FF3MR12KM1P
62mmC-SeriesモジュールCoolSiC™TrenchMOSFET内蔵と予め塗布されたサーマルインターフェース材料
62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandpre-appliedThermalInterfaceMaterial
暫定データ/PreliminaryData
V
DSS= 1200V
I
D nom= 375A / I
DRM= 750A
アプリケーションの可能性
PotentialApplications
•
DC/DCコンバーター
•
DC/DCconverter
•
UPSシステム
•
UPSsystems
•
ソーラーアプリケーション
•
Solarapplications
•
高周波スイッチングアプリケーション
•
HighFrequencySwitchingapplication
電気的特性
ElectricalFeatures
•
低スイッチング損失
•
Lowswitchinglosses
•
高い電流密度
•
Highcurrentdensity
機械的特性
MechanicalFeatures
•
予め塗布されたサーマルインターフェース材料
•
Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23FF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
最大定格/MaximumRatedValues
ドレイン・ソース間電圧 Drain-sourcevoltage Tvj = 25°C VDSS 1200 V DCドレイン電流 DCdraincurrent Tvj = 175°C, VGS = 15 V TH = 60°C ID nom 375 A パルスドレイン電流Pulseddraincurrent 設計による検証（tpはTvjmaxにより制限される）verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax ID pulse 750 A ゲート・ソース間ピーク電圧
Gate-sourcevoltage VGSS -10 / 20 V
電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.ドレイン・ソース間オン抵抗 Drain-sourceonresistance ID = 375 AVGS = 15 V RDS on 2,83 3,92 4,33 mΩ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲートしきい値電圧
Gatethresholdvoltage ID=168mA,VDS=VGS,Tvj=25°C(testedafter1mspulseatVGS=+20V) VGS(th) 3,45 4,50 5,15 V 総ゲート入力電荷量 Totalgatecharge VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 1,00 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°CVDS = 25 V, VGS = 0 V Ciss 29,8 nF 出力容量 Outputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°CVDS = 25 V, VGS = 0 V Coss 1,65 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°CVDS = 25 V, VGS = 0 V Crss 0,227 nF COSSstoredenergy Tvj = 25°C VDS = 25 V, VGS = -5 V / 15 V Eoss 660 µJ Vg=0V時、ドレイン電流
Zerogatevoltagedraincurrent VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C IDSS 5,40 520 µA ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-sourceleakagecurrent VDS = 0 VTvj = 25°C IGSS 400 nA VGS = 20 V VGS = -10 V ターンオン遅延時間（誘導負荷） Turnondelaytime,inductiveload ID = 375 A, VDS = 600 VVGS = -5 V / 15 V RGon = 4,30 Ω td on 79,4 71,6 71,6 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload ID = 375 A, VDS = 600 VVGS = -5 V / 15 V RGon = 4,30 Ω tr 198 219 219 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅延時間（誘導負荷） Turnoffdelaytime,inductiveload ID = 375 A, VDS = 600 VVGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,60 Ω td off 69,3 60,4 60,4 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload ID = 375 A, VDS = 600 VVGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,60 Ω tf 51,5 46,8 46,8 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失/パルス
Turn-onenergylossperpulse ID = 375 A, VDS = 600 V, Ldi/dt = 7,05 kA/µs (Tvj = 150°C)σ = 10 nH VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,30 Ω Eon 18,5 16,0 16,0 mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失/パルス Turn-offenergylossperpulse ID = 375 A, VDS = 600 V, Ldu/dt = 7,67 kV/µs (Tvj = 150°C)σ = 10 nH VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,60 Ω Eoff 13,0 13,5 13,5 mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink MOSFET（１素子当り）/perMOSFETvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,140 K/W 動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Bodydiode
最大定格/MaximumRatedValues
DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 60°C ISD 120 A
電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.順電圧
Forwardvoltage ISD = 375 A, VGS = -5 VISD = 375 A, VGS = -5 V ISD = 375 A, VGS = -5 V VSD 4,60 4,35 4,30 5,65 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
FF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate Cu
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 29,023,0 mm 空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 23,011,0 mm 相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 400
相対温度指数(電気)
RTIElec. 住宅housing RTI 140 °C
min. typ. max. 内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 20 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 0,475 mΩ 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 125 °C 最大ベース・プレート動作温度 Maximumbaseplateoperationtemperature TBPmax 125 °C 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 - 5,0 Nm 質量 Weight G 340 g
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
FF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
出力特性MOSFET(Typical) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V VDS [V] I D [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 出力特性MOSFET(Typical) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C VDS [V] I D [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V 伝達特性MOSFET(Typical) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V VGS [V] I D [A] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート充電特性MOSFET(典型) gatechargecharacteristicMOSFET(typical) VGS=f(QG) VDS=800V,ID=375A,Tvj=25°C QG [nC] V GS [V] 0 200 400 600 800 1000 -5 0 5 10 15FF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
容量特性MOSFET(Typical) capacitycharacteristicMOSFET(typical) C=f(VDS) VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz VDS [V] C [nF] 0,1 1 10 100 1000 0,1 1 10 100 Ciss Coss Crss スイッチング損失MOSFET(Typical) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,6Ω,VDS=600V ID [A] E [mJ] 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 0 5 10 15 20 25 30 35 Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C スイッチング損失MOSFET(Typical) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=375A,VDS=600V RG [Ω] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 逆バイアス安全動作領域MOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,6Ω,TVj=150°C VDS [V] I D [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 825 ID: Modul ID: ChipFF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) t [s] Z thJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,0118 0,00395 2 0,0671 0,0339 3 0,0457 0,165 4 0,0154 1,32FF3MR12KM1P
暫定データ
PreliminaryData
回路図/Circuitdiagram
パッケージ概要/Packageoutlines
In fin e o nTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2020-05-20 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:[email protected] 重要事項 本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記 された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ び責任を否定いたします。 さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文 書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。 本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途 に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。 本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください （www.infineon.com）。 警告事項 技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま でお問い合わせください。 インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない こと予めご了承ください IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof
