NJG1809ME7 ハイパワー SP4T スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1809ME7 は LTE-U / LAA WLAN LTE 等の通信用途に最適なハイパワー SP4T スイッチです本製品は切替電圧 1.8V に対応し低挿入損失高アイソレーション高線形性を 6GHz まで

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NJG1809ME7

ハイパワーSP4T スイッチ GaAs MMIC

概要 外形

NJG1809ME7 は LTE-U / LAA、WLAN、LTE 等の通信用途に最適なハイパワーSP4T スイッチです。本製品は切替電圧 1.8V に対応し、低挿入損失、高アイソレーション、高線形性を 6GHz までカバーすることを特長とします。WLAN で要求される高速切替時間にも対応します。本製品は内蔵 ESD 保護素子により高 ESD 耐圧を有します。本製品は DC ブロッキングキャパシタが不要です*。 EQFN18-E7 パッケージを採用し小型・薄型化を実現します｡（*DC バイアス印加時は除く） アプリケーション

LTE-U / LAA, WLAN (802.11a/b/g/n/ac), LTE 用途その他汎用切替用途  特長 低切替電圧 1.35 ~ 5.0V  低挿入損失 0.40dB typ. @f=2.7GHz, 3.5GHz, PIN=+27dBm 0.50dB typ. @f=5.85GHz, PIN=+27dBm  高アイソレーション 27dB typ. @f=2.7GHz, PIN=+27dBm 25dB typ. @f=3.5GHz, PIN=+27dBm 30dB typ. @f= 5.85GHz, PIN=+27dBm  P-0.1dB +32dBm min.  高速切替時間 250ns typ.  小型・薄型パッケージ EQFN18-E7 (2.0x2.0x0.397mm typ.) RoHS 対応, ハロゲンフリー, MSL1 端子配列 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL1 VCTL2 Path L L PC-P1 H L PC-P2 L H PC-P3 H H PC-P4 注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。 (TOP VIEW) 端子名 1. GND 10. GND 2. GND 11. VDD 3. PC 12. VCTL2 4. GND 13. VCTL1 5. GND 14. GND 6. P1 15. GND 7. GND 16. P4 8. P2 17. GND 9. GND 18. P3 Exposed PAD: GND NJG1809ME7

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絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目記号条件定格単位入力電力 PIN VDD =2.75V, VCTL=0/1.8V +33 dBm 電源電圧 VDD VDD 端子 5.0 V 切替電圧 VCTL VCTL1, VCTL2 端子 5.0 V 消費電力 PD 4 層(101.5 x 114.5mm スルーホール有) FR4 基板実装時、Tj=150°C) 1400 mW 動作温度 Topr -40 ~ +105 °C 保存温度 Tstg -55 ~ +150 °C 電気的特性 1 (DC) 共通条件: Ta=+25°C、VDD=2.75V、VCTL(H)=1.8V、VCTL(L)=0V、指定の外部回路による項目記号条件最小値標準値最大値単位電源電圧 VDD VDD 端子 2.5 2.75 5.0 V 動作電流 IDD RF 無信号時 - 350 700 A 切替電圧(LOW) VCTL(L) VCTL1, VCTL2 端子 0 - 0.45 V 切替電圧(HIGH) VCTL(H) VCTL1, VCTL2 端子 1.35 1.8 5.0 V 切替電流 ICTL VCTL(H)=1.8V - 4 10 A    

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電気的特性 2 (RF) 共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50, VDD=2.75V, VCTL(H)=1.8V, VCTL(L)=0V, 指定の外部回路による項目記号条件最小値標準値最大値単位挿入損失 1 LOSS1 f=0.7GHz, PIN=+27dBm - 0.35 0.55 dB 挿入損失 2 LOSS2 f=2.0GHz, PIN=+27dBm - 0.40 0.60 dB 挿入損失 3 LOSS3 f=2.7GHz, PIN=+27dBm - 0.40 0.60 dB 挿入損失 4 LOSS4 f=3.5GHz, PIN=+27dBm - 0.40 0.60 dB 挿入損失 5 LOSS5 f=5.85GHz, PIN=+27dBm - 0.50 0.75 dB アイソレーション 1 ISL1 f=0.7GHz, PIN=+27dBm 32 36 - dB アイソレーション 2 ISL2 f=2.0GHz, PIN=+27dBm 25 28 - dB アイソレーション 3 ISL3 f=2.7GHz, PIN=+27dBm 24 27 - dB アイソレーション 4 ISL4 f=3.5GHz, PIN=+27dBm 22 25 - dB アイソレーション 5 ISL5 f=5.85GHz, PIN=+27dBm PC-Pn*1 26 30 - dB Pm-Pn*2 20 23 - 0.1dB 圧縮時入力電力 P-0.1dB f=5.85GHz +32 - - dBm 第 2 高調波 1 2fo(1) f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc 第 2 高調波 2 2fo(2) f=2.69GHz, PIN=0dBm - - -95 dBc 第 3 高調波 1 3fo(1) f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc 第 3 高調波 2 3fo(2) f=1.732GHz, 1.91GHz, PIN=0dBm - - -95 dBc 第 4 高調波 4fo f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc 入力 2 次インターセプトポイント IIP2 f=2.48+2.69GHz, fmeas=5.17GHz, PIN=+10dBm each +100 - - dBm 入力 3 次インターセプトポイント IIP3 f=1.71+2.40GHz, fmeas=5.82 GHz, PIN=+10dBm each +60 - - dBm 定在波比 1 VSWR1 オン状態, f=2.7GHz - 1.2 1.5 - 定在波比 2 VSWR2 オン状態, f=5.85GHz - 1.3 1.6 - スイッチング時間 TSW 50% VCTL to 10/90% RF - 250 400 ns *1: Pn=P1, P2, P3, P4 *2: Pm=P1, P2, P3, P4. Pn=P1, P2, P3, P4. m≠n

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端子説明 端子番号端子記号機能 1 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 2 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 3 PC 共通 RF 端子です。DC ブロッキングキャパシタは不要です（DC バイアス印加時は除く）。 4 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 5 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 6 P1 RF 端子です。DC ブロッキングキャパシタは不要です（DC バイアス印加時は除く）。 7 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 8 P2 RF 端子です。DC ブロッキングキャパシタは不要です（DC バイアス印加時は除く）。 9 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 10 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 11 VDD 電源端子です。正電源電圧(+2.5 to +5V)を印加して下さい。RF 特性への影響を抑止するため対 GND 間にバイパスキャパシタを接続してください。 12 VCTL2 経路切替用制御信号入力端子です。この端子の印加電圧をハイレベル (+1.35~+5.0V)またはローレベルに(0~+0.45V)にセットしてください。 13 VCTL1 経路切替用制御信号入力端子です。この端子の印加電圧をハイレベル (+1.35~+5.0V)またはローレベルに(0~+0.45V)にセットしてください。 14 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 15 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 16 P4 RF 端子です。DC ブロッキングキャパシタは不要です（DC バイアス印加時は除く）。 17 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 18 P3 RF 端子です。DC ブロッキングキャパシタは不要です（DC バイアス印加時は除く）。 Exposed Pad GND IC 裏面の接地パッドです。RF 特性を劣化させないために、パッド近傍で接地電位に接続してください。

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 特性例 (指定の測定回路による。外部回路の損失含まず) -2.0 -1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 PC-P1 LOSS PC-P2 ISL PC-P3 ISL PC-P4 ISL P C -P 1 I n se rt io n Lo ss (d B ) Is o la ti o n (d B ) Frequency (GHz)

LOSS, ISL vs Frequency

(PC-P1 ON, V DD=2.75V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) -2.0 -1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 PC-P2 LOSS PC-P1 ISL PC-P3 ISL PC-P4 ISL P C -P 2 I n se rt io n Lo ss (d B ) Is o la ti o n (d B ) Frequency (GHz)

LOSS, ISL vs Frequency

(PC-P4 ON, V DD=2.75V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) -50 -45 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 P1-P2 ISL P1-P3 ISL P1-P4 ISL Is o la ti o n (d B ) Frequency (GHz)

ISL vs Frequency

(PC-P2 ON, V DD=2.75V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V)

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0 100 200 300 400 500 2.5 3 3.5 4 4.5 5 I DD ( A ) V DD (V)

(No RF input, PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V)

I

DD

vs V

DD 0 2 4 6 8 10 12 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 I CT L ( A ) V CTL (V)

(No RF input, PC-P1 ON, V

DD=2.75V)

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特性例 (指定の測定回路による。外部回路の損失含まず) 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V DD=2.5V V DD=2.75V V DD=3.5V V DD=5.0V O p e ra ti n g C u rr e n t ( A ) Ambient Temperature (oC)

Operating Current vs Temperature

(PC-P1 ON, V CTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V CTL(H)=1.5V V CTL(H)=2.0V V CTL(H)=2.75V V CTL(H)=3.5V V CTL(H)=5.0V C o n tr o l C u rr e n t (  A ) Ambient Temperature (oC)

Control Current vs Temperature

(PC-P2 ON, V DD=2.75V) 0 100 200 300 400 500 600 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V CTL(H)=2.5V V CTL(H)=2.75V V CTL(H)=3.5V V CTL(H)=5.0V S w it c h in g T im e (n s )

Switching Time(rise) vs Temperature

(PC-P1/P2 path, P2 port, V CTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) Ambient Temperature (oC) 0 100 200 300 400 500 600 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V CTL(H)=2.5V V CTL(H)=2.75V V CTL(H)=3.5V V CTL(H)=5.0V S w it c h in g T im e (n s )

Switching Time(fall) vs Temperature

(PC-P1/P2 path, P2 port, V

CTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V)

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外部回路図 (TOP VIEW) 注: [1] 各RF端子にDCブロッキングキャパシタは不要です(DCバイアス印加時は除く)。 [2] インダクタL1はオプションです。PC端子に特に高いESD耐圧が必要な場合は対GND間にL1を接続してください。また各RF端子を厳密にGNDレベルに保つためにもL1を接続することをお勧めします。 部品表 番号定数備考 C1 1000pF 村田製作所 (GRM15) L1 68nH 太陽誘電 (HK1005) 3 4 2 1 5 6 7 8 9 10 12 11 13 14 18 17 16 15 DECODER L1 PC VCTL1 VCTL2 C1 VDD P1 P2 P3 P4

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 基板実装図 (TOP VIEW) <PCB レイアウトガイドライン> (TOP VEIW)  注意事項 [1] 各 RF 端子に DC ブロッキングキャパシタは不要です。ただし、本製品の各 RF 端子はグランドレベルにバイアスされているため、本製品に接続される他のデバイスの端子が DC バイアスされている場合には、その端子には DC ブロッキングキャパシタが必要です。 [2] スイッチの RF 特性への影響を抑止するために、VDD 端子には対グランドにバイパスコンデンサ(C1)を接続して下さい。 [3] 良好な RF 特性を得るために、IC の GND 端子は最短距離で基板のグランドに接続できるようレイアウトして下さい。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してください。

[4] Exposed PAD は最短距離で基板のグランドに接続して下さい。良好な RF 特性を得るために、IC 直下にスルーホールを配置して下さい。周波数 (GHz) 基板損失 (dB) 0.7 0.16 2.0 0.43 2.7 0.56 3.5 0.68 5.85 1.02 PCB: FR-4, t=0.2mm キャパシタサイズ: 1005 ストリップライン幅: 0.4mm PCB サイズ: 26x26mm2 コネクタ損失を含む基板損失, Ta=+25 °C P2 P4 VDD VCTL2 VCTL1 GND GND P1 P3 PC 1pin mark C1 L1* * L1 はオプションです。 PCB Package terminal Package outline Ground through hole Diameter= 0.2mm

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 EQFN18-E7 パッケージ推奨フットパターン

PKG: 2.0x2.0mm2 Pin pitch: 0.4mm : Land

: Mask (Open area) *Metal mask thickness: 100m : Resist (Open area)

Detail A

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外形図 (EQFN18-E7) 端子処理 :SnBi 基板 :Copper モールド材 :エポキシ樹脂重量 :5.0mg 単位 :mm ＜注意事項＞このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 Exposed PAD 必ずグラウンドに接続してください。

NJG1809ME7 ハイパワー SP4T スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1809ME7 は LTE-U / LAA WLAN LTE 等の通信用途に最適なハイパワー SP4T スイッチです 本製品は切替電圧 1.8V に対応し 低挿入損失 高アイソレーション 高線形性を 6GHz まで

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LOSS, ISL vs Frequency

LOSS, ISL vs Frequency

LOSS, ISL vs Frequency

LOSS, ISL vs Frequency

ISL vs Frequency

ISL vs Frequency

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I

vs V

I

vs V

ISL vs Frequency

ISL vs Frequency

VSWR vs Frequency

VSWR vs Frequency

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Output Power, I

vs Input Power

Loss, ISL vs Input Power

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Loss, ISL vs Temperature

Loss, ISL vs Temperature

Loss, ISL vs Temperature

Loss, ISL vs Temperature

Loss, ISL vs Temperature

NJG1809ME7

VSWR vs Temperature

VSWR vs Temperature

VSWR vs Temperature

VSWR vs Temperature

P

vs Temperature

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Operating Current vs Temperature

Control Current vs Temperature

Switching Time(rise) vs Temperature

Switching Time(fall) vs Temperature

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NJG1809ME7 ハイパワー SP4T スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1809ME7 は LTE-U / LAA WLAN LTE 等の通信用途に最適なハイパワー SP4T スイッチです本製品は切替電圧 1.8V に対応し低挿入損失高アイソレーション高線形性を 6GHz まで