シート / Datasheet FZ400R33KL2C_B5

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FZ400R33KL2C_B5

暫定データ/PreliminaryData

IGBT-インバータ/IGBT,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage TTvjvj = 25°C = -25°C VCES 3300 3300 V 連続DCコレクタ電流

ContinuousDCcollectorcurrent TTCC = 80°C, T = 25°C, Tvj maxvj max = 150°C = 150°C

IC nom IC 400 750 AA 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 15 V = 15 V VCE sat 3,00 3,70 3,65 4,45 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧

Gatethresholdvoltage IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,20 5,10 6,00 V ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V QG 7,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 48,0 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,70 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 1800 V RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF td on 1,00_1,00 µs_µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 1800 V RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF tr 0,40 0,40 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 1800 V RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF td off 3,70_3,90 µs_µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 1800 V RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF tf 0,25 0,35 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオンスイッチング損失

Turn-onenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µsCE = 1800 V, LS = 60 nH RGon = 6,2 Ω, CGE = 100 nF Eon 900 1200 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 1800 V, LS = 60 nH RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF Eoff 440 600 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C 短絡電流

SCdata VVGECEmax≤ 15 V, V = VCES -LCC = 2500 VsCE ·di/dt tP≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC 1800 A ジャンクション・ケース間熱抵抗

Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 25,5 K/kW

ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 24,0 K/kW 動作温度

(2)

FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

Diode、インバータ/Diode,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage TTvjvj = 25°C = -25°C VRRM 3300 3300 V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent IF 400 A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A 電流二乗時間積

I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 72,0 kA²s

最大損失

Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C PRQM 600 kW

最小ターンオン時間

Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

順電圧 Forwardvoltage IIFF = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 0 V = 0 V VF 2,60 2,55 t.b.d. V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 400 A, - diR = 1800 V F/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V IRM 600 670 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 400 A, - diR = 1800 V F/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V Qr 270 480 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IVF = 400 A, - diR = 1800 V F/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V Erec 250 500 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 51,0 K/kW ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 48,0 K/kW 動作温度

(3)

FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

モジュール/Module

絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 s VISOL 10,4 kV 部分放電電圧

Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC VISOL 5,1 kV DCスタビリティ

DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 2150 V

ベースプレート材質

Materialofmodulebaseplate AlSiC

内部絶縁

Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140) AlN 沿面距離

Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 64,056,0 mm 空間距離

Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 40,026,0 mm 相対トラッキング指数

Comperativetrackingindex CTI > 600

min. typ. max. ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permoduleλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 16,0 K/kW 内部インダクタンス

Strayinductancemodule LsCE 25 nH

パワーターミナル・チップ間抵抗

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 0,37 mΩ 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 125 °C 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 5,75 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM8適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 8,0 - 10 Nm 質量 Weight G 500 g

(4)

FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

出力特性IGBT-インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 出力特性IGBT-インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 伝達特性IGBT-インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] I C [A] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C スイッチング損失IGBT-インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=13Ω,VCE=1800V,CGE=100nF IC [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700 3000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C

(5)

FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

スイッチング損失IGBT-インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=1800V,CGE=100nF RG [Ω] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 過渡熱インピーダンスIGBT-インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 ZthJC : IGBT i: ri[K/kW]: τi[s]: 1 11,475 0,03 2 6,375 0,1 3 1,53 0,3 4 6,12 1 逆バイアス安全動作領域IGBT-インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=13Ω,Tvj=125°C,CGE=100nF VCE [V] I C [A] 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 0 200 400 600 800 1000 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C

(6)

FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=6.2Ω,VCE=1800V IF [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Erec, Tvj = 125°C スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=1800V RG [Ω] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 0 100 200 300 400 500 600 Erec, Tvj = 125°C 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 ZthJC : Diode i: ri[K/kW]: τi[s]: 1 22,95 0,03 2 12,75 0,1 3 3,06 0,3 4 12,24 1 安全動作領域Diode、インバータ(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C VR [V] I R [A] 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 0 200 400 600 800 1000 IR, Modul

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FZ400R33KL2C_B5

暫定データ

PreliminaryData

回路図/Circuitdiagram

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Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2018-01-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com 重要事項本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証および責任を否定いたします。さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください（www.infineon.com）。警告事項技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください。インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできないこと予めご了承ください IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof