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![図 1.1: 典型的な分子の構造式 (文献 [2] より転載)](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123deta/6149465.102457/6.892.191.719.336.912/図11典型的な分子の構造式文献2より転載.webp)
![図 1.3: 1/4-filled 擬一次元分子性伝導体における基底状態例 (文献 [9] より転載)。 (a) 分子上に電荷の粗密が形成される電荷秩序, (b) 二量体で１つの電子を有し、強 い on-site-Coulomb 力により電子が局在化したダイマーモット絶縁体。 表 1.1: 1/4-filled 系における電荷秩序とダイマーモット絶縁体 電荷秩序 ダイマーモット絶縁体 電荷密度波の周期 4k F 4k F 分子上電荷の変調 有 無 格子歪 無 有](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123deta/6149465.102457/12.892.277.596.252.515/cny.webp)
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![図 3.1: (BEDT-TTF) 2 X の代表的な構造 (文献 [19] より転載)。上から順に α](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123deta/6149465.102457/21.892.250.665.161.967/bedt-ttf-x.webp)
![表 3.4: 構造解析結果を元にした拡張ヒュッケル法による α-(BEDT-TTF) 2 I 3 の重 なり積分 S の計算値。参考のため、過去の文献値も記載してある。結晶中での重 なり積分の定義は下の図のとおりである。 S /×10 −3 Direction RT(文献値 [42]) RT 20K a1 3.0 3.5 3.1 a2 4.9 4.6 5.4 a3 -1.8 -1.8 -3.3 b1 -12.3 -12.7 -12.1 b2 -14.2 -14.5 -15.8 b3 -6.2 -6.2 -6](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123deta/6149465.102457/41.892.228.614.354.1033/cny-direction.webp)
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