分析測定標準料金表
（平成２０年１月）
料金について
１．掲載しました価格は、原則として１試料当たりの標準を示します。 なお消費税は含まれておりません。 ２．次のような場合には料金を割引致します。 ①試料数が多い場合 ②長期間契約に基づく場合 ３．次のような場合には、ご相談の上、割増料金を申し受けることがあります。 ①妨害物質等により規定の方法で分析できない場合 ②分析結果に対する詳細な考察を必要とする場合 ③特に急を要する場合 ④試料を引き取りに伺う場合 備考 １．分析をご依頼の節は分析申込書にご記入の上ＦＡＸ等にてご連絡下さい。 ２．試料は原則として、ご持参あるいはご送付いただきます。 ３．ご報告納期は、標準的な機器分析の場合、試料受け取り後２週間以内です。目 次
Ⅰ．元素分析
１．プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ－ＡＥＳ）・・・・・・・・・・・・１ ２．マイクロ波誘導質量分析（ＭＩＰ－ＭＳ）・・・・・・・・・・・・２ ３．プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）・・・・・・・・・・・・・・・２ ４．原子吸光分析（ＡＡＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ ５．蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３ ６．有機元素分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３ ７．重量分析・容量分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３Ⅱ．クロマトグラフ分析
６．イオンクロマトグラフ分析（ＩＣ）・・・・・・・・・・・・・・・４ ７．ガスクロマトグラフ分析（ＧＣ）・・・・・・・・・・・・・・・・５ ８．ゲル浸透クロマトグラフ分析（ＧＰＣ）・・・・・・・・・・・・・５Ⅲ．化合物構造解析
１０．赤外分光分析（ＩＲ，ＦＴ－ＩＲ）・・・・・・・・・・・・・・・６ １１．紫外・可視分光分析（ＵＶ・ＶＩＳ）・・・・・・・・・・・・・・６ １２．ウエハアナライザ（ＷＴＤ－ＧＣ／ＭＳ）・・・・・・・・・・・・７ １３．気中有機物分析（ＴＣＴ－ＧＣ／ＭＳ）・・・・・・・・・・・・・７ １４．Ｘ線回折（ＸＤ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８ １５．昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・８Ⅳ．表面分析・局所分析
１６．電子線マイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）・・・・・・・・・・・・・９ １７．オージェ電子分光分析（ＳＡＭ）・・・・・・・・・・・・・・・１１ １８．二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）・・・・・・・・・・・・・・・１２ １９．Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・１３Ⅴ．形態観察
２０．走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・１４ ２１．透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５ ２２．集束イオンビーム加工（ＦＩＢ）・・・・・・・・・・・・・・・１７ ２３．光学顕微鏡（ＯＭ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７ ２４．写真撮影 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７ －０－Ⅰ．元素分析
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 プラズマ発光分光分析 （ＩＣＰ－ＡＥＳ） ●試料前処理 ・酸溶解（可溶性試料） ★２試料目より ・酸溶解（難溶性試料） ★２試料目より ・ろ過・洗浄 ・アルカリ融解 ・ 振とう抽出 ・灰化 ・切断 ・ 粉砕 ・ 加圧酸分解 ・有機物湿式分解 ・ マイクロ波溶解 ・ テフロン密封容器酸抽出 ・ 濃度調製 ●定性分析 ・水溶液１ｐｐｍ以上指定成分 １試料／２０元素まで ★追加１試料／同一系列ごとに ●半定量分析 ・１試料／２０元素まで ★ 追加１試料／同一系列ごとに ●定量分析 ・ １元素／１試料 ★追加１元素／同一試料または 同一系列試料ごとに ２～２５元素目まで ２６～５０元素目まで ５１元素目より ●定量分析（特殊溶媒測定） （有機溶媒測定、ふっ酸溶媒測定） ・ １元素／１試料 ★追加１元素／同一試料または 同一系列試料ごとに ２～２５元素目まで ２６～５０元素目まで ５１元素目より ●定量分析（窒素パージ測定：Ｓ、Ｐ） １元素／１試料 ★追加１元素／同一試料または 同一系列試料ごとに ２～２５元素目まで ２６～５０元素目まで ５１元素目より 10,000 5,000 20,000 7,000 5,000 15,000 5,000 5,000 5,000 5,000 20,000 20,000 20,000 12,000 3,000 15,000 10,000 20,000 15,000 8,000 5,000 3,000 2,000 10,000 7,000 5,000 4,000 10,000 7,000 5,000 4,000 －１－Ⅰ．元素分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 プラズマ発光分光分析 （ＩＣＰ－ＡＥＳ） ●水素化物法 （Ａｓ，Ｓｅ，Ｇｅ，Ｓｂ） ・１元素／１試料 ★追加１試料／同一元素 15,000 12,000 マイクロ波誘導質量分析 （ＭＩＰ－ＭＳ） ●試料前処理 ・ クリーンルーム環境分析 ガス捕集器具準備 ★２箇所目より ・ 薬液中不純物分析 濃縮 ・ ウェハ表面微量金属分析（８インチ） 酸溶解（ＳｉウエハＨＦ溶解） ★２試料目より ・ ウェハ表面微量金属分析（１２インチ） ・ ウェハ表面微量金属分析（不定形基板） ●定性分析 ●半定量分析 ●定量分析 ・ １元素／１試料 ★追加１元素／同一試料または 同一系列試料ごとに 20,000 10,000 10,000 20,000 10,000 別途見積 別途見積 30,000 45,000 20,000 10,000 プラズマ質量分析 （ＩＣＰ－ＭＳ） ●定量分析 ・ １元素／１試料 ★追加１元素／同一試料または 同一系列試料ごとに ●その他特殊元素 20,000 10,000 別途見積 原子吸光分析 （ＡＡＳ） ●フレーム法 ・１元素／１試料 ★追加１試料／同一元素ごとに ★２～１０試料目まで ★１１試料目より ●フレームレス法 ・１元素／１試料 ★追加１試料／同一元素 ●還元気化法 （Ｈｇ） ・１元素／１試料 ★追加１試料／同一元素 8,000 5,000 3,000 15,000 12,000 15,000 12,000 －２－Ⅰ．元素分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 蛍光Ｘ線分析 （ＸＲＦ-波長分散型） （ＸＲＦ-エネルギー分散型） ●試料前処理 ・錠剤法 ・切断 ・粉砕 ●定性分析（原子番号９以上の元素） ・指定成分１元素／１試料 ★追加指定成分１元素／同一 試料ごとに ・未知試料 ●半定量分析（ＦＰ法）＊１ １試料 ●定量分析 １元素／１試料 ●スクリーニング分析（ＲｏＨＳ指令＊２物質） （Ｃｄ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｈｇ，Ｂｒ） ★２試料目より 5,000 5,000 5,000 10,000 5,000 40,000 50,000 別途見積 20,000 10,000 有機元素分析 ●Ｃ，Ｈ，Ｎの定量分析 ・３成分／１試料（ｎ＝２）＊3 20,000 重量分析 ●強熱残渣 ★２試料目より ●乾燥減量 ★２試料目より ●蒸発残留物 ★２試料目より ●その他 10,000 5,000 8,000 4,000 10,000 5,000 別途見積 容量分析 ●中和滴定 ★２試料目より ●その他 10,000 5,000 別途見積*1 ＦＰ法：Fundamental Parameter Method *2 RoHS：Restriction of Hazardous Substances *3 （ｎ＝２）：２点測定を標準とする
Ⅱ．クロマトグラフ分析
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 イオンクロマトグラフ分析 （ＩＣ） ●試料前処理 ・溶液濃度調製（希釈） ・ 水抽出（超音波抽出） ・ 振とう抽出 ・ テフロン密封容器抽出 ・遠心分離 ・ ろ過 ・ 試料燃焼処理 ・酸素フラスコ燃焼 ★２試料目より ・その他（発生ガス捕集など） ●標準無機陰イオン (F－,Cl－,NO２－,Br－,NO３－,PO４３－,SO４２－)
・１試料７成分まで
★追加１試料（同一系列）ごとに ●標準無機陰イオン(濃縮法)
(F－,Cl－,NO
２－,Br－,NO３－,PO４３－,SO４２－)
・１試料７成分まで ★追加１試料（同一系列）ごとに ●標準無機陽イオン (１価：Li＋,Na＋,K＋,NH ４＋) ・１試料４成分まで ★追加１試料（同一系列）ごとに (２価：Ｃａ2＋,Ｍg2＋) ・1 価陽イオンと同一試料追加２成分まで ★追加１試料（同一系列）ごとに ●標準有機酸イオン (HCOO－,CH ３COO－,C２H５COO－) ・１試料３成分まで ★追加１試料（同一系列）ごとに ●その他特殊イオン 3,000 5,000 5,000 12,000 3,000 5,000 10,000 10,000 8,000 別途見積 25,000 15,000 40,000 20,000 25,000 15,000 10,000 5,000 25,000 15,000 別途見積 －４－
Ⅱ．クロマトグラフ分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 ガスクロマトグラフ分析 （ＧＣ） ●サンプリング（ガス捕集） ●試料前処理 ・濃縮（ロータリーエバポレータ） ・振とう抽出 ・ソックスレー抽出 ★２試料目より ●定性分析（無機ガスのみ） ・指定１成分／１試料 ★追加１試料／同一条件 ●定量分析（TCD,FID）＊１ ・指定１成分／１試料まで ★追加１成分／同一試料ごとに ★ 追加１試料ごとに ●熱分解ガスクロマトグラフ分析 5,000 10,000 5,000 15,000 10,000 10,000 8,000 30,000 8,000 10,000 別途見積 ゲル浸透クロマトグラフ分析 （ＧＰＣ） ●試料前処理 ・溶液濃度調製（希釈） ・溶解（ＴＨＦ）＊２ ・振とう抽出 ・濾過 ●測定(成分数､ﾎﾟﾘｽﾁﾚﾝ基準の相対分子量) ・１試料／１条件（ＴＨＦ） ★追加１試料ごとに 5,000 5,000 5,000 5,000 30,000 20,000*1 ＴＣＤ：Thermal Conductivity Detector ＦＩＤ：Flame Ionization Detector *2 ＴＨＦ：Tetrahydrofuran
Ⅲ．化合物構造解析
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 赤外分光分析 （ＩＲ，ＦＴ－ＩＲ） ●試料前処理 ＫＢｒ錠剤法 フィルム法 ＫＲＳ板塗布法 振とう抽出 ソックスレー抽出 ２試料目より 乾留（試験管） 濃縮（ヒーターなどによる） 濃縮（ロータリーエバポレータ） カラムクロマト分離(ｼﾘｶｹﾞﾙによる) 粉砕 削り取り 切断 ●測定１（フーリェ変換型装置） ・透過法・反射法 ・ＡＴＲ法＊・高感度反射法 ●測定２（顕微ＦＴ－ＩＲ法） ・マイクロサンプリング ・２０μｍφ以上(顕微鏡写真を含む) ・顕微高感度反射法 ●特別データ処理 ・差スペクトル，チャート拡大 ●データ解析（定量・図表作成） ●同定・解析 ・通常のもの ・検討を要するもの 5,000 3,000 3,000 5,000 15,000 10,000 3,000 5,000 10,000 別途見積 5,000 5,000 5,000 10,000 15,000 12,000 20,000 30,000 10,000 10,000 30,000 別途見積 紫外・可視分光分析 （ＵＶ・ＶＩＳ） ●透過率測定 ・スペクトル測定（２００～９００ｎｍ） ★２試料目より ●積分球反射率測定 ・スペクトル測定（２４０～８００ｎｍ） ★ ２試料目より ・その他 10,000 5,000 10,000 5,000 別途見積 * ＡＴＲ法：Attenuated Total ReflectionⅢ．化合物構造解析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 ウエハアナライザ （WTD－GC／ＭＳ） ●前処理 ケース搬送 ●測定 ・１試料目 ・２試料目 ●半定量 ・３０成分まで／試料 ・５０成分まで／試料 ・追加２５成分ごと ●定量 ・５０成分まで／試料 ・指定１成分定量／試料 ●定性 ・１０成分まで／試料 ・５０成分まで／試料 ・追加１成分ごとに ●化合物分類 ・５０成分まで／試料 5,000 25,000 15,000 25,000 30,000 5,000 30,000 1,000 20,000 60,000 10,000 100,000 ＴＩＣピーク 面積測定法 気中有機物分析 （ＴＣＴ－ＧＣ／ＭＳ） ●前処理 ・吸着管エージング ●サンプリング ●測定 ・ １試料目 ・ ２試料目から ●半定量 ・ １０成分まで／試料 ・ ３０成分まで／試料 ●定性 ・ １０成分まで／試料 ・ ３０成分まで／試料 ●化合物分類 ・ ３０成分まで／試料 12,000 8,000 20,000 10,000 15,000 30,000 10,000 25,000 120,000 －７－Ⅲ．化合物構造解析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 Ｘ線回折 （ＸＤ） ●試料前処理 ・粉砕 ●回折図形のみ ★２試料目より ●回折図形＋解析 ・ 既知物質の結晶性、配向性 ★２試料目より ・ 結晶子径評価 ★２試料目より ・ 複雑な未知物質の同定 ★２試料目より ●その他 3,000 12,000 10,000 25,000 15,000 30,000 20,000 35,000 25,000 別途見積 昇温脱離ガス分析 （ＴＤＳ） ●指定質量数分析（ｎ＝２）、ﾏｽﾌﾗｸﾞﾒﾝﾄ測定（ｎ ＝２）、ﾊﾟｲﾛｽｷｬﾝﾓｰﾄﾞ測定（ｎ＝２） （１～200amu の指定質量数：８個まで， ステージ温度：80 ～ 1000℃） ・ １～２試料目 ・ ３試料目 ・ ｎ数追加ごとに ・ 追加元素１～７まで ●定性分析（ｎ＝２） ・ 出力指定質量数＝5 個 ・ 出力質量数追加（質量数５個ごと） ●定量（Ｈ２のみ） ●解析 40,000 30,000 15,000 30,000 40,000 5,000 別途見積 別途見積 標準測定条件 （昇温レート 1℃／sec） 以外での測定 は別途見積 －８－Ⅳ．表面分析・局所分析
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 電子線マイクロアナリシス （ＥＰＭＡ） （波長分散型） ●試料前処理 ・試料調製（特殊切断等） ・包埋研磨 ★包埋または研磨各々単独 ・蒸着 ★２試料目より ・ 微細パターン断面研磨 ●定性分析１（スペクトル表示） ・１測定（ｎ＝２） ★ 同一視野追加１測定点 ●定性分析 2（半定量分析；B,C,N,O を除く） ●定性分析 3（精密測定） ・ １元素／１測定点 ●表面形状像（二次電子像） ●組成像（反射電子像） ●面分析（特性Ｘ線像） ・１元素／１測定 ★同一視野追加１元素 ●定量分析（＊1ＺＡＦ法） ・５元素まで／１測定（ｎ＝５） ★２測定目より１測定につき ★２試料目より ★追加１元素／同一測定点 3,000 20,000 13,000 5,000 3,000 別途見積 15,000 5,000 20,000 10,000 5,000 7,000 12,000 8,000 40,000 30,000 32,000 10,000 ３試料目より ２０％引 定量分析のみ ２試料目より －９－Ⅳ．表面分析・局所分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 電子線マイクロアナリシス （ＥＰＭＡ） （波長分散型） ●線分析１（ステージスキャン） ・5 元素／１測定点 ★追加１元素／同一測定点 ●線分析２（ビームスキャン） ・5 元素／１測定点 ★ 追加１元素／同一測定点 ●面分析 （カラーマッピング） ・5 元素／１測定，X 軸/Y 軸＝250 点/250 点 ★追加１元素／同一測定 ・5 元素／１測定， X 軸/Y 軸＝400 点/400 点 ★追加１元素／同一測定 ・特殊な表示条件設定 ●Ｐ＆Ｂ測定＊2 ・5 元素／１測定点（n = 5） ★追加１元素／同一測定点 15,000 6,000 20,000 8,000 60,000 20,000 100,000 30,000 別途見積 20,000 8,000 ３試料目より ２０％引 定量分析のみ *１ ＺＡＦ：Z（原子番号），Absorption (吸収)，Fluorescence (蛍光) の各補正係数を求めて定量を実施 *2 Ｐ＆Ｂ：Peak ＆ Background －１０－Ⅳ．表面分析・局所分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 オージェ電子分光分析 （ＳＡＭ） ●試料前処理 ・ 試料調製 ・ 切断 ・ 洗浄 ●表面形状像 ●定性分析 ★同一視野追加１測定点 ★同一試料イオンエッチング後 ●深さ方向の元素分布（４元素まで） ・３０分まで ★追加１元素 ・６０分まで ★追加１元素 ・１５分以下 ・６０分以上 ●線分析（４元素まで） ★追加１元素 ●面分析（３元素まで） ★追加１元素 ●バルク定量分析 3,000 5,000 3,000 5,000 13,000 10,000 10,000 40,000 10,000 60,000 15,000 別途見積 別途見積 40,000 10,000 40,000 10,000 別途見積 －１１－Ⅳ．表面分析・局所分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 二次イオン質量分析 （ＳＩＭＳ） ●試料前処理 ・試料調製 ・切断 ・洗浄 ●質量スペクトル測定（定性分析） ・１次イオン源１種による測定（ｎ＝２） ・高質量分解能スペクトル ●深さ方向の元素分布（４元素まで） １次イオン源１種による測定（ｎ＝２） ・１５分まで（Si換算 2000Å：Ｏ２＋） 追加１元素 ・３０分まで 追加１元素 ・３０分以上 ・高質量分解能測定（１元素当たり） ●線分析 ・同時測定可能な４元素、 長さ１mm までの１測定 ●バルク定量分析 ●画像処理解析 ・ＲＡＥ分析 ・二次イオン像 ・デプスプロファイル ・ 断面プロファイル ●絶縁物分析 3,000 5,000 3,000 70,000 +20,000 70,000 7,000 100,000 10,000 別途見積 +20,000 80,000 別途見積 別途見積 別途見積 別途見積 別途見積 +20,000 －１２－Ⅳ．表面分析・局所分析（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 Ｘ線光電子分光分析 （ＸＰＳ） ●試料前処理 ・試料調製 ・切断 ・洗浄 ●定性分析 ・ワイドスキャン ●精密測定（ナロースキャン） ・ワイドスキャン測定後１元素 ・イオンエッチング後１元素 ・試料傾斜測定 ●化学結合状態分析 ・ピーク分離 ●深さ方向分析（Si 換算 1000Åまで） （４元素／１試料） ・４元素４水準まで ★追加１元素／４水準まで ★追加１水準 3,000 5,000 3,000 20,000 8,000 10,000 12,000 別途見積 70,000 15,000 15,000 －１３－Ⅴ．形態観察
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 走査電子顕微鏡 （ＳＥＭ） ●試料前処理１（通常測定） ・試料調製 ・包埋 ・研磨 ・蒸着 ★ ２試料目より ・フラットイオンミリング ・微細パターン断面研磨 ●試料前処理２（高分解能観察） ・試料調製 ・切断 ・蒸着 ★２試料目より ・包埋 ・研磨 ●測定１（通常） ・倍率２×１０４まで ・倍率２×１０４～８×１０４ ★１視野増すごとに ●測定２（高分解能観察） ・倍率１×１０５まで ・倍率１×１０５以上 ★１視野増すごとに ●測定３（絶縁物・極表面観察） ・倍率２×１０４まで ・倍率２×１０４～８×１０４ ★１視野増すごとに ●組成像（反射電子像） ●定性分析（ＥＤＸ）＊ ★同一視野追加１測定点 ●線分析（ＥＤＸ） ・２元素／１測定点 ★追加１元素／同一測定点 ●面分析（特性Ｘ線像（ＥＤＸ）） ・１元素／１測定 ★同一視野追加１元素 3,000 20,000 5,000 3,000 10,000 別途見積 5,000 10,000 8,000 5,000 30,000 7,000 10,000 5,000 15,000 20,000 10,000 10,000 15,000 7,000 7,000 7,500 5,000 20,000 8,000 12,000 8,000 ３試料目より ２０％引＊ＥＤＸ：Energy Dispersive X-ray Spectrometer
Ⅴ．形態観察（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 透過電子顕微鏡 （ＴＥＭ） ●試料前処理 ●分散法 ・標準 ・検討を要するもの ●レプリカ法 ●イオンエッチング法 ・バルク試料 ・薄膜平面試料 ・薄膜断面試料 ★単層膜 ★標準 ★検討を要するもの ★多層膜 ★半導体・セラミックス系 ★金属層を含むもの ★検討を要するもの ★デバイス構造 ★半導体デバイス ★金属層を含むもの ★検討を要するもの ●化学研磨法 ・研磨条件が確立されているもの ・検討を要するもの ●電解研磨法 ・研磨条件が確立されているもの ・検討を要するもの ●超薄切片法 30,000 別途見積 30,000 100,000 120,000 100,000 別途見積 150,000 180,000 別途見積 180,000 210,000 別途見積 50,000 別途見積 50,000 別途見積 別途見積 －１５－Ⅴ．形態観察（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 透過電子顕微鏡（つづき） （ＴＥＭ） ●撮影 ●明視野法 ・標準 ★追加１視野につき ●暗視野法 ・標準 ・特殊観察（弱ビーム法等） ★追加１視野につき ●電子線回折 ・反射法 ・透過法 ★制限視野回折 ★極微電子線回折 ★追加１視野につき ★極微電子線回折（特定微小領域） ★追加１視野につき ●格子像観察 ・２波格子像 ・多波格子像 ★追加１視野につき ●写真焼増 ●分析 ●点分析（定性分析） ★追加１測定点 ●線分析（４元素まで） ★追加１元素 ●面分析（３元素まで） ★追加１元素 35,000 10,000 35,000 60,000 10,000 25,000 20,000 40,000 10,000 45,000 35,000 40,000 80,000 35,000 1,000 30,000 15,000 30,000 10,000 40,000 10,000 －１６－Ⅴ．形態観察（つづき）
分 析 測 定 項 目
単価(単位：円) 備考 集束イオンビーム加工 （ＦＩＢ） ●イオンビーム加工 ・ 断面観察用試料作製（３hr 以内） ★３hr 以上 ・透過電子顕微鏡用試料作製 ・透過電子顕微鏡用試料作製 （ダイシング用前処理含） ・透過電子顕微鏡用試料作製 （再加工可能ピックアップ用） ●ダイシング ●ピックアップ ●観察（ＳＩＭ像） ・１視野 ★追加１視野 60,000 別途見積 120,000 150,000 180,000 30,000 30,000 10,000 8,000 光学顕微鏡 （ＯＭ） ●試料前処理 ・切断 ・包埋 ・研磨 ・エッチング（化学的） ★２試料目より ・エッチング（電解） ★２試料目より ●観察 ・１視野（４００倍まで） ★追加１視野（４００倍まで） 5,000 20,000 10,000 5,000 20,000 10,000 5,000 3,000 写真撮影 ●接写 ・１視野 ★追加１視野増すごとに 5,000 3,000 －１７－様式３
