マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
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Tohoku University Micro/Nano Machining Research and Education Center
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登録手続き
・利用登録申請手続き
－研究室利用責任者の登録
－利用者の登録
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MNC 入退出指紋登録
学外利用者
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事務室へ問い合わせ
MNC3 階共同研究室内TEL 022-795-6256・6257・6258 E-mail : [email protected]
東北大学の担当研究室
等へコンタクト
（
随
時
受
け
付
け
）
登
録
学内利用者
MNC 安全講習を受講（録画 DVD の視聴でも可）
MNC 利用資格検定を受験し合格する（随時受験可）
装置の使い方を習う
装置の予約（WEB 予約システム）
装置の利用
利用料金の請求
（研究室単位）
新しい装置を使いたい
充分習熟
利用頻度大
装
置
担
当
者
と
な
る
利用までの流れ
下記のサービスを
随時ご利用可能
・プロセス相談
・初心者微細加工実習
・電子顕微鏡（SEM）
サンプル作製、観察
方法の指導
照
会
利
用
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半導体デバイスの評価に必要な計測機器、観察装置が多数ある。材料の評価、デバイスの電磁
気・機械・光学特性や振動・周波数応答の計測まで対応できる。また、光学顕微鏡から電子顕微
鏡まで様々な倍率の観察が可能。
FE-SEM
・メーカー名（型式）： JEOL(JSM-7400F) ・用途：電子線による 試料観察(SEM) ・Sample size： Maxφ2inch ・適用例：試作したトランジスタ の断面観察 ・主な仕様：最大加速圧:30kV、 分解能:1.0nm ・その他：反射電子像、 EDX(Si(Li))観察も可能高分解能 SEM
(High resolution SEM)・メーカー名（型式） 本体:日立ハイテク（SU-70） EDX:Oxford(Aztec Energy X-max) ・用途:サンプルの微細構造観察 ・Sample size：～6inchφ ・適用例:nm オーダーの微細形 状観察、EDX による元素分析 ・主な仕様:電子銃 ZrO/W ショッ トキーエミッション形電子銃 加速電圧 0.5～30kV
熱電子 SEM
(Thermal electron SEM)・主な仕様 加速電圧：0.5kV - 25 kV 倍率：20 倍-200,000 倍 真空度：高真空モード （<10-4Pa）, 低真空モード (1.3-266Pa) ・メーカー名（型式）: 日立ハイテ クノロジーズ(S-2250N) ・用途）: 低真空対応，熱電子型 走査電子顕微鏡 ・Sample size:～φ150mm ・適用例：低真空観察が可能で， 脱水・乾燥などの前処理をして いない試料に対しても観察が可 能．薄膜窓付 MEMS マイクロチ ャネルに溶液を流しながら SEM 観察，電流導入端子を用いた 動く MEMS スイッチの SEM 観 察など
FIB
・メーカー名（型式）: 日立ハイテク（SMI500） ・用途：局所エッチングによる 微細加工 ・Sample size：～20mm□ ・適用例：SEM 観察用断面サン プル作製 ・主な仕様：像分解能 12nm カーボンデポジション可能赤外接合評価装置
(IR inspection camera)・メーカー名（型式）: モリテックス(IRise) ・用途:サンプルの内部検査 ・Sample size:～8inchφ ・適用例：接合サンプルの接合 界面評価 ・主な仕様:モニター倍率 33 倍 ～1760 倍 ・その他: 画像張合わせでウェ ハ全体一括評価可能
SIMS
・メーカー名（型式）： CAMECA(SIMS4000) ・用途:微量元素分析 ・Sample size：～10mm□ ・適用例：不純物元素の拡散プロ ファイル測定、 ・主な仕様：Dynamic SIMS 四重極質量分析計 一次イオン銃 O2+, Cs+ 加速電圧 1kV～10kVESCA 分析装置
(ESCA) ・メーカー名（型式）： アルバックファイ（ESCA1600） ・用途：試料表面の元素分析 ・Sample size：～2inchφ ・適用例：試料表面の組成分 析、化学結合状態評価 ・主な仕様：X 線源 Mg,Al(モノ クロではない) ・その他：Ar エッチングで深さ 方向分析可能 オージェ電子分光測定屈折率測定装置
(Refractive index meter)・メーカー名（型式）： Metricon (モデル 2010) ・装置名：屈折率測定装置 ・用途：透明または半透明材料の 評価が可能.屈折率と膜厚 値の同時計測が可能. ・Sample size:20mm□ ・主な仕様:プリズムカプリング式, 屈折率精度：±0.001 膜厚精度：±(0.5%±50A) 屈折率分解能：±0.0003 膜厚分解能：±0.3%
分析・評価
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接触式段差計
(Stylus profilometer) ・メーカー名（型式）： 小坂研究所 (ET200) ・用途：試料の表面形状測定 (線分析) ・Sample size ：φ160mm ×thickness 48 mm ・適用例：エッチング後の Si ウェ ハの形状測定 ・主な仕様：高さ分解能：0.1nm 横方向分解能：0.1μm4 探針測定器
(Four-probe resistivity measurement)・メーカー名（型式）: KYOWARIKEN (K-705RS) ・用途 ：導電薄膜の電気抵抗 測定
・Sample size ：Maxφ4inch ・適用例: 絶縁膜上にスパッタし た金属薄膜のシート抵抗測定 ・主な仕様： 測定モード:抵抗 （V/I)、シート抵抗 (Ω/□)、 抵抗率 (Ω-cm)
薄膜評価装置
(Thin film characterization system) ・メーカー名（型式）: NEC 三栄（MH4000） ・用途:硬度、付着力、ヤング率、 内部応力を測定 ・Sample size：Max 20mm□ （測定内容により異なる） ・適用例：薄膜の硬度測定 ・主な仕様：荷重範囲 0.98μm～ 98mN, 押込み深さ測定範囲 0 ～5μmエリプソメーター
(Ellipsometer) ・メーカー名(型式)：HORIBA JOBIN YVON (UVISEL-LT) ・用途：膜厚分析 光学定数(n,k)分析 面内分布測定 ・Sample size：Max φ8inch
wafer ・適用例：SiOX 層の膜厚および 屈折率を測定すること ・主な仕様：波長:260nm-2100nm 光源:75W Xe-ランプ ・その他：紫外から近赤外波長ま で対応.電動ステージによる自 動面内分布測定.
紫外分光エリプソ
メーター
(Ultraviolet spectroscopic ellipsometer) ・メーカー名（型式）： J.A.Woollam(M-2000D) ・用途：薄膜の膜厚、光学定数 測定 ・Sample size：～5inch□ ・適用例：SiO2 膜の膜厚測定 ・主な仕様：測定波長範囲 193nm～1000nm全真空顕微 FT-IR
(FT-IR) ・メーカー名（型式）： 日本分光（本体部 FT/IR-6300 顕微部 IRT-7000） ・用途：サンプルの赤外分光測定 ・Sample size:φ4inch 程度（測定 方法により異なる） ・適用例：薄膜の膜質分析 ・主な仕様:透過、反射、ATR、 RAS、真空状態での測定、顕微 測定可能
紫外可視近赤外
分光光度計
（UV/Vis./IR spectrometer) ・メーカー名（型式）：日本分光 （V-570） ・用途：サンプルの吸光度測定 ・Sample size：～φ2inch 程度 ・適用例：薄膜の吸光度測定 ・主な仕様：測定波長範囲 190nm～2500nm 対象サンプル:固体、液体 測定方法:透過測定、反射測定高周波レーザー
ドップラー計
(High-frequency laser doppler vibrometer） ・メーカー名：ポリテック （UHF-120） ・用途：数 100MHz 面内振動 測定 ・Sample size：4inch（20mm□程 度が好ましい） ・適用例：SAW 素子で励振され た表面弾性波の測定 ・主な仕様：測定範囲：2～ 1200MHz（50~800MHz が好ま しい）平面分解能：1um ・その他：レーザー（532nm,5mW, 3R）使用時は安全メガネ着用マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
マイクロシステム
アナライザ
(Microsystem analyzer） ・メーカー名（型式）:Polytec, (MSA-500) ・用途:面内振動計測，面外振動 計測，表面形状計測 ・Sample size：対物レンズに寄る ・適用例：面外振動の共振周波数 計測，面内振動の振動観察，表 面形状観察 ・主な仕様：レーザードップラー振 動計，ストロボスコープビデオ顕 微鏡，白色光干渉計微小振動計測装置
(Micro vibration measurement) ・メーカー名（型式）:ネオアーク (MLD-350) ・用途：2 点同時面外振動計測， 最大 1.5MHz ・Sample size：最大 20mm. 対物 角，また，対物レンズに寄る ・適用例：面外振動の 2 点同時計 測における差分計測 ・主な仕様：レーザードップラー 振動計レーザードップラー
振動計
（Laser doppler vibrometer） ・メーカー名（型式）：ネオアーク (MLD-102-IZ) ・用途：光ヘテロダイン法による微 小振動計測装置．面外・面内計 測可能． ・Sample size：ステージサイズ 100mm 四方 ・適用例：機械振動子の振動測定 ・主な仕様：レーザー光源：He-Ne レーザー、応答周波数：DC ～100kHz(縦横)、最小分解能： 0.01um(縦)/0.04um(横)非接触光学式微細
形状測定装置
(Non-contact optical measurement) ・メーカー名（型式）:OLYMPUS 製 （HIPOSS） ・Sample size:±5°の傾き以内 ・用途（特徴）:非接触での変位 計測 ・主な仕様：臨界角法（臨界角プ リズム法）を用いた変位測定装 置.レーザー焦点数μm, 変位 分解能 数十 nm （期待値）ホール効果測定
装置
(Hall effect measure)・メーカー名（型式）：自作 ・用途：伝導型の判定、キャリア密 度の評価、移動度の評価 ・Sample size：8mm□ ・適用例: GaN, Si 移動度、キャリア 密度測定 ・主な仕様：真空環境で測定可、 ステージ温度 ~400K（断熱膨張 による液体窒素冷却可）
PL 測定装置
(PL measurement) ・メーカー名（型式）：自作 ・用途：PL 測定 ・Sample size：15mm×10mm ・適用例：GaN の発光スペクトル 測定 ・主な仕様：励起光波長 325nm 励起光強度 200mW ・その他：冷却 PL 測定（8K 程 度）が可能.光パラメトリック
発振器
(Optical parametric oscillator ) ・メーカー名（型式）： Continuum (Powerlite model 9010, Mirage 500)浜松ホトニクス (C5095)・Sample size :4inch 以下 ・用途:プラズマ特性計測、その他 分光 ・主な仕様:波長 425~2120nm, パルス幅 5ns,パルス繰り返し率 10Hz, 出力< 1J@532nm, 分光器 可視域
XRD
・メーカー名（型式）：Bruker (D8 ADVANCE)・Sample size: Max 2inchφ程度 ・用途：サンプルの結晶構造評価 θ/2θ 測定、Rocking curve 測定 極点図測定、残留応力測定等 ・主な仕様：2 次元検出器による 2 次元 X 線回折パターンの取得 も可能.
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蛍光 X 線膜厚計
（X-ray fluorescence thickness monitor） ・メーカー名（型式）：セイコー インスツルメンツ(SFT8000) ・用途：金属の膜厚測定 ・Sample size:2inch 程度 ・その他：2019 年 4 月現在故障に より運用停止中圧縮引張試験機
Tension and compressionfatigue tester) ・メーカー名（型式）:Zwick (Zwickline Z0.5TN) ・用途：圧縮引張試験 ・Sample size：Max 85mm× 50mm ・適用例：応力歪曲線の取得 ・主な仕様:最大荷重 500N, 速度 0.0005-2000mm/min, 分解能 0.083μm, 位置精度 ±2μm,測定精度 2N
接合力評価装置
(Bonding force measurement system) ・メーカー名（型式）： RHESCA(PTR-1101) ・用途：ウェハボンディングの接合 力破壊評価用 ・Sample size：接合面積は 5mm2 以下が望ましい（シェア最大加 重 100ｋｇ） ・適用例：接合面積 1mm2で， Au-Au 熱圧着接合，Si-Si 直接 接合の接合シェア強度の評価. ・主な仕様：センサの加重範囲 は，シェア 100gf～100 ㎏， プル，プッシュ 20gf～20 ㎏走査型プローブ
顕微鏡(Olympus)
（Olympus SPM） ・メーカー名（型式）：オリンパス 社（NV-2000） ・用途：微小領域の表面形状像 や導電性像の取得 ・Sample size：φ20mm 以内を 推奨 ・適用例：金属膜表面の観察 ・その他：データの取り出しはＭ Ｏドライブであり，ファイルも特 殊形式.走査型プローブ
顕微鏡(Shimazu)
（Shimazu SPM） ・メーカー名（型式）：島津製作所 (SPM9500-J2) ・用途（特徴）：微小領域の表面 形状像や導電性像の取得 ・Sample size：φ15mm 以内 ・適用例:金属膜表面の観察 ・その他：制御ボードが故障して おり，修理もできないため，動作 が不安定.UHV-STM&AFM
・メーカー名（型式）:日本電子 （JSTM-4500XT） ・用途:表面形状測定 ・Sample size: 2mm×5mm 程度 ・適用例:原子分解能を有する 測定（STM） ・その他:装置の操作にはかなり の知識とトレーニングを必要と する.LSI テスタ
(LSI tester) ・その他：基本的には測定 ごとにパフォーマンスボー ド(テスタピンとのインタフ ェースボード)を用意(購 入)して利用してもらう.少 端子であれば共用ボード あり.メーカーによる保守 対応外 ・メーカー名（型式）： アドバンテスト（T6573） ・用途：LSI のテストを行う装置 ・Sample size：ウェハプローブス テーションを参照 ・適用例：自作 LSI の機能テスト、 FV カーブ ・主な仕様：基本テストレート：最 高 125MHz の試験周期,端子： 512 ピン,テストパター長：最高 16M ビット14GHz ネットワーク
アナライザ
(14GHz network analyzer) ・適用例：SAW デバイス、 BAR デバイスの共振子や フィルタのインピーダンス、 フィルタ特性、タイムドメイ ン特性など ・メーカー名（型式）: キーサイト（E５０７１C） ・用途：共振子のインピーダンス 特性、フィルタの周波数特性、 タイムドメイン特性、VSRW 等. ・Sample size：プローバー 測定:20×20mm～4inchφ、 プローバー以外の測定ではサ イズは問わない ・その他 ：インピーダンスは５０ ｵｰﾑからの比較なので、極端 に小さい、もしくは大きなインピ ーダンスの値の測定は誤差が 生じる. ・主な仕様：上限 14GHzマイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
半導体パラメータ
アナライザ
（Semiconductor parameter analyzer） ・メーカー名（型式）：Keysight [旧 Agilent]（B1500A） ・用途：デバイスの基本特性を測 定する装置 ・Sample size：ウェハプローブステ ーションを参照 ・適用例：トランジスタ測定 （Vgs-Ids 測定など）、ダイオード 特性計測（IV 測定）など ・その他：Windows GUI ベースの EasyEXPERT による設定と計測 データ取得を行うウエハプローブ
ステーション
（Probing station） ・メーカー名(型式)：HiSOL (HMP-600) ・用途:fA レベルの微小電流測 定、pF レベルの微小電気容量 測定 ・Sample size:～φ150mm ・適用例:半導体パラメータアナ ライザを用いた I-V, C-V, 4 探針抵抗測定インピーダンス
アナライザ
（Impedance analyzer） ・メーカー名（型式）：HP(4194A) ・用途：各周波数(100 kHz~40 MHz)におけるインピーダンス・ 位相の測定が可能 また、等価回路の測定も可能 ・Sample size：市販品の電子部品 ほどの大きさ ・適用例：圧電材料の共振周波 数測定、等価回路測定 ・主な仕様：装置の正極と負極に 測定対象物を接続して、測定を 行うインピーダンス/
マテリアルアナライザ
(Impedance/material analyzer) ・メーカー名（型式）: Agilent (E4991A) ・用途：1MHz から 3GHz のイン ピーダンス測定 ・Sample size:市販品の電子部 品ほどの大きさパッケージングや材料・構造の転写のための接合装置群。基板同士を貼り合わせるための
ボンダーや位置合わせ・評価等関連技術に対応可能。
EVG Wafer bonder
・メーカー名(型式) : EVG(EVG520) ・Max sample size:4inch ・最大発生力（荷重）:3500N ・Max temp:550℃ ・チャンバ真空度：10-2 Pa・最大印加電圧：1200V ・ボンドアライメントは本施設内に 設置している EVG mask aligner
で可能.
Wafer bonder
(Technofine)
・メーカー名（型式）: テクノファイン(SG-560) ・Max sample size:4inch ・最大発生力（荷重）:10000N ・Max temp:350℃ ・チャンバ真空度:5×10-3 Pa ・最大印加電圧:電圧印加 非対応
ボンディング
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フリップチップ
ボンダ#1
(Flip chip bonder#1)・メーカー名(型式) : 完エレクトロニクス （MODEL6000） ・Max sample size :20mm□ ・最大発生力（荷重） ：5kgf (49N) ・Max temp :200℃ ・チャンバ真空度 ：大気圧（N2 ガスフロー可） ・最大印加電圧：電圧印加不可
フリップチップ
ボンダ#2
(Flip chip bonder#2)・メーカー名(型式):Hisol (M-90)
・Max sample size:上：10mm□ 下（ステージ）：4inch ・最大発生力（荷重）:5.5N ・最大温度:350℃ ・チャンバ真空度:大気圧 ・最大印加電圧:電圧印加不可
ワイヤボンダ#1
（Wire bonder#1） ・メーカー名(型式):West Bond (MODEL 7700C)・Max sample size:2inch 程度
ワイヤボンダ#2
(Wire bonder#2)・メーカー名（型式）:TPT(HB16) ・Max sample size:2inch 程度 ・最大発生力（荷重）：110g ・Max temp:250℃
EVG プラズマ表面
活性化装置
（EVG plasma activator）・メーカー名（型式）： EV グループ(EVG810) ・Max sample size：6inch ・チャンバ真空度:1Pa 程度 ・低温直接接合の為のサンプル 表面プラズマ処理用
EVG 接合用基板
洗浄
（EVG megasonic cleaner） ・メーカー名(型式)： EV グループ(EVG301) ・Max sample size:6inch ・EVG プラズマ表面活性化装 置での処理前にサンプル表面 をメガソニック洗浄する用途. ブラシによるサンプル洗浄可YAG レーザー
(YAG laser) ・特徴・用途：ドライプロセス ＆局所的加工.作製したデ バイスの分離、ステンレス、 SMA などの切断や溶接メ タルワイヤー上の皮膜の選 択除去、PZT のレーザー 支援エッチング. ・型式・メーカー：Nd:YAG Laser SL 115G (NEC 社製） ・レーザー仕様（発振器、波長、 出力など）：Nd:YAG レーザー （Q スイッチ使用、波長： 1064nm、出力：100W） ・加工サイズ：50mm×50mm ・加工対象物：シリコン、ガラス、 ステンレス、SMA、PZT、他（要 相談） ・その他：加工精度：30μm～40 μm 程度。電流範囲(A)：シリコ ン 24～26、ガラス 40～42.レーザーダイサー
(Laser dicer) ・特徴・用途：レーザーを用 いたステルスダイシング ・その他：試料（Si 等）内部に クラック層を形成する.レー ザーダイシングだけではチ ップ化不可.外部曲げ応力 が必要. ・型式・メーカー：自作機 ・レーザー仕様（発振器、波長、 出力など）：パルスファイバーレ ーザー（SPI Lasers 製、波長： 1064nm、出力：12W）、 パルスグリーンレーザー（メガオ プト製、波長：532nm、出力： >1.2W(1kHz）,>3.5W(10kHz)) CO2 レーザー（シンラッド製、 波長：10.2-10.7μm、出力： 60W） ・加工サイズ： 最大 25mm×25mm ・加工対象物：シリコン、テンパッ クス、他（要相談）レーザー加工装置
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各種ドライエッチング装置を完備。加工したいサンプルの種類、形状に応じて、適切な装置を選択
できる。
ICP-RIE#1
・選択比:10 ・その他（プラズマ励起方式, 電源出力等） プラズマ励起方式;ICP ・メーカー名:SPP テクノロジーズ ・型番:MUC21 ・用途: ゲート電極形成 ・Process gas: SF6,C4F8,HBr,Cl2,Ar,O2 ・導入可能材料:Si, SiO2, Photo-resist ・Sample size:Maxφ2inchs ・Etching rate: Poly-Si 150nm/minICP-RIE#2
・その他（プラズマ励起方 式、電源出力等） プラズマ励起方式; 誘導結合型、 電源出力 ICP power 最大 1000W, bias power 最大 100W ・メーカー名:住友精密工業 ・型番:MUC-21 ASE-SRE ・用途: 高アスペクト比 Si エッチング ・Process gas:SF6,C4F8,O2 ・導入可能材料:Si, SiO2, posi-resist ・Sample size:Maxφ4inchs ・Etching rate:1.5～7.5 μm/min(Si) ・選択比:50～250(photoresist)Small-scallop
Deep-RIE
・その他（プラズマ励起 方式、電源出力等） プラズマ励起方式: 誘導結合型、電源出力 ICP power 最大 2600W, bias power 最大 180W ・メーカー名:住友精密工業 ・型番:MPX-ASE ・用途: ナノギャップ作製， 高速エッチング ・Process gas:SF6,C4F8,O2 ・導入可能材料:Si, SiO2, posi-resist ・Sample size:Maxφ4inchs ・Etching rate:0.7～24μm/min (Si) ・選択比:12～260(photoresist)FAB
・メーカー名:荏原製作所 ・型番:FAB-60 ML 型 ・用途:高速原子線による高精 度加工高精度垂直加工 ・Process gas :SF6,O2,CHF3,Cl2 ・Sample size: 20mm□ ・導入可能材料:Si,金属等 ・Etching rate:34nm/min(Si) ・選択比: 1:1.5（photoresist）CCP-RIE#1
・その他（プラズマ励起方 式、電源出等）:CCP（平行 平板） ・メーカー名:ANELVA ・型番:L-201D-L ・用途:Metal and Dielecticmaterial Etching ・Process gas:
SF6,CF4,Ar,O2,CHF3 ・導入可能材料:No limitation ・Sample size:Maxφ3 inchs ・Etching rate:70nm/min (SiO2),
10nm/min (Pt) ・選択比:1(Resist):2~3(SiO2)
CCP-RIE#2
・メーカー名 ANELVA ・型番 L-201D-L ・用途 半導体、MEMS 等サン プルエッチング ・Process gas Ar,N2,O2,Cl2,BCl3 ・Sample size 3inch ・導入可能材料 半導体、 MEMS 等サンプル ・その他:RF<100WCCP-RIE#3
・メーカー名:ANELVA ・型番:L-201D-L ・用途:Al,W,SiO2 etching ・Process gas: BCl3,Cl2,O2,Ar,H2,CF4 ・導入可能材料:Al, W, Si, SiO2resist ・Sample size:φ2inch ・Etching rate: 100nm/min(SiO2) ・選択比:1:5 ・その他（プラズマ励起方式、電 源出力等）:CCP
イオンビーム
ミリング装置
(Ion beam milling)・その他（プラズマ励起方 式、電源出力等）:カウフマ ン型プラズマ発生装置 ・メーカー名：伯東株式会社 ・型番：IBE-KDC 75 ・用途：RIE 装置で対応できな い材料（例、Pt）の微細加工 ・Process gas：Ar ・Sample size：20mm、3inch、 4inch ・導入可能材料：有害物質 （Pb,As, etc.)以外.低蒸気圧物 質(Zn etc.)以外
・Etching rate： Pt 30nm/min
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二周波励起 RIE
(Dual frequency RIE)
・メーカー名：アネルバ ・型番: L-211D ・用途：ソース/ドレインコンタクトエ ッチング用 ・Process gas：C4F8,Ar,O2 ・Sample size:φ2inch ・導入可能材料:Si 基板、 ・Etching rate：300nm/min ・選択比：1:10 ・その他（プラズマ励起方式、電源 出力等）:二周波励起
SiN エッチャー
(SiN etcher) ・メーカー名：サムコ ・型番：RIE-10NR ・用途：LOCOS の SiN エッチング用 ・Process gas：CF4,H2,O2,SF6 ・Sample size:φ2inch ・導入可能材料:Si 基板、 ・Etching rate：100nm/min ・選択比：1:10 ・その他（プラズマ励起方式、電 源出力等）:平行平板型O
2アッシャー
( O2 asher) ・メーカー名：モリエンジニアリング ・型番: SFA-600 ・用途：レジスト除去 ・Process gas：O2 ・Sample size:φ2inch ・導入可能材料:Si 基板、 ・Etching rate：200nm/min ・選択比：不明 ・その他（プラズマ励起方式、電源 出力等）:ダウンフロー型有磁場 ICP-RIE
(Magnetic ICP-RIE) ・メーカー名：ULVAC ・型番：NE-550 ・用途：Al 配線形成 ・Process gas： Cl2,BCl3,O2,CF4,SF6 ・Sample size:φ2inch ・導入可能材料:Si 基板、 ・Etching rate：300nm/min ・選択比：不明 ・その他（プラズマ励起方式、電 源出力等）:誘磁場 ICP等方性 Si
エッチャー
(Isotropic Si etcher) ・メーカー名：自作 ・型番：なし ・用途：Ｓｉの選択エッチング Process gas：XeF2 ・導入可能材料：Si, SiO2, posi-resist、メタル ・Sample size：20mm□ ・Etching rate：被加工材料の面積 で変化する. ・選択比：10000（SiO2）マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
スパッタリング成膜、蒸着、CVD 等の多様な成膜方法に対応可能。スパッタリング装置はターゲット
の持ち込みも可能。
プラズマ TEOS CVD
(Plasma-enhanced TEOS
CVD) ・メーカー名（型式）: サムコ (PD-100ST) ・種類：PE-CVD ・Film：SiO2,SiOC ・Depo temp:80℃-350℃ ・Depo rate:About80 nm/min ・Sample size:～6inch ・その他：LP-CVD
・メーカー名（型式）: 東京エレクトロン（MARS-Ⅱ） ・種類：低圧 CVD(LP-CVD) ・Film：SiO2,SiN,Poly-Si ・Depo temp:600℃-700℃ ・Depo rate:2-10 nm/min ・Sample size:φ2inch ・その他：プラズマ SiN-CVD
(Plasma-enhanced SiN CVD) ・メーカー名（型式）： サムコ（PD-220NL） ・種類：プラズマ CVD (PE-CVD) ・Film：SiN,SiO2 ・Depo temp:200℃-350℃ ・Depo rate:80 nm/min ・Sample size:φ2inch ・その他：UHV-CVD
・メーカー名（型式）： エア・ウォーター （VCE-S2013TH） ・種類：超高真空 CVD(UHV-CVD) ・Film：エピタキシャル Si ・Depo temo:600℃-800℃ ・Depo rate:2 nm/min ・Sample size:φ2inch ・その他：SiCN Cat-CVD
・メーカー名（型式）：自作 ・種類：W ワイヤ熱 CVD ・Film：SiCN （ガスソース： HMDS＋NH3） ・Depo temp:150℃-300℃ ・Depo rate: 2.5 - 50 nm/min ・Sample size:φ2inch, 20mm□ ・その他：触媒フィラメント: タン グステン(Φ0.5mm) フィラメントの温度は 1600℃ -1900℃ 熱遮断板有プラズマ/オゾン
TEOS CVD
(Plasma/ozone TEOS CVD) ・メーカー名（型式）： YOUTEC(21-0266SA) ・種類：PE-CVD ・Film：SiO2 ・Depo temp:200℃-350℃ ・Depo rate:About300 nm/min ・Sample size: Max 8inch ・その他：ホットフィラメント
ダイヤモンド CVD
(Hot-filament diamond CVD) ・メーカー名（型式）：自作 ・種類：低圧 CVD ・Film：ダイヤモンド ・Depo temp：800℃ ・Depo rate：不明 ・Sample size：20mm□プラズマ CNT-CVD
(Plasma CNT-CVD) ・メーカー名（型式）：自作 ・種類：PE-CVD ・Film：CNT ・Depo temp: 650℃-700℃(放射 温度計による計測) ・Depo rate: 1nm Fe 上で 2um/min ・Sample size: 約 50mm の角網 に載るサイズ ・その他： 成膜条件例：600V の DC プラズ マ，アセチレン 10Pa，水素 100P成膜装置
マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
プラズマダイヤモンド
CVD
（Plasma diamond CVD） ・メーカー名（型式）： セキテクノトロン（AX5200） ・種類：MPECVD・Film：Graphene nano walls, diamond. ・Depo temp:R.T.-400℃ ・Depo rate:Low ・Sample size:10x10 mm ・その他： -Microwave power: 650 W -Gas: H2, CH4
RF magnetron Sputter
#1(Shibaura)
・メーカー名(型式)：シバウラメカ トロニクス（CFS-4ES） ・成膜可能材料：金属、非金属 対応 ・導入可能試料：スパッタ耐性の ある，かつ，パーティクルの発生 しない試料・Sample size：Max 4 inch ×2 ・Depo temp：室温～300℃ ・Process gas：Ar,O2,N2 ・その他：最大 300W、3 ターゲッ ト設置可
RF magnetron Sputter
#2(Shibaura)
・メーカー名（型式）: 芝浦エレ テック(CFS－4ES-232) ・成膜可能材料:純金属のみ （磁気性がある金属以外） ・導入可能試料:スパッタ耐性の ある，かつ，パーティクルの発生 しない試料
・Sample size:Max 4inch×2 ・Depo temp:室温 ・Process gas:Ar ・その他:3 ターゲット設置可
RF magnetron sputter
(EIKO)
・メーカー名（型式）：エイコーエ ンジニアリング(ES-350) ・成膜可能材料：純金属，酸化 物，窒化物 ・導入可能試料：スパッタ耐性の ある，かつ，パーティクルの発生 しない試料・Sample size：Max 2inch ・Depo temp:＜600℃ ・Process gas：Ar，O2, N2 ・その他：有機材料不可，リフトオ フ不可
DC 対向ターゲット
スパッタ
(Facing target DCsputter)・メーカー名（型式）:大阪真空 機器製作所（FTS-R3S） ・成膜可能材料：Fe, Co, Ni ・導入可能試料：スパッタ耐性の ある，かつ，パーティクルの発 生しない試料
・Sample size ：20mm□samples ×4 枚 ・Depo temp:室温～400℃ ・Process gas：Ar/Kr/N2. ・その他：リフトオフ可
RF 対向ターゲット
スパッタ
(Facing target RF sputter)・メーカー名（型式）：大阪真空 (FTS-1CL) ・成膜可能材料：金属各種 ・Sample size：20mm□ ・Depo temp：室温～700℃ ・Process gas：Ar ・その他：有機物 NG
RF magnetron sputter
(ULVAC)
・メーカー名（型式）: ULVAC(MB97-0007) ・成膜可能材料：Al,W,Ni ・Sample size：φ2 inch ・Depo temp：室温 ・その他：有機物 NGECR Sputter
・メーカー名（型式）：JSW アフテ ィ（AFTEX EC-2300） ・成膜可能材料：AlN のみ ・導入可能試料：スパッタ耐性の ある，かつ，パーティクルの発生 しない試料 ・Sample size：4inch，20mm□ ・Depo temp:室温～300℃ ・Process gas：Ar＋N2 ・その他：リフトオフ不可マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
ECR ion beam sputter
・メーカー名（型式）:エリオニクス(EIS-220)
・成膜可能材料:半導体、 MEMS 用等材料 ・Sample size: ～3inch ・Depo temp: 室温~350℃ ・Process gas:Ar, N2 ・その他 :有機物 OK、 リフトオフ可
RF magnetron sputter
(ANELVA)
・メーカー名（型式）：アネルバ (SPC-350) ・導入可能基板：スパッタ耐性 のある，かつ，パーティクルの 発生しない試料・Sample size：Max 2inchφ ・Depo temp： 室温～400℃ ・成膜可能材料：金属, Si, SiO2 ・Process gas：Ar, O2, N2 ・その他： 有機物ＮＧ，リフトオ フ不可，反応性スパッタリング 可, ロードロック室有，3 ターゲ ット設置可
High-temp RF
magnetron sputter
・メーカー名（型番）： 菅製作所（SSP3000） ・成膜可能材料：金属 ・Sample size：～2inchx2 枚. ・Process gas: Ar, N2, O2 ・Depo temp: 室温～600℃マルチターゲット
スパッタ
（Multi-target sputter）・メーカー名（型式）：Display & Plasma Technology INFOVION, （EIA-TLR-003） ・成膜可能材料：金属ガラス
(PdSiCu, ZrSiCu, and FeSiCu) ・Sample size： 20mm□, 25 x 20 mm2 and 25 mm2. ・Process gas: Ar ・成膜温度: 室温 ・その他：リフトオフ可
イオンコーティング
装置
(Ion coating) ・メーカー名（型式）：日立サイ エンスシステムズ（E-1030） ・成膜可能材料：Au, Pt-Pd ・Sample size：～φ2inch ・Process gas：Ar ・Depo temp：室温 ・その他：SEM 観察時のチャ ージアップ防止用膜熱酸化炉
(Thermal oxdation furnace)・メーカー名（型式）：自作 ・成膜可能材料:SiO2 ・Sample size：φ2inch ・用途（特徴）：Si のウェットお よびドライ酸化 ・Depo temp：1000℃程度 ・主な仕様：ガス種:O2,H2,N2 ・その他：主としてトランジスタ のゲート絶縁膜および LOCOS プロセス用
EB 蒸着
(EB evaporation) ・その他:マニュアル装置につ き、ユーザー間のオペトレは 禁止.クライオポンプ内のア ブゾーバーには寿命がある ため、終夜連続稼働は禁 止. ・メーカー名（型式）：ANELVA (EGP-230) ・Sample size：20mm□など、 4inchφなど ・用途（特徴）：リフトオフプロセ スのための成膜など。 ・主な仕様:真空度 10-6 Torr 程 度で成膜が可能.金属膜、絶 縁膜が成膜可能.チタン、アル ミは共同利用だが、その他の 材料は原料、ハースライナー を各自で用意する.ニッケルな どの磁性体は成膜不可.水晶 振動子により膜厚をコントロー ル可.電解めっき装置#1
（Electroplating#1） ・メーカー名（型式）: KEITHLEY (2401 直流電流) ・Sample size：持参するビーカ ー・溶液槽サイズや、メッキ液 の量による.付属品の範囲では 20×20mm が標準. ・用途：主に直流電流による電 流制御によるメッキを行う. ・その他：メッキ液は各自準備.マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
電解めっき装置#2
（Electroplating#2） ・その他：メッキ液は各自準 備.窒素ガス雰囲気の実験 を行うための付属装置有. ・装置名（型式）：メッキセット＃2 ・メーカー名（型式）： 北斗電工 （HAB-151 ポテン ショスタット） ・Sample size：持参するビーカ ー・溶液槽サイズや、メッキ液 の量による.付属品の範囲では 20×20mm が標準. ・用途：主に酸化還元電位の測 定や三電極式メッキなど、電位 制御による電気化学実験を行 う装置.MBE
・メーカー名（型式）： Riber(Riber MBE 32 system) ・種類：MBE・Film：GaN, AlN, InN ・Depo temp:900℃ ・Depo rate:100 nm/h ・Sample size:φ3inch ・その他：
パリレン蒸着
（Palylene evaporator） ・メーカー名（型式）：Specialty Coating System(PDS2010) ・Sample size： ～120×120mm□ ・用途：パリレンの蒸着 ・主な仕様： 成膜圧力:3Pa 程度 成膜温度：室温 成膜速度：3μm/hPLD
・メーカー名（型式）:パスカル ・Sample size ：20mm□ ・用途（特徴） ：酸化物薄膜の 堆積マスク作製装置、直接描画装置、露光装置を設置している。
EB 描画装置
(Electron beam lithography)・種類:EB 描画 ・メーカー名（型式）： 日本電子（JBX-6300SK） ・光源：EB ・解像度：50nm ・Sample size：φ2inch, 20mm□ ・その他：
レーザー描画装置#1
(Laser lithography system#1) ・種類:レーザー描画 ・メーカー名（型式）： ハイデルベルグ(DWL2000SD) ・光源:半導体レーザー(405nm) ・解像度:0.6μm・Sample size:最大 9inch□ ・その他:マイクロ棟に設置
レーザー描画装置#2
(Laser lithography System#2) ・種類:レーザー描画 ・メーカー名（型式）： ハイデルベルグ(DWL200) ・光源:半導体レーザー(405nm) ・解像度:2μm ・Sample size:～8inch ・その他：ナノ棟に設置簡易マスク作製装置
(Simple photo-mask maker) ・種類：1/5 縮小露光フォトマスク 作製機（OHP マスク原版） ・メーカー名（型式）： ナノテック（MM605） ・光源：蛍光灯(30W×3 本) ・解像度：L/S=200μm 程度 ・Sample size：撮像寸法 59.4× 59.4mm ・その他：マスク：インクジェットで OHP マスク原版作製／エマル ジョンマスク, 倍率：0.2 倍 視野寸法：視野寸法 297× 297mm, 露光タイマー 99.9Sec(0.1Sec)リソグラフィー
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パターン
ジェネレーター
(Pattern generator) ・種類:マスク作製機 ・メーカー名（型式）： 日本精工(TZ-310) ・光源:水銀ランプ、 キセノンランプ ・解像度:1μm・Sample size: 2inch、5inch、 7inch
・その他
Mask aligner(SUSS)
・種類:マスクアライナー ・メーカー名（型式）： SUSS microtec (MA6) ・光源:水銀ランプ ・解像度:1～2μm・Sample size:small piece～6inch ・マスクサイズ:2inch～7inch ・その他
EVG Mask aligner
・種類:マスクアライナー ・メーカー名（型式）： EV グループ（EVG620） ・光源:水銀ランプ ・解像度:1～2μm・Sample size:20mm□～6inch ・Mask size: 2inch～7inch ・その他:ボンドアライメント可
Mask aligner(Mikasa)
・種類 マスクアライナー ・メーカー名（型式）： ミカサ（MA-V） ・光源:水銀ランプ ・解像度:5μm 程度 ・Sample size:20mm□～2inch ・Mask size:2inch～3inch投影露光装置
（Ushio projection aligner） ・種類 投影露光 ・メーカー名（型式）： Ushio(UX-2003SM-AGG01) ・光源 水銀ランプ ・解像度:7μm ・Sample size:20mm□、2inch、 4inch ・Mask size:2inch～5inch ・その他 露光時にマスクとサン プルはコンタクトしない 段差のある構造（～50μm）へ の露光可能イオン注入装置
(Ion implantation) ・メーカー名（型式）： ULVAC(IMX-3500) ・Sample size：Maxφ8inch ・用途（特徴）：半導体ドーパント の注入 ・主な仕様：イオン種:B,P,As、注 入エネルギー:5keV～150keV ・その他水素アニール炉
(H2 anneal furnace) ・メーカー名（型式）：光洋サーモ システム(Model 200) ・Sample size：φ2inch ・用途（特徴）：H2 アニール処理 ・主な仕様：ガス種:H2,N2 ・その他：主としてトランジスタプ ロセスのシンタリング処理その他
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RTA#1
・メーカー名（型番）:光洋サーモ システム（RLA-1208-V） ・用途:ソース/ドレイン形成の為 のドーパンド活性化 ・Process gas:Ar,N2 ・導入可能材料:Si,SiO2,SiN ・Sample size:Max φ8 inch超臨界 CO2 乾燥
装置
(Supercritical CO2 drier)
・メーカー名（型式）：SC Fluids (CPD1100)
・用途：超臨界を用いた MEMS デバイスの乾燥
・Sample size： Max 4inch
UV 照射機
(UV exposure) ・メーカー名（型式）： samco (UV-T) ・Sample size： 最大φ200mm, thickness 2mm 以下 ・用途：UV+O3 による有機物除 去、UV+N2 による UV キュア ・主な仕様:光源：低圧水銀ラン プ (253.7, 184.9nm) ステージ温度設定範囲：RT～ 300℃・Process gas ：O3,O2,N2
二流体洗浄装置
(Two-fluid cleaner) ・メーカー名（型番）： アクテス(ADE-3000S) ・用途：水または有機溶媒（IPA 等）による二流体噴霧洗浄装置 ・Sample size:20mm□ または 4 inch ・主な仕様：ウェハ回転数 0～3000rpm ウェハ揺動角度 0～40HMDS 処理装置
(HDMS treatment system) ・メーカー名:自作 ・Sample size：20×20mm～4inch ・用途：シリコンウエハ表面に OFPR 等のレジストを塗布する 際に、OAP 滴下よりも適切な表 面処理ができる.硫酸過水洗浄 以降の一連処理を、大気に触 れずに扱えるため、レジスト塗 布不良の可能性が小さくなる.ダイサー
(Dicer) ・メーカー名（型番）：DISCO (DAD3240) ・用途：ウエハの切断（Si, ガラス, 水晶,リチウムナイオベイト等） ・Sample size：最大φ152.4mm ・その他：ダイシングテープ等へ の貼り付け必須研磨装置
（Polishing machine） ・メーカー名(型番)：Logistech (PM5) ・用途:ウェハの研磨 ・Sample size:最大φ4inch ・その他研削装置
（Grinding machine）・メーカー名（型番）： ナノファクター（NVG-200A） ・用途：試料の荒削り ・Sample size： 100mm, 高さ 20mm ・主な仕様 回転数 100～600rpm 加工精度 10μm
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断面試料作製
研磨装置
(Polishing SEM sample maker) ・メーカー名（型式）：LEICA (EM TXP) ・用途：主に SEM 観察用の断面 試料作製 ・Sample size：Max20mm□程度 ・主な仕様：ダイヤモンドブレード による試料切断も可能断面試料作製
ミリング装置
(Ion milling SEM samplemaker) ・メーカー名（型式）：LEICA (EM TIC 3X) ・用途:主に SEM 観察用の断面 試料作製 ・Sample size：Max 20mm□程度 ・主な仕様：ロータリーステージ によるサンプル表面ミリングも可
卓上旋盤
(Lathe) ・メーカー名（型式）：メカニクス （Shop-Ace USL5.6M） ・用途：金属材料等の旋盤加工 ・主な仕様： ベッド上振り 246mm 心間 550mm 三爪チャック能力 正爪 50mm 逆爪 120mm 主軸貫通孔 20mm 主軸テーパー MT-3 主軸回転数 無段 0～ 2000min-1ボール盤
(Drill press) ・メーカー名（型式）：日立工機 (B13SH) ・用途：穴あけ加工 ・主な仕様：穴あけ能力 13mmフライス盤
(Milling machine) ・メーカー名（型式）：メカニクス (Shop-Ace M45) ・用途：フライス加工 ・主な仕様：軸端/テーブル間 420mm基板加工装置
（Circuit board plotter）・メーカー名（型式）：ミッツ （AutoLab） ・用途：プリント基板の加工 ・主な仕様：最小パターン幅 0.1mm
紫外線露光装置
(UV exposure) ・メーカー名（型式） ：ウシオ電 機株式会社（UVX-02528S1） ・Sample size ：Max □150mm ・用途（特徴） ：紫外線による樹脂・インキの硬化
・主な仕様 ：発光長 250nm, 光源出力 280W/cm ・その他：
マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 共用装置カタログ
・イエロールーム 1. EVG mask aligner
2. EVG 接合用基板洗浄 3. EVG プラズマ活性化装置 4. ドラフト 5. 二流体洗浄装置 6. スピンコーター、オーブン 7. レーザー描画装置#1 8. Mask aligner(SUSS) 9. Mask aligner(Mikasa) 10. HMDS 処理装置 11. スピンコーター ・メインクリーンルーム 12. ドラフト 13. 水素アニール炉 14. 熱酸化炉 15. LPCVD 16. 接触式段差計 17. UV 照射器 18. RTA#1 19. Samll-scallop Deep-RIE 20. プラズマ/オゾン TEOS CVD 21. プラズマ TEOS CVD 22. ICP-RIE#1 23. エリプソメーター 24. プラズマ SiN-CVD 25. O2 アッシャー 26. SiN エッチャー 27. SiCN Cat-CVD 28. CCP-RIE#3 29. CCP-RIE#2 30. 二周波励起 RIE 31. EVG wafer bonder 32. 超臨界 CO2 乾燥装置 33. ICP-RIE#2 34. 有磁場 ICP-RIE 35. CCP-RIE#1 36. FAB 37. イオンビームミリング装置 38. イオン注入装置 39. UHV-CVD ・暗室 40. FE-SEM 41. EB 描画装置 ・金属蒸着室
42. High-temp RF magnetron sputter 43. RF magnetron sputter (EIKO) 44. RF magnetron sputter (ULVAC) 45. 4 探針測定器
46. RF 対向ターゲットスパッタ 47. EB 蒸着
48. ECR ion beam sputter
49. RF magnetron sputter (ANELVA) 50. DC 対向ターゲットスパッタ 51. Wafer bonder (Technofine) 52. RF magnetron sputter#2(Shibaura) 53. ECR sputter 54. RF magnetron sputter#1(Shibaura) 55. ドラフト
