エアコン・空気清浄機向け
３相ブラシレスファンモータ
ドライバ
BM6202FS
●概要 PrestoMOS™を出力トランジスタとして採用し、ゲート ドライバチップとともに小型面実装フルモールドパッケ ージに収めた３相ブラシレスファンモータドライバです。 過電流、過熱、低電圧などの保護機能や、ブートストラ ップダイオードも内蔵しており、コントローラ BD6201X シリーズとの組み合わせにより様々なアプリケーション に対応でき、モータ基板の共通化を実現できます。 ●特長 600V 耐圧 PrestoMOS™ 採用 出力電流 1.5A フローティング電源方式によるブートストラップ動作 （ブートダイオード内蔵） 3.3V ロジック入力対応 出力保護回路内蔵（過電流／過熱／低電圧） フォルト出力（オープン・ドレイン） ●用途 エアコン室内／室外ファンモータ、空気清浄機ファン モータ、給湯ポンプ、食洗機、洗濯機などの家電製品 ＯＡ機器全般 ●重要特性 出力 MOSFET 耐圧 600V ドライバ出力電流（連続） ±1.5A(Max.) ドライバ出力電流（パルス） ±2.5A(Max.) 出力 MOSFET 直流オン抵抗 2.7Ω (Typ.) 動作ケース温度 -20°C to +100°C 接合部温度 +150°C 許容損失（全素子動作） 3.0W●パッケージ W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.) SSOP-A54_23 22.0mm x 14.1mm x 2.4mm ●基本アプリケーション回路 SSOP-A54_23 R8 R9 VREG VREG C5 HU HV HW VSP FG DTR VCC GND
M
VDC BD6201XFS BM6202FS R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Q1 C1 C2~C4 C6 C7 C8 C9 C10 C11 C12 C13 D1 C14●ブロック図・端子配置図 Figure 2. 機能ブロック図 Figure 3. 端子配置図 ●端子説明（NC：ノンコネクション） 番号 端子名 機能 番号 端子名 機能 1 VCC 下側電源 23 VDC 電源 2 FOB フォルト出力（O.D.） - VDC 3 UH Ｕ相上側制御入力 22 BU 上側電源（U 相） 4 UL Ｕ相下側制御入力 - U 5 NC 21 U U 相出力 6 VH Ｖ相上側制御入力 20 BV 上側電源（V 相） 7 VL Ｖ相下側制御入力 - V 8 NC 19 V V 相出力 9 NC - VDC 10 WH Ｗ相上側制御入力 18 VDC 電源 11 WL Ｗ相下側制御入力 17 BW 上側電源（W 相） 12 FOB フォルト出力（O.D.） - W 13 VCC 下側電源 16 W W 相出力 14 GND GND 15 PGND パワーGND（電流検出端子） 注）1～14 ピン側のパッケージ側面から見えるピンのカット面はすべて NC です 15～23 ピン側のパッケージ側面から見えるピンのカット面（ピン番号 ”-” で表記）は端子名に記載している記号と同電位です PGND LEVEL SHIFT & GATE DRIVER BU U M 22 21 1 VCC GND VDC 3 UH 4 UL BV V 20 19 6 VH 7 VL BW W 17 16 10 WH 11 WL 2 FOB 12 FOB 13 VCC VDC 15 14 FAULT SDB LEVEL SHIFT & GATE DRIVER FAULT SDB LEVEL SHIFT & GATE DRIVER FAULT SDB TRIP 18 VDC VCC 23 FAULT TRIP TRIP VCC FOB UH UL VH VL WH WL FOB VCC GND PGND W BW VDC V BV U BU VDC
●動作説明 1) 制御入力端子（XH／XL） 制御信号入力のスレッショルド電圧は、“H”レベル：2.5V 以上、“L”レベル：0.8V 以 下となっており、内部ヒステリシス電圧は約 0.4V です。なお、入力電圧は VCC 電圧ま で入力可能です。 また、XH 端子、XL 端子ともＨ論理を入力した場合、出力トランジスタが同時オンしな いよう、ゲートドライバは上下とも“L”を出力しますが、制御信号にデッドタイムを設 けるなど対策願います。 また、入力端子は 100kΩ（Typ.）の抵抗で内部プル・ダウンされていますが、ノイズな どの影響で誤動作する場合は、外部にて 10kΩ程度の抵抗でプル・ダウンしてください。 2) 低電圧保護回路（UVLO 回路） フローティング電源ライン VBX（上側電源ライン）、VCC ライン（下側電源ライン）、それぞれ独立に低電圧保護回路を 内蔵しており、電源電圧のドロップによる誤動作を防止します。 OFF 電圧を下回ると出力を OFF し、リリース電圧を超えると通常動作に復帰します。 フローティング電源ラインの低電圧保護回路は各相独立で上側ゲートドライバ出力 HO（上側 MOSFET ゲート駆動）を、 VCC ラインの低電圧保護回路は下側全相のゲートドライバ出力 LO（下側 MOSFET ゲート駆動）、かつ上側全相のゲー トドライバ出力 HO を OFF します。 Figure 4. 低電圧モニタ・タイミングチャート 入出力真理値表 HIN LIN HO LO L L L L H L H L L H L H H H Inhibition
※HIN: UH,VH,WH, LIN: UL,VL,WL
VB HIN LIN HO LO VCC HIN LIN HO LO VCCUVH VCCUVL VBUVH VBUVL
3) ブートストラップ動作 Figure 5. チャージ期間 Figure 6. ディスチャージ期間 ブートストラップ動作は上図のように、ブート用コンデンサ（CB）に対して、チャージ期間とディスチャージ期間が交 互に繰り返されることにより行われます。つまり、外付けトランジスタの出力が同期整流スイッチングしている間はこの 動作が繰り返されます。VCC 電源より、逆流防止 Di（DX）を通して CBにチャージされるので、上側ゲート電圧は約 (VCC-1V) になります（VCC が 15V の場合、約 14V）。 なお、DXと直列に繋がる抵抗は約 200Ωのインピーダンスを持っています。 ブート用コンデンサ容量値は、以下のように見積もります。 フローティング電源回路電流（静止時） IBBQ : 150µA(max.) ブートダイオード逆バイアスリーク電流 ILBD : 10µA(max.) キャリア周波数 FPWM : 20kHz 内蔵 MOSFET トータルゲートチャージ Qg : 25nC(max.) フローティング電源駆動損失 QLOSS : 1nC(max.) フローティング電源許容ドロップ電圧 dVDROP : 3V
CBOOT » (( IBBQ + ILBD ) / FPWM + 2 x Qg + QLOSS ) / dVDROP ≈ 20nF （上記例の場合）
使用電源電圧範囲や出力 MOSFET のオン抵抗値、ブートダイオードの VF 電圧（ブート用コンデンサへのチャージ電流 によるドロップ電圧）、電源電圧モニタ回路による保護動作などにより、実際には許容できるドロップ電圧はさらに小さ くなります。ブート用コンデンサの容量ばらつきや温特による容量変化などを考慮した場合、上記例においても十分なマ ージン（10 倍以上）をとっておくことを推奨します。 また、上記例は同期整流スイッチング（上下チョッピング）を想定していますので、広角通電駆動などで上下チョッピン グをしないアプリケーションの場合、通電区間においてトータルゲートチャージがキャリア周波数分だけ必要となり、上 記設定では大幅な容量不足となります。実アプリケーションでの動作をよく確認のうえ、設定願います。 4) 過熱保護回路（TSD 回路） ゲートドライバのチップ温度が上昇し、設定温度（150°C Typ.）を超えると、過熱保護回路が動作し、すべての出力 MOSFET が OFF します。また、TSD 回路には温度ヒステリシスを設けており、チップ温度が下がると（125°C Typ.） 通常動作に戻ります。 なお、TSD 回路はあくまでも熱的暴走から IC を遮断することを目的とした回路であり、この回路が動作する時点で動作 保証温度を超えています。従いましてこの回路を動作させて以降の連続使用、及び動作を前提とした使用にならないよう 十分マージンを持った熱設計をしてください。 また、温度をモニタしているのはゲートドライバチップであるため、出力 MOSFET チップの急激な温度上昇などには追 従できず有効に機能しない場合があります。 5) 過電流保護回路（OCP 回路） PGND 端子と GND 端子間に電流検出用の低抵抗を挿入することにより、過電流保護回路を実現できます（地絡は検出不 可）。PGND 端子電圧が検出電圧 VSNS（0.9V Typ.）以上になると、すべての出力 MOSFET が OFF します。
CB HO VS VDC VB L H DX LO OFF ON VCC CB HO VS VDC VB H L DX LO ON OFF VCC
FOB VPU R C 6) フォルト出力 低電圧モニタ（UVLO）、過熱（TSD）、過電流（OCP）のいずれかを検出した場合、FOB 端子は少なくとも 25µs (Typ.) の間“L”を出力します（オープン・ドレイン）。FOB 端子は各相ゲートドライバチップ同士が内部でワイヤード・OR 接続されているため、いずれかのチップでこれらを検出した場合は他相も同様に保護動作に入ります。 なお、この機能を使用しない場合でも、FOB 端子は少なくとも 10kΩ以上の抵抗値で 3V 以上の電圧にプルアップしてく ださい。また、内部信号（UVLO / TSD / OCP）はスイッチングノイズなどによる誤動作防止のため、アナログフィルタ （2.0µs Min.）を通過しますが、チップ外部からの信号は内蔵アナログフィルタを通過せず制御ロジックに入力されます。 Figure 7. フォルト入出力端子周辺 内部機能等価回路（１相分） Figure 8. フォルト動作・タイミングチャート（過電流保護動作時） また、FOB 端子にコンデンサを対 GND に挿入するこ とで保護動作からの復帰時間を変更できます。復帰ま での時間は以下の式にて算出できます（復帰時間は 2ms 以上に設定することを推奨します）。 Figure 9. 復帰時間調整アプリケーション回路図 Figure 10. 復帰時間（参考データ、R=100kΩ 時） 2.0 t = ln ( 1 -VPU ) · R · C [s] FOB SHUTDOWN TSD OCP UVLO FILTER FAULT HIN LIN PGND HO LO FOB 0.9V(typ.) 2.0µs (Min.) 25µs (Typ.) 2.0µs (Min.) 25µs (Typ.) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0.01 0.10 1.00 Capacitance : C[µF] Release time : t [ms] VPU=5V VPU=15V
FOB VREG FIB BD6201XFS BM6202FS 100k C コントローラ BD6201X シリーズを制御 IC として使用する場合、コントローラ側の外部異常信号入力端子は IC 内部で抵 抗プルアップされていますので、FOB 端子と直結できます（Figure 11 参照）。 Figure 11. インターフェイス部等価回路図 7) スイッチング時間 Figure 12. スイッチング時間定義 項目 記号 参考値 単位 条件 tdH(on) 930 ns trH 170 ns trrH 250 ns tdH(off) 600 ns 上側スイッチング時間 tfH 20 ns tdL(on) 990 ns trL 220 ns trrL 250 ns tdL(off) 600 ns 下側スイッチング時間 tfL 60 ns VDC=300V, VCC=15V, ID=0.75A
VIN= 0V↔5V, Inductive load XH, XL VDS ID ton td(on) tr trr td(off) toff tf 10% 90% 10% 90%
●絶対最大定格（Ta=25°C） 定 格 項 目 記 号 BM6202FS 単 位 出力 MOSFET 耐圧 VDSS 600*1 V 電源電圧 VDC -0.3 ~ 600* 1 V 出力電圧 VU, VV, VW -0.3 ~ 600*1 V 上側電源端子電圧 VBU, VBV, VBW -0.3 ~ 600*1 V 上側電源電圧 VBU-VU, VBV-VV, VBW-VW -0.3 ~ 20 V 下側電源電圧 VCC -0.3 ~ 20 V その他入出力端子電圧 VI/O -0.3 ~ VCC V ドライバ出力電流（連続） IOMAX(DC) ±1.5*1 A ドライバ出力電流（パルス*2 ） IOMAX(PLS) ±2.5* 1 A フォルト出力電流 IOMAX(FOB) 15*1 mA 許容損失 Pd 3.00*3 W 熱抵抗（接合部－ケース間） Rthj-c 15 °C/W 動作ケース範囲 TC -20 ~ 100 °C 保存温度範囲 TSTG -55 ~ 150 °C 最高接合部温度 Tjmax 150 °C ** 指定なき電圧値はすべて GND 端子基準とする *1 ただし、Pd 及び ASO を越えないこと *2 パルス幅 10µs 以下、デューティ 1%以下 *3 全素子動作。70mm×70mm×1.6mm FR4 ガラスエポキシ基板（銅箔面積 3%以下）実装時。Ta=25°C 以上で使用する場合は、24mW/°C で軽減 ●推奨動作範囲（Tc=25°C） 動 作 範 囲 項 目 記 号 最 小 標 準 最 大 単 位 電源電圧 VDC - 310 400 V 上側電源電圧 VBU-VU, VBV-VV, VBW-VW 13.5 15 16.5 V 下側電源電圧 VCC 13.5 15 16.5 V 最小入力パルス幅 TMIN 0.8 - - µs デッドタイム TDT 1.5 - - µs シャント抵抗（PGND） RS 0.4 - - Ω 接合部温度 Tj - - 125 °C ** 指定なき電圧値はすべて GND 端子基準とする
●電気的特性（特に指定のない限り、Ta=25°C、VCC=15V） 規 格 値 項 目 記 号 最 小 標 準 最 大 単 位 条 件 〈全体〉 上側電源静止電流 IBBQ 30 70 150 µA XH=XL=L, １相あたり 下側電源静止電流 ICCQ 0.4 0.9 1.5 mA XH=XL=L 〈出力 MOSFET〉 ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS 600 - - V ID=1mA, XH=XL=L ドレイン遮断電流 IDSS - - 100 µA VDS=600V, XH=XL=L 直流オン抵抗 RDS(ON) - 2.7 3.5 Ω ID=0.75A ダイオード順電圧 VSD - 1.1 1.5 V ID=0.75A 〈ブートダイオード〉 リーク電流 ILBD - - 10 µA VBX=600V ダイオード順電圧 VFBD 1.5 1.8 2.1 V IBD=-5mA, 直列抵抗成分含む 直列抵抗 RBD - 200 - Ω 〈制御信号入力〉 入力電流 IXIN 30 50 70 µA VIN=5V 入力Ｈ電圧 VXINH 2.5 - VCC V 入力Ｌ電圧 VXINL 0 - 0.8 V 〈低電圧保護〉 上側リリース電圧 VBUVH 9.5 10.0 10.5 V VBX - VX 上側 OFF 電圧 VBUVL 8.5 9.0 9.5 V VBX - VX 下側リリース電圧 VCCUVH 11.0 11.5 12.0 V 下側 OFF 電圧 VCCUVL 10.0 10.5 11.0 V 〈過電流保護〉 検出電圧 VSNS 0.8 0.9 1.0 V 〈フォルト出力〉 出力Ｌ電圧 VFOL - - 0.8 V IO=+10mA 入力Ｈ電圧 VFINH 2.5 - VCC V 入力Ｌ電圧 VFINL 0 - 0.8 V ノイズマスク時間 TMASK 2.0 - - µs
●参考データ 20 40 60 80 100 120 12 14 16 18 20 Supply Voltage : VBX-VX [V] Supply Current : I QVBX [µA] _ 125°C 25°C -25°C 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 12 14 16 18 20 Supply Voltage : VCC [V]
Supply Current : Icc [mA]
125°C 25°C -25°C 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 12 14 16 18 20 Supply Voltage : VCC [V]
Supply Current : Icc [mA]
125°C 25°C -25°C Figure 15. 下側動作時回路電流 Figure 16. 上側静止回路電流 （FPWM:20kHz,２相スイッチ） Figure 13. 下側静止回路電流 Figure 14. 下側動作時回路電流 （FPWM:20kHz,１相スイッチ） 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 12 14 16 18 20 Supply Voltage : VCC [V]
Supply Current : Icc [mA]
125°C 25°C -25°C
●参考データ（続き） 0 5 10 15 20 1.0 1.5 2.0 2.5 Input Voltage : VIN [V]
Internal Logical Voltage : V
OUT [V] 125°C 25°C -25°C Figure 19. 入力スレッショルド電圧 Figure 20. 過電流検出電圧特性 (UH,UL,VH,VL,WH,WL,FOB) Figure 17. 上側動作時回路電流 Figure 18. 入力バイアス電流 （FPWM:20kHz,１相あたり） (UH,UL,VH,VL,WH,WL) 100 150 200 250 300 12 14 16 18 20 Supply Voltage : VBX-VX [V] Supply Current : I QVBX [µA] _ 125°C 25°C -25°C 0 50 100 150 200 250 0 5 10 15 20
Input Voltage : VHIN/VLIN [V]
Input Current : I HIN /I LIN [µA] _ 125°C 25°C -25°C 0 5 10 15 20 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 Input Voltage : VPGND [V]
Internal Logical Voltage : V
OUT
[V]
125°C 25°C -25°C
●参考データ（続き） Figure 23. リリース時間 Figure 24. フォルト出力オン抵抗 (外付けコンデンサなし) Figure 21. 過熱検出特性 Figure 22. ノイズマスク時間 0 5 10 15 20 100 110 120 130 140 150 160 170 180 Junction Temperature : Tj [°C]
Internal Logical Voltage : V
OUT [V] 0 2 4 6 8 -25 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature : Tj [°C] Noise Masking T ime : T M ASK [µs] TSD UVLO OCP 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 2 4 6 8 10
Output Current : IFOB [mA]
Output Voltage : V FOB [V] 125°C 25°C -25°C 0 10 20 30 40 50 -25 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature : Tj [°C] Release T ime : T R EL EASE [µs] TSD UVLO OCP
●参考データ（続き）
Figure 27. 最小入力パルス幅 Figure 28. 入出力伝達遅延 Figure 25. 上側 UVLO 特性 Figure 26. 下側 UVLO 特性
0 5 10 15 20 8 9 10 11 12 13 Supply Voltage : VCC [V]
Internal Logical Output Voltage : V
OUT [V] 125°C 25°C -25°C 125°C 25°C -25°C 0 5 10 15 20 8 9 10 11 12 13 Supply Voltage : VBX - VX [V]
Internal Logical Voltage : V
OUT [V] 125°C 25°C -25°C 125°C 25°C -25°C 0 500 1000 1500 12 13 14 15 16 17 18 Supply Voltage : VCC [V]
Minimum Input Pulse W
idth : T
PW
m
in
[ns]
Solid : Low side Dashed : High side
0 500 1000 1500 12 13 14 15 16 17 18 Supply Voltage : VCC [V]
Input/Output Propagation Delay : Td [ns]
Solid : Low side Dashed : High side
Td(on)
●参考データ（続き） Figure 31. ブートダイオード特性 Figure 32. ブートダイオード直列抵抗特性 Figure 29. 出力オン抵抗 Figure 30. 出力ボディダイオード特性 0 2 4 6 8 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Drain Current : IDS [A]
Output On Resistance : R DS ON [ohm] 125°C 25°C -25°C 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Source Current : ISD [A]
F o rward Voltage : V SD [V] -25°C 25°C 125°C 0 1 2 3 4 0 2 4 6 8 10
Bootstrap Series Resistor Current : IBR [mA]
Vol ta g e : V BO O T R [V ] 125°C 25°C -25°C 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 2 4 6 8 10
Bootstrap Diode Current : IBD [mA]
F o rward Voltage : V FBD [V] -25°C 25°C 125°C
●参考データ（続き） Figure 35. 下側スイッチング・ロス Figure 36. 下側リカバリー・ロス (VDC=300V) (VDC=300V) Figure 33. 上側スイッチング・ロス Figure 34. 上側リカバリー・ロス (VDC=300V) (VDC=300V) 0 50 100 150 200 0.0 0.5 1.0 1.5 Drain Current : IO [A]
E [µJ] 125°C 25°C -25°C EON EOFF 0 5 10 15 0.0 0.5 1.0 1.5 Drain Current : IO [A]
E [µJ] -25°C 25°C 125°C 0 50 100 150 200 0.0 0.5 1.0 1.5 Drain Current : IO [A]
E [µJ] 125°C 25°C -25°C EON EOFF 0 5 10 15 0.0 0.5 1.0 1.5 Drain Current : IO [A]
E [µJ]
-25°C 25°C 125°C
●応用回路例
Figure 37. アプリケーション回路例（広角通電ドライバ） パーツリスト
Parts Value Manufacturer Type Parts Value Ratings Type
IC1 - ROHM BM6202FS C1 0.1µF 50V Ceramic
IC2 - ROHM BD62012FS C2~4 2200pF 50V Ceramic
R1 1kΩ ROHM MCR18EZPF1001 C5 10µF 50V Ceramic
R2 150Ω ROHM MCR18EZPJ151 C6 10µF 50V Ceramic
R3 22kΩ ROHM MCR18EZPF2202 C7~9 1µF 50V Ceramic
R4 100kΩ ROHM MCR18EZPF1003 C10 0.1µF 50V Ceramic
R5 100kΩ ROHM MCR18EZPF1003 C11 1µF 50V Ceramic
R6 0.5Ω ROHM MCR50JZHFL1R50 x 3 C12 100pF 50V Ceramic
R7 10kΩ ROHM MCR18EZPF1002 C13 0.1µF 630V Ceramic
R8 0Ω ROHM MCR18EZPJ000 C14 0.1µF 50V Ceramic
R9 0Ω ROHM MCR18EZPJ000 HX - - Hall elements
Q1 - ROHM DTC124EUA D1 - ROHM KDZ20B R8 R9 VREG VREG C5 HU HV HW VSP FG DTR VCC GND
M
VDC IC2 IC1 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Q1 C1 C2~C4 C6 C7 C8 C9 C10 C11 C12 C13 D1 C14●入出力等価回路図
Figure 38. UH, UL, VH, VL, WH, WL Figure 39. PGND
Figure 40. FOB Figure 41. VCC, GND, VDC, BX(BU/BV/BW), X(U/V/W)
VREG 100k VH VL UH UL WH WL PGND VREG FOB VCC GND X BX PGND VDC
●使用上の注意 1) 絶対最大定格について 本製品におきましては品質管理には十分注意を払っており、この範囲内であれば連続使用及び動作は問題ありません。し かし、印加電圧及び動作温度範囲等の絶対最大定格を越えた場合、破壊の可能性があります。破壊した場合、ショートモ ードもしくはオープンモード等、破壊モードが特定できませんので、絶対最大定格を越えるような特殊モードが想定され る場合には、ヒューズ等、物理的な安全対策を施すようお願い致します。 2) GND について 本製品に内蔵されているゲートドライバ IC は SOI 構造のプロセスを採用しておりますが、GND 端子の電位はいかなる 動作状態においても最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を含め GND 以下の電圧になっている端 子がないかご確認ください。 誘導性負荷（例えばモータなど）による逆起電力の影響により、アプリケーションとして GND 端子電圧以下に振れる可 能性があります。本製品では使用の際問題とならないようチップレイアウトを考慮しておりますが、過大な電流が引かれ た場合、誤動作の原因となりますので、実動作上不具合のないことを十分ご確認ください。 また、小信号 GND と大電流 GND がある場合、それぞれの GND ラインは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流によ る電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で一点アースすることを推奨します。外付け部 品の GND の配線パターンも変動しないよう注意してください。 3) 高電圧端子（VDC／U／V／W）について 本製品のこれら端子には高電圧がかかります。ピン間距離が十分ではないと判断される場合は、端子間をコーティングし て使用してください。なお、出力－GND 間に大きなコンデンサを接続されている場合、何らかの要因により VDC や VCC が 0V または GND とショートしたとき、コンデンサに充電された電流が出力に流れ込み破壊する恐れがありますのでご 注意ください。 4) 電源ラインについて モータの逆起電力により回生した電流の戻りが生じるため、回生電流の経路として電源－GND 間にコンデンサを入れる などの対策をし、容量値は温度特性など諸特性に問題のないことを十分にご確認のうえ、決定してください。特に電解コ ンデンサには低温での容量ぬけが起こることがありますのでご注意ください。なお、接続されている電源が十分な電流吸 収能力を持たない場合、回生電流によって電源ラインの電圧が上昇し、本製品及びその周辺回路を含め、絶対最大定格を 超える恐れがありますので、電圧クランプ用ダイオードを電源－ＧＮＤ間に入れる等、物理的な安全対策を施すようお願 い致します。 5) 熱設計について 実際の使用状態での許容損失(Pd)を考え、十分マージンを持った熱設計を行ってください。 6) 端子間ショートと誤装着について セット基板やプリント基板に IC を取り付ける際、その向きや位置ずれに十分ご注意ください。誤って取り付けた場合、 IC が破壊する恐れがあります。また、端子間や端子と電源－GND 間に異物が入るなどしてショートした場合についても 破壊の可能性があります。電源コネクタの逆接続時も同様ですので、逆接破壊保護用として外部に電源と IC の電源端子 間にダイオードを入れる等の対策を施してください。 7) 強電磁界中での動作について 強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。 8) セット基板での検査について セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合、IC にストレスがかかる恐れがある ので、１工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立て工程にはアースを施し、運搬や保存の際には 十分ご注意ください。また、検査工程で治具への接続をする際には必ず電源を OFF してから接続し、電源を OFF してか ら取り外してください。 9) 各入力端子について IC に電源電圧を印加していない時、入力端子に電圧を印加しないでください。同様に電源電圧を印加している場合にも、 各入力端子は電源電圧以下の電圧もしくは電気的特性の保証値内としてください。
●発注形名情報 ●外形寸法図と包装・フォーミング仕様 ●標印図
B M 6 2 0 2
F
S
-
E
2
品番 BM6202 : 600V/1.5A パッケージ FS : SSOP-A54_23 包装仕様 E2 : リール状エンボステーピングBM6202FS
1PIN MARK LOT No. PRODUCT NAME SSOP-A54_23 (TOP VIEW) 1 1.6 0.1 14.1 0.3 22.0 0.1 0.27 0.1 0.38 0.1 (MAX 22.35 include BURR)
1 1.4 0.2 2.1 0.1 1.05 0.1 0.1 14 15 23 SSOP-A54_23
●改訂履歴
Date Revision Changes
