LT MHz～1100MHz高直線性ダイレクト直交変調器

1

LT5558

5558fa

600MHz

_∼1100MHz

高直線性ダイレクト

直交変調器

600MHz∼1100MHz直接変換トランスミッタ・アプリケーション

∫

∫

BASEBAND GENERATOR RF = 600MHz TO 1100MHz QDAC IDAC I-CH Q-CH O° 90° V-1 VCO/SYNTHESIZER 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 BALUN LT5558 VCC 8, 13 5V 2 x 100nF 11 3 14 16 1 EN 7 5 PA V-1 5558 TA01

CDMA2000 ACPR、AltCPRおよびノイズとRF出力電力 （900MHzで1キャリアおよび3キャリア）

RF OUTPUT POWER PER CARRIER (dBm) –30

–90

ACPR, ALTCPR (dBc)

NOISE FLOOR AT 30MHz OFFSET (dBm/Hz)

–80 –70 –60 –50 –40 –160 –150 –140 –130 –120 –110 –25 –20 –15 –10 5558 TA01b –5 0 3-CH ACPR 1-CH ACPR 3-CH NOISE 3-CH ALTCPR 1-CH ALTCPR 1-CH NOISE DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH

特長

■

ベースバンドからRFへのダイレクト・アップコンバージョン

■

高いOIP3：900MHzで＋22.4dBm

■

20MHz

オフセットでの低い出力ノイズフロア：

 

RF

なし：–158dBm/Hz

 

P

_OUT

= 4dBm

：­152.7dBm/Hz

■

低いキャリア・リーク：900MHzで­43.7dBm

■

高いイメージ除去比：900MHzで­49dBc

■

3

チャネルCDMA2000 ACPR：900MHzで­70.4dBc

■

LO

バッファとLO直交位相ジェネレータを内蔵

■

50ΩAC

結合シングルエンドのLOおよびRF出力

■

同相電圧2.1Vでのベースバンド入力への高インピーダン

ス・インタフェース

■

16

ピンQFN 4mm 4mmパッケージ

アプリケーション

■

RFID単側波帯送信機

■

セルラー帯域およびISM帯域向けインフラストラクチャ送信

■

セルラー帯域向けイメージ除去アップコンバータ

■

600MHz∼1100MHzローカル発振信号向け低ノイズ可変

位相シフタ

■

マイクロ波データリンク

概要

LT

®

5558は、ワイヤレス・インフラストラクチャなどの高

性能ワイヤレス・アプリケーション向けに設計されたダ

イレクトI/Q変調器です。このデバイスにより、差動ベー

スバンドのI信号とQ信号を使ってRF信号を直接変調す

ることができます。このデバイスはGSM、EDGE、CDMA、

CDMA2000などのシステムをサポートしています。また、

90

位相シフトされた信号をI入力とQ入力に印加するこ

とにより、イメージ除去アップコンバーティング・ミキサ

としても構成可能です。高インピーダンスI/Qベースバン

ド入力は、電圧­電流コンバータで構成され、これらのコ

ンバータが二重平衡ミキサをドライブします。ミキサの

出力は合計されて内蔵のRFトランスに印加され、トラン

スは差動ミキサ信号を50Ωシングルエンド出力に変換し

ます。平衡型のIとQ のベースバンド入力ポートは、約2.1

Vの同相電圧レベルでソースからDC結合されるように設

計されています。LOパスは、シングルエンド入力を備え

たLOバッファと、ミキサに対するLOドライブを生成す

る高精度直交ジェネレータで構成されています。電源電

圧範囲は4.5V∼5.25Vです。

、LT、LTCおよびLTMはリニアテクノロジー社の登録商標です。 他のすべての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。

標準的応用例

LT5558

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5558fa

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

RF Output (RF)

fRF RF Frequency Range –3 dB Bandwidth

–1 dB Bandwidth 600 to 1100 680 to 960 MHz MHz

S22, ON RF Output Return Loss EN = High (Note 6) –15.8 dB

S22, OFF RF Output Return Loss EN = Low (Note 6) –13.3 dB

NFloor RF Output Noise Floor No Input Signal (Note 8) PRF = 4dBm (Note 9) PRF = 4dBm (Note 10) –158 –152.7 –152.3 dBm/Hz dBm/Hz dBm/Hz

GP Conversion Power Gain POUT/PIN,I&Q 9.7 dB

GV Conversion Voltage Gain 20 • Log (VOUT, 50Ω/VIN, DIFF, I or Q) –5.1 dB

POUT Absolute Output Power 1VP-P DIFF CW Signal, I and Q –1.1 dBm

G3LO vs LO 3 • LO Conversion Gain Difference (Note 17) –26.5 dB

OP1dB Output 1dB Compression (Note 7) 7.8 dBm

OIP2 Output 2nd Order Intercept (Notes 13, 14) 65 dBm

OIP3 Output 3rd Order Intercept (Notes 13, 15) 22.4 dBm

IR Image Rejection (Note 16) –49 dBc

LOFT Carrier Leakage (LO Feedthrough)

EN = High, PLO = 0dBm (Note 16)

EN = Low, PLO = 0dBm (Note 16)

–43.7 dBm

–60 dBm

EVM GSM Error Vector Magnitude PRF = 2dBm 0.6 %

LO Input (LO)

fLO LO Frequency Range 600 to 1100 MHz

PLO LO Input Power –10 0 5 dBm

TJMAX = 125°C, θJA = 37°C/W EXPOSED PAD (PIN 17) IS GND, MUST BE

SOLDERED TO PCB

ORDER PART NUMBER

LT5558EUF

UF PART MARKING

5558

Order Options Tape and Reel: Add #TR

Lead Free: Add #PBF Lead Free Tape and Reel: Add #TRPBF Lead Free Part Marking: http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/

絶対最大定格

(Note 1)

電源電圧... 5.5V

BBPI、BBMIおよび

 BBPQ、BBMQの同相レベル ... 2.5V

すべてのピンの電圧

 超えてはいけない...­500mV∼ (V

CC

＋500mV)

動作周囲温度範囲

 (Note 2) ...­40℃∼85℃

保存温度範囲...­65℃∼125℃

パッケージ/発注情報

より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせください。 16 15 14 13 5 6 7 8 TOP VIEW UF PACKAGE 16-LEAD (4mm × 4mm) PLASTIC QFN 9 10 11 12 4 3 2 1 EN GND LO GND GND RF GND GND BBMI GND BBPI VCC BBMQ GND BBPQ V CC

電気的特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQは90 シフトされている（上側の側帯域を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm。(Note 3)

3

LT5558

5558fa

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

S11, ON LO Input Return Loss EN = High (Note 6) –10.6 dB

S11, OFF LO Input Return Loss EN = Low (Note 6) –2.5 dB

NFLO LO Input Referred Noise Figure (Note 5) at 900MHz 14.6 dB

GLO LO to RF Small-Signal Gain (Note 5) at 900MHz 16.4 dB

IIP3LO LO Input 3rd Order Intercept (Note 5) at 900MHz –3.3 dBm

Baseband Inputs (BBPI, BBMI, BBPQ, BBMQ)

BWBB Baseband Bandwidth –3dB Bandwidth 400 MHz

VCMBB DC Common-mode Voltage (Note 4) 2.1 V

RIN, DIFF Differential Input Resistance Between BBPI and BBMI (or BBPQ and BBMQ) 3 kΩ

RIN, CM Common Mode Input Resistance (Note 20) 100 Ω

ICM, COMP Common Mode Compliance Current range (Notes 18, 20) –820 to 440 µA

PLO-BB Carrier Feedthrough on BB POUT = 0 (Note 4) –46 dBm

IP1dB Input 1dB compression point Differential Peak-to-Peak (Notes 7, 19) 3.4 VP-P,DIFF

ΔGI/Q I/Q Absolute Gain Imbalance 0.05 dB

ΔϕI/Q I/Q Absolute Phase Imbalance 0.2 Deg

Power Supply (VCC)

VCC Supply Voltage 4.5 5 5.25 V

ICC(ON) Supply Current EN = High 108 135 mA

ICC(OFF) Supply Current, Sleep mode EN = 0V 0.1 50 µA

tON Turn-On Time EN = Low to High (Note 11) 0.3 µs

tOFF Turn-Off Time EN = High to Low (Note 12) 1.1 µs

Enable (EN), Low = Off, High = On

Enable Input High Voltage

Input High Current EN = High EN = 5V 1 230 µAV

Shutdown Input Low Voltage EN = Low 0.5 V

電気的特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQは90 シフトされている（上側の側帯域を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm。(Note 3)

Note 1: 絶対最大定格に記載された値を超すストレスはデバイスに永続的損傷を与える 可能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に 悪影響を与える可能性がある。 Note 2: ­40℃∼85℃の温度範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・ コントロールとの相関で確認されている。 Note 3: テストは図7の回路構成で行われる。 Note 4: 4つのベースバンド入力BBPI、BBMI、BBPQおよびBBMQのそれぞれで。

Note 5: VBBPI­VBBMI＝1VDC、VBBPQ­VBBMQ＝1VDC。

Note 6: ­1dBの帯域内の最大値。 Note 7: 外付けのカップリング・コンデンサがRF出力ラインに使われる。 Note 8: LO信号の周波数から20MHzのオフセットで。 Note 9: CW信号の周波数から20MHzのオフセットで。 Note 10: CW信号の周波数から5MHzのオフセットで。 Note 11: RF電力は最終値の10%以内。 Note 12: RF電力はON状態の場合より少なくとも30dB低い。 Note 13: ベースバンドは2MHzと2.1MHzのトーンでドライブされる。ドライブ・レベルは 結果として得られる2つのRFトーンがそれぞれ­10dBmになるように設定される。 Note 14: LO周波数＋4.1MHzで測定されたIM2。

Note 15: LO周波数＋1.9MHzおよびLO周波数 ＋2.2MHzで測定されたIM3。

Note 16: イメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに（未調整）設定された特性 データの振幅の平均。

Note 17: BB＝2MHzでLO＝900MHzの場合のf＝3 • LO­BBでのスプリアス信号の変換利得 とf＝LO＋BBでの望みの信号の変換利得の差。

Note 18: 同相（CM）帰還ループがデバイスを適切にバイアスする同相電流範囲。同相電流 はBBPI（またはBBPQ）ピンに流れ込む電流とBBMI（またはBBMQ）に流れ込む電流の和。

Note 19: 出力P1dBに対応する入力電圧。

LT5558

4

5558fa 電源電流と電源電圧 RF出力電力とLO周波数（1VP-Pの 差動ベースバンド・ドライブ） 電圧利得とLO周波数

出力IP3とLO周波数 出力IP2とLO周波数 出力の1dB圧縮とLO周波数

RF出力へのLOフィードスルーと

LO周波数 RF2 • LO出力への2 • LOリークと周波数 RF3 • LO出力への3 • LOリークと周波数

SUPPLY VOLTAGE (V) 4.5

90

SUPPLY CURRENT (mA)

110 100 120 130 85°C 25°C –40°C 5 4.75 5558 G01 5.25 LO FREQUENCY (MHz) 550 RF OUTPUT POWER (dBm) –4 –2 0 1150 1250 5558 G02 –6 –8 650 750 850 950 1050 –10 –12 2 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550 VOLTAGE GAIN (dB) –8 –6 –4 1150 1250 5558 G03 –10 –12 650 750 850 950 1050 –14 –16 –2 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550 OIP3 (dBm) 20 22 24 1150 1250 5558 G04 18 16 650 750 850 950 1050 14 12 26 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C fBB, 1 = 2MHz fBB, 2 = 2.1MHz LO FREQUENCY (MHz) 550 OIP2 (dBm) 65 70 1150 1250 5558 G05 60 55 650 750 850 950 1050 50 45 75 fIM2 = fBB, 1 + fBB, 2 + fLO fBB, 1 = 2MHz fBB, 2 = 2.1MHz 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550 OP1dB (dBm) 6 8 1150 1250 5558 G06 4 2 650 750 850 950 1050 0 –2 10 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550 LO FEEDTHROUGH (dBm) –42 1150 1250 5558 G07 –44 650 750 850 950 1050 –46 –48 –40 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 2 • LO FREQUENCY (GHz) 1.1 2 • LO LEAKAGE (dBm) –40 2.3 2.5 5558 G08 –45 –50 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 –55 –60 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 3 • LO FREQUENCY (GHz) 1.65 3 • LO LEAKAGE (dBm) –50 –45 3.5 3.75 5558 G09 –55 –60 1.95 2.25 2.55 2.85 3.15 –65 –70 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C

標準的性能特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。fRF = fBB＋fLO（上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm（2トーンの測定は­10dBm/トーン）。(Note 3)

5

LT5558

5558fa

ノイズフロアとRF周波数 イメージ除去とLO周波数 LOリターン損失とRF周波数ポートおよびRFポートの

絶対I/Q利得不平衡とLO周波数 絶対I/Q位相不平衡とLO周波数 電圧利得とLO電力

出力IP3とLO電力 LO_{フィードスルーとLO電力 イメージ除去とLO電力}

LO FREQUENCY (MHz) 550 IMAGE REJECTION (dBc) –35 –30 1150 1250 5558 G10 –40 –45 650 750 850 950 1050 –50 –55 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550

ABSOLUTE I/Q GAIN IMBALANCE (dB)

0.2 1150 1250 5558 G11 0.1 650 750 850 950 1050 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 550

ABSOLUTE I/Q PHASE IMBALANCE (DEG)

4 1150 1250 5558 G12 2 3 1 650 750 850 950 1050 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO INPUT POWER (dBm) –20 VOLTAGE GAIN (dB) –2 4 8 5558 G13 –6 –8 –10 –12 –14 –4 –16 –18 –16 –12 –8 –4 0 –20 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO INPUT POWER (dBm) –20 OIP3 (dBm) 24 4 8 5558 G14 20 18 16 14 12 22 10 –16 –12 –8 –4 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C fBB, 1 = 2MHz fBB, 2 = 2.1MHz LO INPUT POWER (dBm) –20 LO FEEDTHROUGH (dBm) –40 –42 4 8 5558 G15 –46 –48 –50 –44 –16 –12 –8 –4 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO INPUT POWER (dBm) –20 IMAGE REJECTION (dBc) –35 4 8 5558 G16 –40 –45 –50 –55 –16 –12 –8 –4 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C RF FREQUENCY (MHz) 550 NOISE FLOOR (dBm/Hz) –158 –157 1150 1250 5558 G24 –159 –160 650 750 850 950 1050 –161 –162 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C fLO = 900MHz (FIXED) NO BASEBAND SIGNAL FREQUENCY (MHz) 550 S11 (dB) 0 1150 1250 5558 G25 –10 –20 650 750 850 950 1050 –30 –40 LO PORT, EN = HIGH, PLO = –10dBm LO PORT, EN = LOW LO PORT, EN = HIGH, PLO = 0dBm RF PORT, EN = LOW RF PORT, EN = HIGH, PLO = 0dBm RF PORT, EN = HIGH, NO LO

標準的性能特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。fRF = fBB＋fLO（上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm（2トーンの測定は­10dBm/トーン）。(Note 3)

LT5558

6

5558fa

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF)

0 IMAGE REJECTIOIN (dBc) –40 4 5 5558 G20 –50 –55 –60 –45 1 2 3 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C RF CW_{出力電力、HD2およびHD3と} CWベースバンド電圧および温度 RF CW出力電力、HD2およびHD3と CWベースバンド電圧および電源 電圧 RFCW出力へのLOフィードスルーと_{ベースバンド電圧} イメージ除去とCWベースバンド 電圧 RFの2トーン電力（各トーン）、 IM2およびIM3とベースバンド 電圧および温度

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF)

0 HD2, HD3 (dBc) RF CW OUTPUT POWER (dBm) –10 –20 4 5 5558 G17 –50 –60 –40 –70 –80 –30 10 0 –30 –40 –20 –50 –60 –10 1 2 3 –40°C 25°C 85°C HD2 = MAX POWER AT fLO + 2 • fBB OR fLO – 2 • fBB HD3 = MAX POWER AT fLO + 3 • fBB OR fLO – 3 • fBB HD3 RF HD2

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF)

0 HD2, HD3 (dBc) RF CW OUTPUT POWER (dBm) –10 –20 4 5 5558 G18 –50 –60 –40 –70 –80 –30 10 0 –30 –40 –20 –50 –60 –10 1 2 3 4.5V 5V 5.5V HD2 = MAX POWER AT fLO + 2 • fBB OR fLO – 2 • fBB HD3 = MAX POWER AT fLO + 3 • fBB OR fLO – 3 • fBB HD3 RF HD2

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF)

0 LO FEEDTHROUGH (dBm) –30 4 5 5558 G19 –40 –45 –50 –35 1 2 3 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF, EACH TONE)

0.1 –80 PTONE (dBm) IM2, IM3, (dBc) –30 –40 –50 –60 –70 0 –10 –20 10 1 10 5558 G21 IM3 RF IM2 IM2 = POWER AT fLO + 4.1MHz

IM3 = MAX POWER AT fLO + 1.9MHz OR fLO + 2.2MHz

fBBI = 2MHz, 2.1MHz, 0°

fBBQ = 2MHz, 2.1MHz, 90°

–40°C 25°C 85°C

I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF, EACH TONE)

0.1 –80 PTONE (dBm) IM2, IM3, (dBc) –30 –40 –50 –60 –70 0 –10 –20 10 1 10 5558 G22 IM3 RF IM2 fBBI = 2MHz, 2.1MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 2.1MHz, 90° 4.5V 5V 5.5V IM2 = POWER AT fLO + 4.1MHz

IM3 = MAX POWER AT fLO + 1.9MHz OR fLO + 2.2MHz

RFの2トーン電力（各トーン）、 IM2およびIM3とベースバンド 電圧および電源電圧

標準的性能特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。fRF = fBB＋fLO（上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm（2トーンの測定は­10dBm/トーン）。(Note 3)

7

LT5558

5558fa LOリークの分布 25℃で較正後のLOフィード スルーおよびイメージ除去と温度 利得分布 ノイズフロアの分布 GAIN (dB) 8 PERCENTAGE (%) 20 25 30 –4 –3.5 5558 G26 15 10 0 –7 –6 –5 –4.5 –7.5 –6.5 –5.5 5 –40°C 25°C 85°C VBB = 400mVP-P NOISE FLOOR (dBm/Hz) –158 0 PERCENTAGE (%) 5 10 15 20 –157.5 –157 5558 G27 –40°C 25°C 85°C LO LEAKAGE (dBm) –50 PERCENTAGE (%) 20 30 5558 G28 10 0 –46 –42 –40 40 –38 –48 –44 –36 –40°C 25°C 85°C VBB = 400mVP-P イメージ除去の分布 IMAGE REJECTION (dBc) <–66 0 PERCENTAGE (%) 5 5 10 15 20 –58 –54 –62 –50 –46 –42 5558 G29 –40°C 25°C 85°C VBB = 400mVP-P TEMPERATURE (°C) –40 –90 LO FEEDTHROUGH (dBm), IR (dBc) –80 –70 –60 –50 –40 –20 0 20 40 5558 G30 60 80 LO FEEDTHROUGH CALIBRATED WITH PRF = –10dBm fBBI = 2MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 90° + ϕCAL IMAGE REJECTION

標準的性能特性

VCC = 5V、EN = H 、TA = 25℃、fLO = 900MHz、fRF = 902MHz、PLO = 0dBm。BBPI、BBMI、BBPQ、BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。fRF = fBB＋fLO（上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = ­10dBm（2トーンの測定は­10dBm/トーン）。(Note 3)

ピン機能

EN

（ピン1）：イネーブル入力。イネーブル・ピンの電圧が

1Vより高いとデバイスはオンします。イネーブル電圧が

0.5Vより低いと、またはピンが接続されていないと、デバ

イスはオフします。デバイスへの損傷の可能性を避ける

ため、イネーブル・ピンの電圧はV

CC

を0.5V以上超えない

ようにします。

GND

（ピン2、4、6、9、10、12、15、17）

：グランド。ピン6、9、15

および露出パッド（ピン17）は内部で相互に接続されてい

ます。ピン2とピン4は内部で相互に接続されており、LO

信号のグランド・リターンとして機能します。ピン10とピ

ン12は内部で相互に接続されており、内蔵RFバランのグ

ランド・リターンとして機能します。最良のRF性能を得

るには、ピン2、4、6、9、10、12、15および露出パッド（ピン

17）をプリント回路基板のグランド・プレーンに接続しま

す。

LT5558

8

5558fa BALUN LT5558 0° 90° V-I V-I 2 5 7 4 6 9 8 13 3 10 12 15 17 1 16 14 BBMQ BBPQ BBMI BBPI 11 EN RF VCC GND LO GND 5558 BD

ピン機能

LO

（ピン3）

：LO入力。LO入力はAC結合されたシングルエ

ンド入力で、入力インピーダンスがRF周波数で約50Ωで

す。外部から与えるDC電圧は、ESD保護ダイオードがオ

ンしないように、­0.5V∼(V

CC

＋0.5V)の範囲にします。

BBPQ

、BBMQ（ピン7、5）

：Qチャネルのベースバンド入力で

す。差動入力インピーダンスは3kΩです。これらのピンは

内部で約2.1Vにバイアスされています。印加される同相

電圧は2.5Vより下に保つ必要があります。

V

CC

（ピン8、13）

：電源。ピン8とピン13は内部で相互に接続

されています。グランドにデカップリングするため、これ

らのピンのそれぞれに0.1µFのコンデンサを使用するこ

とを推奨します。

RF

（ピン11）

：RF出力。RF出力はAC結合されたシングルエ

ンド出力で、RF周波数での出力インピーダンスは約50Ω

です。外部から与えるDC電圧は、ESD保護ダイオードが

オンしないように、­0.5V∼(V

CC

＋0.5V)の範囲にします。

BBPI

、BBMI（ピン14、16）

：Iチャネルのベースバンド入力で

す。差動入力インピーダンスは3kΩです。これらのピンは

内部で約2.1Vにバイアスされています。印加される同相

電圧は2.5Vより下に保つ必要があります。

ブロック図

アプリケーション情報

LT5558はIとQの入力差動電圧/電流コンバータ、IとQの

アップコンバージョン・ミキサ、RF出力の信号コンバイ

ナ/バラン、LO直交位相ジェネレータおよびLOバッファ

で構成されています。

外部のIとQのベースバンド信号が差動ベースバンド入

力ピン（BBPI、BBMI、およびBBPQ、BBMQ）に与えられま

す。これらの電圧信号は電流に変換され、二重平衡アップ

コンバーティング・ミキサによりRF周波数に変換されま

す。ミキサの出力はRF出力バランで結合され、バランは

出力インピーダンスを50Ωに変換します。そうして得ら

れるRF信号の中心周波数はLO信号の周波数に等しくな

ります。LO入力はLO信号を同相LO信号と直交LO信号に

分離する位相シフタをドライブします。LO信号は次に内

蔵バッファに与えられ、このバッファはアップコンバー

ジョン・ミキサをドライブします。LO入力とRF出力は両

方ともシングルエンドで50Ωに整合しており、AC結合さ

れています。

ベースバンドのインタフェース

ベースバンド入力（BBPI、BBMI）と（BBPQ、BBMQ）は約

3kΩの差動入力インピーダンスを示します。4つのベー

スバンド入力のそれぞれに、200Ωと1.8pFをグランドに

接続したローパス・フィルタが組み込まれています（図1

参照）。このフィルタはベースバンドの­1dB帯域幅を約

250MHzに制限します。同相電圧は約2.1Vで、わずかに温

度に依存します。同相電圧はT

A

= ­40℃で約2.28V、T

A

=

85℃で約2.01Vです。

9

LT5558

5558fa BALUN GND 1.3k 1.8P 1.8P 1.3k RF VCC = 5V BBPI BBMI LOMI VREF = 0.5V LOPI C CM 200 200 FROM Q LT5558 5558 F01 5558 F02 2.1VDC 1.05VCC GENERATOR 50Ω 50Ω +– 2.1VDC 2.1VDC GENERATOR 50Ω +– 2.1VDC LT5558 1.5kΩ +– 5558 F03 2.1VDC 2.1VDC 2.1VDC 2.1VDC VCCRF LT5558 EN BBPI BBPQ BBMI BBMQ GND LO BB SOURCE SOURCEBB 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 14 8, 13 11 1 16 7 5 C1 C2 RF OUT 4.5V TO 5.25V 3 C5 C3 C4 VCC 図1．LT5558の簡略回路図 （I側の半分だけが示されている） 図2．1.05VDCにプログラムされたジェネレータを50Ω負荷に接続 した場合のDC電圧レベルと、負荷としてのLT5558に接続した場合 のDC電圧レベル 図3．AC結合されたベースバンド・インタフェース LO INPUT 20pF ≈ 50Ω 5558 F04 VCC 図4．LO入力の等価回路

アプリケーション情報

I/Q信号がLT5558にDC結合されていると、LT5558を適切

にバイアスするために、与えられるI入力とQ入力の同相

電圧レベルが約2.1Vであることが重要です。I/Qジェネ

レータによっては同相電圧を独立に設定できます。その

場合、それらのジェネレータの同相電圧は、LT5558の内部

バイアスに整合させるため1.05Vに設定する必要があり、

シグナル・ジェネレータの内部DC電圧はソースと負荷の

電圧分割のため2.1Vに設定されます（図2を参照）。

LT5558のベースバンド入力は差動でドライブします。そ

うでないと、偶数次の歪み積により全体の直線性が大き

く低下します。一般に、DACがLT5558の信号源になりま

す。DACの出力とLT5558のベースバンド入力の間にパル

ス成形フィルタを接続します。

AC結合されたLT5558とのベースバンド・インタフェース

を図3に示します。

コンデンサC1とC4は、LT5558の3kΩの差動入力インピー

ダンスと組み合わされて、コーナー周波数が低いハイパ

スフィルタを形成します。一般に、コンデンサC1とC4は、

値が等しくなるように、また、–3dBコーナー周波数f

–3dB

=

1/(π• R

IN,DIFF

• C1)が最低ベースバンド周波数よりはる

かに小さくなるように選択します。

DACの出力とLT5558のベースバンド入力の間にはDC結

合を推奨します。なぜなら、AC結合は信号の完全性に影

響を与える可能性のある低周波数の時定数をもたらすか

らです。DACの出力の同相レベルをLT5558の同相入力電

圧に適合させるためにアクティブなレベルシフタが必要

なことがあります。ただし、このような回路は、小さなDC

オフセットや温度による変化が累積するにつれ、LOリー

ク性能が低下することがあります。もっと良い方式を図

16に示します。この方式では、フィードバックを使ってこ

れらの変化に追従して除去します。

LO

_{セクション}

内部LO入力アンプはLO入力信号をシングルエンドから

差動に変換します。LO入力の等価回路を図4に示します。

内部の差動LO信号はLOバッファ・セクションをドライ

ブする同相信号と（90 位相がシフトした）直交信号に分

けられます。これらのバッファはIとQの二重平衡ミキサ

をドライブします。

LT5558

10

5558fa

アプリケーション情報

LO入力と内部の同相LO信号および直交LO信号の間の位

相関係は固定されており、起動条件には依存しません。位

相シフタは900MHz近傍のLO周波数の正確な直交信号を

与えるように設計されています。750MHzよりかなり下、

または1.1GHzよりかなり上のLO周波数の場合、直交精

度が低下して、イメージ除去が劣化します。LOピンの入

力インピーダンスは約50Ω、推奨LO入力電力ウィンドウ

は­2dBm∼＋2dBmです。P

LO

< –2dBmでは、利得、OIP2、

OIP3、ダイナミックレンジ（単位はdBc/Hz）およびイメー

ジ除去が（特にT

A

= 85℃で）劣化します。

LO信号に高調波が含まれていると、高調波は内部位相

スプリッタで小さい余分な位相シフトを生じるため、イ

メージ除去が低下することがあります。­20dBcレベルの

2次高調波（1.8GHz）や3次高調波（2.7GHz）の場合、イメー

ジ周波数で生じる信号は約­61dBc以下で、1度よりはる

かに小さな余分の位相シフトに相当します。­10dBcの2

次と3次の高調波の場合、イメージ周波数で発生する信号

はそれでも約­51dBcです。3次より高い高調波による影

響はもっと小さくなります。LOのリターン損失は一般に

750MHz∼1GHzの範囲で10dBより良くなります。LOポー

トの入力インピーダンスと周波数を表1に示します。LO

ポートのリターン損失S

11

は、シャント・コンデンサを追

加することによって、低い周波数で改善することができ

ます。

表1．EN = H およびPLO = 0dBmのときのLOポートの入力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY

(MHz) INPUT IMPEDANCE (Ω) MAG S11ANGLE

500 50.5 + j10.3 0.101 81.3 600 63.8 + j4.6 0.127 16.0 700 70.7 – j6.9 0.180 –15.2 800 70.7 – j20.3 0.237 –34.9 900 63.9 – j30.6 0.285 –50.5 1000 56.7 – j32.2 0.295 –61.4 1100 52.1 – j31.3 0.295 –69.1 1200 46.3 – j32.0 0.318 –78.0

デバイスがシャットダウン・モードならば、LOポートの

入力インピーダンスは異なります。EN = L のときのLO

入力のインピーダンスを表2に示します。

表2．EN = L およびPLO = 0dBmのときのLOポートの入力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY

(MHz) INPUT IMPEDANCE (Ω) _MAG S11_ANGLE

500 37.3 + j43.4 0.464 79.7 600 72.1 + j74.8 0.545 42.1 700 184.7 + j77.8 0.630 11.7 800 203.6 – j120.8 0.696 –12.7 900 75.9 – j131.5 0.737 –32.6 1000 36.7 – j99.0 0.760 –48.8 1100 23.4 – j77.4 0.768 –62.4 1200 17.8 – j62.8 0.764 –74.3

RF

のセクション

アップコンバージョン後、IミキサとQミキサのRF出力は

結合されます。内蔵バランが内部の差動からシングルエ

ンドへの出力変換をおこない、出力信号のインピーダン

スを50Ωに変換します。RFポートの出力インピーダンス

と周波数を表3に示します。

表3．EN = H およびPLO = 0dBmのときのRFポートの出力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY

(MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) _MAG S22_ANGLE

500 22.8 + j4.9 0.380 165.8 600 30.2 + j11.4 0.283 141.9 700 42.7 + j12.9 0.159 111.8 800 53.7 + j3.0 0.045 37.2 900 52.0 – j10.1 0.101 –73.2 1000 44.8 – j15.2 0.168 –99.7 1100 39.1 – j15.1 0.206 –116.1 1200 35.7 – j13.1 0.224 –128.9

11

LT5558

5558fa RF OUTPUT 21pF 1pF 7nH 52Ω 5558 F05 VCC 図5．RF出力の等価回路 EN 75k 5558 F06 VCC 25k 図6．ENピンのインタフェース

アプリケーション情報

LO電力が与えられていないときのRF出力のS

22

を表4に

示します。

表4．EN = H でLO電力が与えられていないときのRFポートの出 力インピーダンスと周波数 FREQUENCY

(MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) _MAG S22_ANGLE

500 23.4 + j5.0 0.367 165.5 600 31.7 + j10.7 0.257 142.0 700 44.1 + j9.5 0.118 116.1 800 50.9 – j1.7 0.019 –60.8 900 46.8 – j11.1 0.118 –99.3 1000 40.8 – j13.5 0.178 –115.5 1100 36.6 – j12.6 0.209 –128.1 1200 34.3 – j10.5 0.222 –139.0

EN = L

のときのS

22

を表5に示します。

低い周波数でのS

22

を改善するには、直列コンデンサをRF

出力に追加することができます。高い周波数では、シャン

ト・インダクタでS

22

を改善することができます。RF出力

の等価回路を図5に示します。

表5．EN = L のときのRFポートの出力インピーダンスと周波数 FREQUENCY

(MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) _MAG S22_ANGLE

500 21.8 + j4.8 0.398 166.5 600 28.4 + j11.8 0.311 142.9 700 40.2 + j15.4 0.200 112.9 800 54.3 + j8.3 0.090 58.1 900 56.7 – j7.2 0.092 –43.3 1000 49.2 – j15.8 0.158 –83.8 1100 41.9 – j17.0 0.203 –105.0 1200 37.3 – j15.3 0.225 –120.0

ESDダイオードが内部でRF出力からグランドに接続され

ていることに注意してください。強い（3dBmを超える）出

力RF信号レベルの場合、外部50Ωの終端インピーダンス

が直接グランドに接続されると、このESDダイオードに

より直線性が低下することがあります。これを防ぐため、

カップリング・コンデンサをRF出力ラインに挿入するこ

とができます。1dBの圧縮を測定する間はこれを強く推

奨します。

イネーブル・インタフェース

ENピンのインタフェースの簡略回路を図6に示します。

LT5558をオンするのに必要な電圧は1Vです。デバイスを

ディスエーブル（シャットダウン）するには、イネーブル

電圧が0.5Vより低くなければなりません。ENピンが接続

されていないとデバイスはディスエーブルされます。EN

= L

のこの条件は75kΩの内蔵プルダウン抵抗によって

保証されています。

ENピンの電圧がV

CC

を0.5V以上超えないことが重要で

す。万一これが生じると、デバイスの全電源電流がENピ

ンのESD保護ダイオードを通してソースされるでしょう

が、これらのダイオードはこの目的のために設計されて

はいません。デバイスが損傷を受けるおそれがあります。

評価用ボード

評価用ボードの回路図を図7に示します。LT5558の露出

パッド用に良いグランド接続が必要です。これが適切

におこなわれないとRF性能が低下します。さらに、露出

パッドによりデバイスのヒートシンクが与えられ、デバ

イスが過熱する可能性を最小に抑えます。V

CC

入力が低

いときENピンが高く引き上げられると、R1（オプション）

がENピンの電流を制限します。アプリケーション・ボー

ドのPCBレイアウトを図8と図9に示します。

LT5558

12

5558fa BBIP BBIM J1 16 15 14 13 VCC VCC EN 9 10 11 12 4 3 2 1 5 6 7 8 5558 F07 17 BBQM BBQP C1 100nF J6 RF OUT J3 LO IN J4 GND J5 C2 100nF J2 BBMI LT5558 BBPI VCC BBMQ GND GND BBPQ VCC GND GND RF GND GND LO GND EN GND 100R1

BOARD NUMBER: DC1017A

図7．評価用回路 図8．評価用ボードの部品側 図9．評価用ボードの裏側

アプリケーション情報

アプリケーションの測定

LT5558は多様な変調形式を使った基地局のアプリケー

ションに推奨します。標準的なアプリケーションを図10

に示します。

1チャネルと3チャネルの変調を使ったCDMA2000の

ACPR性能を図11に示します。1チャネルと3チャネルの

CDMA2000の測定結果を図12と図13に示します。ACPRを

計算するには、スペクトル・アナライザのノイズフロアを

補正します（アプリケーションノート99）。

出力電力が高いと、ACPRはデバイスの直線性の性能に

よって制限されます。出力電力が低いと、ACPRはデバイ

スのノイズ性能によって制限されます。その中間では最

適ACPRが得られます。

LT5558のダイナミックレンジは非常に広いので、テスト

装置によりACPRの測定精度が制限されることがありま

す。ACPRの測定に関して、必要なら「デザインノート375」

を参照するか、弊社にお問い合わせください。

ACPR性能はBBIP入力とBBIM入力（またはBBQP入力と

BBQM入力）の振幅の不整合に対して敏感です。これは、

AC電流振幅の差により、内部V-Iコンバータで発生する

偶数次の高調波積に振幅差が生じるためです。その結果、

それらは完全には相殺されません。したがって、BBIPと

BBIM

（またはBBQPとBBQM）の各入力の振幅をできるだ

け等しく保つことが重要です。

LOフィードスルーとイメージ除去性能は較正手順に

よって改善することができます。LOフィードスルーはI

とQのベースバンド入力の差動DCオフセットを調整する

ことによって最小に抑えられます。イメージ除去は利得

とIとQのベースバンド入力の間の位相差を調整すること

によって改善することができます。LOフィードスルーと

イメージ除去は、図14に示されているように、ベースバン

ド・ドライブレベルの関数としても変化することがあり

ます。

13

LT5558

5558fa RF FREQUENCY (MHz) 896.25 POWER IN 30kHz BW (dBm) –70 –50 –30 902.25 5558 F12 –90 –110 –80 –60 –40 –100 –120 –130 897.75 899.25 900.75 903.75

SPECTRUM ANALYSER NOISE FLOOR CORRECTED SPECTRUM UNCORRECTED SPECTRUM DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH RF FREQUENCY (MHz) 894 POWER IN 30kHz BW (dBm) –70 –50 –30 902 5558 F13 –90 –110 –80 –60 –40 –100 –120 –130 896 898 900 904 906

SPECTRUM ANALYSER NOISE FLOOR CORRECTED SPECTRUM UNCORRECTED SPECTRUM DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH 90° 0° LT5558 BASEBAND GENERATOR PA VCO/SYNTHESIZER RF = 600MHz TO 1100MHz EN 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 100nF ×2 5V V-I V-I I-CHANNEL Q-CHANNEL BALUN 14 16 1 7 5 8, 13 VCC 11 3 5558 F10 I-DAC Q-DAC 図10．600MHz∼1.1GHz直接変換トランスミッタ・アプリケーション

RF OUTPUT POWER PER CARRIER (dBm) –30

–90

ACPR, ALTCPR (dBc)

NOISE FLOOR AT 30MHz OFFSET (dBm/Hz)

–80 –70 –60 –50 –40 –160 –150 –140 –130 –120 –110 –25 –20 –15 –10 5558 TA01b –5 0 3-CH ACPR 1-CH ACPR 3-CH NOISE 3-CH ALTCPR 1-CH ALTCPR 1-CH NOISE DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH 図11．CDMA2000変調のACPR、ALTCPRおよびノイズ 図12．1チャネルCDMA2000のスペクトル 図13．3チャネルCDMA2000のスペクトル

アプリケーション情報

例：RFIDアプリケーション

図15では、LTC1565（U2、U3）とLT5558の間のインタ

フェースはRFIDアプリケーション向けに設計されてい

ます。LTC1565は、650kHz、連続時間、リニア位相の7次

ローパス・フィルタです。LTC1565の最適出力同相レベル

は約2.5V、LT5558の最適入力同相レベルは約2.1Vで、温度

に依存します。LTC1565の同相レベルをLT5558に適合さ

せるため、R1∼R6およびR11∼R16で構成されるレベルシ

フト・ネットワークが使われます。LTC1565の出力同相レ

ベルはLTC1565のピン3の内部で発生させた電圧をオー

バーライドして調節することができます。

LT5558

14

5558fa 図15．RFIDアプリケーションのLTC1565のLT5558とのベースバンド・インタフェース回路 BBPQ BBPI VCC 2.5VDC 2.1VDC 2.1VDC 2.1VDC 2.1VDC 2.5VDC 2.5VDC VCC 2.5VDC RF EN GND LO BBMI U1 LT5558 BBMQ +IN R5 3.57k R20 249Ω R7 49.9k 49.9kR17 3.01kR13 R12 499Ω R1 499Ω R11 499Ω R2 499Ω R18 49.9k 3.01kR14 C3 0.1µF C40.1µF R3 3.01k R8 49.9k R4 3.01k –IN +OUT 14 16 2, 4, 6, 9, 10 12, 15, 17 3 U2 1 2 3 4 8 7 6 5 LTC1565-31 –OUT C1, C2 2 × 0.1µF GND V– V+ SHDN BB SOURCE R6 3.57k R22 22.1k R22 22.1k +IN R15 3.57k R16 3.57k 249ΩR21 –IN +OUT 7 4.5V to 5.25V RF = 3dBm MAX 8, 13 11 1 4 5 1 2 3 5 U3 ₁ 2 3 4 8 7 6 5 LTC1565-31 –OUT GND V– V+ SHDN BB SOURCE R24 3.32k + – U4 R9 88.7k LT1797 5558 F16 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P,DIFF)

0 PRF , LOFT (dBm), IR (dBc) –30 –10 10 4 IR LOFT –40°C –40°C V_{EN = HIGH}CC = 5V fLO = 900MHz, fBBI = 2MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 90° fRF = fBB + fLO PLO = 0dBm –40°C 25°C 85°C 85°C 5558 F14 –50 –70 –40 –20 0 –60 –80 –90 1 2 3 5 25°C PRF 図14．25℃で較正後のLOフィードスルーおよび イメージ除去とベースバンド・ドライブ電圧

アプリケーション情報

LT5558の同相電圧は抵抗R7、R8、R17およびR18を使って

サンプリングされ、抵抗9を使って約2.5Vまでシフトさ

れます。オペアンプU4は抵抗ネットワークの利得損失を

補償し、低抵抗性ドライブを与えてU2とU3の同相入力ピ

ンを操作します。抵抗R20とR21は、大きな電源デカップ

リング・コンデンサC3およびC4をドライブしながら、オ

ペアンプU4の安定性を改善します。この補正された同相

電圧はU2およびU3の同相入力ピン（ピン3）に与えられま

す。これにより、同相電圧のための正帰還ループが形成さ

れ、ループ利得が約­10dBになります。この技法により、

電源電圧や温度の限界値、内部ダイオード電圧シフトま

たはこれらの組合せの下でも、LT5558のベースバンド入

力ピンの電流コンプライアンスが超えられることはあ

りません。LT5558のコア電流はこうして最適動作のため

の設計レベルに維持されます。LTC1565の入力に与えら

れる推奨同相電圧は約2Vです。抵抗の許容誤差は1%ま

たはそれより良い精度を推奨します。合計電流消費は約

160mA、20MHzオフセットでのノイズフロアは3.7dBmの

RF出力電力で­147dBm/Hzです。2V

PP, DIFF

のベースバン

ド入力振幅では、f

LO

＋f

BB

での出力電力は1.6dBm、f

LO

­

3f

BB

での3次高調波は­48.6dBmです。2.6V

PP, DIFF

の入力で

は、f

LO

＋f

BB

での出力電力は3.8dBm、f

LO

­3f

BB

での3次高

調波は­40.5dBmです。

15

LT5558

5558fa 4.00 ± 0.10 (4 SIDES) NOTE:

1. DRAWING CONFORMS TO JEDEC PACKAGE OUTLINE MO-220 VARIATION (WGGC) 2. DRAWING NOT TO SCALE

3. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS

4. DIMENSIONS OF EXPOSED PAD ON BOTTOM OF PACKAGE DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. MOLD FLASH, IF PRESENT, SHALL NOT EXCEED 0.15mm ON ANY SIDE 5. EXPOSED PAD SHALL BE SOLDER PLATED

6. SHADED AREA IS ONLY A REFERENCE FOR PIN 1 LOCATION ON THE TOP AND BOTTOM OF PACKAGE

PIN 1 TOP MARK (NOTE 6) 0.55 ± 0.20 16 15 1 2 BOTTOM VIEW—EXPOSED PAD

2.15 ± 0.10 (4-SIDES) 0.75 ± 0.05 R = 0.115 TYP 0.30 ± 0.05 0.65 BSC 0.200 REF 0.00 – 0.05 (UF16) QFN 10-04

RECOMMENDED SOLDER PAD PITCH AND DIMENSIONS 0.72 ±0.05 0.30 ±0.05 0.65 BSC 2.15 ± 0.05 (4 SIDES) 2.90 ± 0.05 4.35 ± 0.05 PACKAGE OUTLINE

PIN 1 NOTCH R = 0.20 TYP OR 0.35 × 45° CHAMFER UFパッケージ 16ピン・プラスチックQFN (4mm 4mm) (Reference LTC DWG # 05-08-1692) リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資 料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。

パッケージ寸法

注記： 1. 図面はJEDECのパッケージ外形MO-220のバリエーション（WGGC）に適合 2. 図は実寸とは異なる 3. すべての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。 モールドのバリは（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージのトップとボトムのピン1の位置の参考に過ぎない パッケージの外形 推奨する半田パッドのピッチと寸法 露出パッドの底面 ピン1のノッチR = 0.20（標準） または0.35 45 の面取り

LT5558

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5558fa

 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2006 0706 REV A • PRINTED IN JAPAN

リニアテクノロジー株式会社

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関連製品

製品番号 説明 注釈 インフラストラクチャ LT5511 高直線性アップコンバーティング・ミキサ RF出力：最大3GHz、IIP3：17dBm、内蔵LOバッファ LT5512 DC∼3GHz高信号レベル・ダウンコンバーティング・ミキサ DC∼3GHz、IIP3：17dBm、内蔵LOバッファ LT5514 デジタル利得制御付き超低歪みIFアンプ/ADCドライバ 帯域幅：850MHz、OIP3：100MHzで47dBm、 利得制御範囲：10.5dB∼33dB LT5515 1.5GHz∼2.5GHz直接変換直交復調器 IIP3：20dBm、内蔵LO直交ジェネレータ LT5516 0.8GHz∼1.5GHz直接変換直交復調器 IIP3：21.5dBm、内蔵LO直交ジェネレータ LT5517 40MHz∼900MHz直交復調器 IIP3：21dBm、内蔵LO直交ジェネレータ LT5518 1.5GHz∼2.4GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで22.8dBm、ノイズフロア：­158.2dBm/Hz、 50ΩシングルエンドのLOポートとRFポート、 4チャネルW-CDMA ACPR = ­64dBc（2.14GHz） LT5519 0.7GHz∼1.4GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ IIP3：1GHzで17.1dBm、50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、 シングルエンドのLOポートとRFポートの動作 LT5520 1.3GHz∼2.3GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ IIP3：1.9GHzで15.9dBm、50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、 シングルエンドのLOポートとRFポートの動作 LT5521 10MHz∼3700MHz高直線性 IIP3：1.95GHzで24.2dBm、NF = 12.5dB、3.15V∼5.25Vの電源、 アップコンバーティング・ミキサ シングルエンドのLOポート動作 LT5522 600MHz∼2.7GHz高信号レベル・ 4.5V∼5.25V電源、IIP3：900MHzで25dBm、NF = 12.5dB、 ダウンコンバーティング・ミキサ 50ΩシングルエンドのRFポートとLOポート LT5524 利得をデジタルでプログラム可能な低消費電力、 帯域幅：450MHz、OIP3：40dBm、利得制御範囲：4.5dB∼27dB 低歪みADCドライバ LT5526 高直線性、低消費電力のダウンコンバーティング・ミキサ 3V∼5.3V電源、IIP3：16.5dBm、RF：100kHz∼2GHz、NF = 11dB、 ICC = 28mA、LO-RFリーク：­65dBm LT5527 400MHz∼3.7GHz高信号レベル・ 1900MHzでIIP3 = 23.5dBmおよびNF = 12.5dBm、 ダウンコンバーティング・ミキサ 4.5V∼5.25V電源、ICC = 78mA LT5528 1.5GHz∼2.4GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで21.8dBm、ノイズフロア：­159.3dBm/Hz、50Ω、 0.5VDCのベースバンド・インタフェース、4チャネルW-CDMA ACPR = ­66dBc（2.14GHz） LT5568 700MHz∼1050MHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：850MHzで22.9dBm、ノイズフロア：­160.3dBm/Hz、 50Ω、0.5VDCのベースバンド・インタフェース、 3チャネルCDMA2000 ACPR = ­71.4dBc（850MHz） LT5572 1.5GHz∼2.5GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで21.6dBm、ノイズフロア：­158.6dBm/Hz、 高抵抗性0.5VDCのベースバンド・インタフェース、 4チャネルW-CDMA ACPR = ­67.7dBc（2.14GHz） RF_{パワー検出器} LT5504 800MHz∼2.7GHzのRF測定用レシーバ 80dBのダイナミックレンジ、温度補償、2.7V∼5.25Vの電源 LTC®_{5505 ダイナミックレンジが > 40dBのRFパワー検出器 300MHz∼3GHz、温度補償、2.7V∼6Vの電源} LTC5507 100kHz∼1000MHzのRFパワー検出器 100kHz∼1GHz、温度補償、2.7V∼6Vの電源 LTC5508 300MHz∼7GHzのRFパワー検出器 44dBのダイナミックレンジ、温度補償、SC70パッケージ LTC5509 300MHz∼3GHzのRFパワー検出器 36dBのダイナミックレンジ、低消費電力、SC70パッケージ LTC5530 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、シャットダウン、調節可能な利得 LTC5531 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、シャットダウン、調節可能なオフセット LTC5532 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、調節可能な利得とオフセット LT5534 ダイナミックレンジが60dBの50MHz∼3GHzの 全温度範囲で 1dBの出力変動、応答時間：38ns ログRFパワー検出器 LTC5536 高速コンパレータ付き高精度600MHz∼7GHzのRF検出器 応答時間：25ns、コンパレータの基準入力、 ラッチ・イネーブル入力、入力範囲：­26dBm∼＋12dBm LT5537 ダイナミックレンジの広いログRF/IF検出器 低周波数∼800MHz、83dBのダイナミックレンジ、2.7V∼5.25Vの電源 高速ADC LTC2220-1 12ビット、185Msps ADC 3.3V単電源、電力消費：910mW、SNR：67.5dB、SFDR：80dB、 最大電力BW：775MHz LTC2249 14ビット、80Msps ADC 3V単電源、電力消費：222mW、SNR：73dB、SFDR：90dB LTC2255 14ビット、125Msps ADC 3V単電源、電力消費：395mW、SNR：72.4dB、SFDR：88dB、 最大電力BW：640MHz