi･doped α-rho血bohedral Boron

AOguri, R.Kimura, M.Tbrauchi皿d M.TaJlaka

InternationalSympo8iun on Nanonetwork Material8収amaknrA, 1/15･18, 2001) 12. α･菱面体晶ボロン-のLiドープと新超伝導体の探索 小栗淳司､木村薫､寺内正己､田中通義 日本物理学会､ 2001年3月､東京 13.高分解能EELSによるLiドープα ･ボロンの電子状態の研究 寺内正己､田中通義､小乗淳司､木村薫､藤原明比古 日本物理学会､ 2001年3月､東京 14.正20面体クラスター固体における(擬)ギャップの起源と超伝導体､熱電材料として

′ の可能性 木村薫､桐原和大､小栗浮司､永田智啓､藤森正成､中山高博､金弘基､高田昌 樹､坂田誠､寺内正己､田中通義 日本金属学会､ 2001年5月､千葉 15.電子銃モノクロメータ 本田敏和､津野勝重､成瀬幹夫､富田健､金山俊克､向井雅貴､田中通義､畳自 重亘､津田健治､斉藤晃 日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会､ 2001年5 A.､福岡 16. EELSにおける近接SiO2/Si界面における対称的干渉プラズモンモードの選択励起 薦田弘敬､和多田篤行､石由一孝､笹川薫､岡野智規､坪川純之､寺内正己 日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会､ 2001年5月､福岡 17.高分解能EELSによるLiドープαボロンの電子状態の研究 寺内正己､田中通義､小栗淳司､木村薫､藤原明比古 日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会､ 2001年5月､福岡 18. 0.2eVエネルギー分解能分析電子顕微鏡の開発 田中通義､寺内正己､津田健治､斉藤晃､本田敏和､津野勝重､成瀬幹夫､富田健､ 金山俊克､向井雅貴 日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会､ 2001年5月､福岡 19.金属短繊維強化有機ハイブリッド制振材料 井上清博､呉国章､伊藤哲也､三浦正､金子核､富永洋一､浅井茂雄､住田雅夫､ 柴田吾郎､寺内正己 繊維学会､ 2001年6月､浜松 20.ボロン正20面体クラスター固体-のLi,Mgドープによる超伝導探索 小栗淳司､八幡洋､木村薫､藤原明比古､寺内正己 日本物理学会､ 2001年9月､徳島大 21. TEM･EELSによるU, Mgドープボロンの電子構造の研究 寺内正己､小乗浮司､八幡洋､木村薫 日本物理学会､ 2001年9月､徳島大

小栗浮司､八幡洋､曽我公平､木村薫､藤原明比古､寺内正己 第1回ナノアーキテクトワークショップ､ 2002年3月､筑波 24･ボロン正20面体クラスター固体-のMgドープと電気伝導. 八幡洋､小栗淳司､曽我公平､木村薫､藤原明比古､寺内正己 日本物理学会､ 2002年3月､滋賀 25･ TEM･EELSによるMgドープボロンの電子構造の研究II 寺内正己､小乗淳司､八幡洋､曽我公平､木村薫 日本物理学会､ 2002年3月､滋賀 26･ MgドープB正20面体クラスター固体における超伝導探索 小乗淳司､八幡洋､曽我公平､木村薫､藤原明比古､寺内正己 日本物理学会､ 2002年3月､滋賀 27.高エネルギー分解能分析電子顕微鏡の開発 田中通義､寺内正己､津田健治､斎藤晃､向井雅貴､金山俊克､富田健､成瀬幹 夫､津野勝重､本田敏和 日本電子顕微鏡学会､ 2002年5月､大阪 28.高分解能モノクロメータ､エネルギーアナライザーの開発 津野勝重､向井雅貴､本田敏和､成瀬幹夫､富田健､金山俊克､田中通義､童自

重亘､津田健治､斉藤晃

日本電子顕微鏡学会､ 2002年5月､大阪 29･高分解能EELSによるMgドープβボロンの電子構造の研究

寺内正己､小乗淳司､矢幡洋､曽我公平､木村薫

日本電子顧微鏡学会､ 2002年5月､大阪 30. ``MRAIl21"電子銃モノクロメータ 向井雅貴･金山俊克､富田健､成瀬幹夫､津野勝重､本田敏和､田中通義､童由

ノ′ 重亘､津田健治､斎藤晃 日本電子顕微鏡学会､ 2002年5月､大阪 31.電子顕微鏡によるSiのAs良人領域の観察法の検討 寺内正己､川村和郎 日本電子顕微鏡学会､ 2002年5月､大阪 32.電子顕微鏡による準結晶の電子構造の研究 寺内正己､葉安邦 第9回準結晶研究会､ 2002年5月､筑波

33. Physical propertieS and superconductivity in Li- and Mg･doped α･ and

P･rhombohedralboron

A.Oguri, H.Yahata, KSoga, Ⅹ.Kinura, M･Tbrauchi and A･Fujiwara

14th InternationalsympoSium boron, borideS and related compounds (Russia,

6/9･ 14, 2002)

34. Development ofAn0･2eV Energy Re801utionAnalyticalElectron Microscope

()'D Tq'ted

M. Tanakn, M. Terauchi, Ⅹ･ TBuda, Ⅹ･ Saitoh, M･ Mukai, T･ Eaneyama･ T･

Tbmita, K T8unO, M. Ker8ker, M. Naruse, and T･ Honda Microscopy & MicroanalySis, (Quebec, 8/4･8, 2002)

35. Detection of the ar8enic･doped region in Sihcon by convergent.beam electron

di缶action

M. Terauchi and K X旦W8mur8 IUCr XⅨ (Geneva, 8/6･ 15, 2002)

36. Synthesis of gradient nanocrystalline layers 0n the basis of carbonitride boron

M. L. KoSinova, Yu. M. RunyantSeV, N. Ⅰ. Fainer, E. A. MaximovSkii, K･ G･

Myakishev, Ⅰ･ P･ Dolgove80Va, B･ M･ Ayupov, B･ A･ Eolesov･ M･ Teruachi･ E･

Shibata, F. Satoh and M. Tanakn

VI BilateralRuSSian･Gernan Symposium "Physics and Chemistry of advanced

materialS" (Novo8ibirSk, 8/18･27, 2002)

38.収束電子回折法による局所歪み測定陰の研究 赤荻隆之､津田健治､寺内正己､田中通義 日本物理学会､ 2002年9月､愛知 39.`電子顕微鏡によるSiのAs注入領域の観察法の検討 寺内正己､津田健治､川村和郎 日本物理学会､ 2002年9月､愛知 40. TEM･EELSによるMgドープボロンの電子構造の研究ⅡⅠ 佐藤庸平､寺内正己､小乗淳司､曽我公平､木村薫 日本物理学会､ 2002年9月､愛知 41.高分解能EELSによるMgドープβボロンの電子構造の研究ⅠⅠ

佐藤庸平､寺内正己､小栗淳司､矢幡洋､層我公平､木村薫

日本顕微鏡学会シンポジウム､ 2002年11月､仙台 42.収束電子回折法による局所歪み測定絵の研究 赤荻隆之､津田健治､寺内正己､田中通義 日本顕微鏡学会シンポジウム､ 2002年11月､仙台 43. TEM･EELSによる二層カーボンナノチューブの電子構造の研尭 佐藤庸平､寺内正己､斉藤弥八 日本物理学会､ 2003年3月､仙台 44.収束電子回折法による局所歪み測定法の研究ⅠⅠ 赤荻隆之､津田健治､寺内正己､田中通義 日本物理学会､ 2003年3月､仙台 45. Mgドープボロン正20面体クラスター固体の構造と電子物性 荒明聡､曽我公平､木村薫､寺内正己 日本物理学会､ 2003年3月､仙台

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