NJU7043 入出力フルスイング高出力電流 2 回路入り C-MOS オペアンプ 概要 NJU7043 は 2 回路入りの C-MOS オペアンプで 電源電圧に対してフルスイングの入出力が可能です 当社従来の C-MOS オペアンプに比べ 高出力電流を特徴とし C-MOS ならではの低消費電流 低

NJU7043

入出力フルスイング 高出力電流 ２回路入り C-MOS オペアンプ

■概要

■外形

NJU7043 は、２回路入りの C-MOS オペアンプで、電源電

圧に対してフルスイングの入出力が可能です。

当社従来の C-MOS オペアンプに比べ、高出力電流を特徴

とし、C-MOS ならではの低消費電流、低電圧動作、高入力

インピーダンスと多くの特徴をもっています。

■特徴

● 動作電源電圧

V

DD

=1.8 to 5.5V

● 入出力フルスイング

● 高出力電流

40mA typ. (at Vo=0V)

● 入力オフセット電圧

V

IO

=10mV max.

● 広同相入力電圧範囲

V

SS

to V

DD

● 消費電流

I

DD

=300μA typ. (per Amplifier)

● 高入力インピーダンス

1T typ.

● 低バイアス電流

I

IB

=1pA typ.

● GND センシング可能

● 外形

DIP8,DMP8,EMP8,SSOP8

TVSP8,PCSP20−CC

■端子配列

○NJU7043D,M,E,V,RB1 ○NJU7043SCC (注1) NC 端子とパッケージ底面のPAD は、IC のVSS 端子と同電位になるように接続してください。 (注2) NC 端子はIC 内部チップと電気的に接続されていません。 (注3) パッケージ底面のPAD はIC 内部チップと電気的に接続されていません。VSS端子としての機能はありません NJU7043SCC (PCSP20−CC) NJU7043D ( DIP8 ) NJU7043M ( DMP8 ) NJU7043E

(EMP8) NJU7043V ( SSOP8 )

NJU7043RB1 (TVSP8) ピン配置 1. OUTPUT A 2. −INPUT A 3. +INPUT A 4. VSS(V−₎ 5. +INPUT B 6. −INPUT B 7. OUTPUT B 8. VDD(V＋₎ 8 7 6 5 1 2 3 4 A B ( Top View ) ピン配置 1. OUTPUT A 2. NC 3. –INPUT A 4. +INPUT A 5. NC 6. NC 7. NC 8. VSS (V−) 9. NC 10. NC 5 10 9 8 7 6 16 17 18 19 20 2 3 1 4 14 13 15 12 11 PAD 11. NC 12. +INPUT B 13. –INPUT B 14. NC 15. OUTPUT B 16. NC 17. NC 18. VDD(V＋₎ 19. NC 20. NC 5 6 7 8 9 10 20 19 18 17 16 - + 2 3 1 4 14 13 15 12 11 + -A B

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■絶対最大定格 (Ta=25°C)

■推奨動作範囲

(Ta=25°C)

項 目 記 号 定 格 単 位 電源電圧 VDD 7 V 同相入力電圧範囲 VICM 0 to 7(注 4) V 差動入力電圧範囲 VID ±7 V 許容損失 PD 500 (DIP8) 300 (DMP8) 300 (EMP8) 250 (SSOP8) 320 (TVSP8) 400 (PCSP20−CC)(注 6) mW 動作温度範囲 Topr -40 ~ +85 °C 保存温度範囲 Tstg -55 ~ +125 °C 項 目 記 号 定 格 単 位 電源電圧 VDD 1.8 ~ 5.5 V (注4) 入力電圧は、VDDまたは7Vより小さいほうの値を越えて印加しないで下さい。 (注5) ICを安定して動作させるために、VDD-VSS間にデカップリングコンデンサを挿入してください。 (注6) 許容損失はEIA/JEDEC 仕様基板（76.2×114.3×1.6mm、２層、FR-4）実装時。 (注7) IC での消費電力が絶対最大定格で示されている「許容損失：PD」を越えないようにしてください。 周囲温度(Ta)がTa≧25℃である場合の許容損失は、下記の図1を参照してください。 0 100 200 300 400 500 600 0 25 50 75 100 125 消費電 力 PD [m W ] 周囲温度Ta [ºC] 図1. 消費電力 - 周囲温度 特性例 DIP8 PCSP20-CC TVSP8 EMP8/DMP8 SSOP8

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■電気的特性

● ＤＣ特性

(V

DD

=3.0V, Ta=25°C)

項 目 記号 条件 MIN TYP MAX 単位

消費電流 ID D 無信号時 - 600 1,000 µA 入力オフセット電圧 VI O - - 10 mV 入力バイアス電流 IB - 1 - pA 入力オフセット電流 II O - 1 - pA 電圧利得 AV RL=10kΩ 70 90 - dB 同相信号除去比 C MR _{1.5 ≤V}0≤ VCM ≤1.5V, CM ≤3.0V (注７) 42 60 - dB 電源電圧除去比 S V R 2.0V ≤ VDD ≤ 5.0V , VCM = VDD / 2 61 80 - dB Ｈレベル出力電圧１ VO H 1 RL=10kΩ 2.95 - - V Ｌレベル出力電圧１ VO L 1 RL=10kΩ - - 0.05 V Ｈレベル出力電圧２ VO H 2 RL=600Ω 2.90 - - V Ｌレベル出力電圧２ VO L 2 RL=600Ω - - 0.10 V 同相入力電圧範囲 VI C M CMR≥45dB 0 - 3 V (注 8) CMR は CMR+,CMR-両方を測定し、低いほうを採用します。 CMR+測定時の同相入力電圧範囲 1.5 ≤VCM ≤3.0V、CMR-測定時の同相入力電圧範囲は0≤ VCM ≤1.5Vです。

● ＡＣ特性

(V

DD

=3.0V, Ta=25°C)

項 目 記号 条件 MIN TYP MAX 単位

利得帯域幅 G B RL=10kΩ - 0.8 - MHz

全高調波歪率 T H D f=1kHz , Vin=1Vpp, Av=0dB - 0.05 - %

入力換算雑音電圧 en f=1kHz - 40 - nV/ _√Hz

● 過渡応答特性

(V

DD

=3.0V, Ta=25°C)

項 目 記号 条件 MIN TYP MAX 単位

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■特性例

入力オフセット電圧 対 周囲温度特性例 V+_/V-_=±1.5V 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [ºC] 入力オフセット電 圧 [ m V ] 消費電流 対 周囲温度特性例 V+_/V-_{=±1.5V Gv = 0dB} 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [ºC] 消費電 流 [ μ A ] 出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (電源電圧) Gv = OPEN Ta=25ºC -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 10 100 1000 10000 負荷抵抗 [Ω] 出力電 圧 [ V ] V+_/V-_=±2.5V V+_/V-_=±1.5V V+_/V-_=±0.9V 消費電流 対 電源電圧特性例 Gv = 0dB, Ta=25ºC 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0 1 2 3 4 5 6 電源電圧 V+ [V] 消費電 流 [ μ A ] 消費電流 対 電源電圧特性例 (温度特性) Gv = 0dB 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0 1 2 3 4 5 6 電源電圧 V+ [V] 消費電 流 [ μ A ] Ta=85ºC Ta=25ºC Ta=-40ºC 出力電圧 対 電源電圧特性例 Gv = OPEN RL=600Ω Ta=25ºC -3 -2 -1 0 1 2 3 0 ±1 ±2 ±3 電源電圧 V+/V- [V] 出力電 圧 [ V ]

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■特性例

電圧利得・位相 対 周波数特性例 V+_/V-_{=±1.5V, Gv=40dB, Rf=100k, Rg=1k, C} L=0 -40 -20 0 20 40 60 80 0M 0M 0M 0M 1M 10M 周波数 [Hz] 電圧利 得 [ d B ] -100 -50 0 50 100 150 200 位 相 [ d e g ] Phase Gain 100 1k 10k 100k 全高調波歪率 対 出力電圧特性例 V+_/V-_{=±1.5V, Gv=0dB, R} L=10k, Ta=25ºC 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 出力電圧 [Vrms] 全高調波歪 率 [ % ] f=20kHz f=1kHz f=20Hz 入力換算雑音電圧 対 周波数特性例 V+_/V-_{=±1.5V, Gv=40dB, Rs=600, R} G=100, RF=10k, Ta=25ºC 0 50 100 150 200 250 300 10 100 1000 10000 周波数 [Hz] 入力換算雑音電 圧 [ n V / H z] 1k 10k 入力換算雑音電圧 対 信号源抵抗特性例 V+_/V-_{=±1.5V, Gv=40dB, R} G=100, RF=1k, Ta=25ºC 0.1 1 10 100 0k 0k 1k 10k 100k 信号源抵抗 [Ω] 入力換算雑音電 圧 [ μ V ] JIS A DIN-AUDIO 10 100 正弦波応答特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=3Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, Rs=50, RL=10k, CL=0F, Ta=25ºC -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 0 40 80 120 160 200 時間 [μs] 出力電 圧 [ V ] -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 入力電 圧 [ V ] 入力 出力 パルス応答特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=1Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, Rs=50, RL=10k, CL=0F, Ta=25ºC -0.6 -0.2 0.2 0.6 1 1.4 1.8 0 20 40 60 80 100 時間 [μs] 出力電 圧 [ V ] -1.8 -1.4 -1 -0.6 -0.2 0.2 0.6 入力電 圧 [ V ] 入力 出力

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■特性例

パルス応答特性例(上昇時) V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=1Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, Rs=50, RL=10k, CL=0F, Ta=25ºC -0.6 -0.2 0.2 0.6 1 1.4 1.8 0 2 4 6 8 10 時間 [μs] 出力電 圧 [ V ] -1.8 -1.4 -1 -0.6 -0.2 0.2 0.6 入力電 圧 [ V ] 入力 出力 パルス応答特性例(下昇時) V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=1Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, Rs=50, RL=10k, CL=0F, Ta=25ºC -0.6 -0.2 0.2 0.6 1 1.4 1.8 0 2 4 6 8 10 時間 [μs] 出力電 圧 [ V ] -1.8 -1.4 -1 -0.6 -0.2 0.2 0.6 入力電 圧 [ V ] 入力 出力 位相余裕 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-30dBm, Gv=40dB, RL=10k, Rs=50, Rg=1k, Rf=100k, Ta=25ºC 0 10 20 30 40 50 60 70 10 100 1000 負荷容量 [pF] 位相余 裕 [ d e g ] 位相余裕 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-30dBm, Gv=40dB, RL=600, Rs=50, Rg=1k, Rf=100k, Ta=25ºC 0 10 20 30 40 50 60 70 10 100 1000 負荷容量 [pF] 位相余 裕 [ d e g ] V.F.ピーク 対 周波数特性例 (負荷容量) V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-20dBm, Gv=0dB, RL=10k, Ta=25ºC -15 -10 -5 0 5 10 15 10k 100k 1000k 10000k 周波数 [Hz] 電圧利 得 [ d B ] CL=0pF CL=100pF CL=220pF CL=330pF CL=470pF 1M 10M V.F.ピーク 対 周波数特性例 (負荷容量) V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-20dBm, Gv=0dB, RL=600, Ta=25ºC -15 -10 -5 0 5 10 15 10k 100k 1000k 10000k 周波数 [Hz] 電圧利 得 [ d B ] CL=0pF CL=100pF CL=220pF CL=330pF CL=470pF CL=680pF 1M 10M

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■特性例

＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期して おりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うも のではありません。特に応用回路については、製品の代表的 な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その 他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利 を侵害しないことを保証するものでもありません。 利得帯域幅積 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-30dBm, Gv=40dB, RL=10k, Rs=50, Rg=1k, Rf=100k, Ta=25ºC 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 10 100 1000 負荷容量 [pF] 利得帯域幅 積 [ M H z] 利得帯域幅積 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=-30dBm, Gv=40dB, RL=600, Rs=50, Rg=1k, Rf=100k, Ta=25ºC 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 10 100 1000 負荷容量 [pF] 利得帯域幅 積 [ M H z] オーバーシュート 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=1Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, RL=10k, Rs=50, Ta=25ºC 0 5 10 15 20 10 100 1000 負荷容量 [pF] オーバーシュー ト [ % ] Positive Negative オーバーシュート 対 負荷容量特性例 V+_/V-_{=±1.5V, V} IN=1Vp-p, f=10kHz Gv=0dB, RL=600, Rs=50, Ta=25ºC 0 5 10 15 20 25 30 10 100 1000 負荷容量 [pF] オーバーシュー ト [ % ] Positive Negative