< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc.

＜コマツIR-DAY 2017事業説明会＞

ギガフォトンについて

2017

年9⽉15⽇

ギガフォトン

取締役常務執⾏役員

榎波⿓雄

ギガフォトンの事業概要

∎

半導体露光⽤光源ビジネス

∎

液晶アニール⽤光源ビジネス

出展: http://www. asml.com

本体販売先

ASML , Nikon, Canon

部品販売先

Intel, Toshiba, Samsung,

_TSMC

_{など半導体メーカ}

本体販売先

ブイ・テクノロジー

部品販売先

堺ディスプレー(SDP), BOEなど液

_{晶パネルメーカ}

光源 照明光学系 スキャンステージ パネル ローダ 出展: ブイ・テクノロジー社パンフレット

最新型露光⽤光源(エキシマレーザ)の構造と主性能

外観⼨法 横幅

2800mm

奥⾏

845mm

⾼さ

2120mm

重量

3410kg

性能

発振波⻑

193nm

平均出⼒

60 - 120W

パルスエネルギ

10 - 20mJ

発振周波数

6000Hz

スペクトル幅 (E95)

0.25pm

露光⽤光源の技術変遷

_{エキシマレーザ露光機}

0.01 0.1 1 10 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010

半導体の解像度

(nm)

⽔銀ランプ(G-line)

(436

nm

)

⽔銀ランプ(I-line)

(365

nm

)

KrF

(248

nm

)

ArF (Dry)

(193

nm

)

ArF (immersion)

(

等価波⻑134

nm

)

45

nm

65

nm

90

nm

130

nm

180

nm

250

nm

350

nm

750

nm

1000

nm

500

nm

半導体市場

∎

半導体需要は現在 $330B規模で、今後も年率3%程度で成⻑す

る⾒込み。露光光源市場は3D-NANDやIoTの拡⼤によりArFだ

けでなくKrFについても⼀定の需要がある⾒込み。

0 100 200 300 400 500 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

半導体市場

($B)

PC

ノートPC

携帯電話

スマートフォン

タブレット

3D-NAND

IoT

0% 50% 100% '97 '01 '05 '09 '13 '17 光源別割合 ⽔銀ランプ KrF ArF

コマツでの露光⽤光源開発の経緯

In 2000

Gigaphoton was born!

1980 - The first Excimer LASER was developed at Komatsu for the Coherent Anti-Stokes

Raman Spectroscopy (a.k.a. CARS) system

1987 - Komatsu shipped the world’s first KrF

excimer laser KLE-630S for lithography … 2 full Watts output !!!

1989 - Cymer enters market of Excimer lasers for lithography tools. The rivalry begins …!!!

1999 – Our first KrF laser for semiconductor manufacturing, KLES-G10K was shipped to overseas

2000 – Komatsu and Ushio developed joint

venture company…

露光⽤光源のビジネスモデル

∎

本体(光源本体販売)と部品(メンテナンス事業)の複合ビジネスモデル

▸

本体は露光装置メーカに販売

▸

本体販売後、半導体メーカと部品販売 (パルス従量課⾦)契約を結び保守を実施



パルス従量課⾦とは：レーザの使⽤量に応じた課⾦（パルス使⽤量×パルス単価）システム

(当社メリット）安定した利益を得られる、部品の寿命延⻑がコスト削

減等に直結する

(顧客メリット）費⽤管理が容易、稼働を最優先した保守計画が可能

Intel, Micron, TSMC, Samsung,

Globalfoundries,

東芝, SK Hynix‥

本体販売

露光装置メーカ：

半導体メーカ：

露光装置販売

部品販売

光源本体販売事業 メンテナンス事業 レーザ放電管モジュール 光学モジュール

ギガフォトングループ

GPK (韓国ギガフォトン) GPT (ギガフォトン台湾) GPU (ギガフォトンUSA) GPE (ギガフォトンEurope) GPSB (シンガポール⽀店) KIS (中国：コマツ産機)

ギガフォトン製光源の導⼊状況

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016

総設置台数



約1300

台の光源が稼働中



2016

年度末時点での詳細

▸

KrF ………68%

▸

ArF (Dry)

………..8%

▸

ArF (Immersion) ……..24%

売上推移（単独）

-50 0 50 100 150 200 250 300 350 2000 (8ケ⽉) 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016

億円

営業利益

レーザ本体売上

レーザメンテ売上

露光⽤光源の重点課題

∎

拡⼤する中国市場への対応

▸

2014年6⽉、中国国家主席が、半導体新興⽬的に「国家集

成電路産業発展推進綱要」制定。

▸

2015年半導体売上⾼を2013年⽐で4割増⼤、2030年

に世界トップクラスの企業を複数育成。

▸

当初2兆円規模の「中国IC産業ファンド」設⽴し、半

導体分野に投資（現在18兆円に増額)。

▸

中国ファブ装置関連の2018年投資額は100億ドル以上

に上昇し、その後数年は維持⾒込む

（SEMI)。

∎

次世代EUV光源の市場導⼊

▸

⼤⼿半導体メーカ(Intel, Samsung, TSMC)は線幅7nm,

5nm

プロセスへのEUV適⽤を⽬標として、積極的な投

資を予定。

▸

量産⽤として⾼耐久化・⾼信頼性化が⼤きな課題と

なっている。

▸

EUV

光源メーカは、ASML(Cymer)とギガフォトンの2

社のみである。

ギガフォトンの中国戦略

∎

One Gigaphoton

サポート

▸

急激に伸びる中国ビジネスに対して、中国事業を早急に強化する

ため、コマツ産機光学機械部(KIS)を中⼼にギガフォトン本社(営

業・サービス・教育・物流)及び関係会社を統括するグループ横断

プロジェクトを展開中。

▸

現地営業⼒の強化

·

ギガフォトン本社、台湾、韓国からのサポート

▸

新規サービス拠点の開設

·

6

拠点(2016年)  11拠点(2017年度末)

▸

トレーニングセンターの開設

·

新⼈サービスエンジニア短期⽴上げのために、

2017

年8⽉に常州市コマツ中国の⼯場内にエンジニア育成⽤

トレーニングセンターを開設

EUV

光源の導⼊時期

Logic

Performance

Memo

ry

Storage Class

Memo

ry

20nm

16/14nm

10nm

7nm

5nm

3nm

28-30

20-22

1X

1Y

1Z

next

2X'/x2

1X"/x4

1Y"/x8

1Z"/x8

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

EUV⽣産導⼊時期

DRAM

ReRAM, X-point etc.

＊ASMLの資料を元に当社製作

量産

開発

研究

ﾛｰﾄﾞﾏｯﾌﾟ

EUV

光源の技術概要

∎

⾼効率（競合の50%以下の省エネ）

▸

プリパルス技術（ピコ秒YAGレーザ）により⾼い変換効率を実現

▸

励起⽤⾼出⼒CO2レーザを三菱電機（株）と共同開発

∎

⾼耐久性、⾼信頼性

▸

超電導磁⽯を⽤いた集光ミラー汚れ低減技術

ドロプレットジェネレータ

IF

点（露光

装置側）

プリパル

スレーザ

CO2

レーザ

EUV

光源の構成

チャンバ

ドロプレット

集光ミラー

マグネット

ドロプレット

(20um、液体)

ミスト

(300um、液体)

プラズマ

(ガス)

プリパルス

レーザ

CO2

レーザ

発光の仕組み

EUV

光

磁場によりスズを捕集

（残余スズは、H2ガスによる エッチングにより除去）

9860mm

6600mm

2300mm

重量：30ton

2階：チャンバ部

1階：レーザ部

レーザを2階に伝送

外観図

0

100

200

300

光源出⼒（

W)

ギガ（研究開発）

ギガ（研究開発_実証機）

競合（研究開発）

競合（製品）

本格量産時⽬標

初期量産時⽬標

2014

H1

2014

H2

2015

H1

2015

H2

2016

H1

2016

H2

2017

H1

EUV

光源の進捗状況

∎

研究開発フェーズでは光源出⼒250Wを達成し競合をキャッチ

アップ

∎

現在、実証機において初期量産時の⽬標である100Wレベルで

の信頼性向上に注⼒中

液晶アニール⽤光源

出典：V-technology社HP

TV

の画素駆動⽤のTFTに従来使⽤されるa-Siは、電気を通し

難い性質があるが、レーザをa-Siに照射してアニールすると

多結晶化が起こり、電気が通りやすくなり画質の向上が可

能。

⼤型のガラス基板サイズに対応

∎

TV

画⾯の⼤型化とともに、ガラス基板も⼤型化。

∎

競合の実績は、アニール光学系サイズの制約上、第6世代サイズまでが限界。

∎

V

社アニール⽅式で第8世代サイズ以上のガラス基板のアニール技術を開発中。

ガラス基板 サイズ※1 V社アニール⽅式 （PLAS※2） ⼤型パネル向け 競合アニール⽅式 （ELA） 中・⼩型パネル向け

G6

X1500㎜ Y1850㎜

○ 対応可能

○ 対応可能

G8

X2200㎜ Y2400㎜

○ 対応可能

（実績なし）

※3

G10

SDP X2880㎜ Y3130㎜

○ 対応可能

（実績なし）

G10.5

BOE X2940㎜ Y3370㎜

○ 対応可能

（実績なし）

※1

ガラス基板サイズ（上図）

※2 PLAS : Partial Laser Anneal Silicon

（局所アニール）

※3

競合のラインビーム⽅式は、照射光学系のサイズ制約により、

G8

以上の⼤型ガラス基板のアニール実績無し。

液晶アニール⽤光源の特徴

⽤途

液晶アニール⽤

半導体露光⽤

型式

GT600K

GT64A

外観

※

アニール向けに

新⾊採⽤

主仕様

波⻑

248nm

193nm

繰返周波数

6000Hz

6000Hz

パルスエネルギー

100mJ

（露光⽤の10倍）

10mJ

出⼒

600W

（露光⽤の10倍）

60W

新建屋建設

∎

拡⼤する露光⽤・アニール⽤光源ビジネスに応えるため、製造

| Copyright © Gigaphoton Inc.

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