GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0 GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器

招待論文

GaN

ソフトスイッチング電源変調器を用いた

3.6–4.0 GHz

帯高効率エ

ンベロープトラッキング増幅器

小松崎優治

†a)

_{サンドロ ランフランコ}

††

_{タピオ コルモネン}

†††

オリ ピイライネン

†††

ジャルノ タンスカネン

†††

坂田

修一

†

馬

瑞

††††

新庄真太郎

†

山中

宏治

†††††

ピーター アズベック

††††††

A High Efficiency 3.6–4.0 GHz Envelope-Tracking Power Amplifier Using GaN

Soft-Switching Buck-Converter

Yuji KOMATSUZAKI

†a)

, Sandro LANFRANCO

††

, Tapio KOLMONEN

†††

,

Olli PIIRAINEN

†††

, Jarno K. TANSKANEN

†††

, Shuichi SAKATA

†

, Rui MA

††††

,

Shintaro SHINJO

†

, Koji YAMANAKA

†††††

, and Peter ASBECK

††††††

あらまし 通信量の劇的な増大を受け，移動通信基地局用増幅器にはピーク対平均電力比(PAPR) の大きい信 号を高効率に増幅できること，加えて基地局の小型化・低コスト化などの観点から複数バンドに対応し広帯域に 動作することが求められ，エンベロープトラッキング増幅器が盛んに研究されている．しかし，高速・高電圧動 作を両立し，加えて高効率である電源変調器（エンベロープ増幅器）の実現が困難であったため，基地局用増幅 器として一般的になりつつあるドハティ増幅器に対して，エンベロープトラッキング増幅器は効率が低いという 課題があった．本論文では，エンベロープトラッキング増幅器のキーであり，高効率化が必要なエンベロープ増 幅器に，高速・高電圧動作を両立するGaN デバイスを適用し，従来電源などの高効率化に利用されていたソフ トスイッチング技術を組み合わせることで，広帯域変調信号に対して高効率に動作するエンベロープ増幅器を実 現した．3.6–4.0 GHz 帯において，ドハティ増幅器の効率に匹敵し，エンベロープトラッキング増幅器としては 我々の知る限り世界最高効率となる動作に成功したので，その試作評価結果を報告する． キーワード マイクロ波，GaN，増幅器，エンベロープトラッキング，ソフトスイッチング †_{三菱電機株式会社情報技術総合研究所，鎌倉市}

Information Technology R&D Center, Mitsubishi Elec-tric Corporation, 5–1–1 Ofuna, Kamakura-shi, 247–8501 Japan

††_{ノキアベル研究所，アメリカ}

Nokia Bell Labs, Sunnyvale, 200 South Mathilda Ave., Sunnyvale, CA 94086 USA

†††_{ノキアベル研究所，フィンランド}

Nokia Bell Labs, Oulu, Kaapelitie 4, 90620 Oulu Finland ††††_{三菱電機リサーチラボラトリ，アメリカ}

Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge, 201 Broadway, Cambridge, MA 02139 USA

†††††_{三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所，伊丹市}

High-Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4–1 Mizuhara, Itami-shi, 664–8641 Japan

††††††_{カリフォルニア大学サンディエゴ校，アメリカ}

University of California, San Diego, La Jolla, 9500 Gilman Drive, La Jolla, CA 92093 USA

a) E-mail: [email protected]

1.

ま え が き

第4世代及び第5世代移動体通信での通信量の劇

的な増大に対応し，高速な通信を実現するために， 基地局用マイクロ波増幅器にはピーク対平均電力比

(Peak-to-Average Power Ratio，PAPR)の大きい信 号を高効率に増幅できることが求められている．加 えて，基地局の小型化・低コスト化などの観点から， 単一の増幅器で複数の周波数帯に対応し，広帯域に 動作することが求められている．その上で，デジタル 歪補償(Digital Pre-Distortion，DPD)等により増幅 器からの出力スペクトラムの隣接チャネル漏洩電力比

(Adjacent Channel Leakage Ratio，ACLR)が十分 に低減可能であることが求められる．

域は使用しているRF増幅器の帯域と等価になり，エ ンベロープトラッキング増幅器は広帯域性という観点 で期待されている．しかし，エンベロープトラッキン グ増幅器の場合，RF増幅器の電源を変調する電源変 調器（ここではエンベロープ増幅器と呼ぶ）が必要で あるが，変調信号に追従して高速・高電圧に動作しつ つ，高効率なエンベロープ増幅器の実現が困難であっ たため，基地局用増幅器として一般的になりつつある ドハティ増幅器に対して，エンベロープトラッキング 増幅器は効率が低いという課題があった． 本論文では，高速・高電圧動作を両立可能なGaNデ バイスをエンベロープ増幅器に適用し，かつ従来電源 などの高効率化に利用されていたソフトスイッチング 技術[5]を適用することで，広帯域変調信号に対して 高効率に動作するエンベロープ増幅器を実現した[6]． 本増幅器を，エンベロープトラッキング増幅器に適用 することで，3.6–4.0 GHz帯において，ドハティ増幅 器の効率[1]に匹敵し，エンベロープトラッキング増 幅器としては世界最高効率となる動作に成功したので， その試作評価結果を報告する．

2.

ソフトスイッチング型エンベロープ増

幅器

2. 1 エンベロープ増幅器の構成 図1に，本論文で採用したエンベロープトラッキン グ増幅器の構成を示す．本論文で採用したエンベロー プトラッキング増幅器は，単一スイッチ構成のエンベ ロープ増幅器，RF増幅器，RF及びパルス変調(Pulse Width Modulation，PWM)信号源を組み合わせたシ ンプルな構成である．エンベロープトラッキング増幅 器では，RF増幅器の電源電圧を，入力信号の振幅に 応じてエンベロープ増幅器で変調することにより，出 力電力に関係なく高効率な特性が得られる． 一方，エンベロープトラッキング増幅器全体として 高効率を達成するには，電源電圧を変調するエンベ 図 1 本論文で採用したエンベロープトラッキング増幅器 の構成 図 2 ハードスイッチングとソフトスイッチングの電圧と 電流の時間波形の比較 ロープ増幅器にきわめて高い効率が求められる．エン ベロープ増幅器にスイッチング増幅器を使用した場合， そのスイッチング周波数を高くすれば，変調帯域を拡 大することが可能である．図2に，スイッチング増幅 器の電圧と電流の時間波形を示す．図2上段より明ら かなように，スイッチング増幅器を構成する上下のト ランジスタのON/OFFを同じタイミングで切り替え る，一般的なハードスイッチング動作では，電流と電 圧が共存する際にスイッチング損失が生じる．このた め，スイッチング周波数に比例して損失が増大し，変

図 3 エンベロープ増幅器の種類 調帯域を拡大した場合の高効率動作が困難となる． 図3に，これまで考案・研究されている代表的なエン ベロープ増幅器を示す．上から，単一スイッチング増幅 器で構成される単一スイッチ構成（Single Switcherま たはSingle-Phaseバックコンバータ）[7], [8]と複数ス イッチ構成(Multi SwitcherまたはMulti-Phaseバッ

クコンバータ) [9]，ハイブリッド構成[3]である．複 数スイッチ構成は低速なスイッチング増幅器で実現可 能であるが，複数のスイッチング増幅器間でタイミン グ調整をする必要があり，その構造が複雑になる．ま た，ハイブリッド構成も低速なスイッチング増幅器で 実現できるが，構造の複雑さと効率が課題となる．一 方，単一スイッチ構成は構造がシンプルであり，省サ イズかつ低コストにエンベロープトラッキング増幅器 を構成することが可能である．しかしながら，このシ ンプルさのために，変調信号に対するエンベロープの 追跡精度を高めるためには他の二つの構成と比較して スイッチング周波数を高くする必要があり，スイッチ ングに起因する損失が大きくなるという課題があった． そこで，本論文では，高速・高電圧動作を両立する 図 4 ソフトスイッチング型エンベロープ増幅器の回路構 成と GaN MMIC の写真 GaNデバイスを用いたエンベロープ増幅器に，図2 下段に示すゼロ電圧スイッチングを実現するソフトス イッチング技術を適用し，スイッチング損失を抑えるこ とで，広帯域変調信号に対して高効率に動作する単一 スイッチ構成のエンベロープ増幅器を実現した．GaN

High Electron Mobility Transistor (HEMT)を用い

ることで，従来一般的に数百kHzで利用されていた

ソフトスイッチング技術を，数百MHzまで適用する

ことができる．

2. 2 回 路 設 計

図4にソフトスイッチング型エンベロープ増幅器の

回路構成と，GaN Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC)の写真を示す．エンベロープ増幅器 の内，最終段スイッチング増幅器とそのドライバ段を GaN MMIC上に形成した．エンベロープ増幅器の入 力としてエンベロープ信号をパルス変調したPWM 信号を入力し，スイッチング増幅器の出力端に直列 接続される出力インダクタとローパスフィルタ(Low Pass Filter，LPF)によりエンベロープ信号が再構成 される．PWM入力信号のIN+側のドライバ段の出 力には，ブートストラップ回路[10]を設け，最終段ス イッチング増幅器のIN+側デバイスにN型のGaN HEMTを利用したエンベロープ増幅器動作を実現し ている．最終段スイッチング増幅器のIN+ 側デバイ スをONにするには，そのゲート側に高電圧の30V が必要であるが，ブートストラップ回路を用いること により，IN+側のドライバ段のドレイン電圧を10V

図 5 最終段スイッチング増幅器の IN− 側デバイスの電 圧 VSWと電流 Ilowの時間波形のシミュレーショ ン結果 に低減することが可能である．これにより，ドライバ 段の消費電力が低減され，エンベロープ増幅器の効率 が向上する． ソフトスイッチング動作を実現するために，最終段 スイッチング増幅器を構成するGaN HEMTに並列 したダイオードと，直列インダクタを付加している． このインダクタの値は，GaN HEMTの出力容量とス イッチング周波数で共振するように設定されている． 上下のスイッチング素子は交互にON/OFFを繰り返 すが，上下のスイッチング素子が両方ともOFFとな る，図2に示すdead-timeが生じるように信号を入力 し，ゼロ電圧スイッチングによりスイッチング損失を 削減する．このdead-timeの間に，直列インダクタと スイッチング素子の寄生容量を共振させることで，両 方ともOFFの間の出力を維持し，ソフトスイッチン グ動作を実現している．図5に最終段スイッチング増 幅器のIN−側デバイスの電圧VSWと電流Ilow の時 間波形のシミュレーション結果を示す．電圧VSWと 電流Ilowの波形に重なりがなく，ソフトスイッチング 動作を確認することができる．ソフトスイッチング動 作は素子のON/OFFスイッチングに起因した損失を 削減できるため，スイッチング周波数が高くなるほど その効果は大きく，広帯域な変調信号に対する高効率 な電源電圧変調を可能にする． 2. 3 測 定 結 果 ソフトスイッチング技術の効果を確認するため，ソ フトスイッチング型エンベロープ増幅器のスイッチン グ周波数に対する効率を測定し，従来のハードスイッ チング型エンベロープ増幅器の結果と比較する．ソフ トスイッチング型の場合は，スイッチング周波数に応 じて出力インダクタの値を調整し，それに伴いGaN 図 6 変調信号に下限を設定する信号処理 (デトラフィン グ信号処理) MMICドライバ段の負荷と電源電圧を調整している． なお，ハードスイッチング型エンベロープ増幅器も GaNで構成されるが，動作原理上不要なダイオードや 共振に必要なインダクタが付加されていない．入力信 号として，6.5dB PAPRを有する変調帯域20MHzの 変調波信号に対して，式(1)及び図6に示す変調信号 に下限を設定する信号処理(de-troughing，デトラフィ ング信号処理)を施した信号を使用した．デトラフィン グ信号処理は，変調された電源電圧に下限を設定する ことで，RF増幅器の極端な電圧低下による利得や効 率の低下などを防ぐ信号処理である．加えて，下限以 下の電圧を一律に下限電圧まで引き上げる場合はハー ドクリッピングを生じるが，デトラフィング信号処理 を用いることでハードクリッピングを回避することが できる．エンベロープ増幅器の測定では，式(1)の係 数(b)として40% (= 0.4)を使用した．図6から分 かるとおり，信号処理後は0.4以下の信号がハードク リッピングを生じることなく滑らかに引き上げられる． 出力端には50Ωを付加し，電源電圧として30Vを使 用した．図7に，ハードスイッチング型エンベロープ 増幅器とソフトスイッチング型エンベロープ増幅器の， スイッチング周波数に対する特性の比較を示す．ここ

で，ドレイン効率(Drain Efficiency，DE)は最終段

スイッチング回路のみの効率を表しており，トータル

効率はドライバ段の消費電力込みの効率を示す．図7

図 7 ソフトスイッチング型及びハードスイッチング型エ ンベロープ増幅器のスイッチング周波数に対する特 性の比較 スイッチング型エンベロープ増幅器のトーダル効率は 77%であった．スイッチング周波数を450MHzまで高 めた場合であっても，トータル効率は67%と十分に高 い値が維持された．これはハードスイッチング型に対 して効率が20ポイント以上高く，設計どおりストス イッチング動作に起因した損失が低減され，スイッチ ング周波数を高くしても効率の低下が緩和されたと考 えられる．スイッチング周波数450MHzで高効率に 動作することが確認できたため，標本化定理に従えば， 変調帯域200MHz程度の変調信号まで高効率にエン ベロープ信号を生成できると考えられる．

3.

エンベロープトラッキング増幅器

3. 1 エンベロープトラッキング増幅器用広帯域RF 増幅器の回路設計と測定結果 図8に広帯域RF増幅器の写真と回路図を示す．RF 増幅器は，3.6–4.0GHzで高効率に動作するように設 計されている．広帯域に動作させるために，最適負荷 インピーダンスが50Ω付近になるようにGaN HEMT のゲート幅を選定した．GaN HEMTの出力寄生容量 Cds は，チップ直近に付加したインダクタンスによっ て補償した．したがって，出力側には50Ω線路を付 加しているのみで，出力整合回路は不要である．上記 の設計により出力整合回路による帯域の制限や損失が なくなるため，広帯域高効率動作が可能である．高効 率な動作を実現するため，動作周波数範囲に対応した 2倍波処理回路を付加した．この2倍波処理回路は， 2倍波の周波数において，90度の電気長をもつオー プンスタブとショートスタブで構成され，全体として ショート点を出力伝送線路上に形成する．ショート点 は，スタブの位置に応じてGaN HEMTから任意の電 図 8 広帯域 RF 増幅器の写真と回路図 気長の位置に形成可能である．基本波周波数では，45 度の電気長をもつオープンスタブとショートスタブが 並列することにより相殺され，基本波の整合には影響 を与えない．本2倍波処理回路は，400MHzの帯域に わたり効率が改善し，効率最大値からの低下分が3ポ イントに収まるよう位相角を設計している．入力側に は，安定化回路と入力整合回路を付加した．安定化回 路は，抵抗とコンデンサの並列回路と，バイアス回路 に装荷した抵抗で形成した．入力整合回路は，50Ω線 路に並列に設置した二つのコンデンサで形成している． 図9に広帯域RF増幅器の固定電源電圧を変更し た場合の，出力電力に対する電力付加効率(Power

Added Efficiency，PAE)の測定結果を示す．測定周 波数は3.6GHzであり，電源電圧を10Vから30Vま で2.5Vステップで変更している．入力信号は連続波 である．測定結果より，電源電圧が低い状態であって も，PAEは65%以上を実現していることが確認でき る．30Vにおける飽和出力電力は，39dBmとなった． 3. 2 エンベロープトラッキング増幅器の測定結果 図10にエンベロープトラッキング増幅器の測定系 の構成を示す．エンベロープトラッキング増幅器は，

図 9 広帯域 RF 増幅器の固定電源電圧を変更した場合の， 出力電力に対する電力付加効率の測定結果 図 10 エンベロープトラッキング増幅器の測定系の構成 ソフトスイッチング型エンベロープ増幅器と広帯域 RF増幅器で構成され，カットオフ周波数が94MHz のLPFで接続される．なお，エンベロープ増幅器の 出力インピーダンスは，エンベロープトラッキング増 幅器全体の効率が最大化されるように調整した．信 号生成は，単一のRF System-on-a-Chip (SoC) [11] で構成されたデジタルフロントエンド(Digital Front

End，DFE)で行う．ベースバンド信号はMatlab上

で生成し，DFEのメモリーに格納する．広帯域RF

増幅器に入力するRF信号は，先のベースバンド信号

をDFEにてデジタルアップコンバートし，RF-DAC

(Digital to Analog Convertor)で生成する．ソフト スイッチング型エンベロープ増幅器に入力するバイナ リの入力信号は，ベースバンド信号の振幅情報から PWM方式を用いて生成する．今回は，サンプリング 周波数11.8Gbpsで，スイッチング周波数が200MHz 程度となる184.32MHzのPWM信号を生成した．こ の場合，オーバサンプリング比は64である． 測定開始前に，RFの信号経路とエンベロープの信 号経路の遅延を測定し，遅延ブロックで遅延を合わせ た．図9の広帯域RF増幅器の測定結果より，10V以 図 11 エンベロープトラッキング増幅器の諸特性の周波 数依存性の測定結果 下では効率の若干の低下があるため，エンベロープ増 幅器からの出力電力の下限は10Vに設定した．具体 的には，式(1)に従ってエンベロープ信号を40%程度 デトラフィング信号処理した．信号サイクルごとに充 電が必要なブートストラップ回路に起因する制約から， PWM信号のデューティーの上限は95%とした．結果 として，PWM信号は40–95%のデューティーサイク ルとなる．加えて，PWM入力信号のIN+側とIN− 側の信号間にdead-timeを加えることで，図2下段に 示すゼロ電圧スイッチングを有するソフトスイッチン グ動作が可能になる．Dead-timeは信号の立ち上がり エッジ，立ち下がりエッジともに0.3nsとした． 入力信号には，第4世代移動体通信での1チャネル 分の最大の帯域幅となる変調帯域20MHzで，PAPR が6.5dBのLTE信号を用い，3.6GHzから4.0GHz の周波数範囲で測定を行った．図10に示すとおり， RF増幅器からの出力はDFEにフィードバックされ DPD処理に利用される．本測定では，DPDのアルゴ リズムとして，RF Generalized Memory-Polynomial DPD (RF-GMPDPD)を利用した．ひずみ補償され た信号は，ソフトスイッチング型エンベロープ増幅器 のバイナリ信号の生成にも適用した． 図11にエンベロープトラッキング増幅器の諸特性の 周波数依存性の測定結果を示す．トータル効率はエン ベロープ増幅器のドライバ段と最終段及びRF増幅器 の消費電力と，RF増幅器への入力電力を含んでいる． ドレイン効率は，エンベロープ増幅器の最終段とRF 増幅器の消費電力から算出している．測定周波数の範 囲で，ACLRを満たした上で，トータル効率40%を達 成した．動作点での出力電力は31.2–31.5dBmであっ た．トータル効率は3.6GHzにおいて最大で47%に到

表 1 固定電源電圧動作とエンベロープトラッキング動作の比較 表 2 広帯域増幅器の State-of-the-Art 達した．我々の知る限り，本周波数帯のエンベロープ トラッキング増幅器において最も高い効率である． 表1は，エンベロープトラッキング動作と固定電 源電圧動作の比較を示したものである．固定電源電 圧は，エンベロープ増幅器を用いて，90%の固定ディ ユーティーサイクル，dead-timeなし，スイッチング 周波数200MHzで生成している．エンベロープトラッ キング動作によって，トータル効率が31–34%から 42–47%へと10%程度引き上げられていることが確認 できる． 表2にエンベロープトラッキング増幅器及びドハ ティ増幅器のState-of-the-Artを示す．これまでに報 告された本周波数帯のエンベロープトラッキング増幅 器と比較して，本論文のエンベロープトラッキング増 幅器は3GPPのひずみ要求値である−45dBc以下の ACLRを満たした上で，40%以上，最大で47%の最 も高い効率を達成した．本論文のエンベロープトラッ キング増幅器の効率は，基地局用増幅器として一般的 なドハティ増幅器[1]と同等の効率を達成しつつ，広 いRF周波数範囲で動作が可能である．なお，実験 では20MHz帯域の変調信号を用いたが，2. 3で述べ たとおり，本論文のエンベロープ増幅器はスイッチン グ周波数450MHzまでの動作を確認しており，将来 的にエンベロープトラッキング増幅器として変調帯域 200MHz程度の信号まで対応することが期待できる．

4.

む す び

ソフトスイッチング技術を適用したエンベロープ増 幅器を用いて，高効率なGaNエンベロープトラッキ ング増幅器を試作した．本エンベロープトラッキン グ増幅器はトータル効率として39.5–46.8%，出力電 力31.2–31.5dBmを3.6–4.0GHzの周波数範囲で達成 した．これは，我々の知る限り，本周波数帯のエンベ ロープトラッキング増幅器において最も高い効率であ る．本結果は，広帯域にSub-6GHzをカバーし，かつ PAPRが大きく広い変調帯域をもつ信号を高効率に増 幅することが求められる次世代基地局において，GaN を適用したエンベロープトラッキング増幅器技術が有 効な手法であることを示した． 文 献

[1] M. ¨Ozen and C. Fager, “Symmetrical doherty ampli-fier with high efficiency over large output power dy-namic range,” 2014 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symp., Tampa, FL, June 2014.

[2] F. Raab, “Efficiency of Outphasing RF Power-Amplifier Systems,” IEEE Trans. Commun., vol.33, no.10, pp.1094–1099, Oct. 1985.

[3] J.J. Yan, C. Hsia, D.F. Kimball, and P.M. Asbeck, “Design of a 4-W envelope tracking power amplifier with more than one octave carrier bandwidth,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.47, no.10, pp.2298–2308, Oct. 2008.

Piirainen, J.K. Tanskanen, S. Sakata, R. Ma, S. Shinjo, K. Yamanaka, and P. Asbeck, “A high ef-ficiency 3.6-4.0 GHz envelope-tracking power ampli-fier using GaN soft-switching buck-converter,” 2018 IEEE MTT-S Int. Microw. Symp., Philadelphia, PA, June 2018.

[7] Y.-P. Hong, K. Mukai, H. Gheidi, S. Shinjo, and P.M. Asbeck, “High efficiency GaN switching converter IC with bootstrap driver for envelope tracking applica-tions,” 2013 IEEE Radio Frequency Integrated Cir-cuits Symposium (RFIC), June 2013.

[8] Y. Zhang, M. Rodriguez, and D. Maksimovic, “Very high frequency PWM buck converters using mono-lithic GaN half-bridge power stages with integrated gate drivers,” IEEE Trans. Power Electron., vol.31, pp.7926–7942, Dec. 2016.

[9] T. Nakatani, J.J. Yan, P.T. Theilmann, H. Gheidi, and D.F. Kimball, “An envelope linearization algo-rithm for an open-loop multi-switcher envelope track-ing power amplifier,” 2016 IEEE MTT-S Interna-tional Microwave Symposium (IMS), May 2016. [10] H. Nakamizo, K. Mukai, S. Shintaro, H. Gheidi, and

P. Asbeck, “Over 65% PAE GaN voltage-mode class d power amplifier for 465 MHz operation using boot-strap drive,” 2015 IEEE IEEE Topical Conference on Power Amplifiers for Wireless and Radio Applica-tions, San Diego, CA, July 2015.

[11] B. Farley, C. Erdmann, B. Vaz, J. McGrath, E. Cullen, B. Verbruggen, R. Pelliconi, D. Breathnach, P. Lim, A. Boumaalif, P. Lynch, C. Mesadri, D. Melinn, K.P. Yap, and L. Madden, “A programmable RFSoC in 16nm FinFET technology for wideband communications,” 2017 IEEE Asian Solid-State Cir-cuits Conference, Seoul, Korea, Nov. 2017.

[12] N. Wolff, W. Heinrich, and O. Bengtsson, “Highly efficient class-G supply-modulated amplifier with 75 MHz modulation bandwidth for 1.8-1.9 GHz LTE FDD applications,” 2017 IEEE MTT-S Int. Microw. Symp., Honolulu, HI, June 2017.

[13] N. Wolff, W. Heinrich, and O. Bengtsson, “Highly ef-ficient 1.8-GHz amplifier with 120-MHz class-G sup-ply modulation,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.65, no.12, pp.5223–5230, Dec. 2017.

[14] J.M. Rubi, J. Fang, V. Camarchia, R. Quaglia, M.

2007早大・理工・電気・情報生命工卒． 2010同大大学院修士課程了．2012 同博 士課程了．同年，三菱電機（株）入社．以 来，GaAs や GaN を用いたマイクロ波帯 増幅器の研究・開発に従事．2016-2017 カ リフォルニア大学サンディエゴ校（米国） 客員研究員．博士 (工学)． サンドロ ランフランコ 1999トリノ工科大（イタリア）・電気工科 修士課程了（M.Sc.）．1998，Nokia Net-works入社．以来，無線通信機器，特に 増幅器及び送信機の開発に従事．その間， Nokia及び Nokia Bell Labs にて，製品 開発に加えて研究開発にも従事．

タピオ コルモネン

2006オウル大（フィンランド）・電気 工科修士課程了（M.Sc.）．2006，Nokia Networksに入社し基地局向け増幅器の開 発に従事．以来，Nokia Mobile Phones， Nokia Bell Labsに所属し，移動体端末向 け RF デバイス，無線通信機器向け増幅器 及び送信機，system-on-chip（SoC）の開発に従事．

オリ ピイライネン

1992オウル大（フィンランド）・電気工科 修士課程了（M.Sc.）．1998，Nokia Cellu-lar Systems（後の Nokia Networks）に 入社し，無線通信機器の ASIC 設計，アル ゴリズム開発に従事．その間，Nokia 及び Nokia Bell Labsにて，製品開発に加えて 研究開発にも従事．

ジャルノ タンスカネン 1999 タ ン ペ レ 工 科 大 修 士 課 程 了 （M.Sc.）．2004 同博士課程了（Dr.Tech.）． 2007-2010，Sweco Industry にて移動通信 向けの FPGA の設計に従事．2010，Nokia Networks researchに入社し，デジタルフ ロントエンド，無線通信の物理層の研究に 従事．Nokia Bell Labs に所属．

坂田 修一 （正員） 2008東大・工卒．2010 同大大学院工学 系研究科電子工学専攻修士課程了．2013 同博士課程了．同年，三菱電機（株）入社． 以来，GaAs や GaN を用いたマイクロ波 帯増幅器の研究・開発に従事．2015-2016 カリフォルニア大学サンディエゴ校（米国） 客員研究員．博士（工学）． 馬 瑞 2004西安交通大（中国）卒（B.Eng.）． 2006カッセル大学（ドイツ）・電気工・修士 課程了．2009 同大博士課程了（Dr.-Ing.）． 2010，Nokia Siemens Networks に入社 し，増幅器の研究開発に従事．2012 より， Mitsubishi Electric Research Laborato-riesに入社し，通信用増幅器，デジタル送信機の研究に従事． 新庄真太郎 （正員：シニア会員） 1996慶大・理工・物理卒．1998 同大大 学院博士前期課程了．同年，三菱電機（株） 入社．以来，移動体通信端末用途の GaAs 及び Si 系マイクロ波半導体回路，送信機の 低ひずみ化技術の研究・開発に従事．2011-2012カリフォルニア大学サンディエゴ校 （米国）客員研究員．博士（工学）． 山中 宏治 （正員：シニア会員） 1993東大・電気卒．1995 同大大学院工 学系研究科電子工学専攻修士課程了．1998 同博士課程了．同年，三菱電機（株）入社． 以来，GaAs や GaN を用いたマイクロ波 帯増幅器の研究・開発に従事．博士（工学）． ピーター アズベック 1969マサチューセッツ工科大（米国）・ 電気工卒（B.S.）．1975 同大博士課程了 （Ph.D.）．1975，Philips Laboratory に 入社し，量子エレクトロニクスの研究に従 事．1978，Rockwell International Sci-ence Centerに入社し，III-V 族高速デバ イスの開発に従事．1991 より，カリフォルニア大学サンディエ ゴ校 (米国)・電気コンピュータ工学科・教授．