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博士学位論文 4H-SiC バイポーラデバイスにおける 結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究 中山浩二 2013 年 1 月 大阪大学大学院工学研究科

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Academic year: 2021

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図

図 2. 9 室温における典型的な SiCGT のターンオフ特性(I K :カソード電流(橙)、I G :ゲート電流 (赤紫)、V AK :アノード-カソード間電圧(青)、V GA :ゲート-アノード間電圧の時間依存性(緑)) 最後に、SiCGT のターンオフ特性について述べる。図 2
図 2. 21 4H-SiC の結晶成長において線欠陥が伝播する様子を示す模式図(赤:貫通らせん転位 /TSD、青:貫通刃状転位/TED、黒:基底面転位/BPD): 4H-SiC 基板とエピタキシャル成長層界 面で BPD が TED に変換する。
図 3. 2 (a)炭素注入プロセス、および、(b)熱酸化プロセスにより作製した 4H-SiC pin ダイオ ードの作製フロー: 赤字で示す箇所が、標準プロセスに対して、追加したプロセスである。
図 3. 4 に作製した 4H-SiC pin ダイオードの順方向電流密度 100A/cm 2 における順方向電圧 の累積確率プロットを示す。累積確率プロットは、正規確率紙を用いて、作成した。標準 プロセス(standard process)とは、炭素注入プロセスや熱酸化プロセスのどちらも適用してい ないものである。標準プロセスの 4H-SiC pin ダイオードの順方向電圧は、3.9～7.4 と大きく ばらついた。一方、炭素注入プロセスもしくは熱酸化プロセスにより作製した 4H-SiC pin4567
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