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新しい高密度記録技術──高K u 磁性材料──

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特集

1 1 まえがき 垂直磁気記録媒体の記録密度は日進月歩で向上している。 富士電機では,2.5 インチディスク一枚当たり 320 GB(記 録密度約 500 Gbits/in2容量の製品を生産中である。今後 も,この高記録密度化をさらに進展させるためには,幾つ かの技術的な課題がある。中でも最大の課題は,記録ビッ トが微小化しても熱安定性が劣化しないようにすることで ある。熱安定性を表す指標として,KuV/kBT(Ku:磁気 異方性定数,V:体積,kB:ボルツマン定数,T:絶対温 度)がある。磁気記録媒体を設計するには,記録ビットの 微小化に伴う磁性粒子の体積 V の減少を Kuの増加で補償 する必要があるが,垂直磁気記録媒体の記録層材料とし て現在広く使用されている hcp〔六方最密充塡(じゅうて ん)〕構造を持つ Co-Pt 系磁性材料の Ku値の大きさには 限界がある。そのため今後の高密度化を実現するためには, 107erg/cm3台の極めて高い K uを持つ新規磁性材料を開発 する必要があるといわれている。 このような高い Ku持つ磁性材料の代表的なものと し て,L10構 造 を 持 つ Co-Pt 二 元 合 金 が あ る。 ほ か に m-D019型と呼ばれる規則合金膜 ⑴〜⑶ やL11型 ⑷〜⑹ のCo-Pt 規則合 金膜が報告されている。図1に,これらの規則合金の構造 模式図を示す。 前述の m-D019型と L11型規則合金膜は,300 〜 400 ℃ の基板温度で形成できることが報告されている⑴〜⑹。これは, 高 Ku薄膜の一つである L10型 Fe-Pt 規則合金膜の一般的 な形成温度より 200 〜 300 ℃も低く,磁気記録媒体への適 用において製造プロセス温度を低く抑える上で非常に有利 な材料である。 ただし,これらm-D019型および L11型の規則構造はい ずれも準安定相であり,主な報告例は,MBE(Molecular Beam Epitaxy)法により,超高真空中で単結晶基板上に エピタキシャル成長したものであった。これらの準安定で ある規則合金の成膜に,量産には適用しにくい MBE 法で はなく,現在,磁気記録媒体の量産に使用されているス パッタリングプロセスが適用できれば,L10型 Fe-Pt 規則 合金膜と並ぶ高 Ku材料として有望である。 富士電機では,東北大学と共同で UHV(Ultra High Vacuum) ス パ ッ タ リ ン グ プ ロ セ ス に よ り, こ れ ら の m-D019型および L11型の準安定な規則合金膜を形成し, 3×107erg/cm3超える K u値を得ることに成功している ⑺,⑻ 。 本稿では,特に L11型 Co-Pt 規則合金膜に関して得られ た薄膜の構造および磁気特性の概要を紹介した上で,実用見据えた第三元素での置換結果について紹介する。 2 構造と磁気特性 ₂.₁ L11型 Co50Pt50規則合金膜の構造 図₂に,スパッタ法によって MgO(111)基板およびガ

新しい高密度記録技術

──高

K

u

磁性材料──

片岡 弘康 Hiroyasu Kataoka 小宮山 和弥 Kazuya Komiyama 高橋 伸幸 Nobuyuki Takahashi

New High Density Recording Technology: High K

u

Magnetic Materials

高い磁気異方性定数 Kuを持った L11型 CoPt 規則合金膜のスパッタ法での合成に,東北大学と共同で初めて成功した。

本材料の Ku値は,最大で 3.6×107erg/cm3に達している。加えて,低い規則度から高い Kuを持つ点で,ほかの規則合金と

比較して優れている。また,Ni を添加した三元合金にすると,広い組成域で構造および高い Kuを維持したまま,飽和磁化

Ms制御が可能である。例えば,二元合金で,希少な Pt が 75 at% のとき得られる磁気特性が,三元合金では,同じ磁気

特性を得るのに,Pt 量を 25 at% まで削減することができる。

In collaboration with Tohoku University, Fuji Electric has realized the first successful synthesis of a L11 type CoPt ordered alloy film

hav-ing a high magnetic anisotropy constant Ku using sputter technique. The Ku value of this material reached a maximum value of 3.6×107erg/

cm3. Moreover, this material is superior to other ordered alloys even if the order is low and the K

u value is high. Also, a ternary alloy formed

by adding Ni to this material is capable of maintaining a crystalline structure and a high Ku value over a wide compositional range while

con-trolling the saturation magnetization Ms. For example, with a ternary alloy having the same magnetic characteristics as a binary alloy of rare

Pt at 75 at%, the amount of Pt can be decreased to 25 at%.

<001> <001> <111> :Co :Pt 型 Co50Pt50 L11 型 Co75Pt25 D m− 019 L10型 Co50Pt50 図₁ m-D019型,L11型およびL10型の結晶構造

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特集

1 ラスディスク上に Pt シード層を介して形成した Co50Pt50 規則合金膜の X 線回折パターンを示す。両者とも最密面 からの回折線のみが観察され,最密面が膜面に平行に配向 するL11型の利点が確保できている。さらに, L11型の規 則構造に起因した L11(111)面および L11(333)面の回 折線が観察されており,作成した薄膜が L11型の結晶構造 を持っていることが確認できた。 図₃に,MgO(111)基板上に Pt シード層を介して形成 したL11型 Co50Pt50規則合金膜の断面を電子顕微鏡によっ て観察した明視野像と同領域の電子線回折像を示す。下地Pt 層から Co50Pt50膜まで原子面が連続的に成長してお り,回折像から単結晶膜となっていることが分かる。 ₂.₂ L11型 Co50Pt50規則合金膜の磁気特性 図 ₄に,L11型 Co50Pt50規 則 合 金 膜 お よ び m-D019型 Co80Pt20規則合金膜の Kuと規則度 S(規則構造の形成割 合)の関係をそれぞれ示す。図中には参考として L10型 Fe50Pt50規則合金膜の結果も示した。 L11型 Co50Pt50規 則 合 金 膜 の S 値 は L10型 Fe50Pt50規 則合金膜よりも小さいにもかかわらず,Ku値は L10型 Fe50Pt50規則合金膜と同程度の 107erg/cm3台を持ってい る。また,KuS の増加に伴い急激に増加する傾向を示 し て お り,L11型 Co50Pt50規則合金膜が,L10型 Fe50Pt50 規則合金膜を超える大きな Kuを持つ可能性があることを 示唆している。S 値が 1 に近い理想的な L11型 Co50Pt50規 則合金膜が形成できれば,その Kuは非常に大きくなるこ とは理論的に予測されていて⑼,実験結果はこれを裏付けて いる。 以上の検討から L11型 Co50Pt50規則合金膜は,高密度化 に要求される高い Ku値を実現可能な有望な材料であるこ とが確認できた。 3 第三元素での置換による磁気特性制御 ₃.₁ L11型(Co1-XNiX)50Pt50規則合金膜 実際の磁気記録媒体への応用を見据えた場合,記録層の 構造として,磁気異方性が大きな層(ハード層)と小さな 層(ソフト層)を積層化させたスタック構造をとる場合 が多いと思われる。このとき,ハード層の飽和磁化 Msが 300 〜 700 emu/cm3領域で,実用的な熱安定性が確保で きることが示されている⑽。そのため,L11型 Co-Pt 規則合 金膜を将来,ハード/ソフト・スタック構造のハード層と して用いることを考えると,L11型 Co50Pt50規則合金膜の Msは,約 1,000 emu/cm3である。これを300 〜 700 emu/ 20 40 60 80 100 120 相対強度(log scale) 2θ (degrees) MgO(111) P t(111) P t(222) ガラスディスク 型 CoP t(111) L 11 型 CoP t(222) L 11 型 CoP t(333) L 11 型 CoP t(444) L 11 図₂ MgO(111)基板およびガラスディスク基板上に Pt シー    ド層を介して形成した Co50Pt50規則合金膜の X 線回折パ    ターン Pt Pt 4 nm CoPt 図₃ L11型 Co50Pt50規則合金膜の断面を電子顕微鏡により観    察した明視野像と同領域の電子線回折像 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 10 20 30 40 50 型 Co50Pt50 (Ts=270∼390 ℃) L11 型 Co80Pt20 D m− 019 型 Fe50Pt50 (Ts=400∼700 ℃) L10 磁気異方性定数  u ( × 10 6 erg/cm 3) K 規則度 S (Ts=270∼390 ℃) 図₄ L11型 Co50Pt50規則合金膜および m-D019型 Co80Pt20    規則合金膜のKuとS の関係

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特集

1 cm3程度の実用レベルの値に制御するには,高い K u値を 維持しつつ Msを制御する手法を開発する必要がある。 本章では上記特性を実現するために,L11型 Co-Pt 規 則合金膜の Co の一部を Ni に置換した L11型(Co-Ni)-Pt 規則合金膜について解説する⑾。 基礎実験として,MgO(111)単結晶基板上に Pt シー ド層を成膜した後に(Co-Ni)-Pt 層を成膜し,保護層としPt を成膜した単結晶膜を形成した。(Co-Ni)-Pt 層の成 膜時の基板温度は,L11型 Co50Pt50規則合金膜の S と Ku が最大となる 360 ℃に固定した。 図₅に,Pt 組成を化学量論組成である 50 at% に固定 して,Co を Ni 量 X で置換していった場合の(Co1-XNiX) 50Pt50のX 線回折パターンを示す。L11型 Co50Pt50規則合 金膜と同様に,いずれの Ni 組成においても最密面からの 回折線だけが観察されることから,膜面平行に最密面が配 向していることが分かる。また,L11型 Co50Pt50規則合金 膜と同様に,2θ=21°付近に L11型の規則構造を形成して いることを示す L11111)面からの回折線が観察されて おり,L11型(Co-Ni)-Pt 規則合金膜が形成されているこ とが分かる。 図₆に は こ れ ら薄膜の MsS をNi 量 X に対して示 した。Ni 量 X の増加に伴い Ms単調に減少しており, Ni50Pt50組成では,Msの値は 0 となっている。一方,S の 値は Ni 量 X によらずほぼ一定の 0.5 であった。 ₃.₂ L11型 Co-Ni-Pt 規則合金膜 ₃.₁節では,Co の一部を Ni に置換することによって Msの制御が可能であることを示した。しかしながら,Pt 量によっても Msの制御が可能であるため,Co,Ni,Pt の種種の組成域で薄膜を作製し,各種特性がどのように 変化するか検討を実施した。結果,Co 約 65 at% 以下の広 い領域で L11型規則合金が形成可能であることが分かっ た。図₇は,作成した薄膜の S を三元組成図上に示した ものである。三角形底辺のラインが L11型 Co-Pt 規則合 金の Pt 組成量依存を示すことになる。S の等値線を見る と,先ほど示した化学量論組成である(Co1-XNiX)50Pt50組 成(Co50Pt50の点から Ni50Pt50の点へ向かうライン)の近 傍で,規則度が最大を示していることが分かる。さらに, S の等値線が Pt 組成の等値線と平行になっていることか ら,S の値はほぼ Pt 組成により決定されていることが見 て取れる。Co 約 65 at% 以上では m-D019が形成され,図 中点線は L11とm-D019の相境界を表している。 図₈に,先に示した S と同様の形式で Ms値を示した ものである。MsはCo 組成の減少(Ni 組成の増加)に伴 い単調に減少しており,組成によって Ms制御可能であ ることが分かる。 図₉は,同様に Ku値を示したものである。図中には 合わせて Msの等値線も示した。Kuの絶対値は S の場合同様に,(Co1-XNiX)50Pt50組成上において最大となる組 成がある。一方,化学量論組成からずれた領域では,Pt 組成が高いところより,低い組成の方が Kuの絶対値が緩 やかに減少していることが分かる。これは,S の結果と定 性的に一致した結果になっている。 表 1は,実用域の Msである約 500 〜 600 emu/cm3を実 現可能な L11型の Co-Pt 二元合金と Co-Ni-Pt 三元合金の 代表的な組成について示した。Msを約 600 emu/cm3とし た場合,二元合金の Ku1.2×107erg/cm3低下している。 一方,Ni で置換して Msを低下させた場合,1.8×107erg/ cm3程度の非常に高い K u値を維持していることが分かる。 また,Ms約 500 emu/cm3とした場合の磁気特性は,二 元合金,三元合金ともに同程度であるが,Pt 量を比較す ると,二元合金では 75 at% 必要であったのが三元合金で25 at% となり,必要量が 1/3 に減少していることが分 かる。すなわち,Co-Ni-Pt 三元合金では,Pt 組成が少量 で,Co-Pt 二元合金と同等以上の磁気特性を実現可能であ ることが分かる。 20 40 60 80 100 120 相対強度(log scale) 2θ (degrees) P t(111) P t(222) (Co − Ni) − P t(111) L 11 (Co − Ni) − P t(222) L 11 (Co − Ni) − P t( 444) L 11 (Co1− Ni )50Pt50:10 nm (Co − Ni) − P t(333) L 11 =0 =0.2 =0.4 =0.6 =0.8 =1 X X X X X X X X 図₅ L11型(Co1-XNiX)50Pt50規則合金膜の X 線回折パターン 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 500 1,000 1,500 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 膜厚:10 nm 飽和磁化 s (emu/cm 3) M Ni 量 規則度 S S MS (Co1− XNi X)50Pt50 X 図₆ L11型(Co1-XNiX)50Pt50規則合金膜のMsとS

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特集

1 本章では,高い Ku値を維持しつつ Msをコントロール することができる,L11型 Co-Ni-Pt 規則合金膜について 述べた。Co-Ni-Pt 三元合金は,広い組成範囲で L11型規 則合金を形成し,希少な Pt 量を少なく抑えた組成で,L11 型 Co-Pt 規則合金と同等以上の磁気特性を実現させるこ とができる。このことは,本材料が,将来のハード/ソフ ト積層型媒体のハード層として有望であることを示してい る。 4 あとがき 現在の記録密度向上ペースが継続した場合,本材料が示 した107erg/cm3台の Ku要求する磁気記録媒体は 2013 年ごろ量産となる見込みである。そのために今後もスピー ド感を持って諸課題の解決に邁進(まいしん)していく所 存である。 本研究は,東北大学電気通信研究所 21世紀情報通信研 究開発センター殿との共同研究結果である。 紙面をお借りし,日ごろより貴重なディスカッションを 賜っている同センター島津武仁准教授に深謝する。 なお,本研究の一部は,文部科学省“次世代 IT 基盤構 築のための研究開発”(高機能 ・ 超低消費電力スピンデバ イス・ ストレージ基盤技術の開発)の支援により行われた。 ここに謝意を表する。 参考文献

⑴ G. R. Harp. et al. Magneto-Optical Kerr Spectroscopy of a New Chemically Ordered Alloy:Co3Pt. Physical Review

Letters. 1993, vol.71, p.2493.

⑵ 山田芳靖, 鈴木孝雄. 日本応用磁気学会誌. Co3Pt合金薄膜に

おける垂直磁気異方性の起源. 1999, vol.23, no.7, p.1855-1860. ⑶ M. Maret. et al. Enhanced perpendicular magnetic

anisot-ropy in chemically long-range ordered(0 0 0 1)CoxPt1-x films, Journal of magnetism and magnetic materials. 1999, vol.191, p.61-71.

⑷ Iwata, S. et al. Perpendicular Magnetic Anisotropy and Magneto-Optical Kerr Spectra of MBE-Grown PtCo Alloy Films. IEEE Transactions on Magnetics. 1997, vol.33, p.3670. ⑸ 山下哲ほか. 日本応用磁気学会誌. MBE 成膜したPtCo合金 膜の磁気異方性と磁気光学効果. 1997, vol.21, no.4_2, p.433 -0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Co 量(at%) Ni 量(at%) Pt 量(at%) 磁気異方性定数 u (×107 erg/cmK3 1.7 0.9 1.1 0.2 0.7 3.7 2.7 1.82.32.11.7 0 0.9 1.8 2.5 2.7 3.2 3.5 1.2 2.3 3.1 1 2 3 400 600 800 1,000 s= M L11 0.8 0.9 図₉ L11型 Co-Ni-Pt 規則合金膜のKu 規則度 S L11 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0.33 0.45 0.44 0.3 0.3 0.11 0.130.190.31 0.500.520.47 0.610.580.54 0.45 0.51 0.45 0.45 0.44 Co 量(at%) Ni 量(at%) Pt量(at%) 0.44 0.4 0.3 0.2 0.1 0.3 0.4 0.40 図₇ L11型 Co-Ni-Pt 規則合金膜のS 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Co 量(at%) Ni 量(at%) Pt 量(at%) 400 600 800 1,000 0 520 1,120 720 390 850 260 740 940 1,040 1,2401,2501,310 320 570 710 830 860 600 510 800 1,000 1,130 L11 飽和磁化 Ms(emu/cm3) 図₈ L11型 Co-Ni-Pt 規則合金膜のMs 表 ₁ L11型の Co-Pt 二元合金と Co-Ni-Pt 三元合金の代表的 な組成のMs,Ku,S 組成(at%) 飽和磁化M s (emu/cm3 磁気異方性定数Ku (× 107erg/cm3 Ku/Ms (kOe) 規則度 S Co Ni Pt 50 0 50 940 3.7 39.4 0.5 30 0 70 600 1.2 20.0 0.19 25 0 75 500 0.7 14.0 0.13 20 30 50 570 1.8 31.6 0.45 15 60 25 520 0.8 15.4 0.3

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特集

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⑹ J. C. A. Huang. et al. Influence of crystal structure on the perpendicular magnetic anisotropy of an epitaxial CoPt al-loy, Journal of Applied Physics. 1999, vol.85, p.5977-5979. ⑺ Sato, H. et al. Fabrication of L11 type Co-Pt ordered alloy

films by sputter deposition, Journal of Physics. 2008, vol.103, no.07, 07E114-07E114-3.

⑻ 島津武仁ほか. 日本磁気学会誌まぐね. スパッタリング法 によるL11型Co-Pt規則化合金膜の作製とその磁気特性. 2008,

vol.3, no.6, p.271-276.

⑼ S. S. A. Bazee. et al. Ab Initio Theoretical Description of the Interrelation between Magnetocrystalline Anisotropy and Atomic Short-Range Order. Physical Review Letters. 1999, vol.82, p.5369.

⑽ 稲葉祐樹ほか. 日本応用磁気学会誌. 高飽和磁化の薄いソフ ト層を有するHard/Softスタック垂直媒体の磁気特性と記録 再生特性. 2007, vol.31, no.3, p.178-183.

⑾ Sato, H. et al. Fabrication of L11-type (Co-Ni)-Pt

or-dered alloy films by sputter deposition. Journal of Applied Physics. 2009, vol.105, 07B726-07B726-3. 片岡 弘康 磁気記録媒体の研究開発に従事。現在,富士電機 ホールディングス株式会社技術開発本部デバイス 技術開発センター次世代媒体開発部。日本磁気学 会会員。 小宮山 和弥 磁気記録媒体の研究開発に従事。現在,富士電機 ホールディングス株式会社技術開発本部デバイス 技術開発センター次世代媒体開発部。日本磁気学 会会員。 高橋 伸幸 磁気記録媒体の研究開発に従事。現在,富士電機 ホールディングス株式会社技術開発本部デバイス 技術研究センター次世代媒体開発部長。IEEE 会員。

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