MCP73213
特長
• リニア充電管理コントローラ : - 過電圧保護回路内蔵 - パストランジスタ内蔵 - 電流センサ内蔵 - 逆流放電保護回路内蔵 • 温度制御機能に対応した定電流 / 定電圧動作 • 4.15 V 低電圧ロックアウト (UVLO) • 13 V 入力過電圧保護回路 • 全温度レンジでの高精度プリセット電圧調整： -5 ～ +55 ℃で ±0.6% • 選択可能なバッテリ充電電圧 : - 8.20 V, 8.40 V, 8.7 V, 8.8 V • 抵抗で設定可能な急速充電電流 : - 130 ～ 1100 mA • 著しく消耗したセルの予備充電 : - 利用可能な選択肢 : 10% または無効 • 内蔵予備充電タイマ : - 32 分または無効 • 自動充電終了制御 : - 選択可能な最小電流比 : 5%, 7.5%, 10%, 20% - 経過時間タイマ : 4 hr、6 hr、8 hr、無効 • 自動再充電 : - 利用可能な選択肢 : 95% または無効 • 工場プリセットの充電ステータス出力 : - ON/OFF または点滅 • ソフトスタート • 温度レンジ : −40 ～ +85 ℃ • パッケージ : DFN-10 (3 mm x 3 mm)主なアプリケーション
• デジタル ビデオカメラ • ポータブル メディアプレーヤ • ウルトラモバイル PC • ノートブック PC • 携帯型機器 • トランシーバ ( 携帯型無線機 ) • 低コスト 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応 充電器/ クレードル概要
MCP73213 は、省スペース低コストのアプリケーション に適した、高集積リチウムイオン バッテリ充電管理 コントローラです。MCP73213 は、2 セル リチウム イオン/ ポリマーバッテリ専用の充電アルゴリズムを 提 供 す る 事 で、で き る だ け 短 い 充 電 時 間 で 最 適 な バッテリ容量と安全性を実現できます。小型パッケージ を採用し、外付け部品を最小限に抑える事が可能な MCP73213は、携帯型アプリケーションに理想的です。 絶対最大電圧が 18 V であるため、MCP73213 は低 コストACアダプタまたはプラグの抜き差しによる電圧 スパイク等の過酷環境でも使う事ができます。 MCP73213 は定電流 / 定電圧充電アルゴリズムを採用 しています。各種の充電電圧管理に対応しているため、 各種アプリケーションで使う事ができます。急速充電の 定電流値(130 ～ 1100 mA) は外付け抵抗で設定します。 大電流時または周囲温度が高い場合には、MCP73213 はダイ温度に基づいて充電電流を制限します。この 温度制御により、デバイスの信頼性を損なわずに充電 サイクル時間を最適化します。 MCP73213 の PROG ピンはイネーブルピンとしても 機能します。このピンをハイインピーダンスにすると、 MCP73213 はスタンバイモードに入ります。 MCP73213 は周囲温度 -40 ～ +85 ℃での動作を保証し ています。MCP73213 は 10 ピン DFN パッケージで提 供しています。パッケージタイプ
( 上面から見た図 )
MCP73213 3x3 DFN * VBAT VDD VBAT VSS VSS 1 2 3 4 10 9 8 7 STAT PROG VDD * 露出サーマルパッド (EP) 付き (表3-1参照) EP 11 NC 5 6 NC入力過電圧保護回路を備えた
2 セル リチウムイオン /
ポリマーバッテリ対応充電管理コントローラ
注意: この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。最新情報は必ずオリジ ナルの英語版をご参照願います。MCP73213
代表的な応用回路
VDD 5 3 1 2 8 7 RPROG 9 10 CIN COUT RLED + -2-Cell Li-Ion Battery 6 4 MCP73 213 VDD STAT NC NC VBAT VBAT PROG VSS VSS AC-DC-Adapter
2016
Microchip Technology Inc.
DS20002190 C_JP
MCP73213
表 1:選択可能な工場プリセット
表 2:標準サンプル品
充電電圧 OVP 予備充電電流 予備充電しきい値 予備充電タイマ 経過時間タイマ 充電終了制御 自動再充電 出力状態 8.2 V 13 V 無効/10% 66.5%/71.5% 無効/32 分 無効/4 hr/ 6 hr/8 hr 5%/7.5%/ 10%/20% なし/ あり タイプ1/ タイプ2 8.4 V 13 V 無効/10% 66.5%/71.5% 無効/32 分 無効/4 hr /6 hr/8 hr 5%/7.5%/ 10%/20% なし/ あり タイプ1/ タイプ2 8.7 V 13 V 無効/10% 66.5%/71.5% 無効/32 分 無効/4 hr/ 6 hr/8 hr 5%/7.5%/ 10%/20% なし/ あり タイプ1/ タイプ2 8.8 V 13 V 無効/10% 66.5%/71.5% 無効/32 分 無効/4 hr/ 6 hr/8 hr 5%/7.5%/ 10%/20% なし/ あり タイプ1/ タイプ2 Note 1: IREG: レギュレートされた急速充電電流 2: VREG: レギュレートされた充電電圧 3: IPREG/IREG: レギュレートされた急速充電電流に対する予備充電電流の比 4: ITERM/IREG: レギュレートされた急速充電電流に対する充電終了制御電流の比 5: VRTH/VREG: レギュレートされたバッテリ電圧に対する再充電しきい値電圧の比 6: VPTH/VREG: 予備充電しきい値電圧 7: タイプ 1: ON/OFF、タイプ 2: 点滅。表5-2を参照してください。 製品 番号VREG OVP IPREG/IREG 予備充電タイマ 経過時間 タイマ
ITERM/IREG VRTH/VREG VPTH/VREG 出力状態
MCP73213-B6S/MF 8.20 V 13 V 10% 32 分 6 hr 10% 95% 71.5% タイプ1
MCP73213-A6S/MF 8.40 V 13 V 10% 32 分 6 hr 10% 95% 71.5% タイプ1
Note 1: サポートとサンプルは販売代理店にお問い合わせください。各地の営業所もご利用頂けます。本書の最後のページには各国営業所の一覧を記載してい
ます。技術サポートは以下のウェブページからもご利用になれます。
MCP73213
機能ブロック図
REFERENCE, BIAS, UVLO, AND SHDN VREF (1.21V) STAT PROG VBAT VSS DIRECTION CONTROL PRECONDITION + -TERM + -+ -CA CHARGE + -+ -VA + -CURRENT LIMIT CHARGE CONTROL, TIMER, AND STATUS LOGIC VREF VOREG VOREG UVLO VDD Input OverVP VDD + - 13V Thermal Regulation TSD + -110°C *Recharge VBAT + -95% VREG*Only available on selected options G=0.001
MCP73213
1.0
電気的特性
絶対最大定格
†
VDD... 18.0 V VPROG... 6.0 V VSSを基準とした入出力... -0.3 ～ (VDD + 0.3) V 最高接合部温度(TJ) ... 内部制限 保管温度... –65 ～ +150 ℃ 全ピンのESD 保護4 kV (HBM) 全ピンのESD 保護300 V (MM) † Notice: ここに記載した「絶対最大定格」を超える条 件は、デバイスに恒久的な損傷を生じる可能性があり ます。これはストレス定格です。本書の動作表に示す 条件外でのデバイス運用は想定していません。長期間に わたる絶対最大定格条件での動作や保管は、デバイスの 信頼性に影響する可能性があります。DC 特性
電気的仕様: 特に明記しない場合、全ての制限値に以下の条件を適用します。 VDD = [VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 12 V,TA = -40 ～ +85 ℃。代表値は +25 ℃ (typ.)、VDD = [VREG (typ.) + 1.0 V] における値です。
パラメータ 記号 最小 Typ. 最大 単位 条件 電源入力 入力電圧レンジ VDD 4 — 16 V 動作電源電圧 VDD 4.2 — 13 V 消費電流 ISS — 4 5.5 µA シャットダウン (VDD ≤ [VBAT - 150 mV]) — 700 1500 µA 充電中 — 50 125 µA スタンバイ (PROG はフローティング ) — 50 150 µA 充電完了、バッテリなし、 VDD < VSTOP バッテリ放電電流 出力逆リーク電流 IDISCHARGE — 0.5 2 µA スタンバイ (PROG はフローティング ) — 0.5 2 µA シャットダウン(VDD ≤ [VBAT] またはVDD < VSTOP) — 10 17 µA 充電完了、VDD印加 低電圧ロックアウト(UVLO) UVLO 開始しきい値 VSTART 4.10 4.15 4.25 V UVLO 終了しきい値 VSTOP 4.00 4.05 4.10 V UVLO ヒステリシス VHYS — 100 — mV 過電圧保護(OVP) OVP 開始しきい値 VOVP 12.8 13 13.2 V OVP ヒステリシス VOVPHYS — 150 — mV 電圧調整( 定電圧モード ) レギュレートされた出力 電圧 VREG 8.15 8.20 8.25 V TA = -5 ～ +55 ℃ 8.35 8.40 8.45 V VDD = [VREG (typ.) + 1 V] 8.65 8.70 8.75 V IOUT = 50 mA 8.75 8.80 8.85 V 出力電圧公差 VRTOL -0.6 — 0.6 % ライン レギュレーション VBAT/ VBAT)/VDD| — 0.05 0.20 %/V VDD = [VREG (typ.) + 1 V] ～ 12 V IOUT = 50 mA
負荷レギュレーション VBAT/VBAT| — 0.05 0.20 % IOUT = 50 ～ 150 mA
MCP73213
電源電圧変動除去比 PSRR — -46 — dB IOUT = 20 mA, 10 Hz ～ 1 kHz — -30 — dB IOUT = 20 mA, 10 Hz ～ 10 kHz バッテリ短絡保護(BSP) BSP 開始しきい値 VSHORT — 3.4 — V BSP ヒステリシス VBSPHYS — 150 — mV BSP レギュレーション 電流 ISHORT — 25 — mA 電流制御( 急速充電、定電流モード ) 急速充電電流制御 IREG 130 — 1100 mA TA = -5 ～ +55 ℃ 117 130 143 mA PROG = 10 k 900 1000 1100 mA PROG = 1.1 k 予備充電電流制御( トリクル充電、定電流モード )予備充電電流比 IPREG/IREG — 10 — % PROG = 1 ～ 10 k
TA = -5 ～ +55 ℃
— 100 — % 予備充電なし
予備充電電圧しきい値比 VPTH/VREG 64 66.5 69 % VBAT Low-to-High
69 71.5 74 % VBAT Low-to-High
予備充電ヒステリシス VPHYS — 100 — mV VBAT High-to-Low (Note 1)
充電終了
充電終了電流比 ITERM/IREG 3.7 5 6.3 % PROG = 1 ～ 10 k
TA = -5 ～ +55 ℃
5.6 7.5 9.4 —
7.5 10 12.5 —
15 20 25 —
自動再充電
再充電電圧しきい値比 VRTH/VREG 93 95.0 97 % VBAT High-to-Low
自動再充電なし — 0 — % パストランジスタON 抵抗 ON 抵抗 RDSON — 350 — m VDD = 4.5 V, TJ = 105 ℃ (Note 1) ステータス インジケータ - STAT シンク電流 ISINK — 20 35 mA Low 出力電圧 VOL — 0.2 0.5 V ISINK = 4 mA 入力リーク電流 ILK — 0.001 1 µA ハイインピーダンス、ピンに VDDを印加 PROG 入力 充電インピーダンス レンジ RPROG 1 — 22 k シャットダウン インピーダンス RPROG — 200 — k シャットダウン用の インピーダンス
DC 特性 ( 続き )
電気的仕様: 特に明記しない場合、全ての制限値に以下の条件を適用します。 VDD = [VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 12 V,TA = -40 ～ +85 ℃。代表値は +25 ℃ (typ.)、VDD = [VREG (typ.) + 1.0 V] における値です。
MCP73213
AC 特性
温度仕様
サーマル シャットダウン ダイ温度 TSD — 150 — ℃ ダイ温度ヒステリシス TSDHYS — 10 — ℃ 電気的仕様: 特に明記しない場合、全ての制限値に以下の条件を適用します。 VDD = [VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 12 V,TA = -40 ～ +85 ℃。代表値は +25 ℃ (typ.)、VDD = [VREG (typ.) + 1.0 V] における値です。
パラメータ 記号 最小 Typ. 最大 単位 条件 経過時間タイマ 経過時間タイマ期間 tELAPSE D — 0 — 時間 タイマが無効の場合 3.6 4.0 4.4 時間 5.4 6.0 6.6 時間 7.2 8.0 8.8 時間 予備充電タイマ 予備充電タイマ期間 tPRECHG — 0 — 時間 タイマが無効の場合 0.4 0.5 0.6 時間 ステータス インジケータ ステータス出力ターンオフ tOFF — — 500 µs ISINK = 1 ～ 0 mA (Note 1) ステータス出力ターンオン tON — — 500 µs ISINK = 0 ～ 1 mA (Note 1) Note 1: 量産検査は実施していません。設計による保証です。 電気的仕様: 特に明記しない場合、全ての制限値に以下の条件を適用します。 VDD = [VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 6 V, 代表値は+25 ℃、VDD = [VREG (typ.) + 1.0 V] における値です。 パラメータ 記号 最小 Typ. 最大 単位 条件 温度レンジ 仕様温度レンジ TA -40 — +85 ℃ 動作温度レンジ TJ -40 — +125 ℃ 保管温度レンジ TA -65 — +150 ℃ パッケージ熱抵抗 熱抵抗、10 ピン DFN (3x3) JA — 62 — ℃/W 4 層 JC51-7 標準基板、 自然対流 JC — 20.5 — ℃/W
DC 特性 ( 続き )
電気的仕様: 特に明記しない場合、全ての制限値に以下の条件を適用します。 VDD = [VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 12 V,TA = -40 ～ +85 ℃。代表値は +25 ℃ (typ.)、VDD = [VREG (typ.) + 1.0 V] における値です。
パラメータ 記号 最小 Typ. 最大 単位 条件
MCP73213
MCP73213
2.0
代表性能曲線
Note: 特に明記しない場合、VDD = [VREG (typ.) + 1 V]、IOUT = 50 mA、TA= +25 ℃、定電圧モードにおける値です。
図 2-1: 電源電圧(VDD) に対する バッテリ調整電圧(VBAT) 図 2-2: 電源電圧(VDD) に対する バッテリ調整電圧(VBAT) 図 2-3: 周囲温度(TA) に対する バッテリ調整電圧(VBAT) 図 2-4: 周囲温度(TA) に対する バッテリ調整電圧(VBAT) 図 2-5: プログラム抵抗(RPROG) に対する 充電電流(IOUT) 図 2-6: 電源電圧(VDD) に対する 充電電流(IOUT) Note: 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、あくまでも情報提供を目的としています。 ここに記載する性能特性はテストされておらず、保証されません。下図表の一部には、仕様動作レンジ外で 計測されたデータも含みます(例: 仕様レンジ外の電源を使用)。従ってこれらのデータは保証範囲外です。 8.16 8.17 8.18 8.19 8.20 8.21 8.22 8.23 8.24 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) B a tt e ry Re gu la ti on V ol ta g e ( V ) VBAT = 8.2V ILOAD = 150 mA TA = +25°C 8.16 8.17 8.18 8.19 8.20 8.21 8.22 8.23 8.24 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) B a tt e ry Re gu la ti on V ol ta g e ( V ) VBAT = 8.2V ILOAD = 50 mA TA = +25°C 8.16 8.17 8.18 8.19 8.20 8.21 8.22 8.23 8.24 -5 5 15 25 35 45 55 Ambient Temperature (°C) B at ter y R e gu la ti on V o lt age (V) VBAT = 8.2V VDD = 9.2V ILOAD = 50 mA 8.16 8.17 8.18 8.19 8.20 8.21 8.22 8.23 8.24 -5.0 5.0 15.0 25.0 35.0 45.0 55.0 Ambient Temperature (°C) B at ter y R e gu la ti on V o lt age (V) VBAT = 8.2V VDD = 9.2V ILOAD = 150 mA 0 200 400 600 800 1000 1200 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Programming Resistor (kΩ) C h a rge C ur re n t (m A ) VBAT = 8.2V VDD = 9.2V TA = +25°C 700 720 740 760 780 800 820 840 860 880 900 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) C h a rge C urre n t (m A ) RPROG = 1.3 kΩ TA = +25°C
MCP73213
代表性能曲線
( 続き )
Note: 特に明記しない場合、VDD = [VREG (typ.) + 1 V]、IOUT = 10 mA、TA= +25 ℃、定電圧モードにおける値です。
図 2-7: 電源電圧(VDD) に対する 充電電流(IOUT) 図 2-8: 電源電圧(VDD) に対する 充電電流(IOUT) 図 2-9: 周囲温度(TA) に対する 充電電流(IOUT) 図 2-10: 周囲温度(TA) に対する 充電電流(IOUT) 図 2-11: 周囲温度(TA) に対する バッテリ短絡保護制御電流(ISHORT) 図 2-12: 周囲温度(TA) に対する 出力リーク電流(IDISCHARGE) 100 106 112 118 124 130 136 142 148 154 160 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) C h a rge C urre n t (m A ) RPROG = 10 kΩ TA = +25°C 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) C h a rg e C ur re nt ( mA ) RPROG = 5 kΩ TA = +25°C 60 63 66 69 72 75 78 81 84 87 90 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Ambient Temperature (°C) C h a rge C ur re n t (m A ) VRBATPROG = 8.2V = 20 kΩ VDD = 12V VDD = 11V VDD = 8.5V VDD = 9.2V 550 560 570 580 590 600 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Ambient Temperature (°C) C h ar ge C ur re nt ( m A ) VDD = 8.5V VDD = 9.2V VDD = 11V VDD = 12V VBAT = 8.2V RPROG = 2 kΩ 10 14 18 22 26 30 -45 -35 -25 -15 -5 5 15 25 35 45 55 65 75 85 Ambient Temperature (C) B S P Re g u la ti o n Cu rr en t (m A) VDD = 9.2V -1.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -5.0 5.0 15.0 25.0 35.0 45.0 55.0 Ambient Temperature (°C) D is ch arg e Cu rre n t ( u A ) VDD < VBAT VDD < VSTOP End of Charge
MCP73213
代表性能曲線
( 続き )
Note: 特に明記しない場合、VDD = [VREG (typ.) + 1 V]、IOUT = 10 mA、TA= +25 ℃、定電圧モードにおける値です。
図 2-13: 電源電圧(VDD) に対する バッテリ電圧精度圧(VRTOL) 図 2-14: 負荷過渡応答(ILOAD= 50 mA/Div、 出力: 100 mV/Div、時間 : 100 µs/Div) 図 2-15: 充電サイクルの完了 図 2-16: 入力過電圧保護 図 2-17: ライン過渡応答(ILOAD = 10 mA) (100 µs/Div) 図 2-18: ライン過渡応答(ILOAD = 100 mA) (100 µs/Div) -0.5 -0.3 -0.1 0.1 0.3 0.5 8.4 9.0 9.6 10.2 10.8 11.4 12.0 Supply Voltage (V) B a tte ry V o lta g e A c c u ra c y (% ) VBAT = 8.2V ILOAD = 150 mA TA = +25°C OUTPUT RIPPLE (V)
Output Current (mA)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Time (Minutes) B att er y Vo lt a g e (V) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 S u ppl y Cu rre n t ( A) VDD = 9V RPROG = 1.5 kΩ
875 mAh Li-Ion Battery
Thermal Foldback INPUT VOLTAGE BATTERY VOLTA OUTPUT CURRENT OUTPUT RIPPLE (V) Source Voltage (V) Output Ripple (V) Source Voltage (V)
MCP73213
MCP73213
3.0
ピンの説明
表3-1に、ピンの機能を示します。 表 3-1: ピン割り当て表3.1
バッテリ管理入力電源
(V
DD)
電源電圧は[VREG (typ.) + 0.3 V] ～ 13.0 V を推奨します。 1 µF以上のコンデンサでVSSにバイパスしてください。 VDDピンの絶対最大定格は18 V であるため、スパイク または低コスト AC/DC 電源アダプタからの入力電圧 の急激な上昇によるデバイスの損傷を防ぎます。3.2
バッテリ充電制御出力
(V
BAT)
バッテリの正極端子に接続します。バッテリを接続し ない場合のループ安定性を確保するため、1 µF 以上の コンデンサでVSSにバイパスします。3.3
NC( 開放 )
このピンには何も接続しません。3.4
ステータス出力
(STAT)
STAT は、スタンドアロン型アプリケーションの充電 ステータス表示用LEDに接続するためのオープンドレ イン ロジック出力です。または、プルアップ抵抗を介 してホスト マイクロコントローラに接続する事もで きます。充電サイクル中のステータス出力の一覧は、 表5-2を参照してください。3.5
バッテリ管理
0 V 参照電圧 (V
SS)
バッテリと入力電源の負極端子に接続します。3.6
電流制限値設定
(PROG)
定電流(CC) モード時の急速充電電流は、PROG から VSSへ抵抗を接続して設定します。PROG ピンは充電 制御イネーブルとしても機能します。200 k (typ.) の 抵抗をPROG ピンに接続した場合、MCP73213 は スタンバイモードに移行し、1 ～ 22 k のプログラム 抵抗を接続するまでその状態を維持します。詳細は セクション5.5「定電流 ( 急速充電 ) モード」を参照し てください。3.7
露出パッド
(EP)
露出サーマルパッド(EP) は、プリント基板 (PCB) 上 の露出銅領域に接続する事で熱特性を向上させる事が できます。MCP73213 の下の銅領域にビアを追加する と放熱性を向上させる事ができ、アセンブリ プロセス も簡単にする事ができます。 MCP73213 記号 I/O 説明 DFN-10 1, 2 VDD I バッテリ管理入力電源ピン 3, 4 VBAT I/O バッテリ充電制御出力ピン 5, 6 NC — NC( 開放 ) ピン 7 STAT O バッテリ充電ステータス出力ピン 8, 9 VSS — バッテリ管理0 V 参照電圧ピン 10 PROG I/O バッテリ充電電流調整および充電制御イネーブルピン 11 EP — 露出パッドピンMCP73213
MCP73213
4.0
デバイス概要
MCP73213 は、シンプルな統合型リニア充電管理コントローラです。図4-1に、動作フロー アルゴリズムを示します。 図 4-1: MCP73213 のフローチャート VBAT < VPTH タイムアウト シャットダウン モード VDD < VUVLO VDD < VPD または PROG > 200 kW STAT = ハイインピーダンス 温度フォルト 充電電流なし STAT = 点滅 ( タイプ 2) STAT = ハイインピーダンス タイマサスペンド タイマフォルト 充電電流なし STAT = 点滅 ( タイプ 2) STAT = ハイインピーダンス タイマサスペンド 予備充電モード 充電電流 = IPREG STAT = LOW タイマリセット タイマイネーブル 急速充電モード 充電電流 = IREG STAT = LOW タイマリセット タイマイネーブル 定電圧モード 充電電圧 = VREG STAT = LOW 充電完了モード 充電電流なし STAT = ハイインピーダンス タイマリセット VBAT > VPTH VBAT = VREG ピンの出力電流VBAT < ITERM VBAT > VPTH VBAT < VRTH VDD < VOVP VDD > VOVP 過電圧保護 充電電流なし STAT = ハイインピーダンス タイマサスペンド VDD > VOVP VDD < VOVP VDD > VOVP VDD < VOVP タイムアウト タイマフォルト 充電電流なし STAT = 点滅 ( タイプ 2) STAT = ハイインピーダンス タイマサスペンド ダイ温度 > TSD ダイ温度 < TSDHYS 充電モード再開 バッテリ短絡保護 充電電流 = ISHORT STAT = 点滅 ( タイプ 2) STAT = ハイインピーダンス タイマサスペンド VBAT > VSHORT VBAT < VSHORT 充電モード再開 ( タイプ 1) ( タイプ 1) ( タイプ 1) ( タイプ 1)MCP73213
MCP73213
5.0
詳細説明
5.1
低電圧ロックアウト
(UVLO)
内蔵の低電圧ロックアウト(UVLO) 回路は入力電圧を 監視し、この値がUVLO しきい値を超えるまで充電回 路をシャットダウン モードに維持します。入力電圧印 加時にバッテリが存在する場合、MCP73213 が動作を 開始する前に入力電圧がバッテリ電圧より約 150 mV 高い値に立ち上がる必要があります。 入力電圧がバッテリ電圧より約 150 mV 低くなると、 UVLO回路はデバイスをシャットダウン モードに移行 させます。UVLO 回路は常時アクティブです。入力電 圧がUVLO しきい値より低くなった場合、または VBAT より約150 mV 低くなった場合、MCP73213 はシャッ トダウン モードに移行します。5.2
過電圧保護
(OVP)
内蔵の過電圧保護 (OVP) 回路は入力電圧を監視し、 この値が13 V (typ.) の OVP しきい値を超えた場合、 充電回路をシャットダウン モードに移行させます。 MCP73213 の OVP ヒステリシスは約 150 mV です。 MCP73213 は UVLO と OVP の間で動作します。OVP回路は過電圧ロックアウト(OVLO) とも呼びます。
5.3
充電開始の条件
入力電圧を印加した場合、MCP73213 が動作を開始す る前に入力電圧がバッテリ電圧より150 mV 高い値に 立ち上がる必要があります。 入力電圧が( バッテリ電圧 + 50 mV) より低くなると、 自動電源OFF 回路はデバイスをシャットダウン モード に移行させます。 自動電源OFF 回路は常時アクティブです。入力電圧が (VBAT + 50 mV) より低くなると、MCP73213 はシャット ダウン モードに移行します。 充電サイクルを開始するには、自動電源OFF 条件が満 たされており、かつ充電イネーブルの電圧が入力High しきい値より高い必要があります。 5.3.1 バッテリ管理入力電源(VDD) VDD入力はMCP73213 への入力電源です。VDD入力 電 圧 が ( バッテリ電圧 + 50 mV) より低くなると、 MCP73213 は自動的に電源 OFF モードに移行します。 この機能は、VDD電源が接続されていない時にバッテリ パックが消耗するのを防ぎます。 5.3.2 バッテリ充電制御出力(VBAT) バッテリ充電制御出力は、内部P チャンネル MOSFET のドレイン端子です。MCP73213 は、この MOSFET を線形領域で制御する事によってバッテリに対する 定電流/ 定電圧制御を行います。バッテリ充電制御 出力は、バッテリの正極端子に接続します。 5.3.3 バッテリ検出 MCP73213 は、バッテリが接続されている事を出力 コンデンサの充電で検出します。VBATが再充電電圧し きい値(VRTH) より下がると、充電フローが開始します。 VRECHARGEの値はセクション1.0「電気的特性」を参照 してください。その値は再充電できないデバイスでも 同じです。 VBAT> (VREG+ ヒステリシス ) の場合、充電を中断し ( 条件によって開始せず ) 過充電を防ぎます。5.4
予備充電
VBAT が 予 備 充 電 し き い 値 (VPTH) より低い場合、 MCP73213 は予備充電モードに移行します。予備充電 しきい値は出荷時に設定済みです。予備充電電圧しき い値比(VPTH/VREG) はセクション1.0「電気的特性」を 参照してください。 このモードでは、MCP73213 は急速充電電流 (PROG ピンに接続した抵抗の値で設定) の 10% をバッテリに 供給します。 VBATが予備充電しきい値より上昇すると、MCP73213 は定電流( 急速充電 ) モードに移行します。 5.4.1 予備充電モードのタイムアウト 急速充電モードの電圧しきい値に達する前に内部タイマ がタイムアウトになると、タイマフォルトとなり充電 サイクルは終了します。バッテリを取り外す、または 入力電源を一度切ってから入れ直すまでMCP73213 は こ の 状 態 を 維 持 し ま す。バ ッ テ リ を 取 り 外 す と、 MCP73213 は次にバッテリを取り付けるまでスタンバ イモードに移行します。 Note: MCP73213 は予備充電なしにも設定でき ます。 Note: MCP73213 の予備充電タイマは 32 分 （typ.）です。MCP73213 は予備充電タイマ なしにも設定できます。MCP73213
5.5
定電流
( 急速充電 ) モード
定電流モードでは、一定の充電電流をバッテリ( 負荷 ) に供給します。 この充電電流は、PROG から VSSへ接続した抵抗で 設定します。プログラム抵抗と充電電流の値は以下の 式で求めます。 式 5-1: 式 5-2: 表5-1に、各種充電電流に対する一般的なE96 (1%) お よびE24 (5%) 抵抗を示します。 VBATが調整電圧VREGに達するまで定電流モードが継 続します。定電流モード開始時、内部タイマがリセット されます。 5.5.1 定電流( 急速充電 ) モードのタイム アウト 再充電電圧しきい値に達する前に内部タイマがタイム アウトになると、タイマフォルトとなり充電サイクル は終了します。バッテリを取り外すまでMCP73213 は この状態を維持します。バッテリを取り外す、または 入力電源を一度切ってから入れ直すと、MCP73213 は 次にバッテリを取り付けるまでスタンバイモードに移 行します。5.6
定電圧モード
VBATが調整電圧VREGに達すると、定電圧調整が開始 します。調整電圧は出荷時に8.2 V, 8.4 V, 8.7 V, 8.8 V のいずれか( いずれも公差 ±0.5%) に設定済みです。5.7
充電終了電流比
定電圧モード時、平均充電電流が急速充電電流の5%, 7.5%, 10%, 20% のいずれかの値で設定したしきい値 より低下した場合、または内部タイマがタイムアウト になると、充電サイクルは終了します。負荷条件の変化 によって充電サイクルが途中で終了するのを防ぐため、 充電終了コンパレータには1 ms のフィルタ時間を設定 済みです。このタイマ周期は出荷時に設定済みですが、 無効にする事もできます。タイマ周期の設定値はセク ション1.0「電気的特性」を参照してください。5.8
自動再充電
充電完了モード中、MCP73213 は VBATを常時監視し ます。この電圧が再充電しきい値より低下すると充電 サイクルを再開します。再充電しきい値は出荷時に設 定済みです。再充電しきい値の設定値はセクション 1.0「電気的特性」を参照してください。 自動再充電機能がないMCP73213 の場合、終了条件を 満たすとMCP73213 はスタンバイモードに移行します。 充電は以下の条件のいずれかが満たされるまで再開し ません。 • バッテリを取り外し、再度取り付けた • VDDを取り外し、再度接続した • RPROGを切り離し( ハイインピーダンスとし )、 再度接続した 表 5-1: 抵抗の早見表 充電電流 (mA) 推奨E96 抵抗 () 推奨E24 抵抗() 130 10k 10k 150 8.45k 8.20k 200 6.20k 6.20k 250 4.99k 5.10k 300 4.02k 3.90k 350 3.40k 3.30k 400 3.00k 3.00k 450 2.61k 2.70k 500 2.32k 2.37k 550 2.10k 2.20k 600 1.91k 2.00k 650 1.78k 1.80k 700 1.62k 1.60k 750 1.50k 1.50k 800 1.40k 1.50k 850 1.33k 1.30k 900 1.24k 1.20k IREG = 1104 R PROG–0.93 RPROG = プログラム抵抗(k) IREG = 充電電流(mA) RPROG 10 IREG 1104 --- log –0.93 = RPROG = プログラム抵抗(k) IREG = 充電電流(mA) Note: 自動再充電機能がないMCP73213 も提供 しています。MCP73213
5.9
温度制御
MCP73213 は、ダイ温度に基づいて充電電流を制限し ます。この温度制御により、デバイスの信頼性を維持 したまま充電サイクル時間を最適化します。図5-1に、 MCP73213 の温度制御を示します。パッケージの熱抵 抗はセクション1.0「電気的特性」、発熱量の計算方法 はセクション6.1.1.2「温度に関する注意事項」を参照 してください。 図 5-1: 温度制御5.10
サーマル
シャットダウン
MCP73213 は、ダイ温度が 150 ℃を超えると充電を中 断します。ダイ温度が約 10 ℃下がると充電を再開し ます。サーマル シャットダウンは、この温度制御回路 に障害が発生した場合のバックアップ機能です。5.11
ステータス
インジケータ
充電ステータス出力(STAT) は、2 つの状態 (Low (L)、 ハイインピーダンス(High Z))を持つオープンドレイン 出力です。充電ステータス出力はLED の点灯に使う事 ができます。または、充電ステータス出力にホスト マ イ ク ロ コ ン ト ロ ー ラ を 接 続 す る 事 も で き ま す。 表5-2に、充電サイクル中のステータス出力の状態を まとめます。5.12
バッテリ短絡保護
(BSP)
1 セル リチウムイオン バッテリが検出されると、内蔵 バッテリ短絡保護(BSP) 回路がバッテリ電圧の監視を 開始します。VBATピンの電圧が1.7 V (typ.) のバッテリ 短絡保護しきい値電圧より下がった場合、充電挙動は 延期されます。バッテリ短絡条件からの回復のために 25 mA (typ.) の検出電流が供給されます。 VBAT がバッテリ短絡保護しきい値を上回った場合、 予備充電モードが再開します。MCP73213 が動作を開始 する前に、バッテリ電圧がバッテリ短絡保護電圧より 約150 mV 高い値に立ち上がる必要があります。 0 30 60 90 120 150 25 40 55 70 85 100 115 130 145 160 Junction Temperature (°C) F as t C h arg e C u rre n t (mA) VDD = 9.1V RPROG = 10 kΩ 表 5-2: ステータス出力 充電サイクルの状態 STAT シャットダウン High Z スタンバイ High Z 予備充電 L 定電流( 急速充電 ) L 定電圧 L 充電完了 - スタンバイ High Z 温度フォルト 周期1.6 秒デューティー サイクル50% の点滅 ( タイプ 2) ハイインピーダンス ( タイプ 1) タイマフォルト 周期1.6 秒デューティー サイクル50% の点滅 ( タイプ 2) ハイインピーダンス ( タイプ 1) 予備充電タイマフォルト 周期1.6 秒デューティー サイクル50% の点滅 ( タイプ 2) ハイインピーダンス ( タイプ 1)MCP73213
MCP73213
6.0
応用回路
MCP73213 は、ホスト マイクロコントローラと組み 合わせて、またはスタンドアロンで動作させるように 設計されています。MCP73213 は、2 セルのリチウム イオン/ リチウムポリマー バッテリに最適化されている 定電流/定電圧充電アルゴリズムを提供します。図6-1に、 代表的なスタンドアロン型応用回路を示します。また 図6-2に、この回路における充電プロファイルを示し ます。 図 6-1: 代表的な応用回路 図 6-2: 代表的な充電プロファイル (875 mAh リチウムイオン バッテリ ) VDD 5 3 1 2 8 7 RPROG 9 10 CIN COUT RLED + -2-Cell Li-Ion Battery 6 4 MCP7 321 3 VDD STAT NC NC VBAT VBAT PROG VSS VSS AC-DC-Adapter 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Time (Minutes) B a tt er y V o lt ag e (V ) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 S upp ly Cu rre nt ( A) VDD = 9V RPROG = 1.5 kΩ875 mAh Li-Ion Battery
MCP73213
6.1
応用回路の設計
リニア充電は効率が低いため、熱設計とコストが最も 重要な要素です。これらは入力電圧、出力電流、そし てデバイスと周囲環境( 空気 ) との間の熱抵抗の関数 として決まります。最悪条件は、デバイスが予備充電 モードから定電流モードへ移行した時点です。この時、 デバイスの消費電力は最大です。充電電流、コスト、 デバイスの温度要件の間でトレードオフが必要です。 6.1.1 部品の選択 図6-1の外付け部品の選択は、充電システムの整合性 と信頼性に重要な役割を果たしています。ここからは、 部品選択のプロセスについて説明します。 6.1.1.1 充電電流 リチウムイオン/ ポリマー バッテリセルの急速充電電 流の推奨レートは1C 未満、絶対最大電流レートは 2C です。急速充電電流はバッテリメーカーの推奨値に 従ってください。例えば、0.7C の急速充電電流が推奨 されている500 mAh のバッテリの充電電流は 350 mA です。このレートで充電すればバッテリの性能または 寿命を劣化させる事なく充電サイクル時間を最短にで きます。 6.1.1.2 温度に関する注意事項 デバイスの発熱最悪条件は、入力電圧が最大で予備充 電モードから定電流モードに移行した時点です。この 時の発熱量は以下の式で表されます。 式 6-1: 入力電圧源が9 V ±10%、400 mA ±10% で、予備充電 しきい値電圧が6 Vの場合の発熱量を以下に示します。 式 6-2: この発熱量によって、DFN-10 パッケージ デバイスは 室温より約98 C 高くなります。 6.1.1.3 外付けコンデンサ MCP73213はバッテリ負荷の有無にかかわらず安定動 作します。定電圧モードで良好なAC 安定性を維持す るには、1 µF 以上のコンデンサで VBATピンをVSSに バイパスする事を推奨します。このコンデンサにより、 バッテリ負荷がない場合の補償をします。また、高周波 領域ではバッテリと配線のインダクタンスが顕著です。 これらの素子は、定電圧モードでは制御帰還ループ内 にあります。従って、バッテリのインダクタンスを補 償するためにバイパス コンデンサが必要となる事が あります。 通常は、耐圧16 V 以上の 1 µF の出力コンデンサと耐圧 25 V 以上の 1 µF の入力コンデンサを用いる事を推奨 します。 表 6-1: MLCC コンデンサの例 出力フィルタ特性の優れたコンデンサなら、最小ESR ( 等価直列抵抗) の値にかかわらずどのようなものでも 使えます。コンデンサ( と対応する ESR) の実際の値 は、出力負荷電流によって決まります。通常、1 µF の コンデンサを出力に接続すれば十分に安定性を確保で きます。 6.1.1.4 逆流防止回路 MCP73213 には、入力の障害または短絡からの保護回 路があります。この回路がないと、入力の障害または 短絡が発生した場合、内部パストランジスタのボディ ダイオードからバッテリが放電します。 Note: 推奨充電電流はバッテリメーカーにお問 い合 わせ くだ さ い。また はバ ッテ リの データシートを参照してください。PowerDissipation= VDDMAX VPTHMIN– I REGMAX
VDDMAX = 最大入力電圧 IREGMAX = 最大急速充電電流 VPTHMIN = 最小過渡しきい値電圧 MLCC コンデンサ 温度レンジ 公差 X7R -55 ～ +125 ℃ ±15% X5R -55 ～ +85 ℃ ±15% Power dissipation =9.9V 6.0V– 440 mA 1.58W=
MCP73213
6.2
PCB のレイアウトに関する注意事項
最適な電圧調整が行えるように、バッテリをデバイス のVBATおよびVSSピンのなるべく近くに配置し、大 電流が流れる PCB トレースでの電圧降下を最小限に 抑えます。 PCB レイアウトをヒートシンクとして使う場合、ヒート シンク パッドに複数のビアを追加し、より多くの熱を PCB のバックプレーンに逃がすようにすると、接合部 温度を下げる事ができます。図6-4および6-5に、PCB によるヒートシンクを備えた代表的なレイアウトを示 します。 図 6-3: 代表的なレイアウト( 上面 ) 図 6-4: 代表的なレイアウト( 上面メタル ) 図 6-5: 代表的なレイアウト( 下面 ) 102-00261 MCP73213EVMCP73213
MCP73213
7.0
パッケージ情報
7.1
パッケージのマーキング情報
XXXX 10 ピン DFN (3x3) YYWW NNN 例: 標準* 製品番号 コード MCP73213-A6SI/MF Z3HI MCP73213T-A6SI/MF Z3HI MCP73213-B6SI/MF Y3HI MCP73213T-B6SI/MF Y3HI Z3HI 1443 256 凡例: XX...X お客様固有情報 Y 年コード( 西暦の下 1 桁 ) YY 年コード( 西暦の下 2 桁 ) WW 週コード(1 月 1 日の週が「01」) NNN 英数字のトレーサビリティ コード 無光沢スズ(Sn) めっきを示す鉛フリーの JEDEC®マーク * 本パッケージは鉛フリーです。鉛フリーJEDEC マーク ( ) は 外箱に表記しています。 Note: Microchip 社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合、複数行を使います。 この場合、お客様固有情報に使える文字数が制限されます。 3 e 3 eMCP73213
10 ピン プラスチック デュアルフラット、リードレス パッケージ (MF) - 3x3x0.9 mm ボディ [DFN]
Note: 最新のパッケージ図面については、以下のウェブページにある『Packaging Specification (Microchip 社パッケージ仕様)』を参照してください。
MCP73213
10 ピン プラスチック デュアルフラット、リードレス パッケージ (MF) - 3x3x0.9 mm ボディ [DFN]
Note: 1. ピン1 のビジュアル インデックスの場所にはばらつきがありますが、必ず斜線部分内にあります。 2. パッケージの端部には1 つまたは複数の露出タイバーがあります。 3. パッケージはダイサーで個片化されています。 4. 寸法と許容誤差はASME Y14.5M に準拠しています。 BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、許容誤差なしで表示 REF: 参考寸法、通常は許容誤差を含まない、情報としてのみ提示される値Microchip Technology Drawing C04-063C Sheet 2 of 2 Note: 最新のパッケージ図面については、以下のウェブページにある『Packaging Specification (Microchip 社
パッケージ仕様)』を参照してください。
http://www.microchip.com/packaging
単位 ミリメートル
寸法 MIN NOM MAX
ピン数 N 10 ピッチ e 0.50 BSC 全高 A 0.80 0.90 1.00 スタンドオフ A1 0.00 0.02 0.05 コンタクト厚 A3 0.20 REF 全長 D 3.00 BSC 露出パッド長 D2 2.15 2.35 2.45 全幅 E 3.00 BSC 露出パッド幅 E2 1.40 1.50 1.75 コンタクト幅 b 0.18 0.25 0.30 コンタクト長 L 0.30 0.40 0.50 コンタクト- 露出パッド間距離 K 0.20 -
-MCP73213
10 ピン プラスチック デュアルフラット、リードレス パッケージ (MF) - 3x3x0.9 mm ボディ [DFN]
Note:
1. 寸法と許容誤差はASME Y14.5M に準拠しています。 BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、許容誤差なしで表示
Microchip Technology Drawing C04-2063B Note: 最新のパッケージ図面については、以下のウェブページにある『Packaging Specification (Microchip 社
パッケージ仕様)』を参照してください。
http://www.microchip.com/packaging
単位 ミリメートル
寸法 MIN NOM MAX
コンタクトピッチ E 0.50 BSC オプションのセンターパッド幅 W2 2.48 オプションのセンターパッド長 T2 1.55 コンタクトパッド間隔 C1 3.10 コンタクトパッド幅(X10) X1 0.30 コンタクトパッド長(X10) Y1 0.65 パッド間距離 G 0.20
MCP73213
補遺
A:
改訂履歴
リビジョン
C (2014 年 12 月 )
変更内容は以下の通りです。 1. タイプ1 とタイプ 2 の説明に関する表1のNote 7 を追加しました。 2. 機能ブロック図を更新しました。 3. 温度仕様の熱抵抗を更新しました。 4. 図2-7、2-8、2-15、2-16のタイトルを変更しました。 5. 図4-1を更新しました。 6. セクション6.1.1.2、温度に関する注意事項を更新 しました。 7. セクション 7.1、パッケージのマーキング情報を 更新しました。 8. 細かな誤字を訂正しました。リビジョン
B (2009 年 12 月 )
変更内容は以下の通りです。 1. DC 特性表内のバッテリ短絡保護の値を更新しま した。リビジョン
A (2009 年 7 月 )
• 本書は初版です。MCP73213
MCP73213
製品識別システム
ご注文や製品の価格、納期につきましては、弊社または販売代理店にお問い合わせください。 デバイス: MCP73213-xxx: 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応 デバイス MCP73213T-xxx: 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応 デバイス、テープ& リール テープ& リールオ プション: T = テープ & リール (1) 温度 レンジ: I =-40 ～ +85 ℃ ( 産業用温度レンジ ) パッケージ: MF = 10 ピン プラスチック デュアルフラット、リードレス - 3x3 mm ボディ (DFN) 例: a) MCP73213-A6SI/MF: 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応デバイス b) MCP73213-B6SI/MF: 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応デバイス c) MCP73213T-A6SI/MF: テープ & リール、 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応デバイス d) MCP73213T-B6SI/MF: テープ & リール、 2 セル リチウムイオン / ポリマー対応デバイス 製品番号 X /XX XXX パターン パッケージ 温度レンジ デバイス [X](1) テープ& リール オプション Note 1: テープ＆リールの識別情報は、カタログの製品 番号説明にのみ記載されています。これは製品 の注文時に使う識別情報であり、デバイスの パッケージには印刷されていません。テープ& リールが選択できるパッケージの在庫/ 供給状 況は、最寄りのMicrochip 社の営業所までお問 い合わせください。MCP73213
本書に記載されているデバイス アプリケーション等に関する 情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に あります。Microchip 社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法 定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に 関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性を は じ め と す る、い か な る 類 の 表 明 も 保 証 も 行 い ま せ ん。 Microchip 社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の 責任を否認します。生命維持装置あるいは生命安全用途に Microchip 社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし、 また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレーム、 訴訟、費用に関して、Microchip 社は擁護され、免責され、損 害を受けない事に同意するものとします。暗黙的あるいは明 示的を問わず、Microchip 社が知的財産権を保有しているライ センスは一切譲渡されません。 商標
Microchip 社の名称とロゴ、Microchip ロゴ、dsPIC、FlashFlex、 flexPWR、JukeBlox、KEELOQ、KEELOQlogo、Kleer、 LANCheck、MediaLB、MOST、MOST logo、MPLAB、OptoLyzer、 PIC、PICSTART、PIC32 logo、RightTouch、SpyNIC、SST、SST Logo、SuperFlash および UNI/O は米国およびその他の国に おけるMicrochip Technology Incorporated の登録商標です。 Embedded Control Solutions Company、mTouch は米国に おけるMicrochip Technology Incorporated の登録商標です。 Analog-for-the-Digital Age、BodyCom、chipKIT、chipKIT logo、 CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、ECAN、In-Circuit Serial Programming、ICSP、Inter-Chip Connectivity、KleerNet、KleerNet logo、MiWi、motorBench、MPASM、MPF、MPLAB Certified logo、 MPLIB、MPLINK、MultiTRAK、NetDetach、Omniscient Code Generation、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、PICtail、RightTouch logo、REAL ICE、SQI、Serial Quad I/O、Total Endurance、 TSHARC、USBCheck、VariSense、ViewSpan、WiperLock、 Wireless DNA、および ZENA は米国およびその他の Microchip Technology Incorporated の商標です。
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その他本書に記載されている商標は各社に帰属します。 © 2016, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved. ISBN: 978-1-5224-0242-8 Microchip 社製デバイスのコード保護機能に関して以下の点にご注意ください。 • Microchip 社製品は、該当する Microchip 社データシートに記載の仕様を満たしています。 • Microchip 社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、Microchip 社製品のセキュリティ レベルは、現在市場に 流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。 • しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解では、こうした手法 はMicrochip 社データシートにある動作仕様書以外の方法で Microchip 社製品を使用する事になります。このような行為は知 的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。 • Microchip 社は、コードの保全性に懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。 • Microchip 社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保 護機能とは、Microchip 社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。 コード保護機能は常に進歩しています。Microchip 社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。Microchip 社の コード保護機能の侵害は、デジタル ミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作 物に不正なアクセスを受けた場合、デジタル ミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。
Microchip社では、ChandlerおよびTempe (アリゾナ州)、Gresham (オレゴン州)の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリ フォルニア州とインドのデザインセンターがISO/TS-16949: 2009認証を取得しています。Microchip社の品質システムプロセス
北米 本社 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277 技術サポート: http://www.microchip.com/ support URL: www.microchip.com アトランタ Duluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455 オースティン、TX Tel: 512-257-3370 ボストン Westborough, MA Tel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088 シカゴ Itasca, IL Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075 クリーブランド Independence, OH Tel: 216-447-0464 Fax: 216-447-0643 ダラス Addison, TX Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924 デトロイト Novi, MI Tel: 248-848-4000 ヒューストン、TX Tel: 281-894-5983 インディアナポリス Noblesville, IN Tel: 317-773-8323 Fax: 317-773-5453 ロサンゼルス Mission Viejo, CA Tel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608 アジア/ 太平洋 アジア太平洋支社 Suites 3707-14, 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: 852-2943-5100 Fax: 852-2401-3431 オーストラリア - シドニー Tel: 61-2-9868-6733 Fax: 61-2-9868-6755 中国 - 北京 Tel: 86-10-8569-7000 Fax: 86-10-8528-2104 中国 - 成都 Tel: 86-28-8665-5511 Fax: 86-28-8665-7889 中国 - 重慶 Tel: 86-23-8980-9588 Fax: 86-23-8980-9500 中国 - 東莞 Tel: 86-769-8702-9880 中国 - 杭州 Tel: 86-571-8792-8115 Fax: 86-571-8792-8116 中国 - 香港 SAR Tel: 852-2943-5100 Fax: 852-2401-3431 中国 - 南京 Tel: 86-25-8473-2460 Fax: 86-25-8473-2470 中国 - 青島 Tel: 86-532-8502-7355 Fax: 86-532-8502-7205 中国 - 上海 Tel: 86-21-5407-5533 Fax: 86-21-5407-5066 中国 - 瀋陽 Tel: 86-24-2334-2829 Fax: 86-24-2334-2393 中国 - 深圳 Tel: 86-755-8864-2200 Fax: 86-755-8203-1760 中国 - 武漢 Tel: 86-27-5980-5300 アジア/ 太平洋 中国 - 厦門 Tel: 86-592-2388138 Fax: 86-592-2388130 中国 - 珠海 Tel: 86-756-3210040 Fax: 86-756-3210049 インド - バンガロール Tel: 91-80-3090-4444 Fax: 91-80-3090-4123 インド - ニューデリー Tel: 91-11-4160-8631 Fax: 91-11-4160-8632 インド - プネ Tel: 91-20-3019-1500 日本 - 大阪 Tel: 81-6-6152-7160 Fax: 81-6-6152-9310 日本 - 東京 Tel: 81-3-6880-3770 Fax: 81-3-6880-3771 韓国 - 大邱 Tel: 82-53-744-4301 Fax: 82-53-744-4302 韓国 - ソウル Tel: 82-2-554-7200 Fax: 82-2-558-5932 または 82-2-558-5934 マレーシア - クアラルンプール Tel: 60-3-6201-9857 Fax: 60-3-6201-9859 マレーシア - ペナン Tel: 60-4-227-8870 Fax: 60-4-227-4068 フィリピン - マニラ Tel: 63-2-634-9065 Fax: 63-2-634-9069 シンガポール Tel: 65-6334-8870 Fax: 65-6334-8850 台湾 - 新竹 Tel: 886-3-5778-366 Fax: 886-3-5770-955 台湾 - 高雄 Tel: 886-7-213-7830 ヨーロッパ オーストリア - ヴェルス Tel: 43-7242-2244-39 Fax: 43-7242-2244-393 デンマーク - コペンハーゲン Tel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829 フランス - パリ Tel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79 ドイツ - デュッセルドルフ Tel: 49-2129-3766400 ドイツ - カールスルーエ Tel: 49-721-625370 ドイツ - ミュンヘン Tel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44 イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781 イタリア - ヴェニス Tel: 39-049-7625286 オランダ - ドリューネン Tel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340 ポーランド - ワルシャワ Tel: 48-22-3325737 スペイン - マドリッド Tel: 34-91-708-08-90 Fax: 34-91-708-08-91 スウェーデン - ストックホルム Tel: 46-8-5090-4654 イギリス - ウォーキンガム Tel: 44-118-921-5800 Fax: 44-118-921-5820
