電子回路Ⅰ
第8回
講義内容
1.
半導体素子(ダイオードとトランジスタ)
2.
基本回路
3. 増幅回路
小信号増幅回路
(1)
・
CR結合増幅回路
増幅の原理
増幅回路
信号源
負荷
電源
増幅度と利得
増幅回路
iv
v
o ii
i
oR
L i i o o i o p i o i i o vi
v
i
v
P
P
,A
i
i
,A
v
v
A
=
=
=
=
増幅度
i o p i o i i o vP
P
log
G
,
i
i
log
G
,
v
v
log
G
=
20
=
20
=
10
利得
大信号動作と小信号動作
V
DSI
DSV
GSV
DSI
DSV
GS 動作点(OP) 動作範囲 動作範囲 動作点のまわりの領域 非線形 → 線形近似 非線形動作大信号等価回路と小信号動作回路
小信号
動作点のまわりの領域
非線形 → 線形近似
小信号パラメータ
大信号
非線形動作
直流成分 + 微小変化分
バイポーラトランジスタ回路
エミッタ接地回路
ベース接地回路
コレクタ接地回路
トランジスタによる増幅回路
MOSトランジスタ回路
ソース接地回路
ゲート接地回路
ドレイン接地回路
エミッタ接地回路とソース接地回路
R
L C E BR
L D S Gv
iv
ov
ov
iV
DDV
BV
CCV
BBベース接地回路とゲート接地回路
R
L C E BR
L D S Gv
ov
iv
ov
iコレクタ接地回路とドレイン接地回路
R
L C E BR
LV
DDV
Bv
iv
oV
CCV
BBv
iv
o D S G動作原理(エミッタ接地回路)
CCV
R
L C E B BBV
CCV
R
L C E B CI
BI
c Ci
I +
b Bi
I +
直流回路
直流+微小交流電圧
BBV
iv
OV
V +
Ov
o負荷曲線と動作点
C
I
CE
V
0
BP
I
動作点(
OP)
負荷線
V
L
CC
R
V
LR
1
−
傾き
:
動作点の決定
C
I
CE
V
0
動作点(
OP)
負荷線
CC
V
L
CC
R
V
LR
1
−
傾き
:
B
I
BE
V
0
B
I
BB
V
B
I
⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − = kT 1 qV s B BE e AJ I指数関数
動作原理(ソース接地回路)
DI
I +
Di
d直流回路
直流+微小交流電圧
o Ov
V +
R
LR
L D S G D S G BV
DDV
BV
OV
iv
DDV
↑
GSV
DSI
0
V
DS 0 > GS VDBP
I
動作点(
OP)
負荷線
DDV
L DDR
V
LR
1
−
傾き
:
負荷曲線と動作点
動作点の決定
↑
GSV
DSI
0
V
DS DBPI
動作点(
OP)
負荷線
DDV
L DDR
V
LR
1
−
傾き
:
0
GSV
THV
DSI
B
V
D
I
2乗曲線
( )2 2 1 THN GS ox n DS V V L W C I = µ −エミッタ接地増幅回路のバイアス
R
C C E BV
CCV
BBB
I
CI
エミッタ接地回路のバイアス回路例(
1)
V
CCR
C C E BV
CC CR
BB
I
固定バイアス
R
C C E BV
CCV
BB CR
BB
I
2電源方式
エミッタ接地回路のバイアス回路例(
2)
V
CCR
C C E BV
CCC
R
BB
I
電流帰還バイアス
R
C C E BV
CCC
R
BB
I
自己バイアス
B
I
R
AR
EC
E固定バイアス回路の解析
R
CV
CCR
B B BE CC BR
V
V
I
=
−
B BE CC FE B FE CR
V
V
h
I
h
I
=
=
−
V
BEB
I
I
CV
CCR
CV
CCR
BI
I
B
B
自己バイアス回路の解析
CI
B BE C C CC B BE E C CC B BE CE BR
V
I
R
V
R
V
I
R
V
R
V
V
I
−
−
≈
−
−
=
−
=
EI
C EI
I ≈
V
CE↓
↓⇒
↑⇒
B C CI
I
I
負帰還
(電圧帰還バイアス)
V
BE電流帰還バイアス回路の解析
R
CV
CCR
BB
I
R
AR
EC
E AI
B AI
I +
V
BE(
A B)
A A B CCR
I
I
R
I
V
=
+
+
B AI
I
>>10
×
(
A B)
A A A A B CCR
I
R
I
I
R
R
V
≈
+
=
+
B A CC AR
R
V
I
+
=
CC B A A A A BV
R
R
R
I
R
V
+
≈
=
E E B E B BEV
V
V
R
I
V
=
−
=
−
↓
↓⇒
↑⇒
↑⇒
E B C CI
I
I
I
負帰還
(電流帰還バイアス)
CI
V
EV
Bバイアス回路の安定度の比較
固定バイアス回路
温度変化に対する安定度がわるい
自己バイアス回路
安定度がよい
利得が減少
電流帰還バイアス回路
安定度がよい
一般によく使われる
※ いずれも入力インピーダンスの低下に注意が必要
FETのバイアス
JFETのバイアス
デプレション型
FET
固定バイアス回路
自己バイアス回路
MOSFETのバイアス
JFETのバイアス回路
GSV
PV
DI
0
デプレション型
FET
ノーマリオン (
Normally ON)
DPI
動作点(
OP)
GGV
R
D D S GR
GV
DDV
GG固定バイアス
D
I
DSSI
C
V
GSJFETのバイアス回路
R
D D S GR
GV
DD自己バイアス
D
I
DI
D S S GSV
R
I
V
=
−
=
DP GS SI
V
R
=
−
V
GSR
SC
R
D D S GV
DD DI
V
GSR
SJFETのバイアス回路
R
1R
2 DI
GS G SV
DDR
SI
DR
R
R
V
V
V
−
+
=
−
=
2 1 2エンハンスメント型
FET
ノーマリオフ (
Normally OFF)
R
DV
DDMOSFETのバイアス回路
GSV
THV
DI
0
2乗曲線
(
)
2 2 1 THN GS ox n DS V V L W C I = µ − DSPI
動作点(
OP)
GSPV
R
1R
2 D S G DI
DD GSV
R
R
R
V
2 1 2+
=
C
V
GSMOSFETのバイアス回路
DD GSV
R
R
R
V
2+
=
R
DV
DDR
1R
2 D S G DI
V
GSR
D D S GV
DDV
GSR
SR
1R
2 DI
D S DD S G GSV
R
I
R
R
R
V
V
V
−
+
=
−
=
2C
Eバイポーラトランジスタ回路
エミッタ接地回路
ベース接地回路
コレクタ接地回路
トランジスタによる増幅回路
MOSトランジスタ回路
ソース接地回路
ゲート接地回路
ドレイン接地回路
通常、
トランジスタ
1個(1石)の増幅回路では
十分な利得を得ることが困難
多段増幅回路
増幅回路
iv
v
1増幅回路
v
2増幅回路
v
3R
Lエミッタ接地増幅回路の多段接続
R
C1V
CCR
B1R
A1R
E1V
o1C
E1V
i1R
C2R
B2R
A2R
E2V
o2C
E2V
i2V
CC 1 vA
A
v2 2 1 v v total _ vA
A
A
=
×
エミッタ接地増幅回路の多段接続
R
C1V
CCR
B1R
A1R
E1V
o1C
E1V
i1R
C2R
B2R
A2R
E2V
o2C
E2V
i2第一段
第二段
CR結合増幅回路
R
CV
CCR
BR
AR
Ev
iC
1C
2R
iv
oC
ECR結合増幅回路(直流回路)
R
CV
CCR
BR
AR
Ev
iC
1C
2R
iv
oC
ECR結合増幅回路(直流等価回路)
R
CV
CCR
BR
AR
EV
CB
I
AI
B AI
I +
V
BE CI
V
EV
BCR結合増幅回路(交流回路)
R
CR
BR
AR
Ev
iR
iv
oCR結合増幅回路(交流等価回路)
R
CR
BR
AR
iv
oR
Lv
ihパラメータによる小信号等価回路
iv
v
o ii
i
o ieh
i fei
h
iv
v
o ii
i
o ieh
o rev
h
h
fei
i1
/
h
oe0
≅
reh
L oeR
h >>
/
1
増幅回路
iv
v
o ii
i
oR
L出力インピーダンス
入力インピーダンス
増幅度(利得)
エミッタ接地回路
C E B o Ci
I +
i Bi
I +
iv
ov
R
L iv
v
o ii
i
o ieh
o rev
h
h
fei
i1
/
h
oe出力インピーダンス
入力インピーダンス
エミッタ接地回路の小信号等価回路
R
L iv
v
o ii
i
o ieh
o rev
h
h
fei
i1
/
h
oe0
≅
reh
1
/
h >>
oeR
LR
L iv
v
o ii
i
o ieh
i fei
h
1
/
h
oei