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エミッタ・ホロワの帰還特性のHパラメータによる解析 : 容量性負荷のナイキスト線図による安定判別

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Academic year: 2021

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(1)

エミッタ・ホロワの帰還特性のHパラメータによる

解析 : 容量性負荷のナイキスト線図による安定判

著者

川原 浩一郎

雑誌名

鹿児島大学工学部研究報告

7

ページ

17-20

別言語のタイトル

Analysis of feedback characteristics of

emitter follower in terms of h parameter :

nyquist's criterion for stability of a

capacitive load

(2)

エミッタ・ホロワの帰還特性のHパラメータによる

解析 : 容量性負荷のナイキスト線図による安定判

著者

川原 浩一郎

雑誌名

鹿児島大学工学部研究報告

7

ページ

17-20

別言語のタイトル

Analysis of feedback characteristics of

emitter follower in terms of h parameter :

nyquist's criterion for stability of a

capacitive load

(3)

エミッタ。ホロワの帰還特性のHパラメータによる解析

一 容 量 性 負 荷 の ナ イ キ ス ト 線 図 に よ る 安 定 判 別 一

川 原 浩 一 郎 *

(受理昭和41年11月30日) ANALYSISOFFEEDBACKm室WARACrmRISTICSOFEI、皿TTER FOLLOWERINTERMSOFAPARAMmrmR

(Nyquist,scriterionforStabilityofaCapacitiveLoad)

Koichir6KAWA円ARA* Theemitterfollowerisregardedasasortoffeedbackamplinerwhichhasthevoltage retumratioofunity・ Thisviewpointmakesiteasytoseparatethereversetransmissionfromtheforwardampli-ficationintermsof〃parameter・Furtherapolarplotofanopen-looptransferhmctiononthe complexpla、eisappliedtoanalyzethestabilityofemitterfollowersvariouslyloadedboth intheinputandoutputside. 1 . ま え が き エミッタ・ホロワの安定性については,従来主とし てその等価回路中の任意の節点について成立する節点 方程式より導かれる特性方程式の根の性質より検討さ れている.')その特性方程式の複素周波数についての 次数は容量性負荷を有し,また解析された結果が実験 とほぼ合致する範囲のトランジスタの簡略化高周波等 価回路について計算を行えば通常2次でその根は複素 周波数平面上で必ず左半面に存在していることが知ら れている.2)また補償用インダクタンスを電源もしく は負荷側に挿入すれば3次の特性方程式が得られる が,この場合の安定性については,(根が右半面に存 在しないための条件)Hurwitzの安定判別法または 根軌跡法等により論ぜられている.l)しかし,いずれ も此等の方法は適用される回路の固有の性質,例えば 増巾回路中の帰還部の有無等に従って解析されるとい うよりは,むしろ,節点方程式より得られた特性方程 式の根の性質について数学的に検討されている.この 点 に つ い て , 多 少 迂 遠 で は あ る が , 回 路 の 実 際 的 特 性,即ち伝送特性を中心にして解析を行い,特性方程 式を伝達関数の極を与える方程式,また入力力インピ ーダンスに変換された形として取り扱い,安定性に関 しては開放ループ伝達関数すなわちループケインの周 波数軌跡であるナイキスト線図で各種の電源及び負荷 * 鹿 児 島 大 学 工 学 部 電 気 工 学 教 室 ・ 助 教 授 インピーダンスを有するエミッタ・ホロワの負帰還増 巾器としての性質を考察してみる. 2.Hパラメータによる負帰還回路の構成 エミッタ・ホロワの諸特性(電圧,電流,電力増巾 度等)は直接その等価回路により計算することができ るが,回路の構成より見て基準となるエミッタ接地形 に帰還ループを持つ電圧帰還のかかった負帰還増巾器 として取扱うこともできる.帰還増巾器は通常その入 力と帰還部の出力との加算点で帰還ループを開放した とき,回路全体としての電流分布が変らない時にはル ープ・ゲインが容易に算出されるが,トランジスタのご とき電流増巾器ではこの切離しが簡単にできない場合 が多い.そこで入力部で帰還部の出力との加算ができ るようにHパラメータを用いて導出したエミッタ・ ホロワの増巾度を変形して図1のブロック図に示すご とき帰還部の分離された電圧増巾器として考察する.

Ve

e Ave β⑯ 図 1 エ ミ ッ タ ・ ホ ロ ワ の 帰 還 増 巾 器 と し て の ブ ロ ッ ク 図 まず,順方向には電圧増巾度A/veの普通のエミッ タ接地の基本形があり,これに電圧逆伝送比がβ,の

(4)

4 18 h 1 i h 1 h h , 1 h 2 § 鹿 児 島 大 学 工 学 部 研 究 報 告 第 7 号 1 ノ 帰還ループが出力側は負荷と並列に,入力側は電源と

直列に接続されたものとして帰還部を分離し,それぞ

れの四端子回路をHパラメータで表わし,ループ・ゲ

イン‘AI,‘.β,を誘導する.

3.伝達特性およびループケインの計算

図2に示すごとく回路〔I〕は能動素子を含む順方向

の増巾回路とし,回路〔11〕は帰還部で受動素子のみ とする.この接続を実際の回路に適用すれば図3のご 回路〔I〕 Vg ILエ

;

312. − 探

i

F、& ・介凸 、& ●●﹄、叫可’h皿 hil h2i 12

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図 3 実 際 の 回 路 接 続

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22」3 ifl肌21 '12

c

とくなりエミッタ接地形の出力電圧は並列に挿入され た帰還回路により帰還されて,結局コレクタ接地形の 回路に変換されることになる.図2の回路について電 圧増巾度を計算すれば,Hパラメータは直並列の合成 回路では双方のパラメータの和となり次のごとき式が 得られる.

回路〔Ⅱ〕 41通通 ‘・・(4)

-(吻十鰯,)zL

e 】 (1) 、ー i12’ 図 2 四 端 子 回 路 の 直 並 列 接 続 4.ループ・ゲインによる安定性の判別 (3)式の分母はエミッタ・ホロワの電圧還送差を与 えるもので,帰還回路の還送差を一般形にして次式で 表わしておく。

駕二淵}…一僅〕

但し,pは使用トランジスタの遮断角周波数(エミ ヅタ接地時)で基準化した複素角周波数である. 図2の回路〔I〕,〔mのHパラメータは図4のご ときトランジスタの簡略化等価回路については同図右 に示した値となり,此等の定数を(4)式に代入して, 容量性負荷時で電源インピーダンスが純抵抗のときの 乱"‘およびT(p)を求めると次の式が得られる. ‐…1+(A,e/幻。βα 但し,

,

/

(

,

β'=舟B,

4伽"=雄〃;2-"“,

B,=一[庇十ZL垂脆2+ZL(4A〃

+(ハム,雄十厳施)

(

h

i

2

)

]

/

2

,

Z

そこで新しい等価的な増巾度として乱;‘=4,‘/kと

すれば,図2の直並列回路は先に挙げた図1のごとき ブロック図で表わされ電圧の加え合せ点において切り 離せばA"e・β'はこの増巾系の電圧還送比,すなわち ループ・ゲインを考えることになる。 at,=

)

(

2

+

)

(

h

i

2

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(

Z

A

+

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,

)

+

Z

L

Z

(

2

+

)

+

Z

{

(

,

+

)

(

(1)式で回路〔II〕のHパラメータがすべて零の とき,すなわち帰還電圧が零のときには,回路的に見

れば,2−2'端子短絡4−4'端子開放となり,順方向

利得の基準であるエミッタ接地形に変換される.(1)

式にこの条件を入れると次のごとくなる.

4"e=一"21zL

i

,

+

Z

L

Z

2

h

E

2

+

Z

L

(

i

,

2

+

h

i

2

(2)式は前述のごとくエミッタ接地形の電圧増巾度 を表わすもので,このA,gを順方向利得の基準にと り,(1)式を変形すれば次の(3),(4)式が得られ る. 』,g/k 4,c=‘!/,,'-, ・………・…・…………(3)

(5)

j ﹃1An〃自 19

q

(9)式よりF=0とおいて”について解くと軌跡が

U軸を切る点のxが得られるが,これを計算すれば

x=0,x→。。となり,この値を(8)式のxに代入し て,Uの値を求めると,Ub=(1+βo)GUb。=0とな

り,臨界点(-1,ノo)を閉ループの内側に含むことは

ない.従ってF(p)=0の特性根はp平面の右半面に

来ることはなく,RLの付加容量Qの如何にかかわ

らず安定で成長する持続振動は絶対に起こり得ないこ

とが知られる.

図5−1,図5−2はF(p)=0の特性根がp平面上

で実根(相異なる実根①,等根②).および共役複素

根を持つ場合③について計算したもので,(3)式の

過渡応答に関しては夫々潜動,臨界,減衰振動2)の各

場合に対応するものである.図5−1中の③の軌跡

でU=−1の直線との2つの交点における角周波数

は,入力インピーダンスの実数部が負となる上限およ

び下限を与えるもので,安定性の点から云えばこの周

β

z

L

/

(

'

;

)

(

1

β

)

/

β

(

6

)

-

&

z

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.

(

r〔"=(縦‘縄)ぜ………⑦

図5−1rObr)の軌跡 4

/

/

0110.51.'1.0 但し,G=RL/Rs,Rs=Rg+r6b',zg=R9, K=のβ・QRL,p=j(の/のβ)=ノウ『, β=β0/(1+/(の/のβ)}

恥『(”="{(r駕預鯉騨')]

ylG① −1.011−0.5 U 4.0 βi]

L511塾,||邪ll3bll乱‘

γM, V 4'M=1,,hj2=0 3hll=γbb,hlb=0 I

。青-'vvw-1

M=β,h2h=0 3 ’ 4M=0,Mi=−1 川 原 : エ ミ ッ タ ・ ホ ロ ワ の 帰 還 特 性 の H パ ラ メ ー タ に よ る 解 析 そこで問題のループ・ゲインT(p)においてp=メx として(7)式に代入し,そのベクトル図,すなわち ナイキスト線図を画くことにより,各種のzL,鞄に ついての安定性を調べることができる.ここでは特に

従来の容量性負荷について得られた(7)式を実数部

と虚数部とに分離すれば次式が得られる.

R・{『")=学臨蕊嶺;螺'〕-号

×

。】 図 4 エ ミ ッ タ ・ ホ ロ ワ の 簡 略 化 等 価 回 路 と 帰 還 回 路 の H パ ラ メ ー タ 0.5, T − … … … ・ … ‘ … … … . ( 8 )

F

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上兼す

x−ノ

;

2

(6)

図5−2Z ,(・か)の軌跡の原点付近の拡大図 20 に導入されているので,今後それ等の種々の値につい てのナイキスト線図による安定性の解明が統一的に進 められる.特にzgがインダクタンスを含む時には, いわゆる負性抵抗による発振現象が現われるが,この 場合も同様にr(p)の軌跡を求めることにより,その 特性が明かにされる. 終りに色々と有益な御助言を受けた本学武石助教授 に感謝致します.

へ│と

18 一 −2

4r卜L

0.313 1)米山・上野:エミッタ・ホロワのベース抵抗法 による発振抑制,九連大論文集.昭和41年度, p、217. 2)川原:トランジスタの容量性負荷を有するエミ ッ タ ・ ホ ロ ワ の パ ル ス 応 答 に つ い て : 鹿 大 工 学 部 研究報告.第3号,昭和38年10月,p、11. 5 鹿 児 島 大 学 工 学 部 研 究 報 告 第 7 号 4一一 波数範囲で入力インピーダンスの虚数部が零となる場

合例えば塗が誘導性となった時等は特性根はp平面

の右側に移行し,成長する持続振動が現われることに なる. 5 . あ と が き 電圧または電流についての伝達関数が計算されて, これにナイキストの安定判別法が適用される形に式の 上で変形することはできるが,明確な物理的意義を持 つループ・ゲインを得る一般的な手法は見当らない. この点については,直並列形の帰還部の接続を有す る帰還増巾器においてはHパラメータを用いてナイ キストの安定判別法の使用が可能であり,またその物 理的意味も明らかである.特にエミッタ・ホロワの特 性の解析には電源インピーダンス認負荷インピーダ ンスzLが,基準化された形すなわちKG等でT(p) 文 献 ① (2) 臼〕 弔一

0.02 0−05 0.3 一” Ru K 0033 0-064 CeP『 4−65 147 β蚕 ns趣 50 2C 3.39 一町冬山

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参照

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